用于处理基板的设备和方法与流程

技术特征：
1.一种基板处理单元，包括：旋转卡盘，其上放置基板；下部电极，被设置在所述旋转卡盘上；以及等离子体产生设备，位于所述旋转卡盘上方并被配置为产生等离子体，其中所述等离子体产生设备包括：第一上部电极单元，被配置为在所述基板的整个表面上执行等离子体处理；以及第二上部电极单元，被配置为在所述基板的局部区域上执行等离子体处理。2.根据权利要求1所述的基板处理单元，其中所述第一上部电极单元包括第一反应器主体，所述第一反应器主体沿着长度方向跨所述基板呈直线型设置，并且被配置为在被配置为与所述旋转卡盘一起旋转的所述基板的表面上执行等离子体处理。3.根据权利要求1所述的基板处理单元，其中所述第一上部电极单元包括：第一反应器主体，具有沿着长度方向跨所述基板呈直线型设置的中空棒状，所述第一反应器主体在内部具有排放空间；以及喷嘴，沿着所述长度方向在所述第一反应器主体的底表面上呈直线型设置，并且被配置为将在所述排放空间中产生的等离子体喷射到放置在所述旋转卡盘上的所述基板上。4.根据权利要求3所述的基板处理单元，还包括：第一致动器，被配置为移动所述第一反应器主体使得所述第一反应器主体在所述旋转卡盘上沿着第一方向水平地移动，其中所述喷嘴的长度大于或等于所述基板的直径。5.根据权利要求3所述的基板处理单元，其中所述第二上部电极单元包括第二反应器主体，所述第二反应器主体被配置为在所述基板上方移动的同时在所述基板的表面上局部地执行等离子体处理。6.根据权利要求4所述的基板处理单元，其中所述第二反应器主体能够沿着垂直于所述第一方向的第二方向在所述第一反应器主体上移动。7.根据权利要求6所述的基板处理单元，其中所述第二反应器主体沿着安装在所述第一反应器主体的侧表面上的驱动轨道移动。8.根据权利要求5所述的基板处理单元，其中所述第二反应器主体设置在单独的移动臂上，并且在与所述移动臂一起移动的同时在所述基板的所述表面上局部地执行等离子体处理。9.根据权利要求2所述的基板处理单元，其中所述第一反应器主体包括由多个分隔壁分开的独立的排放空间，并且其中反应气体被独立地供应到所述独立的排放空间中。10.根据权利要求1所述的基板处理单元，其中所述基板处理单元附接到转位模块和从所述转位模块拆卸，并且其中所述基板处理单元是大气压等离子体处理设备。11.一种基板处理设备，包括：转位模块，包括多个装载端口和传送框架，在每个装载端口上放置其中容纳基板的载体，在所述传送框架中安装被配置为传送所述基板的转位机器人；与所述转位模块连接的处理模块，所述处理模块包括处理腔室，在每个处理腔室中处
理所述基板；以及基板处理单元，被设置成能够安装到所述转位模块和从所述转位模块拆卸，所述基板处理单元包括被配置为在所述基板上执行等离子体处理的等离子体产生设备，其中所述等离子体产生设备包括：第一上部电极单元，被配置为在放置在旋转卡盘上的所述基板的整个表面上执行等离子体处理；以及第二上部电极单元，被配置为在放置在所述旋转卡盘上的所述基板的局部区域上执行等离子体处理。12.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中所述第一上部电极单元包括：第一反应器主体，具有沿着长度方向跨所述基板呈直线型设置的中空棒状，所述第一反应器主体在内部具有排放空间；以及喷嘴，沿着所述长度方向在所述第一反应器主体的底表面上呈直线型设置，并且被配置为将在所述排放空间中产生的等离子体喷射到放置在所述旋转卡盘上的所述基板上。13.根据权利要求12所述的基板处理设备，还包括：致动器，被配置为移动所述第一反应器主体使得所述第一反应器主体在所述旋转卡盘上水平地移动，其中所述喷嘴的长度大于或等于所述基板的直径。14.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中所述第二上部电极单元包括第二反应器主体，所述第二反应器主体被配置为在所述基板上方移动的同时在所述基板的表面上局部地执行等离子体处理，并且其中所述第二反应器主体能够在所述第一反应器主体上移动。15.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中所述第二上部电极单元包括第二反应器主体，所述第二反应器主体被配置为在所述基板上方移动的同时在所述基板的表面上局部地执行等离子体处理，并且其中所述第二反应器主体设置在单独的移动臂上，并且在与所述移动臂一起移动的同时在所述基板的所述表面上局部地执行等离子体处理。16.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中所述装载端口、所述传送框架和所述处理模块沿第一方向布置，并且其中当从上方观察时，所述装载端口和所述基板处理单元沿垂直于所述第一方向的第二方向布置。17.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中所述基板处理单元通过在大气压下对所述基板执行等离子体处理来使所述基板的表面亲水化或疏水化。18.一种用于使用权利要求1所述的基板处理单元对基板执行等离子体处理的方法，所述方法包括以下步骤：在所述基板放置在所述旋转卡盘上的状态下，将所述第一上部电极单元和所述第二上部电极单元放置在所述基板上方；以及当所述旋转卡盘旋转时，使用所述第一上部电极单元或所述第二上部电极单元中的至少一个在所述基板的表面上执行等离子体处理。19.根据权利要求18所述的方法，其中执行所述等离子体处理的步骤包括：
通过使用所述第一上部电极单元在所述基板的整个表面上执行等离子体处理的整个表面处理步骤；以及在所述整个表面处理步骤之后，通过使用所述第二上部电极单元，在等离子体处理不足的区域上选择性地执行等离子体处理的局部处理步骤。20.根据权利要求18所述的方法，其中在执行所述等离子体处理的步骤中，使用所述第一上部电极单元在所述基板的整个表面上执行等离子体处理、以及使用所述第二上部电极单元在所述基板的特定区域上选择性地且局部地执行等离子体处理被同时执行。

技术总结
公开了一种基板处理设备，包括：转位模块，包括多个装载端口以及传送框架，在每个装载端口上放置其中容纳基板的载体，在所述传送框架中安装传送所述基板的转位机器人；与所述转位模块连接的处理模块，所述处理模块包括处理腔室，在每个处理腔室中处理所述基板；以及基板处理单元，其设置在所述转位模块中并且处理所述基板，所述基板处理单元沿着布置所述多个装载端口的方向设置。载端口的方向设置。载端口的方向设置。


技术研发人员：李恒林 金旼永 朴志焄
受保护的技术使用者：细美事有限公司
技术研发日：2021.06.01
技术公布日：2021/12/7