LED芯片转移用感光性转移树脂、利用该感光性转移树脂的LED芯片转移方法及利用其的显示装置的制造方法与流程

led芯片转移用感光性转移树脂、利用该感光性转移树脂的led芯片转移方法及利用其的显示装置的制造方法
技术领域
1.本发明涉及采用将蚀刻分离形成于晶圆上的led芯片以分离得到的各芯片转移到载体基板的技术、利用感光性转移树脂将转移到载体基板的各芯片中的一部分选择性地、依次或按时间间隔转移到其他载体基板及显示板的技术的感光性转移树脂、led芯片转移方法及显示装置的制造方法。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode：led)是施加电流的情况下发光的发光元件之一。发光二极管能够用低电压放出高效率的光，因此具有卓越的节能效果。
3.近来，发光二极管的灰度问题得到很大改善，从而应用在液晶显示装置的背光单元(backlight unit)、电光板、表示器、家电产品等各种设备。
4.微发光二极管(μ-led)的大小为1～100μm程度，非常小，得到40英寸(inch)显示装置需要约2,500万个以上的像素。
5.因此，通过单纯的取放(pick&place)方法制造40英寸显示装置的情况下具有至少需要一个月时间的问题。
6.现有微发光二极管(μ-led)是在蓝宝石基板上制造多个后通过作为机械转移(transfer)方法的取放(pick&place)将微发光二极管一个个转移到玻璃或柔性基板等。
7.由于一个个拾取(pick-up)微发光二极管进行转移，因此被称为1：1取放转移方法。
8.然而，制成于蓝宝石基板上的微发光二极管芯片的大小小且厚度薄，因此在一个个转移微发光二极管芯片的取放转移工程中会发生所述芯片破损、转移失败、芯片对齐(alignment)失败或芯片倾斜(tilt)等问题。
9.并且，具有转移过程耗费过长时间的问题。
10.[现有技术文献]
[0011]
[专利文献]
[0012]
(专利文献1)韩国授权专利10-0853410


技术实现要素：

[0013]
技术问题
[0014]
本发明旨在提供一种可利用uv及热选择性地转移形成或配置于衬底基板的多个芯片感光性树脂的方法。
[0015]
并且，本发明旨在提供一种能够利用预定的感光性树脂选择性地转移形成于衬底基板的多个芯片的方法。
[0016]
并且，旨在提供一种能够利用感光性树脂将从晶圆转移到第一载体基板的多个芯片中的一部分转移到第二载体基板的方法。
[0017]
并且，旨在提供一种可通过利用发泡体将选择性地转移到第二载体基板的芯片转移到显示板制造显示装置的方法。
[0018]
并且，旨在提供一种能够制造具有各种大小且像素间具有各种间距的显示装置的方法。
[0019]
并且，旨在提供一种能够利用与显示装置的分辨率无关地在限定的面积上具有数量尽可能多的rgb像素的晶圆的方法。
[0020]
并且，旨在提供一种能够迅速制造显示装置的方法。
[0021]
本发明要解决的技术问题不限于以上所述的技术问题，本发明所属技术领域的普通技术人员可通过以下记载明确理解未提及的其他问题。
[0022]
技术方案
[0023]
本发明的实施方式的led芯片转移用感光性转移树脂是混合感光性树脂、混合溶剂及光活性剂粉末得到的光活性剂溶液制备的感光性转移树脂，可以对所述感光性转移树脂曝光后不进行显影(develop)工程而是加热使得膨胀以作为剥离或转移黏着在所述感光性转移树脂的led芯片的用途。
[0024]
其中，所述感光性转移树脂的特定区域通过掩模及照射uv被曝光形成光劣化层，能够施加预定的热量时所述光劣化层膨胀选择性地仅剥离或转移位于所述光劣化层的led芯片。
[0025]
并且，本发明的实施例方式的利用感光性转移树脂的led芯片转移装置，包括：基板；以及感光性转移树脂层，形成于所述基板上，由在预定的温度膨胀的感光性树脂构成；所述感光性转移树脂层上配置led芯片，所述感光性转移树脂层的特定区域通过掩模及照射uv被曝光形成光劣化层，施加预定的热量使所述光劣化层膨胀，能够抵消位于所述光劣化层的led芯片的被黏着力以剥离或转移所述led芯片。
[0026]
其中，所述感光性转移树脂通过混合感光性树脂、混合溶剂及光活性剂粉末得到的光活性剂溶液制备得到，所述光活性剂粉末为4重量％以上，可对所述感光性转移树脂曝光后不进行显影(develop)工程而是加热使得膨胀形成可转移的状态。
[0027]
并且，本发明的实施例方式的利用感光性转移树脂的led芯片转移方法可包括：准备基板的基板准备步骤；在所述基板上形成包含感光性树脂剂的感光性转移树脂层的感光性转移树脂层形成步骤；在所述基板的背面侧配置掩模，照射uv使得仅特定区域被曝光的光劣化层形成步骤；以及通过施加预定的热量将位于所述光劣化层上的led芯片选择性地转移到目的基板的选择性转移步骤。
[0028]
并且，本发明的实施例方式的显示装置的制造方法可包括：在晶圆上形成多个led芯片及钝化多个led芯片的保护层的led芯片形成步骤；按所述晶圆上的各led芯片蚀刻所述保护层的蚀刻步骤；将所述晶圆上通过蚀刻排列成行、列或矩阵的led芯片阵列转移到形成有含感光性树脂剂的感光性转移树脂层的第一载体基板的一次转移步骤；从所述led芯片阵列去除所述晶圆的晶圆去除步骤；将所述led芯片阵列从所述第一载体基板转移到具有由第二发泡体与黏着液混合得到的emc黏着层的第二载体基板的二次转移步骤；以及从所述第二载体基板向显示板转移所述led芯片阵列的显示板转移步骤。
[0029]
所述二次转移步骤可包括：在所述第一载体基板的背面侧配置掩模，照射uv对所述感光性转移树脂层的特定区域曝光的光劣化层形成步骤；以及施加预定的热量将位于所
述光劣化层上的led芯片阵列选择性地转移到第二载体基板的选择性转移步骤。
[0030]
技术效果
[0031]
根据上述本发明的构成，具有可利用预定的uv、热及压力选择性地转移形成或配置于衬底基板的多个芯片的优点。
[0032]
并且，具有能够通过蚀刻分离形成于各晶圆上的r芯片、g芯片及b芯片的技术、将分离的各芯片转移到第一载体基板的技术、将转移到第一载体基板的各芯片中的一部分选择性地转移到第二载体基板的技术，将转移到第二载体基板的各芯片依次转移到显示板的优点。
[0033]
并且，本发明能够通过预定的感光性树脂层靶向曝光选择性地转移形成于衬底基板的多个芯片。
[0034]
并且，并非一个个控制微级别的发光元件，能够一次性第将所选择的多个发光元件一次性转移到显示板，因此具有能够显著降低显示装置制造费用及时间的优点。
[0035]
并且，制造大面积显示装置的情况下具有可变更位置反复执行所述转移方法迅速制造的优点。
附图说明
[0036]
图1为用于说明本发明的实施方式的led芯片转移方法的概念图；
[0037]
图2为与图1所示感光性转移树脂中光活性剂的含量相对应的膨胀倍率图表；
[0038]
图3为示出本发明的实施方式的用于转移led芯片的感光性转移树脂的膨胀状态的照片；
[0039]
图4示出本发明的实施方式的led芯片转移方法；
[0040]
图5为用于说明本发明的实施方式的显示装置的制造方法的流程图；
[0041]
图6为按照本发明的实施方式在各晶圆上形成芯片的示意图；
[0042]
图7为按照本发明的实施方式在各晶圆上生长各epi的工程图；
[0043]
图8为按照本发明的实施方式将形成在各晶圆上的各芯片以一个芯片单位进行蚀刻(etching)的工程图；
[0044]
图9为将图8的蚀刻的芯片从晶圆转移到第一载体基板的工程图；
[0045]
图10为通过llo技术去除晶圆的工程图；
[0046]
图11至图14为用于说明将图5所示的芯片阵列选择性地从第一载体基板选择性地转移到第二载体基板的过程(s160)的工程图；
[0047]
图15示出从图14的第二载体基板向显示板转移led芯片阵列的工程(s170)。
[0048]
附图标记说明
[0049]
10r、10g、10b：晶圆
[0050]
100、100r、100g、100b：led芯片
[0051]
210、210r、210g、210b：第一载体基板
[0052]
220、220r、220g、220b：第二载体基板
[0053]
300：显示板
[0054]
400：tft阵列基板
具体实施方式
[0055]
在说明实施方式时记载了形成于各构成要素的“上(上方)或下(下方)”的情况下，上(上方)或下(下方)涵盖两个构成要素相互直接接触或一个以上的又一构成要素配置于两个构成要素之间形成。
[0056]
并且，用“上(上方)或下(下方)”表述的情况下不仅包括以一个构成要素为基准的上侧方向，还可包括下侧方向的含义。
[0057]
附图中各层的厚度或大小是为了说明的便利性及明确性而扩大或省略或简要示出的。并且，各构成要素的大小并不是全都反映实际大小。
[0058]
可对本发明中使用的芯片、csp、led像素csp、led子像素csp如下定义。
[0059]
芯片是涵盖led芯片、rgb芯片、r芯片、g芯片、b芯片、迷你(mini)led芯片及微(micro)led芯片等的概念。为了说明的便利性，以下以所述芯片为r芯片、g芯片或b芯片进行说明，但应注意所述芯片不限于r芯片、g芯片或b芯片。
[0060]
csp(chip scale package)是在单芯片封装(single chip package)的发展方面近来收到极大关注的封装，是指半导体/封装面积比达到80％以上的单芯片封装。
[0061]
led像素csp是指将红led、绿led及蓝led作为一个像素单位将一个led像素进行csp封装的单封装。
[0062]
led子像素csp是指将红led、绿led、蓝led分别以一个子像素单位以一个led子像素单位进行csp封装的单封装。
[0063]
可定义形成于晶圆上的发光体为led芯片。
[0064]
图1为用于说明本发明的实施方式的led芯片转移方法的概念图。
[0065]
本发明利用感光性树脂的膨胀远离。
[0066]
即，向感光性树脂(pr，photo resist)照射uv的情况下内部酚醛清漆树脂与光活性剂等发生光反应而发生酸(acid)，该acid为液体状态，在加热板(hop plate)上放置晶圆并施加温度时只有被照射uv的区域膨胀，只在圈禁于pr内部的液态acid受热体积急剧增加时发生膨胀。
[0067]
其中，为了增大感光性树脂的膨胀力使得能够转移led芯片而添加光活性剂使得pr内acid量增加，通过增大pr膨胀力以切断转移时发生不良的原因。
[0068]
图1的(a)模拟光活性剂含量较少的情况下照射uv及加热时感光性转移树脂的膨胀程度，图1的(b)模拟光活性剂含量较多的情况下照射uv及加热时感光性转移树脂的膨胀程度。
[0069]
光活性剂表示指代光致酸产生剂(pag，photo acid generator)、pac(photo active compound，光敏化合物)、光引发剂、感光性化合物或光活性化合物中任意一个的涵盖性的意思。
[0070]
感光性树脂可以由酚醛清漆树脂(novolac resin)、溶剂(solvent)及光活性剂构成，溶剂可以是pgmea或乳酸乙酯(ethyle lactate)，可以定义感光性转移树脂为向感光性树脂添加了光活性剂溶液的树脂。
[0071]
图1的(a)是以光活性剂按2重量％以下合成的感光性转移树脂的情况，(b)是光活性剂超过6重量％的合成感光性转移树脂的情况。
[0072]
在基板101上涂布感光性转移树脂102、103，在其上部侧配置掩模105照射uv。
[0073]
在被照射uv的区域，感光性转移树脂102、103发生膨胀，未被照射uv的区域处的感光性转移树脂102、103不发生膨胀。
[0074]
即，根据掩模图案、根据有无照射uv，使附着于感光性转移树脂102、103的led芯片的粘着力为0，能够借此选择性地向其他基板选择性地转移led芯片。
[0075]
但是，(a)的情况下感光性转移树脂102'的膨胀力弱，因此无法完全起到转移功能，而(b)的情况下感光性转移树脂103'使得led芯片的粘着力为0，具有能够向其他基板转移的程度的膨胀力。
[0076]
其结果，通过向感光性树脂混合相当多的量的光活性剂溶液形成被照射uv的曝光区域，向该曝光区域施加热量使得该曝光区域的感光性转移树脂膨胀，能够剥离黏着于该曝光区域的led芯片，或者能够将led芯片转移到其他led芯片，感光性转移树脂能够实现只是经过曝光工程，并不经过显影(develop)工程的新用途(led芯片转移用途)的物质。
[0077]
图2为与图1所示的感光性转移树脂中光活性剂的含量相对应的膨胀倍率图表。
[0078]
图2为用图表示出通过实验验证感光性转移树脂内光活性剂的含量与感光性转移树脂的膨胀倍率的结果值。
[0079]
图2所示的图表的结果值用表表示如下，其示出相同uv照射量及施加相同温度的热量时的相对值。
[0080]
【表1】
[0081][0082]
可知pac含量在4至6wt％时斜率非常陡，可知在该范围内具有与pac含量对应的最大效率值的膨胀力。
[0083]
其结果，可知pac含量为4至6wt％时感光性转移树脂的膨胀倍率具有1.8～5.6倍的膨胀力，这种膨胀力为通过使得黏着的led芯片的粘着力变为0，能够脱离、即完全转移的物理值。
[0084]
可见pac含量为10wt％以上时膨胀倍率收敛到6.0倍，因此可知pac含量为4wt％以上时发生用于转移led芯片的膨胀。
[0085]
图3为示出本发明的实施方式的用于转移led芯片的感光性转移树脂的膨胀状态的照片。
[0086]
用于本发明的正(positive)型感光性树脂的典型的感光材料可以是萘醌二叠氮-酚醛清漆树脂(naphtoquinonediazide-novolac)。
[0087]
向感光性树脂混合4wt％以上的光活性剂并照射光的情况下发生光分解形成反应性好的乙烯酮(ketene)，通过此时发生的氮气的影响与乙烯酮和水分反应形成的羧酸(carboxylic acid)，根据在影液中溶解度上升的反应机制形成正型(positive)图像104。
[0088]
在图3的照片中，左上侧照片为照射uv之前的感光性转移树脂照片103，右上侧照片为照射uv形成正图像104的照片。
[0089]
下侧照片是放大照射uv形成正图像即膨胀区域103'的部分的照片。
[0090]
这种膨胀区域能够通过图案化的掩模使特定位置膨胀，可通过算出光活性剂的最佳配比使得具有最大效率的膨胀倍率，仅用于本发明的实施方式的感光性转移树脂所带的热引起的膨胀力瓦解led芯片的被粘着力，从而能够执行剥离或转移led芯片的作用。
[0091]
基于图1至图3，通过图4对实际上如何进行转移工程进行了详细说明，通过图5至图15对从晶圆向显示板转移的工程进行更详细的说明。
[0092]
图4示出本发明的实施方式的led芯片转移方法。
[0093]
如图4所示，本发明的led芯片转移装置可构成为包括基板101、感光性转移树脂层103及led芯片100、100'。
[0094]
led芯片100、100'可表示rgb led芯片、r led芯片、g led芯片、b led芯片、csp(chip scale package，芯片级封装)，led芯片像素csp可表示将红led、绿led及蓝led作为一个像素单位对一个led像素进行csp封装的一个封装，led子像素csp可表示将红led、绿led、蓝led分别以一个子像素单位以一个led子像素单位进行csp封装的一个封装。
[0095]
基板101可以由玻璃(glass)、石英(quartz)、合成石英(synthetic quartz)及金属(metal)中任意一种物质构成，材质不受特殊限制。
[0096]
感光性转移树脂层103可以是含有4wt％以上光活性剂的感光性树脂材料。
[0097]
参见图4对特定位置的led芯片100、100'进行剥离或转移的工程进行说明。
[0098]
参见图4的(a)，在基板101上形成感光性转移树脂层103，在感光性转移树脂层103上配置或转移(表示从其他基板转移)led芯片100、100'形成。
[0099]
参见图4的(b)，在基板101背面侧配置要形成图案的掩模105并通过掩模105照射uv。
[0100]
通过掩模105及照射uv曝光的感光性转移树脂区域如图被光曝光。
[0101]
通过掩模105及照射uv，感光性转移树脂具有曝光区域与未曝光区域，这表示感光性转移树脂为正型树脂的情况，是负型树脂的情况下可与之相反。
[0102]
参见图4的(c)，从基板101的背面侧施加热量达到预定温度的情况下，感光性转移树脂层103内的曝光区域膨胀从而其体积膨胀，体积膨胀的膨胀区域103'使得led芯片100的被粘着性变为0。
[0103]
相反，未曝光的区域103不膨胀，因此led芯片100的被粘着力保持不变。
[0104]
参见图4的(d)，原本黏着在该相应位置的led芯片100剥离，相反侧具有目的基板的情况下，可转移到该目的基板，原本黏着在其他位置(并非膨胀区域的位置)的led芯片100'仍配置在基板上，能够根据需要选择性地剥离或转移led芯片。
[0105]
其中，感光性转移树脂只进行通过uv的曝光工程及利用热量的膨胀工程，不进行显影(develop)工程，在此方面不同于形成图案之类的半导体工程上的感光性树脂。
[0106]
以下参见图5至图15对利用上述led芯片转移装置转移到显示板的方法进行详细说明。
[0107]
图5为用于说明本发明的实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
[0108]
参见图5，本发明的实施方式的显示装置的制造方法包括：在各晶圆上形成各多个芯片的步骤(s110)、将各芯片按各芯片对晶圆蚀刻(etching)的步骤(s120)、将以芯片单位分离的各晶圆的芯片阵列附着于第一载体基板的步骤(s130)、通过llo(laser lift off，激光剥离技术)工程去除晶圆的步骤(s140)、准备第二载体基板的步骤(s150)、从第一载体
基板向第二载体基板选择性地转移芯片阵列的步骤(s160)、将选择性地转移到第二载体基板的芯片阵列依次转移到显示板的步骤(s170)及去除第二载体基板的步骤(s180)。
[0109]
具体实施例如下。
[0110]
在s130步骤之前，可增加制备光活性剂溶液(solution)的步骤。
[0111]
关于光活性剂溶液，通过混合丙酮(acetone)3g光活性剂(pac)1.6g制备pac溶液。
[0112]
通过混合感光性树脂10g与pac溶液2g制成感光性转移树脂层。
[0113]
在s130步骤中，通过旋涂工程将制备的感光性树脂及pac溶液的感光性转移树脂层涂布到第一载体基板上。
[0114]
对涂布的感光性转移树脂层以105度一次软固化90秒，然后以105度二次软固化60秒。
[0115]
在s130步骤中，向准备的感光性转移树脂层以105度施加热量60秒，以此将晶圆上的led芯片转移到第一载体基板。
[0116]
在s150步骤中，在玻璃基板上涂布混合了发泡体与黏着液的emc(ex pandable micro-capsule)黏着层以准备第二载体基板或附着热剥离膜。
[0117]
在s160步骤中，在第一载体基板的相反侧结合第二载体基板，利用掩模整直器整直后，照射2,000mj热量的uv，用100度加热20秒对第一载体基板上的感光性转移树脂层进行加热使得膨胀，此时第一载体基板分离，led芯片完成向第二载体基板的转移。
[0118]
在s170及s180步骤中，准备tft阵列，涂布焊膏后结合第二载体基板与tft阵列。
[0119]
用200度加热90秒使第二载体基板的emc黏着层的发泡体发泡以分离第二载体基板，向显示基板(tft阵列)上转移led芯片。
[0120]
图6为按照本发明的实施方式在各晶圆上形成芯片的示意图。
[0121]
如图6所示，本发明的实施方式将分别形成有r芯片、g芯片及b芯片的三个晶圆为例进行说明，但是不限于此。
[0122]
参见图6，在每个晶圆10r、10g、10b上形成放出相同波段的光的多个发光元件11r、11g、11b。
[0123]
其中，发光元件11r、11g、11b可以是发出红色、绿色、蓝色光的发光芯片。
[0124]
多个发光元件11r、11g、11b在各晶圆10r、10g、10b上可沿着多个行与列等间距相隔排列。
[0125]
等间距配置的发光元件11r、11g、11b以后向行或列方向转移到显示板，因此能够有效利用为相对昂贵的晶圆的整个面积以降低发光元件的制造成本。
[0126]
另外，在每个晶圆10r、10g、10b上形成多个芯片后，可按各芯片对晶圆进行蚀刻工程按各芯片进行分离。
[0127]
优选地，定为形成于各晶圆10r、10g、10b上的芯片之间的间隙w与形成于显示板上的芯片之间的间隙相同或预定值的比例常数的倍数。
[0128]
这能够使得从第二载体基板向显示板以矩阵单位选择性地转移芯片时容易转移。
[0129]
图7为按照本发明的实施方式在各晶圆上生长各epi的工程图。
[0130]
参见图7，在三个晶圆10r、10g、10b各自的一面上生长放出预定光的epi 11r、11g、11b。
[0131]
其中，晶圆10r、10g、10b可以是蓝宝石al2o3、硅胶、砷化镓(gaa s)、氮化镓(gan)
及氮化锌(znn)中任意一种基板。但不限于此，可使用可用作晶圆的任何基板。
[0132]
在生长的各epi 11r、11g、11b上形成焊盘14r、14g、14b，形成钝化(passivation)epi 11r、11g、11b与焊盘14r、14g、14b的保护层13。
[0133]
其中，焊盘14r、14g、14b是未扩张的，可具有一般焊盘的大小与形状。
[0134]
形成保护层13时，优选的是焊盘14r、14g、14b曝光于保护层13的外部，这有利于后续扩张焊盘区域。
[0135]
图7分别示出图6中a-a剖面与b-b剖面的剖面图，优选地，每个芯片一对( )、(-)电极形成于epi层下方，可以以a-a剖面为基准上下形成电极，当然，也可以根据需要左右形成。
[0136]
形成于晶圆10r、10g、10b上的发光体为以芯片单位电气分离的状态，在本发明中称为led芯片，以后按芯片蚀刻后从晶圆10r、10g、10b转移到第一载体基板。
[0137]
图8为按照本发明的实施方式将形成在各晶圆上的各芯片以一个芯片单位进行蚀刻(etching)的工程图。
[0138]
参见图8，如图7在晶圆10b、10g、10b形成epi 11r、11g、11b及焊盘14r、14g、14b，按各芯片蚀刻保护层13形成物理分离的多个芯片100r、100g、100b。其中，在本说明书中将各芯片与包围芯片的保护层13称为芯片。当然，各芯片与包围芯片的保护层13也有可能被称为像素csp或子像素csp。
[0139]
其中，按芯片100r、100g、100b进行蚀刻的工程可采用湿式(wet)或干式(dry)蚀刻，通过蚀刻定义led芯片外形，此时晶圆10b、10g、10b仍原封残留。
[0140]
在以下附图中示出一个芯片100r、100g、100b为在图8形成的芯片100r、100g、100b，但不限于此，也可以是在图6中向行与列方向蚀刻的芯片100r、100g、100b阵列。
[0141]
各芯片100r、100g、100b可具有不需要电线的倒装芯片结构。
[0142]
可以用焊盘14r、14g、14b替代电线进行电连接，芯片100r、100g、100b可分别基于通过焊盘14r、14g、14b接收的外部控制信号放出多种颜色的光。
[0143]
并且，在本发明中芯片100r、100g、100b分别按r、g、b构成各子像素，从而可以实现制造成csp形态的新型概念的小型封装化。
[0144]
r芯片100r、g芯片100g及b芯片100b可构成一个发光元件或发光体。
[0145]
可执行能够通过向多个行与列方向将各芯片100r、100g、100b附着于第一载体基板转移芯片阵列的预处理，从第一载体基板向第二载体基板选择性地转移，排列于第二载体基板的芯片阵列可依次转移到下述显示板。
[0146]
以下说明执行将如图8在各晶圆10b、10g、10b上蚀刻成芯片100r、100g、100b形态的芯片阵列附着到载体基板去除晶圆的工程，之后从第一载体基板选择性地转移到第二载体基板及依次选择性地转移到显示板的工程。
[0147]
以下附图将以图6的晶圆上矩阵排列的芯片阵列中以行(横)排列为基准进行说明。
[0148]
图9为将图8的蚀刻的芯片从晶圆转移到第一载体基板的工程图，图10为通过llo技术去除晶圆的工程图。
[0149]
图9及图10是为了将蚀刻的芯片转移到第一载体基板210r而去除晶圆10r、10g、10b的工程。
[0150]
第一载体基板210r可以是与图4的转移装置相同的构成。
[0151]
参见图9，通过蚀刻向矩阵方向分离芯片后(如图8所示)，将第一载体基板210r、210g、210b附着在晶圆10r、10g、10b的反方向的led芯片100r、100g、100b。
[0152]
即，将第一载体基板210r、210g、210b附着在芯片100r、100g、100b的焊盘14r、14g、14b侧。
[0153]
第一载体基板210r、210g、210b包括基板211r、211g、211b及感光性转移树脂层213r、213g、213b。
[0154]
基板211r、211g、211b可以由玻璃(glass)、石英(quartz)、合成石英(synthetic quartz)及金属(metal)中任意一种物质构成，不受特殊限制。
[0155]
感光性转移树脂层213r、213g、213b为含有4wt％以上光活性剂的感光树脂。
[0156]
参见图10，在如图9所示的状态下通过llo(laser lift off)工程去除晶圆10r、10g、10b的情况下，led芯片100r、100g、100b处于附着在第一载体基板210r、210g、210b的状态，此时芯片100r、100g、100b的方向配置成发光体向反方向露出的状态。
[0157]
第一载体基板210r、210g、210b可包括形成有r led芯片阵列的第一载体基板210r、形成有g led芯片阵列的第一载体基板210g及形成有bled芯片阵列的第一载体基板210b。
[0158]
图11至图14为用于说明将图5所示的芯片阵列选择性地从第一载体基板选择性地转移到第二载体基板的过程的例示性附图。
[0159]
图11至图14仅以图7至图10所示的rgb led芯片中任意一个led芯片为基准进行说明。
[0160]
参见图11，在形成有led芯片阵列100的第一载体基板210上配置第二载体基板220。
[0161]
在led芯片100上接触第二载体基板220的emc黏着层223使得相互附着。
[0162]
其中，第二载体基板220可以由包括玻璃基板221、发泡体225的emc黏着层223构成。
[0163]
发泡体225可以是在预定温度具有发泡特性的微单位的封装化的发泡物质。
[0164]
emc(expandable micro-capsule)黏着层223可以是混合发泡体225与黏着液的树脂。
[0165]
参见图12，第一载体基板210与第二载体基板220如图11隔着led芯片100相对配置的状态下，在第一载体基板210的玻璃基板211的背面配置掩模215。
[0166]
掩模215可以是事先图案化的掩模。
[0167]
在配置有掩模215的状态下照射uv。
[0168]
通过掩模215图案及照射及uv，可以仅曝光感光性转移树脂层213的特定区域。
[0169]
其中，“曝光(exposure)”可通过控制uv照射量(uv exposure energy)调节曝光程度。
[0170]
uv照射量的感光性树脂的调节的曝光部分可被称为光劣化层(photo-induced degradation)。
[0171]
光劣化层在被施加热量的情况下感光性转移树脂的膨胀且led芯片的被黏着力变为0，能够借此选择性地仅转移该位置的led芯片。
[0172]
参见图13，对第一载体基板210上部施加热量。
[0173]
此时，热量可表示感光性转移树脂层213的可膨胀温度。
[0174]
对第一载体基板210施加热量从而感光性转移树脂层213达到可膨胀温度的情况下，感光性转移树脂层213成为体积膨胀的感光性转移树脂层213'，此时体积可膨胀的位置可以是图12进行的存在光劣化层的区域。
[0175]
体积膨胀的感光性转移树脂层213'的大小增大，通过体积膨胀时的压力(膨胀力)推开led芯片100的同时使得led芯片100的被黏着力变成0，黏着在该位置的led芯片100被剥离(或转移)而成为能够转移到第二载体基板220的状态。
[0176]
参见图14，可看到只有特定led芯片100选择性地从第一载体基板210剥离转移到第二载体基板220的状态。
[0177]
图15为示出led芯片阵列从第二载体基板220转移到显示板300的工程的剖面工程图。
[0178]
参见图15的(a)，在显示板300的多个焊盘31上涂布焊膏(solder paste)33。
[0179]
显示板300下方可配置tft阵列基板400。
[0180]
其中，焊膏33可涂布在1列至4列的焊盘31-sp1～31-sp4上，或者可以将焊膏33选择性地涂布到选择转移led芯片100的位置的焊盘。
[0181]
焊膏33可通过丝网印刷、点胶、喷射等各种方法涂布在显示板300多个焊盘31。
[0182]
之后，参见图15的(b)，将附着于第二载体基板220的led芯片阵列100配置在显示板300上，将led芯片阵列100的焊盘排列在涂布于显示板300的焊盘31上的焊膏33-sp1～33-sp4位置。
[0183]
之后，参见图15的(c)，从第二载体基板220上部施加热量。
[0184]
此时，热量是指发泡体225能够发泡的温度。
[0185]
发泡体225受热而体积膨胀，以一定的压力推开包括浸渍的黏着液的emc黏着层223的同时使得失去led芯片100与第二载体基板220之间的粘着力，位于emc黏着层223线上的led芯片100能够转移到显示板300上。
[0186]
反复执行如上所述的工程即可在显示板300上按时间间隔依次转移r、g、b led芯片。
[0187]
上述各实施方式中说明的特征、结构、效果等包含于本发明的至少一个实施方式中，但并非仅限于一个实施例。并且，实施方式所属领域的普通技术人员可以在其他实施方式中组合或变形各实施方式中例示的特征、结构、效果等进行实施。因此，关于这些组合与变形的内容应解释为包含于本发明的范围。
[0188]
并且，以上虽然以实施方式为中心进行了说明，但这些不过是举例说明而已，并非对本发明进行限定，本发明所属领域的普通技术人员在不超出本实施方式的本质特性的范围内，还可以进行以上未例示的多种变形及应用。例如，实施方式中具体出现的各构成要素可变形实施。并且，有关这些变形与应用的差异应解释为包含于本发明的权利要求规定的本发明的范围。