用于多路径功率放大器的一体地形成的分离器和其制造方法与流程

技术特征：
1.一种多分支分离器，其特征在于，包括：半导体管芯；射频(rf)信号输入端；第一分离器分支，所述第一分离器分支包括与所述半导体管芯一体地形成的第一放大器和第一调节元件，其中所述第一放大器的第一栅极端耦合到所述rf信号输入端，并且其中所述第一放大器的第一漏极端耦合到所述第一调节元件的第一输入；第二分离器分支，所述第二分离器分支包括与所述半导体管芯一体地形成的第二放大器和第二调节元件，其中所述第二放大器的第二栅极端耦合到所述rf信号输入端，并且其中所述第二放大器的第二漏极端耦合到所述第二调节元件的第二输入；其中所述第一分离器分支具有至少基于所述第一放大器的第一相位延迟与所述第一调节元件的第二相位延迟的组合的第一组合相位延迟，其中所述第二分离器分支具有至少基于所述第二放大器的第三相位延迟与所述第二调节元件的第四相位延迟的组合的第二组合相位延迟，其中基于所述第一组合相位延迟基本上等于所述第二组合相位延迟，所述第一分离器分支与所述第二分离器分支基本上电隔离，并且其中所述第一分离器分支和所述第二分离器分支被配置成分离rf信号并在所述rf信号施加到所述rf信号输入端处时根据放大比率来放大所述rf信号的输入功率电平。2.根据权利要求1所述的多分支分离器，其特征在于，另外包括隔离阻抗，其中所述隔离阻抗的第一端耦合到所述第一调节元件的第一输出端，其中所述隔离阻抗的第二端耦合到所述第二调节元件的第二输出端，并且其中所述隔离阻抗另外增加所述第一分离器分支与所述第二分离器分支之间的隔离。3.根据权利要求1所述的多分支分离器，其特征在于，所述第一调节元件包括具有产生所述第二相位延迟的电长度的传输线。4.根据权利要求3所述的多分支分离器，其特征在于，所述第二调节元件包括具有产生所述第四相位延迟的电长度的传输线。5.根据权利要求1所述的多分支分离器，其特征在于，所述第一调节元件包括产生所述第二相位延迟的集总元件延迟电路。6.根据权利要求5所述的多分支分离器，其特征在于，所述第二调节元件包括产生所述第四相位延迟的集总元件延迟电路。7.根据权利要求1所述的多分支分离器，其特征在于，所述第一组合相位延迟基本上等于90度。8.根据权利要求7所述的多分支分离器，其特征在于，所述第二组合相位延迟基本上等于90度。9.一种多路径放大器，其特征在于，包括：半导体衬底；第一分离器分支，所述第一分离器分支包括一体地形成于所述半导体衬底上的第一前置驱动器放大器，其中所述第一前置驱动器放大器的第一栅极端耦合到rf信号输入端；第二分离器分支，所述第二分离器分支包括一体地形成于所述半导体衬底上的第二前置驱动器放大器，其中所述第二前置驱动器放大器的第二栅极端耦合到所述rf信号输入
端；第一放大路径，所述第一放大路径一体地形成于所述半导体衬底上，其中所述第一放大路径耦合到所述第一分离器分支的第一输出；第二放大路径，所述第二放大路径一体地形成于所述半导体衬底上，其中所述第二放大路径耦合到所述第二分离器分支的第二输出；其中在rf信号施加到所述rf信号输入端处时，所述第一分离器分支提供所述rf信号的第一前置放大电平，以生成供应到所述第一放大路径的第一经放大信号，其中所述第二分离器分支提供所述rf信号的第二前置放大电平，以生成供应到所述第二放大路径的第二经放大信号，其中通过将所述第一分离器分支和所述第二分离器分支配置成具有近似90度的相位延迟，大幅度地减少了所述第一分离器分支与所述第二分离器分支之间的电耦合。10.一种方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一分离器分支，所述第一分离器分支包括与所述半导体衬底一体地形成的第一放大器和第一调节元件，其中所述第一放大器的第一栅极端耦合到rf信号输入端，并且其中所述第一放大器的第一漏极端耦合到所述第一调节元件的第一输入；以及在所述半导体衬底上形成第二分离器分支，所述第二分离器分支包括与所述半导体衬底一体地形成的第二放大器和第二调节元件，其中所述第二放大器的第二栅极端耦合到所述rf信号输入端，并且其中所述第二放大器的第二漏极端耦合到所述第二调节元件的第二输入，其中基于所述第一分离器分支和所述第二分离器分支具有基本上类似的相位延迟，所述第一分离器分支与所述第二分离器分支基本上电隔离。

技术总结
本公开的各方面可以包括功率分离器。所述功率分离器可以包括第一分离器分支、第二分离器分支，所述第一分离器分支具有带无源组件的第一放大器，所述第二分离器分支具有带无源组件的第二放大器。通过将所述第一分离器分支和所述第二分离器分支配置成具有类似的相位延迟，所述第一分离器分支与所述第二分离器分支基本上电隔离。所述功率分离器的输出可以电耦合到多级放大器。所述功率分离器可以在单个半导体管芯上制造或与如所述多级放大器等其它电路一体地形成于同一半导体管芯上。公开了其它实施例。它实施例。它实施例。


技术研发人员：格扎维埃
受保护的技术使用者：恩智浦美国有限公司
技术研发日：2020.09.29
技术公布日：2022/1/17