生成含金属或半金属膜的方法与流程

技术特征：
1.一种制备含无机金属或半金属膜的方法，包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使固体基材在气态中与通式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)或(vii)的化合物接触：其中a为nr或o，e为cr”、cnr”2
、n、pr”2
或sor”，g为cr’或n，r为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，和r’和r”为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。2.根据权利要求1的方法，其中r为甲基、乙基、异丙基、仲丁基、叔丁基、三甲基甲硅烷基。3.根据权利要求1或2的方法，其中r在1位上不具有氢原子。4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中通式(i)或(ii)化合物中的配体的3位上的r’是h。5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中含金属或半金属化合物含有ti、ta、mn、mo、w、ge、ga、as、in、sb、te、al或si。6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中含金属或半金属化合物是金属或半金属的卤化物。7.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中含有(a)和(b)的顺序进行至少两次。8.根据权利要求1-7中任一项的方法，其中该方法是原子层沉积方法。9.根据权利要求1-8中任一项的方法，其中通式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)或(vii)的化合物具有不超过600g/mol的分子量。
10.根据权利要求1-9中任一项的方法，其中通式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)或(vii)的化合物在200℃的温度下具有至少1毫巴的蒸气压。11.根据权利要求1-10中任一项的方法，其中通式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)或(vii)的化合物具有-80至125℃的熔点。12.根据权利要求1-11中任一项的方法，其中含无机金属或半金属膜含有金属、金属氮化物、金属碳化物、金属碳氮化物、金属合金、金属间化合物或其混合物。13.根据权利要求1-12中任一项的方法，其中含无机金属或半金属膜含有小于5重量％的氮。14.通式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)或(vii)的化合物作为气相沉积方法中的还原剂的用途。15.根据权利要求14的用途，其中所述气相沉积方法是原子层沉积方法。

技术总结
本发明属于制备含无机金属或半金属膜的方法的领域，该方法包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使固体基材在气态中与通式(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)、(VI)或(VII)的化合物接触，其中A为NR或O，E为CR”、CNR”2


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：韦恩州立大学
技术研发日：2020.05.27
技术公布日：2022/1/14