有机发光二极管显示装置及其像素的制作方法

1.本发明的实施例涉及显示装置，并且更具体地涉及有机发光二极管显示装置的像素以及有机发光二极管显示装置。


背景技术：

2.在诸如智能电话或平板计算机的便携式装置中采用的有机发光二极管(“oled”)显示装置中，功耗的减小可能是令人期望的。近来，已经开发了在显示静止图像时降低驱动频率的低频驱动技术以减小oled显示装置的功耗。


技术实现要素：

3.在有机发光二极管(“oled”)显示装置中，当执行低频驱动时，oled显示装置可以在一个帧或多个帧处不驱动显示面板，并且显示面板可以基于所存储的数据电压显示图像以减小功耗。然而，虽然显示面板基于所存储的数据电压显示图像，但是所存储的数据电压可能由于包括在显示面板的像素中的晶体管的泄漏电流而失真，并且因此oled显示装置的图像质量可能劣化。
4.本发明的实施例提供一种oled显示装置的像素，其中该像素的泄漏电流被大幅减小或有效防止。
5.实施例提供一种oled显示装置，其中每个像素的泄漏电流被大幅减小或有效防止。
6.根据实施例，一种oled显示装置的像素包括：电容器，包括耦接至第一电源电压的线的第一电极和耦接至栅极节点的第二电极；第一晶体管，包括耦接至栅极节点的栅极；第二晶体管，响应于扫描信号将数据电压传输至第一晶体管的源极；第三晶体管，响应于扫描信号二极管连接第一晶体管，其中第三晶体管包括在第一晶体管的漏极和栅极节点之间彼此串联耦接的第一子晶体管和第二子晶体管；第四晶体管，响应于初始化信号将初始化电压施加至栅极节点，其中第四晶体管包括在初始化电压的线和栅极节点之间彼此串联耦接的第三子晶体管和第四子晶体管；第五晶体管，响应于发射信号将第一电源电压的线与第一晶体管的源极耦接；第六晶体管，响应于发射信号将第一晶体管的漏极与有机发光二极管的阳极耦接；第七晶体管，响应于初始化信号将初始化电压施加至有机发光二极管的阳极；第八晶体管，响应于发射信号将参考电压施加至第一子晶体管和第二子晶体管之间的第一节点；第九晶体管，响应于发射信号将参考电压施加至第三子晶体管和第四子晶体管之间的第二节点；以及有机发光二极管，包括阳极和耦接至第二电源电压的线的阴极。
7.在实施例中，第八晶体管可以在发射时段中将参考电压施加至第一节点，使得在发射时段中在栅极节点与第一节点之间的泄漏电流减小，并且第九晶体管可以在发射时段中将参考电压施加至第二节点，使得在发射时段中在栅极节点和第二节点之间的泄漏电流减小。
8.在实施例中，参考电压的电压电平可以基于数据电压和第一晶体管的阈值电压来
确定。
9.在实施例中，第一子晶体管可以包括接收扫描信号的栅极、耦接至第一晶体管的漏极的第一端子以及耦接至第一节点的第二端子，第二子晶体管可以包括接收扫描信号的栅极、耦接至第一节点的第一端子以及耦接至栅极节点的第二端子，第三子晶体管可以包括接收初始化信号的栅极、耦接至初始化电压的线的第一端子以及耦接至第二节点的第二端子，并且第四子晶体管可以包括接收初始化信号的栅极、耦接至第二节点的第一端子以及耦接至栅极节点的第二端子。
10.在实施例中，第二晶体管可以包括接收扫描信号的栅极、耦接至数据线的第一端子以及耦接至第一晶体管的源极的第二端子，第五晶体管可以包括接收发射信号的栅极、耦接至第一电源电压的线的第一端子以及耦接至第一晶体管的源极的第二端子，第六晶体管可以包括接收发射信号的栅极、耦接至第一晶体管的漏极的第一端子以及耦接至有机发光二极管的阳极的第二端子，并且第七晶体管可以包括接收初始化信号的栅极、耦接至初始化电压的线的第一端子以及耦接至有机发光二极管的阳极的第二端子。
11.在实施例中，第八晶体管可以包括接收发射信号的栅极、耦接至参考电压的线的第一端子以及耦接至第一节点的第二端子，并且第九晶体管可以包括接收发射信号的栅极、耦接至参考电压的线的第一端子以及耦接至第二节点的第二端子。
12.在实施例中，用于像素的帧时段可以包括：初始化时段，栅极节点和有机发光二极管的阳极在该初始化时段中被初始化；数据写入时段，从数据电压中减去第一晶体管的阈值电压得到的电压在该数据写入时段中被存储在电容器的第二电极处；以及发射时段，有机发光二极管在该发射时段中发光。
13.在实施例中，在初始化时段中，第四晶体管和第七晶体管可以导通，第四晶体管可以将初始化电压施加至栅极节点使得栅极节点被初始化，并且第七晶体管可以将初始化电压施加至有机发光二极管的阳极使得有机发光二极管的阳极被初始化。
14.在实施例中，在数据写入时段中，第二晶体管和第三晶体管可以导通，第二晶体管可以将数据电压传输至第一晶体管的源极，并且第三晶体管可以二极管连接第一晶体管，使得从数据电压中减去第一晶体管的阈值电压得到的电压被存储在电容器的第二电极处。
15.在实施例中，在数据写入时段中，第五晶体管、第六晶体管、第八晶体管和第九晶体管可以导通，第一晶体管可以基于栅极节点的电压来产生驱动电流，第五晶体管和第六晶体管可以形成从第一电源电压的线至第二电源电压的线的驱动电流的路径，第八晶体管可以将参考电压施加至第一节点，并且第九晶体管可以将参考电压施加至第二节点。
16.在实施例中，第一晶体管至第九晶体管可以使用p型金属氧化物半导体(“pmos”)晶体管实施。
17.在实施例中，第一晶体管、第二晶体管和第五至第九晶体管可以使用pmos晶体管实施，并且第三晶体管和第四晶体管可以使用n型金属氧化物半导体(“nmos”)晶体管实施。
18.根据实施例，一种oled显示装置的像素包括：电容器，包括耦接至第一电源电压的线的第一电极和耦接至栅极节点的第二电极；第一晶体管，包括耦接至栅极节点的栅极；第二晶体管，响应于扫描信号将数据电压传输至第一晶体管的源极；第三晶体管，响应于扫描信号二极管连接第一晶体管，其中第三晶体管包括在第一晶体管的漏极和栅极节点之间彼此串联耦接的第一子晶体管和第二子晶体管；第四晶体管，响应于初始化信号将初始化电
压施加至栅极节点，其中第四晶体管包括在初始化电压的线和栅极节点之间彼此串联耦接的第三子晶体管和第四子晶体管；第五晶体管，响应于发射信号将第一电源电压的线与第一晶体管的源极耦接；第六晶体管，响应于发射信号将第一晶体管的漏极与有机发光二极管的阳极耦接；第七晶体管，响应于初始化信号将初始化电压施加至有机发光二极管的阳极；第八晶体管，响应于发射信号将第一参考电压施加至第一子晶体管和第二子晶体管之间的第一节点；第九晶体管，响应于发射信号将第二参考电压施加至第三子晶体管和第四子晶体管之间的第二节点；以及有机发光二极管，包括阳极和耦接至第二电源电压的线的阴极。
19.在实施例中，第一参考电压和第二参考电压可以是彼此相同的电压。
20.在实施例中，第一参考电压和第二参考电压可以是彼此不同的电压。
21.根据实施例，一种oled显示装置包括：显示面板，包括多个像素；数据驱动器，将数据电压提供至多个像素中的每个像素；扫描驱动器，将扫描信号和初始化信号施加至多个像素中的每个像素；发射驱动器，将发射信号提供至多个像素中的每个像素；电力管理电路，将第一电源电压、第二电源电压、初始化电压和参考电压提供至显示面板；以及控制器，控制数据驱动器、扫描驱动器、发射驱动器和电力管理电路。多个像素中的每个像素包括：电容器，包括耦接至第一电源电压的线的第一电极和耦接至栅极节点的第二电极；第一晶体管，包括耦接至栅极节点的栅极；第二晶体管，响应于扫描信号将数据电压传输至第一晶体管的源极；第三晶体管，响应于扫描信号二极管连接第一晶体管，其中第三晶体管包括在第一晶体管的漏极和栅极节点之间彼此串联耦接的第一子晶体管和第二子晶体管；第四晶体管，响应于初始化信号将初始化电压施加至栅极节点，其中第四晶体管包括在初始化电压的线和栅极节点之间彼此串联耦接的第三子晶体管和第四子晶体管；第五晶体管，响应于发射信号将第一电源电压的线与第一晶体管的源极耦接；第六晶体管，响应于发射信号将第一晶体管的漏极与有机发光二极管的阳极耦接；第七晶体管，响应于初始化信号将初始化电压施加至有机发光二极管的阳极；第八晶体管，响应于发射信号将参考电压施加至第一子晶体管和第二子晶体管之间的第一节点；第九晶体管，响应于发射信号将参考电压施加至第三子晶体管和第四子晶体管之间的第二节点；以及有机发光二极管，包括阳极和耦接至第二电源电压的线的阴极。
22.在实施例中，控制器可以包括参考电压确定块，该参考电压确定块基于用于多个像素的图像数据和多个像素的第一晶体管的阈值电压来确定参考电压的电压电平。
23.在实施例中，参考电压确定块可以包括：阈值电压存储块，存储多个像素的第一晶体管的代表阈值电压；代表值计算块，计算用于多个像素的图像数据的代表值；以及控制块，确定与图像数据的代表值对应的代表数据电压，并且通过从代表数据电压中减去代表阈值电压来确定参考电压的电压电平。
24.在实施例中，显示面板可以被划分为多个块，并且提供至显示面板的参考电压可以包括分别提供至多个块的多个块参考电压。
25.在实施例中，控制器可以包括参考电压确定块，该参考电压确定块基于用于多个块中的每个块中的多个像素的图像数据和多个块中的每个块中的多个像素的第一晶体管的阈值电压来确定多个块参考电压中的每个块参考电压的电压电平。
26.在本发明的实施例中，如上所述，在oled显示装置的像素和oled显示装置中，第三
晶体管可以包括在第一晶体管的漏极和栅极节点之间彼此串联耦接的第一子晶体管和第二子晶体管，第四晶体管可以包括在初始化电压的线和栅极节点之间彼此串联耦接的第三子晶体管和第四子晶体管，第八晶体管可以响应于发射信号将参考电压施加至第一子晶体管和第二子晶体管之间的第一节点，并且第九晶体管可以响应于发射信号将参考电压施加至第三子晶体管和第四子晶体管之间的第二节点。因此，在发射时段中在栅极节点和第一节点之间的泄漏电流以及在栅极节点和第二节点之间的泄漏电流可以大幅减小，并且oled显示装置的图像质量可以提高。
附图说明
27.从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本发明的实施例的以上和其他特征。
28.图1是示出根据实施例的有机发光二极管(“oled”)显示装置的像素的电路图。
29.图2是示出不包括第八晶体管和第九晶体管的像素根据驱动频率的亮度的示例的图。
30.图3是用于描述根据实施例的像素的操作的时序图。
31.图4是用于描述在初始化时段中像素的操作的实施例的电路图。
32.图5是用于描述在数据写入时段中像素的操作的实施例的电路图。
33.图6是用于描述在发射时段中像素的操作的实施例的电路图。
34.图7是示出根据替代实施例的oled显示装置的像素的电路图。
35.图8是用于描述根据替代实施例的像素的操作的时序图。
36.图9是示出根据另一替代实施例的oled显示装置的像素的电路图。
37.图10是示出根据又一替代实施例的oled显示装置的像素的电路图。
38.图11是示出根据实施例的oled显示装置的框图。
39.图12是示出包括在oled显示装置中的参考电压确定块的实施例的框图。
40.图13是示出根据替代实施例的oled显示装置的框图。
41.图14是包括根据实施例的oled显示装置的电子装置。
具体实施方式
42.现在将在下文中参考附图更充分地描述本发明，附图中示出各种实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式体现，并且不应当被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。相同的附图标记始终指代相同的元件。
43.将理解，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者在其间可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，没有中间元件存在。
44.将理解，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当受限于这些术语。这些术语仅被用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开来。因此，以下所讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被命名为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分，而不脱离本文中的教导。
45.本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并不旨在是限制。如本文中所使用的，“一”、“所述”、“该”和“至少一个”不指示数量的限制，并且旨在包括单数和复数，除非上下文另外清楚地指出。例如，除非上下文另外清楚地指出，否则“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个”不被解释为限制“一”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括所列出的关联项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。将进一步理解，术语“包括”和/或“包含”及其变体在本说明书中使用时指明所阐述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或附加。
46.此外，相对术语，诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”，在本文中可被用于描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了附图中描绘的取向之外，相对术语旨在包含装置的不同取向。例如，如果附图中的一幅图中的装置被翻转，则描述为在其他元件的“下”侧的元件随后将取向在其他元件的“上”侧上。因此，根据附图的特定取向，术语“下”可以包含“下”和“上”两种取向。类似地，如果附图中的一幅图中的装置被翻转，则描述为在其他元件“下方”或“下面”的元件随后将取向在其他元件“上方”。因此，术语“下方”或“下面”可以包含上方和下方两种取向。
47.如本文中所用的“大约”或“近似”包括在由本领域普通技术人员在考虑讨论中的测量和与特定数量的测量关联的误差(即，测量系统的限制)的情况下确定的特定值的可接受的偏差范围内的所述值和平均值。例如，“大约”可以是指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
48.除非另外限定，本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中所定义的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中明确进行了这种限定。
49.本文中描述的实施例不应当被解释为限于如本文中示出的区域的特定形状，而是包括由于例如制造而导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。此外，所示的锐角可以是圆角的。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区域的精确形状，且不旨在限制本权利要求的范围。
50.在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例。
51.图1是示出根据实施例的有机发光二极管(“oled”)显示装置的像素的电路图，并且图2是示出不包括第八晶体管和第九晶体管的像素根据驱动频率的亮度的示例的图。
52.参考图1，oled显示装置的像素100的实施例可以包括电容器cst、第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8、第九晶体管t9和有机发光二极管el。
53.电容器cst可以存储通过第二晶体管t2和(二极管连接的)第一晶体管t1传输的数据电压dv。电容器cst可以被称为存储电容器。在实施例中，电容器cst可以包括耦接(或连接)至第一电源电压elvdd的线的第一电极和耦接至栅极节点ng的第二电极。
54.第一晶体管t1可以基于电容器cst的第二电极的电压或栅极节点ng的电压来产生驱动电流。第一晶体管t1可以被称为用于驱动有机发光二极管el的驱动晶体管。在实施例
中，第一晶体管t1可以包括耦接至电容器cst的第二电极或栅极节点ng的栅极、耦接至第五晶体管t5的第二端子的第一端子(或源极)以及耦接至第六晶体管t6的第一端子的第二端子(或漏极)。
55.第二晶体管t2可以响应于扫描信号ss将数据电压dv传输至第一晶体管t1的源极。第二晶体管t2可以被称为用于传输数据线的数据电压dv的开关晶体管或扫描晶体管。在实施例中，第二晶体管t2可以包括接收扫描信号ss的栅极、耦接至数据线的第一端子以及耦接至第一晶体管t1的源极的第二端子。
56.第三晶体管t3可以响应于扫描信号ss而二极管连接第一晶体管t1。第三晶体管t3可以被称为用于补偿第一晶体管t1的阈值电压的阈值电压补偿晶体管。在扫描信号ss被施加时，由第二晶体管t2传输的数据电压dv可以通过由第三晶体管t3二极管连接的第一晶体管t1存储至电容器cst。因此，电容器cst可以存储补偿了第一晶体管t1的阈值电压的数据电压dv。
57.在实施例中，如图1中所示，第三晶体管t3可以被实施为包括在第一晶体管t1的漏极与栅极节点ng之间彼此串联耦接的第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2的双晶体管。在这样的实施例中，可以大幅减小来自栅极节点ng或到栅极节点ng的第三晶体管t3的泄漏电流。在实施例中，第一子晶体管t3
‑
1可以包括接收扫描信号ss的栅极、耦接至第一晶体管t1的漏极的第一端子以及耦接至在第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2之间的第一节点n1的第二端子，并且第二子晶体管t3
‑
2可以包括接收扫描信号ss的栅极、耦接至第一节点n1的第一端子以及耦接至栅极节点ng的第二端子。
58.第四晶体管t4可以响应于初始化信号si将初始化电压vint施加至栅极节点ng。第四晶体管t4可以被称为用于初始化栅极节点ng的栅极初始化晶体管。在初始化信号si被施加时，第四晶体管t4可以将初始化电压vint施加至栅极节点ng，并且第一晶体管t1的栅极和电容器cst可以基于栅极节点ng的初始化电压vint被初始化。
59.在实施例中，如图1中所示，第四晶体管t4可以被实施为包括在初始化电压vint的线和栅极节点ng之间彼此串联耦接的第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2的双晶体管。在这种情况下，可以大幅减小来自栅极节点ng或到栅极节点ng的第四晶体管t4的泄漏电流。进一步，在实施例中，第三子晶体管t4
‑
1可以包括接收初始化信号si的栅极、耦接至初始化电压vint的线的第一端子以及耦接至在第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2之间的第二节点n2的第二端子，并且第四子晶体管t4
‑
2可以包括接收初始化信号si的栅极、耦接至第二节点n2的第一端子以及耦接至栅极节点ng的第二端子。
60.第五晶体管t5可以响应于发射信号em将第一电源电压elvdd的线耦接(或连接)至第一晶体管t1的源极，并且第六晶体管t6可以响应于发射信号em将第一晶体管t1的漏极耦接至有机发光二极管el的阳极。第五晶体管t5和第六晶体管t6可以被称为用于允许有机发光二极管el发光的发射晶体管。当发射信号em被施加时，第五晶体管t5和第六晶体管t6可以导通以形成从第一电源电压elvdd的线至第二电源电压elvss的线的驱动电流的路径。在实施例中，第五晶体管t5可以包括接收发射信号em的栅极、耦接至第一电源电压elvdd的线的第一端子以及耦接至第一晶体管t1的源极的第二端子，并且第六晶体管t6可以包括接收发射信号em的栅极、耦接至第一晶体管t1的漏极的第一端子以及耦接至有机发光二极管el的阳极的第二端子。
61.第七晶体管t7可以响应于初始化信号si将初始化电压vint施加至有机发光二极管el的阳极。第七晶体管t7可以被称为用于初始化有机发光二极管el的二极管初始化晶体管。在初始化信号si被施加时，第七晶体管t7可以通过使用初始化电压vint来初始化有机发光二极管el。在实施例中，第七晶体管t7可以包括接收初始化信号si的栅极、耦接至初始化电压vint的线的第一端子以及耦接至有机发光二极管el的阳极的第二端子。
62.第八晶体管t8可以响应于发射信号em将参考电压vref施加至第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2之间的第一节点n1，并且第九晶体管t9可以响应于发射信号em将参考电压vref施加至第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2之间的第二节点n2。第八晶体管t8和第九晶体管t9可以被称为用于控制第一节点n1和第二节点n2的节点控制晶体管。当发射信号em被施加时，第八晶体管t8和第九晶体管t9可以将参考电压vref施加至第一节点n1和第二节点n2，并且栅极节点ng和第一节点n1之间的泄漏电流以及栅极节点ng和第二节点n2之间的泄漏电流可以基于施加至第一节点n1和第二节点n2的参考电压vref而大幅减小。在实施例中，第八晶体管t8可以包括接收发射信号em的栅极、耦接至参考电压vref的线的第一端子以及耦接至第一节点n1的第二端子，并且第九晶体管t9可以包括接收发射信号em的栅极、耦接至参考电压vref的线的第一端子以及耦接至第二节点n2的第二端子。
63.在实施例中，如图1中所示，第一晶体管t1至第九晶体管t9可以使用p型金属氧化物半导体(“pmos”)晶体管来实施。在一个实施例中，例如，第一晶体管t1至第九晶体管t9可以使用低温多晶硅(“ltps”)pmos晶体管来实施。
64.有机发光二极管el可以基于由第一晶体管t1产生的驱动电流来发光。当发射信号em被施加时，由第一晶体管t1产生的驱动电流可以被提供至有机发光二极管el，并且有机发光二极管el可以基于驱动电流发光。在实施例中，有机发光二极管el可以包括耦接至第六晶体管t6的第二端子的阳极和耦接至第二电源电压elvss的线的阴极。
65.在实施例中，包括像素100的oled显示装置可以例如在显示静止图像时执行低频驱动，以减小功耗。在这样的实施例中，当低频驱动被执行时，在多个帧时段的至少一部分中或者在低频保持时段中，每个像素100可以不接收初始化信号si、扫描信号ss和数据电压dv，并且可以基于在前一帧时段中存储在电容器cst中的数据电压dv发光。在这样的实施例中，存储在电容器cst中的数据电压dv或栅极节点ng的电压可能由于像素100的晶体管t1至t7的泄漏电流(例如，直接耦接至电容器cst的第二电极或栅极节点ng的第三晶体管t3和第四晶体管t4的泄漏电流)而失真，并且因此，oled显示装置的图像质量可能劣化。在像素100的实施例中，如上所述，第三晶体管t3可以被实施为包括第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2的双晶体管，并且第四晶体管t4可以被实施为包括第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2的双晶体管，以减小第三晶体管t3和第四晶体管t4的泄漏电流。因此，可以大幅减小来自栅极节点ng或到栅极节点ng的第三晶体管t3和第四晶体管t4的泄漏电流。
66.在这样的实施例中，在第三晶体管t3包括第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2的情况下，寄生电容器可以形成在第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2之间的第一节点n1与像素100的线(例如，扫描信号ss的线)之间，并且因此可能发生从第一节点n1到栅极节点ng的第二子晶体管t3
‑
2的泄漏电流。在这样的实施例中，在第四晶体管t4包括第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2的情况下，寄生电容器可以形成在第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2之间的第二节点n2与像素100的线(例如，初始化信号si的线)之间，并且因此
可能发生从第二节点n2到栅极节点ng的第四子晶体管t4
‑
2的泄漏电流。因此，由于第二子晶体管t3
‑
2和第四子晶体管t4
‑
2的泄漏电流，栅极节点ng的电压可以增加，第一晶体管t1的驱动电流可以降低，并且因此有机发光二极管el的亮度可以降低。因此，在不包括第八晶体管t8和第九晶体管t9的传统像素中，栅极节点ng的电压可以由于到栅极节点ng的泄漏电流而增加，并且有机发光二极管el的亮度可以降低。具体来说，随着包括传统像素的传统oled显示装置的驱动频率增加，传统oled显示装置的亮度可以进一步降低，并且在以低驱动频率操作的传统oled显示装置中可以感知由亮度差引起的闪烁。当传统oled显示装置以大约60hz的驱动频率操作时，如图2的210所示，例如，传统像素的亮度可以在每个帧时段中从大约420尼特的亮度降低大约0.71％至大约417尼特的亮度。进一步，在驱动电流降低的情况下，或者在传统oled显示装置以大约30hz的驱动频率操作的情况下，如图2的230所示，传统像素的亮度可以在每个帧时段中从大约420尼特的亮度降低大约8.43％至大约384.6尼特的亮度，并且可以感知由大约384.6尼特和大约420尼特之间的亮度差引起的闪烁。
67.在根据本发明的oled显示装置的像素100的实施例中，第八晶体管t8可以在发射时段中将参考电压vref施加至第一节点n1，以减小在发射时段中在栅极节点ng与第一节点n1之间的泄漏电流，并且第九晶体管t9可以在发射时段中将参考电压vref施加至第二节点n2，以减小在发射时段中在栅极节点ng和第二节点n2之间的泄漏电流。在这样的实施例中，参考电压vref的电压电平可以基于数据电压dv和第一晶体管t1的阈值电压来确定，使得参考电压vref可以具有与栅极节点ng的电压接近的电压电平。在一个实施例中，例如，参考电压vref可以被确定为从数据电压dv中减去第一晶体管t1的阈值电压得到的电压。在实施例中，参考电压vref可以被确定为从用于oled显示装置的全部像素100的数据电压dv的平均值中减去该全部像素100的第一晶体管t1的阈值电压的平均值得到的电压。在替代实施例中，oled显示装置的像素100可以被分组为多个块，并且针对每个块的参考电压vref可以被确定为从用于块中的像素100的数据电压dv的平均值中减去该块中的像素100的第一晶体管t1的阈值电压的平均值得到的电压。在另一替代实施例中，针对每个像素100的参考电压vref可以被确定为从用于像素100的数据电压dv中减去像素100的第一晶体管t1的阈值电压得到的电压。因此，在这样的实施例中，第一节点n1的电压、第二节点n2的电压以及栅极节点ng的电压中的全部电压可以变成彼此基本相同的电压，或者变成从数据电压dv中减去第一晶体管t1的阈值电压得到的电压，并且因此栅极节点ng和第一节点n1之间的泄漏电流以及栅极节点ng和第二节点n2之间的泄漏电流可以被有效地防止或大幅减小。
68.如上所述，在根据本发明的像素100的实施例中，第三晶体管t3可以包括在第一晶体管t1的漏极和栅极节点ng之间彼此串联耦接的第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2，第四晶体管t4可以包括在初始化电压vint的线和栅极节点ng之间彼此串联耦接的第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2，第八晶体管t8可以响应于发射信号em将参考电压vref施加至第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2之间的第一节点n1，并且第九晶体管t9可以响应于发射信号em将参考电压vref施加至第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2之间的第二节点n2。因此，栅极节点ng与第一节点n1之间的泄漏电流以及栅极节点ng与第二节点n2之间的泄漏电流可以大幅减小，并且包括像素100的oled显示装置的图像质量可以提高。
69.图3是用于描述根据实施例的像素的操作的时序图，图4是用于描述在初始化时段中像素的操作的实施例的电路图，图5是用于描述在数据写入时段中像素的操作的实施例
的电路图，并且图6是用于描述在发射时段中像素的操作的实施例的电路图。
70.参考图1和图3，用于像素100的帧时段fp可以包括初始化时段ip、数据写入时段dwp以及发射时段emp。在实施例中，像素100的第一晶体管t1至第九晶体管t9可以使用pmos晶体管实施，并且初始化信号si、扫描信号ss和发射信号em可以是具有作为导通电平的低电平和作为截止电平的高电平的有效低信号。
71.在初始化时段ip中，栅极节点ng以及有机发光二极管el的阳极可以被初始化。在初始化时段ip中，如图3中所示，发射信号em和扫描信号ss可以具有截止电平，并且初始化信号si可以具有导通电平。在这样的实施例中，如图4中所示，在初始化时段ip中，第四晶体管t4和第七晶体管t7可以响应于具有导通电平的初始化信号si而导通。因此，第四晶体管t4可以将初始化电压vint施加至栅极节点ng，并且因此栅极节点ng或第一晶体管t1的栅极以及电容器cst可以被初始化。在初始化时段ip中，第七晶体管t7可以将初始化电压vint施加至有机发光二极管el的阳极，并且因此有机发光二极管el的阳极可以被初始化。
72.在数据写入时段dwp中，通过从数据电压dv中减去第一晶体管t1的阈值电压而获得的电压被存储在电容器cst的第二电极处。在数据写入时段dwp中，如图3中所示，发射信号em和初始化信号si可以具有截止电平，并且扫描信号ss可以具有导通电平。在数据写入时段dwp中，如图5中所示，第二晶体管t2和第三晶体管t3可以响应于具有导通电平的扫描信号ss而导通。因此，第二晶体管t2可以将数据线的数据电压dv传输至第一晶体管t1的源极。在数据写入时段dwp中，第三晶体管t3可以二极管连接第一晶体管t1，并且因此通过从数据电压dv中减去第一晶体管t1的阈值电压(vth)而获得的电压dv
‑
vth可以通过二极管连接的第一晶体管t1而存储在电容器cst的第二电极处。
73.在发射时段emp中，有机发光二极管el可以发光。在发射时段emp中，如图3中所示，初始化信号si和扫描信号ss可以具有截止电平，并且发射信号em可以具有导通电平。在发射时段emp中，如图6中所示，第五晶体管t5、第六晶体管t6、第八晶体管t8和第九晶体管t9可以响应于具有导通电平的发射信号em而导通。第一晶体管t1可以基于栅极节点ng的电压dv
‑
vth或电容器cst的第二电极的电压dv
‑
vth来产生驱动电流idr，第五晶体管t5和第六晶体管t6可以形成从第一电源电压elvdd的线至第二电源电压elvss的线的驱动电流idr的路径，并且有机发光二极管el可以基于由第一晶体管t1产生的驱动电流idr发光。因此，由于驱动电流idr基于通过从数据电压dv中减去第一晶体管t1的阈值电压(vth)而获得的电压dv
‑
vth来产生，因此驱动电流idr可以基于数据电压dv确定，而与第一晶体管t1的阈值电压(vth)无关。
74.在发射时段emp中，如图6中所示，第八晶体管t8可以将参考电压vref施加至第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2之间的第一节点n1，并且第九晶体管t9可以将参考电压vref施加至第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2之间的第二节点n2。在发射时段emp中，参考电压vref可以具有接近于栅极节点ng的电压dv
‑
vth的电压电平，并且因此栅极节点ng和第一节点n1之间的泄漏电流以及栅极节点ng和第二节点n2之间的泄漏电流可以大幅减小。
75.图7是示出根据替代实施例的oled显示装置的像素的电路图，并且图8是用于描述根据替代实施例的像素的操作的时序图。
76.参考图7，oled显示装置的像素300的实施例可以包括电容器cst、第一晶体管t1、
第二晶体管t2、第三晶体管nt3、第四晶体管nt4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8、第九晶体管t9和有机发光二极管el。除了第三晶体管nt3和第四晶体管nt4可以使用n型金属氧化物半导体(“nmos”)晶体管实施之外，图7的像素300可以具有与图1的像素100基本相同的配置。在这样的实施例中，除了施加至第三晶体管nt3和第四晶体管nt4的信号nss和nsi(如图8中所示)可以是有效高信号之外，提供至图7中所示的像素300的信号pss、psi和em(如图8中所示)可以与提供至图1中所示的像素100的信号ss、si和em(如图3中所示)基本相同。
77.在像素300的另一替代实施例中，第一晶体管t1、第二晶体管t2以及第五至第九晶体管t5、t6、t7、t8和t9可以使用pmos晶体管实施，并且第三晶体管nt3和第四晶体管nt4可以使用nmos晶体管实施。在一个实施例中，例如，第一晶体管t1、第二晶体管t2以及第五至第九晶体管t5、t6、t7、t8和t9可以使用ltps pmos晶体管实施，并且第三晶体管nt3和第四晶体管nt4的第一子晶体管nt3
‑
1、第二子晶体管nt3
‑
2、第三子晶体管nt4
‑
1和第四子晶体管nt4
‑
2可以使用氧化物nmos晶体管实施。在这样的实施例中，直接耦接至电容器cst的第三晶体管nt3和第四晶体管nt4或者第一子晶体管nt3
‑
1、第二子晶体管nt3
‑
2、第三子晶体管nt4
‑
1和第四子晶体管nt4
‑
2，可以使用具有相对小的泄漏电流的nmos晶体管来实施，并且因此可以进一步减小来自栅极节点ng或到栅极节点ng的第三晶体管nt3和第四晶体管nt4的泄漏电流。
78.在实施例中，如图7和图8中所示，施加至第二晶体管t2以及第五至第九晶体管t5、t6、t7、t8和t9的初始化信号psi、扫描信号pss和发射信号em可以是具有作为导通电平的低电平和作为截止电平的高电平的有效低信号，并且施加至第三晶体管nt3和第四晶体管nt4的初始化信号nsi和扫描信号nss可以是具有作为导通电平的高电平和作为截止电平的低电平的有效高信号。
79.图9是示出根据另一替代实施例的oled显示装置的像素的电路图。
80.参考图9，oled显示装置的像素400的实施例可以包括电容器cst、第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8'、第九晶体管t9'以及有机发光二极管el。除了第八晶体管t8'可以耦接至第一参考电压vref1的线并且第九晶体管t9'可以耦接至第二参考电压vref2的线之外，图9的像素400可以具有与图1的像素100基本相同的配置。
81.第八晶体管t8'可以将第一参考电压vref1施加至第三晶体管t3的第一子晶体管t3
‑
1和第二子晶体管t3
‑
2之间的第一节点n1，并且第九晶体管t9'可以将第二参考电压vref2施加至第四晶体管t4的第三子晶体管t4
‑
1和第四子晶体管t4
‑
2之间的第二节点n2。在实施例中，第一参考电压vref1和第二参考电压vref2可以是彼此基本相同的电压。在替代实施例中，第一参考电压vref1和第二参考电压vref2可以是彼此不同的电压。在这样的实施例中，第一参考电压vref1可以具有适合于第一节点n1的电压电平，第二参考电压vref2可以具有适合于第二节点n2的电压电平，并且因此栅极节点ng和第一节点n1之间的泄漏电流以及栅极节点ng和第二节点n2之间的泄漏电流可以进一步减小。
82.图10是示出根据又一替代实施例的oled显示装置的像素的电路图。
83.参考图10，oled显示装置的像素500的实施例可以包括电容器cst、第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管nt3、第四晶体管nt4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管
t7、第八晶体管t8'、第九晶体管t9'和有机发光二极管el。除了第三晶体管nt3和第四晶体管nt4可以使用nmos晶体管实施之外，图10的像素500可以具有与图9的像素400基本相同的配置。在这样的实施例中，除了施加至第三晶体管nt3和第四晶体管nt4的信号nss和nsi可以是有效高信号之外，提供至图10中所示的像素500的信号pss、psi和em可以与提供至图9中所示的像素400的信号ss、si和em基本相同。
84.在像素500的实施例中，第一晶体管t1、第二晶体管t2以及第五至第九晶体管t5、t6、t7、t8'和t9'可以使用pmos晶体管实施，并且第三晶体管nt3和第四晶体管nt4可以用nmos晶体管实施。在这样的实施例中，直接耦接至电容器cst的第三晶体管nt3和第四晶体管nt4或者第一子晶体管nt3
‑
1、第二子晶体管nt3
‑
2、第三子晶体管nt4
‑
1和第四子晶体管nt4
‑
2，可以使用具有相对小的泄漏电流的nmos晶体管来实施，并且因此可以进一步减小来自栅极节点ng或到栅极节点ng的第三晶体管nt3和第四晶体管nt4的泄漏电流。
85.图11是示出根据实施例的oled显示装置的框图，并且图12是示出包括在oled显示装置中的参考电压确定块的实施例的框图。
86.参考图11，oled显示装置600的实施例可以包括包含多个像素px的显示面板610，将数据电压dv提供至多个像素px的数据驱动器620，将扫描信号ss和初始化信号si提供至多个像素px的扫描驱动器630，将发射信号em提供至多个像素px的发射驱动器640，将第一电源电压elvdd、第二电源电压elvss、初始化电压vint和参考电压vref提供至显示面板610的电力管理电路650，以及控制数据驱动器620、扫描驱动器630、发射驱动器640和电力管理电路650的控制器660。
87.显示面板610可以包括多个像素px。根据实施例，每个像素px可以是图1的像素100、图7的像素300、图9的像素400或图10的像素500等。在每个像素px中，第三晶体管可以包括在第一晶体管的漏极和栅极节点之间彼此串联耦接的第一子晶体管和第二子晶体管，第四晶体管可以包括在初始化电压vint的线和栅极节点之间彼此串联耦接的第三子晶体管和第四子晶体管，第八晶体管可以响应于发射信号em而将参考电压vref施加至第一子晶体管和第二子晶体管之间的第一节点，并且第九晶体管可以响应于发射信号em而将参考电压vref施加至第三子晶体管和第四子晶体管之间的第二节点。因此，在发射时段中在栅极节点和第一节点之间的泄漏电流以及在栅极节点和第二节点之间的泄漏电流可以大幅减小，并且oled显示装置600的图像质量可以提高。
88.数据驱动器620可以基于从控制器660接收的数据控制信号dctrl和输出图像数据odat来产生数据电压dv，并且可以将数据电压dv提供至多个像素px。在实施例中，数据控制信号dctrl可以包括但不限于输出数据使能信号、水平开始信号和负载信号。在实施例中，数据驱动器620和控制器660可以使用信号集成电路来实施，并且信号集成电路可以被称为时序控制器嵌入式数据驱动器(“ted”)。在替代实施例中，数据驱动器620和控制器660可以分别使用分离的集成电路来实施。
89.扫描驱动器630可以基于从控制器660接收的扫描控制信号sctrl来产生扫描信号ss和初始化信号si，并且可以在逐行的基础上将扫描信号ss和初始化信号si依次地提供至多个像素px。在实施例中，扫描控制信号sctrl可以包括但不限于初始化开始信号、初始化时钟信号、扫描开始信号和扫描时钟信号。在实施例中，扫描驱动器630可以被集成或形成在显示面板610的外围部分中。在替代实施例中，扫描驱动器630可以使用一个或多个集成
电路来实施。
90.发射驱动器640可以基于从控制器660接收的发射控制信号emctrl来产生发射信号em，并且可以将发射信号em提供至多个像素px。在实施例中，发射信号em可以是基本上同时提供至多个像素px的全局信号。在替代实施例中，发射信号em可以在逐行的基础上依次被提供至多个像素px。在实施例中，发射驱动器640可以被集成或形成在显示面板610的外围部分中。在替代实施例中，发射驱动器640可以使用一个或多个集成电路来实施。
91.电力管理电路650可以产生被提供至显示面板610的第一电源电压elvdd、第二电源电压elvss、初始化电压vint和参考电压vref。在实施例中，电力管理电路650可以从控制器660接收表示参考电压vref的电压电平的参考电压控制信号vrefcs，并且可以产生具有由参考电压控制信号vrefcs表示的电压电平的参考电压vref。在实施例中，电力管理电路650可以使用例如电力管理集成电路(“pmic”)的集成电路来实施。在替代实施例中，电力管理电路650可以被包括在数据驱动器620或控制器660中。
92.控制器660(例如，时序控制器)可以从外部主机(例如，应用处理器(“ap”)、图形处理单元(“gpu”)或显卡)接收输入图像数据idat和控制信号ctrl。在实施例中，控制信号ctrl可以包括但不限于垂直同步信号、水平同步信号、输入数据使能信号、主时钟信号等。控制器660可以基于输入图像数据idat和控制信号ctrl产生输出图像数据odat、数据控制信号dctrl、扫描控制信号sctrl、发射控制信号emctrl和参考电压控制信号vrefcs。控制器660可以通过将输出图像数据odat和数据控制信号dctrl提供至数据驱动器620来控制数据驱动器620的操作，可以通过将扫描控制信号sctrl提供至扫描驱动器630来控制扫描驱动器630的操作，可以通过将发射控制信号emctrl提供至发射驱动器640来控制发射驱动器640的操作，并且可以通过将参考电压控制信号vrefcs提供至电力管理电路650来控制电力管理电路650的操作。
93.在实施例中，如图11中所示，控制器660可以包括用于控制参考电压vref的参考电压确定块670。参考电压确定块670可以基于输入图像数据idat或者用于多个像素px的像素图像数据以及多个像素px中的第一晶体管(或驱动晶体管)的阈值电压来确定参考电压vref的电压电平。在实施例中，如图12中所示，参考电压确定块670可以包括阈值电压存储块672、代表值计算块674和控制块676。
94.阈值电压存储块672可以存储显示面板610的多个像素px的第一晶体管(或驱动晶体管)的代表阈值电压avth。在实施例中，代表阈值电压avth可以是多个像素px的驱动晶体管的阈值电压的平均值。在替代实施例中，代表阈值电压avth可以是多个像素px的驱动晶体管的阈值电压的中间值。在实施例中，当oled显示装置600被制造时，代表阈值电压avth可以被确定，并且可以被存储在阈值电压存储块672中。不同的代表阈值电压avth可以被用在不同的oled显示装置600中，并且因此，适合于不同的oled显示装置600中的每个oled显示装置600的参考电压vref可以彼此独立地被确定。
95.代表值计算块674可以接收输入图像数据idat或者用于显示面板610的多个像素px的多个像素图像数据pxdat，并且可以计算多个像素图像数据pxdat的代表值rv。在实施例中，代表值计算块674可以将多个像素图像数据pxdat的平均值计算为代表值rv。在替代实施例中，代表值计算块674可以将多个像素图像数据pxdat的中间值计算为代表值rv。在另一替代实施例中，代表值计算块674可以将除平均值和中间值之外的多个像素图像数据
pxdat的任何值计算为代表值rv。
96.控制块676可以确定与从代表值计算块674接收的代表值rv对应的代表数据电压。在一个实施例中，例如，控制块676可以通过使用查找表将与由代表值rv表示的灰度值对应的数据电压dv确定为代表数据电压。在实施例中，控制块676可以通过从代表数据电压中减去代表阈值电压avth来确定参考电压vref的电压电平。控制块676可以将表示所确定的参考电压vref的电压电平的参考电压控制信号vrefcs提供至电力管理电路650，并且电力管理电路650可以产生具有由参考电压控制信号vrefcs表示的电压电平的参考电压vref。因此，在每个像素px中，从代表数据电压中减去代表阈值电压avth而获得的参考电压vref可以被施加至第一子晶体管和第二子晶体管之间的第一节点以及第三子晶体管和第四子晶体管之间的第二节点。因此，栅极节点和第一节点之间的泄漏电流以及栅极节点和第二节点之间的泄漏电流可以大幅减小，并且oled显示装置600的图像质量可以提高。
97.图13是示出根据替代实施例的oled显示装置的框图。
98.参考图13，oled显示装置700的实施例可以包括显示面板710、数据驱动器720、扫描驱动器730、发射驱动器740、电力管理电路750和控制器760。除了显示面板710可以被划分为多个块pxb1和pxb2之外，图13的oled显示装置700可以具有与图11的oled显示装置600基本相同的配置和基本相同的操作，并且电力管理电路750可以将多个块参考电压vrefb1和vrefb2作为参考电压vref分别提供至多个块pxb1和pxb2。
99.在oled显示装置700的这样的实施例中，控制器760的参考电压确定块770可以分别针对多个块pxb1和pxb2确定多个块参考电压vrefb1和vrefb2。
100.参考电压确定块770可以基于用于多个块pxb1和pxb2中的每个块中的多个像素px的输入图像数据idat以及多个块pxb1和pxb2中的每个块中的多个像素px的第一晶体管(或驱动晶体管)的阈值电压，来确定多个块参考电压vrefb1和vrefb2中的每个块参考电压的电压电平。在一个实施例中，例如，如图13中所示，显示面板710可以被划分为第一块pxb1(或上块)和第二块pxb2(或下块)。参考电压确定块770可以基于用于第一块pxb1中的多个像素px的输入图像数据idat的代表值以及第一块pxb1中的多个像素px的驱动晶体管的代表阈值电压确定提供至第一块pxb1的第一块参考电压vrefb1的电压电平，并且可以基于用于第二块pxb2中的多个像素px的输入图像数据idat的代表值以及第二块pxb2中的多个像素px的驱动晶体管的代表阈值电压确定提供至第二块pxb2的第二块参考电压vrefb2的电压电平。在实施例中，参考电压确定块770可以将表示所确定的第一块参考电压vrefb1的电压电平的第一参考电压控制信号vrefcs1以及表示所确定的第二块参考电压vrefb2的电压电平的第二参考电压控制信号vrefcs2提供至电力管理电路750。电力管理电路750可以将具有由第一参考电压控制信号vrefcs1表示的电压电平的第一块参考电压vrefb1提供至第一块pxb1，并且可以将具有由第二参考电压控制信号vrefcs2表示的电压电平的第二块参考电压vrefb2提供至第二块pxb2。
101.图13示出显示面板710被划分为两个块pxb1和pxb2的实施例，但不限于此。可替代地，显示面板710可以被划分为任意数量的块，并且不同的块参考电压可以被提供至不同的块。图13示出不同的(块)参考电压vrefb1和vrefb2被施加至各自包括两个或更多个像素px的多个块pxb1和pxb2的实施例，但不限于此。可替代地，不同的参考电压vref可以被施加至相应的像素px。
102.图14是包括根据实施例的oled显示装置的电子装置。
103.参考图14，电子装置1100的实施例可以包括处理器1110、存储器装置1120、存储装置1130、输入/输出(i/o)装置1140、电源1150以及oled显示装置1160。电子装置1100可以进一步包括与视频卡、声卡、存储器卡、通用串行总线(“usb”)装置、其他电子装置等通信的多个端口。
104.处理器1110可以执行各种计算功能或任务。处理器1110可以是ap、微处理器、中央处理单元(“cpu”)等。处理器1110可以经由地址总线、控制总线、数据总线等耦接至其他部件。在实施例中，处理器1110可以进一步耦接至诸如外围部件互连(“pci”)总线的扩展总线。
105.存储器装置1120可以存储用于电子装置1100的操作的数据。在一个实施例中，例如，存储器装置1120可以包括至少一个非易失性存储器装置，例如可擦除可编程只读存储器(“eprom”)装置、电可擦除可编程只读存储器(“eeprom”)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(“pram”)装置、电阻随机存取存储器(“rram”)装置、纳米浮栅存储器(“nfgm”)装置、聚合物随机存取存储器(“poram”)装置、磁性随机存取存储器(“mram”)装置、铁电随机存取存储器(“fram”)装置等，和/或至少一个易失性存储器装置，例如动态随机存取存储器(“dram”)装置、静态随机存取存储器(“sram”)装置、移动dram装置等。
106.存储装置1130可以是固态驱动(“ssd”)装置、硬盘驱动(“hdd”)装置、cd
‑
rom装置等。i/o装置1140可以是诸如键盘、小键盘、鼠标、触摸屏等的输入装置以及诸如打印机、扬声器等的输出装置。电源1150可以供给用于电子装置1100的操作的电力。oled显示装置1160可以通过总线或其他通信链路耦接至其他部件。
107.在oled显示装置1160的这样的实施例的每个像素中，第三晶体管可以包括在第一晶体管的漏极和栅极节点之间彼此串联耦接的第一子晶体管和第二子晶体管，第四晶体管可以包括在初始化电压的线和栅极节点之间彼此串联耦接的第三子晶体管和第四子晶体管，第八晶体管可以响应于发射信号而将参考电压施加至第一子晶体管和第二子晶体管之间的第一节点，并且第九晶体管可以响应于发射信号而将参考电压施加至第三子晶体管和第四子晶体管之间的第二节点。因此，在发射时段中在栅极节点和第一节点之间的泄漏电流以及在栅极节点和第二节点之间的泄漏电流可以大幅减小，并且oled显示装置1160的图像质量可以提高。
108.本发明的实施例可以被应用于任何oled显示装置1160以及包括oled显示装置1160的任何电子装置1100。在一个实施例中，例如，本发明的实施例可以被应用于移动电话、智能电话、可穿戴电子装置、平板计算机、电视(“tv”)、数字tv、三维(“3d”)tv、个人计算机(“pc”)、家用电器、膝上型计算机、个人数字助理(“pda”)、便携式多媒体播放器(“pmp”)、数码相机、音乐播放器、便携式游戏机、导航装置等。
109.本发明不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得此公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的构思。
110.虽然参考本发明的实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不偏离如所附权利要求所限定的本发明的精神或范围的情况下，在其中进行形式和细节上的各种改变。