显示装置的制造方法与流程

显示装置的制造方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年6月2日提交的韩国专利申请第10
‑
2020
‑
0066613号的优先权以及从其中获得的所有权益，其内容以其整体通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开涉及显示装置及其制造方法。


背景技术：

4.发射显示装置可以包括与像素相对应的发光二极管(“led”)，且可以通过控制发光二极管中的每一个的亮度而显示图像。不同于接收光类型的显示装置(诸如液晶显示器)，发射显示装置可以不需要独立光源以便于减少其厚度和重量。另外，发射显示装置具有诸如高亮度、高对比度、高色彩重现性和高响应速度等的特性，以显示高质量图像。
5.由于这些优点，发射显示装置应用于包括移动装置(诸如智能电话和平板电脑)、监视器和电视机等各种电子装置，且已经作为用于车辆的显示装置而受到关注。


技术实现要素：

6.实施方式提供了具有改善的可靠性的显示装置。
7.根据实施方式的显示装置的制造方法包括：在基板上形成晶体管；在晶体管上形成有机绝缘层；以及对有机绝缘层执行等离子体处理。有机绝缘层包括丙烯酸类聚合物，且通过使用氦气或氩气来执行等离子体处理。
8.可以通过等离子体处理使有机绝缘层中碳和氧的单键和双键断裂。
9.可以通过等离子体处理增加有机绝缘层中的甲烷含量。
10.有机绝缘层可以限定开口，且制造方法可以进一步包括：在等离子体处理的执行之后，形成在平面图中与开口重叠的发光二极管的光发射构件。
11.该方法可以进一步包括：在等离子体处理的执行之后，在有机绝缘层上形成发光二极管的第一电极。
12.该方法可以进一步包括：在等离子体处理的执行之后，形成通过有机绝缘层中限定的接触孔而连接到晶体管的连接电极。
13.可以在约200℃(摄氏度)至约300℃的加工温度下执行等离子体处理。
14.可以在约10毫托(mt)至约200mt的加工压力下执行等离子体处理。
15.可以在约500瓦(w)或更大的源功率以及约0w或更大的偏置功率的加工功率下执行等离子体处理。
16.等离子体处理可以执行约15秒或更多的加工时间。
17.根据实施方式的显示装置的制造方法包括：在基板上形成晶体管；在晶体管上形成包括丙烯酸类聚合物的有机绝缘层；以及对有机绝缘层执行等离子体处理。仅使用氦气或氩气执行等离子体处理，并且通过等离子体处理使有机绝缘层中碳和氧的单键和双键断
裂。
18.根据实施方式的显示装置包括：基板；设置在基板上的晶体管；设置在晶体管上的第一绝缘层；设置在第一绝缘层上并与晶体管电连接的第一电极，其中第一电极包括在发光二极管中；设置在第一绝缘层上以限定在平面图中与第一电极重叠的开口的第二绝缘层；设置在第一电极上的光发射构件，其中光发射构件包括在发光二极管中；以及设置在光发射构件上的第二电极，其中第二电极包括在发光二极管中。第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个可以是包含丙烯酸类聚合物的有机绝缘层，并且有机绝缘层中碳和氧的单键和双键断裂。
19.根据实施方式，即使当丙烯酸类聚合物用于显示面板的有机绝缘层时，也可以减少脱气且可以提供可靠的显示装置。在使用丙烯酸类聚合物时，能够减少制造成本。
附图说明
20.图1阐释了根据实施方式的显示装置的示意性顶部平面图。
21.图2阐释了根据实施方式的显示装置的示意性截面图。
22.图3是阐释了根据实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
23.图4、图5、图6、图7、图8和图9阐释了示出根据实施方式的显示装置的制造方法的截面图。
24.图10和图11分别阐释了示出在对有机绝缘层执行氦等离子体处理之前和之后的分析结果的图。
25.图12阐释了示出取决于有机绝缘层中的等离子体处理的脱气总量减少的图。
26.图13、图14和图15阐释了示出取决于氦等离子体处理的加工条件的脱气总量的图。
27.图16和图17阐释了示出有机绝缘层的可靠性评估的结果的图。
28.图18阐释了示出有机绝缘层的永久性分析的结果的图。
具体实施方式
29.下文中将参照其中示出了实施方式的所附附图更充分地描述本发明构思。
30.此外，为了更好理解和便于描述，任意地给出了所附附图中示出的构成元件的尺寸和厚度。
31.将理解，当元件(诸如层、膜、区域或基板)被称为在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。
32.将理解，尽管可以在本文使用术语“第一”、“第二”、“第三”等以描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但这些元件、组件、区、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区、层或部分与另一个元件、组件、区、层或部分。因此，在不脱离本文的教导的情况下，以下讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区、第二层或第二部分。
33.本文使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的且并非旨在限制。如本文所使用的，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式，包括“至少一个”，
除非上下文另有清楚指示。“至少一个”不得解释为限制“一个”或“一种”。“或”意指“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关所列项的一个或多个的任何和所有组合。
34.另外，除非明确地相反描述，否则词语“包括”及其变形(诸如“包括(comprise)”、“包括(comprises)”或“包括(comprising)”)将理解为暗示包含所陈述的元件但是不排除任何其他元件。
35.另外，在说明书中，“连接”意指不仅两个或更多个组件直接连接，而且两个或更多个组件可以通过其他组件间接连接、物理连接以及电连接，或者其可以取决于位置或功能而被称为不同的名称，但可以包括连接彼此基本上成整体的每个部件。
36.如本文所使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并且意指如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)而确定的对于特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在所陈述的值的一个或多个标准偏差内，或者在
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
37.此外，可以在本文使用相对术语，诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”，以描述如图中阐释的一个元件与另一元件的关系。将理解，相对术语旨在涵盖除了图中描绘的定向之外的装置的不同定向。例如，如果将一个图中的装置翻转，描述为在其他元件“下”侧上的元件则将随之定向在其他元件“上”侧上。因此示例性术语“下”可以取决于图的特定定向而涵盖“下”和“上”的两种定向。类似地，如果将一个图中的装置翻转，描述为在其他元件“下方”或“下面”的元件则将随之定向在其他元件“上方”。因此示例性术语“下方”或“下面”可以涵盖上方和下方的两种定向。
38.另外，在说明书中，当部件“包括”某一组件时，这意指可以进一步包括其他组件，除非明确地相反陈述。
39.在附图中，参考字符x用于指示第一方向，y用于指示与第一方向垂直的第二方向，并且z用于指示与第一方向和第二方向垂直的第三方向。第一方向x、第二方向y和第三方向z可以分别对应于显示装置的水平方向、垂直方向和厚度方向。
40.除非在说明书中另外描述，否则“重叠”指示在平面图中重叠，并指示在第三方向z上重叠。
41.现在将通过将发射显示装置作为示例参照所附附图来描述根据实施方式的显示装置。
42.图1阐释了根据实施方式的显示装置的示意性顶部平面图。
43.参照图1，显示装置包括显示面板10，与显示面板10接合的柔性印刷电路膜20，以及包括集成电路芯片30的驱动单元等。
44.显示面板10包括与其上显示图像的屏幕相对应的显示区域da，以及非显示区域na。用于产生和/或传输施加至显示区域da的各种信号和电压的电路和/或信号线设置在非显示区域na中。非显示区域na可以布置为围绕显示区域da的外围。在图1中，虚线边界线bl的内侧和外侧分别与显示区域da和非显示区域na相对应。
45.像素px可以以矩阵形式设置在显示面板10的显示区域da中。信号线诸如栅线(也称为扫描线)、数据线和驱动电压线也可以设置在显示区域da中。像素px中的每一个可以与栅线、数据线和驱动电压线等连接以接收栅信号(也称为扫描信号)、数据信号和驱动电压等。
46.用于检测用户的触摸和/或非接触触摸的触摸传感器可以设置在显示区域da中。尽管阐释了具有基本上矩形形状的显示区域da，但在另一实施方式中显示区域da可以具有各种形状，诸如另一多边形、圆形和椭圆形等。
47.焊盘部分pp(其中设置用于从显示面板10的外侧接收信号的焊盘)可以设置在显示面板10的非显示区域na中。焊盘部分pp可以设置为沿着显示面板10的一个边缘在第一方向x上延伸。柔性印刷电路膜20可以与焊盘部分pp接合，且柔性印刷电路膜20的焊盘可以与焊盘部分pp的焊盘电连接。
48.驱动单元可以设置在显示面板10的非显示区域na中以产生和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号。驱动单元可以包括用于向数据线施加数据信号的数据驱动器，用于向栅线施加栅信号的栅驱动器，以及用于控制数据驱动器和栅驱动器的信号控制器。像素px可以取决于由栅驱动器产生的栅信号而在预定时序接收数据信号。栅驱动器可以集成在显示面板10中，且可以设置在显示区域da的至少一侧上。数据驱动器和信号控制器可以被提供作为集成电路芯片(也称为驱动“ic”芯片)30，且集成电路芯片30可以安装在显示面板10的非显示区域na中。集成电路芯片30可以安装在柔性印刷电路膜20等上以与显示面板10电连接。
49.将参照图2基于显示面板10的显示区域da来描述根据实施方式的显示装置。
50.图2阐释了根据实施方式的显示装置的示意性截面图。图2示意性地阐释了一个像素区域和相邻区域的截面。
51.参照图2，显示面板10可以具有其中在基板110上堆叠数个层、布线和元件以配置并驱动像素px的结构。
52.基板110可以包括绝缘材料(诸如玻璃或塑料)或由其制成。基板110可以包括用于防止水分等从外侧渗透的至少一个阻隔层，并且阻隔层可以是无机绝缘材料，诸如氧化硅(sio
x
)和氮化硅(sin
x
)。
53.缓冲层120可以设置在基板110上。缓冲层120可以阻挡可以从基板110扩散至半导体层al的杂质，且可以减少在形成半导体层al的加工中施加至基板110的应力。缓冲层120可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅和氮化硅。
54.晶体管tr的半导体层al可以设置在缓冲层120上。半导体层al可以包括与晶体管tr的栅电极ge重叠的沟道区，以及位于沟道区的相对侧处的源区和漏区。半导体层al可以包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
55.绝缘层141(其可以被称为第一栅绝缘层)可以设置在半导体层al上。绝缘层141可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅和氮化硅。
56.第一栅导体可以包括栅线121、栅电极ge以及存储电容器cs的第一电极c1。第一栅导体可以设置在绝缘层141上。第一栅导体可以包括金属，诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)，或其合金。第一栅导体可以是单层或多层。
57.绝缘层142(其可以被称为第二栅绝缘层)可以设置在绝缘层141和第一栅导体上。绝缘层142可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅和氮化硅。
58.第二栅导体可以包括存储电容器的第二电极c2等。第二栅导体可以设置在绝缘层142上。第二栅导体可以包括金属，诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)，或其合金。第二栅导体可以是单层或多层。
59.绝缘层160(其可以被称为层间绝缘层)可以设置在绝缘层142和第二栅导体上。绝缘层160可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅和氮化硅。
60.第一数据导体可以包括数据线171，以及晶体管tr的源电极se和漏电极de。第一数据导体可以设置在绝缘层160上。源电极se和漏电极de可以通过绝缘层141、142和160中限定的接触孔而分别与半导体层al的源区和漏区连接。第一数据导体可以包括金属，诸如铝(al)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)、钽(ta)，或其金属合金。第一数据导体可以是单层或多层。
61.栅电极ge、源电极se和漏电极de与半导体层al一起构成晶体管tr。考虑到电路，栅电极ge可以指示晶体管tr的控制端子，源电极se和漏电极de中的一个可以指示输入端子，并且源电极se和漏电极de中的另一个可以指示输出端子。图2中的晶体管tr可以被称为顶栅晶体管，因为栅电极ge设置在半导体层al上方。在另一实施方式中晶体管tr可以是其中栅电极设置在半导体层下方的底栅晶体管，或者可以是其中源电极和漏电极重叠的垂直晶体管。
62.绝缘层181(其可以被称为第一平坦化层)可以设置在绝缘层160和第一数据导体上。
63.第二数据导体可以包括连接电极le和驱动电压线172等。第二数据导体可以设置在绝缘层181上。连接电极le可以通过绝缘层181中限定的接触孔81而与晶体管tr的漏电极de连接。第二数据导体可以包括金属，诸如铝(al)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)、钽(ta)，或其金属合金。第二数据导体可以是单层或多层。
64.绝缘层182(其可以被称为第二平坦化层)可以设置在第二数据导体上。
65.绝缘层181可以将第一数据导体与第二数据导体绝缘。绝缘层181和绝缘层182可以将其上将要形成发光二极管led的表面平坦化，以便于增加将要形成在绝缘层182上的发光二极管led的发光效率。绝缘层181和绝缘层182可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸类聚合物、硅氧烷聚合物或酰亚胺类聚合物。绝缘层181和绝缘层182可以被称为有机绝缘层。
66.丙烯酸类聚合物可以被称为丙烯酸树脂或丙烯酸(acryl)。丙烯酸类聚合物可以包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸酯或聚丙烯腈等。
67.当绝缘层181由有机绝缘材料形成时，可以通过涂覆并固化包括诸如溶剂、引发剂和粘合剂等材料的聚合物溶液而形成绝缘层181。在形成绝缘层181之后，绝缘层181中的剩余材料或分解的材料可以在后续加工中和/或在显示装置的使用期间作为气体排出。该现象被称为脱气。排出的气体(脱气)可以传播至像素px以使得像素px的光发射构件em和/或第二电极e2变性或劣化(例如以使得第二电极e2氧化)，这可以引起收缩以减少像素px的发射区域。
68.酰亚胺类聚合物(诸如聚酰亚胺)通常比丙烯酸类聚合物更贵。因此，通过使用丙烯酸类聚合物可以比使用酰亚胺类聚合物作为有机绝缘层时减少成本。然而，存在的问题是，与包括酰亚胺类聚合物的有机绝缘层相比，在包括丙烯酸类聚合物的有机绝缘层中脱气增加(例如3倍或更多)。根据实施方式，即使当绝缘层181包括丙烯酸类聚合物时，也可以通过形成绝缘层181并随后执行氦(he)等离子体处理或氩(ar)等离子体处理而显著减少脱气量。用于氦等离子体处理的气体可以仅包括氦气。用于氩等离子体处理的气体可以仅包
括氩气。
69.类似地，绝缘层182可以是包括丙烯酸类聚合物的有机绝缘层，且在形成绝缘层182之后，对绝缘层182的氦等离子体处理或氩等离子体处理可以显著减少脱气量。
70.显示面板10可以不包括第二数据导体，且在该情形中，一个平坦化层可以设置在第一数据导体上方。驱动电压线172可以通过使用与用于数据线171相同的加工而形成在相同层处。绝缘层181可以是包括无机绝缘材料的无机绝缘层，且可以被称为钝化层。
71.发光二极管led的第一电极e1设置在绝缘层182上。考虑到像素，第一电极e1可以被称为像素电极。第一电极e1可以通过绝缘层182中限定的接触孔82而与连接电极le连接。因为连接电极le与漏电极de连接，所以第一电极e1可以通过连接电极le与漏电极de电连接。第一电极e1可以与漏电极de直接连接。晶体管tr(第一电极e1与其连接)可以是驱动晶体管或者与驱动晶体管电连接的光发射控制晶体管。第一电极e1可以包括金属，诸如银(ag)、镍(ni)、金(au)、铂(pt)、铝(al)、铜(cu)、铝钕(alnd)、铝镍镧(alnila)，或其金属合金。第一电极e1可以包括透明导电材料，诸如氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)。
72.限定开口90(在平面图中与第一电极e1重叠)的绝缘层190可以设置在绝缘层182上。绝缘层190的开口90可以限定与每个像素px的发射区域相对应的区域，且绝缘层190可以被称为像素限定层。绝缘层190可以是包括有机绝缘材料(诸如丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物和酰胺类聚合物)的有机绝缘层。绝缘层190可以包括丙烯酸类聚合物，且在该情形中，可以采用氦等离子体或氩等离子体处理绝缘层190以便于改良脱气。
73.光发射构件em可以设置在第一电极e1上。光发射构件em包括光发射层，且可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
74.第二电极e2可以设置在光发射构件em上。第二电极e2可以整体地设置在数个像素之上，且第二电极e2可以在像素的视图中称为公共电极。第二电极e2可以与传输公共电压的公共电压传输器电连接。第二电极e2可以包括诸如钙(ca)、钡(ba)、镁(mg)、铝(al)和银(ag)的低功函数金属或由其制成，作为薄层以具有透光性。第二电极e2可以包括透明导电材料(诸如ito或izo)或者由其形成。
75.像素px中的每一个的第一电极e1、光发射构件em和第二电极e2可以形成发光二极管led，其可以是有机发光二极管(“oled”)。每个像素px可以包括对应的发光二极管led。第一电极e1可以是作为空穴注入电极的阳极，且第二电极e2可以是作为电子注入电极的阴极，或者反之亦然。当空穴和电子分别从第一电极e1和第二电极e2注入到光发射构件em中时，通过将注入的空穴和电子复合而形成的激子在它们从激发态降落至基态时被发射。
76.封装层en可以设置在第二电极e2上。封装层en可以封装发光二极管led以防止水分或氧从外侧渗透。封装层en可以是薄膜封装层，该薄膜封装层包括堆叠在第二电极e2上的一个或多个无机层以及一个或多个有机层。封装层en可以以基板的形式提供。
77.现在将参照图3至图9描述根据实施方式的显示装置的制造方法。
78.图3是阐释了根据实施方式的显示装置的制造方法的流程图，并且图4、图5、图6、图7、图8和图9阐释了示出根据实施方式的显示装置的制造方法的截面图。图3主要聚焦于使用光刻加工的步骤，并且图4至图9示出了在形成晶体管tr之后的加工步骤。
79.参照图3和图4，缓冲层120通过化学气相沉积等形成在基板110上，且半导体层al形成在缓冲层120上(s1)。缓冲层120包括无机绝缘材料或由其形成。半导体层al可以通过
在缓冲层120上通过化学气相沉积等形成半导体材料层、并使用光刻加工图案化半导体材料层而形成。下文中，通过使用光致抗蚀剂和掩模的光刻加工的图案化简单地被称为图案化。
80.绝缘层141形成在半导体层al和缓冲层120上。第一栅导体形成在绝缘层141上(s2)。绝缘层141包括无机绝缘材料或由其形成，且第一栅导体可以包括栅线121、栅电极ge以及存储电容器cs的第一电极c1。第一栅导体可以通过在绝缘层141上通过溅射等形成导电层并将其图案化而形成。
81.绝缘层142可以在第一栅导体和绝缘层141上包括无机绝缘材料或由其形成。第二栅导体设置在绝缘层142上(s3)。第二栅导体可以包括存储电容器cs的第二电极c2。第二栅导体可以通过在绝缘层142上形成导电层并将其图案化而形成。
82.绝缘层160形成在第二栅导体和绝缘层142上。将绝缘层141、142和160图案化以限定开口，在平面图中该开口与半导体层al的源区和漏区重叠(s4)。绝缘层160包括无机绝缘材料或由其形成。
83.第一数据导体通过在绝缘层160上形成导电层并将导电层图案化而形成(s5)。第一数据导体可以包括数据线171，以及晶体管tr的源电极se和漏电极de。源电极se和漏电极de可以通过绝缘层141、142和160中限定的接触孔而分别与半导体层al的源区和漏区连接。
84.参照图3和图5，绝缘层181形成在第一数据导体和绝缘层160上。通过将绝缘层181图案化而限定在平面图中与漏电极de重叠的接触孔81(s6)。绝缘层181包括有机绝缘材料或由其形成。当有机绝缘材料是丙烯酸类聚合物时，执行氦等离子体处理或氩等离子体处理以减少脱气(s6)。
85.通过等离子体处理减少脱气的原因是因为由于由离子轰击效应将有机绝缘层的表面硬化而减少脱气扩散。另外，由于紫外线辐射效应，有机绝缘层的表面和内部被固化以减少脱气的来源。因为氦气的短波长发射具有高能量，所以氦等离子体处理可以比氩等离子体处理更有利。氦气的短波长发射可以使碳(c)和氧(o)的单键和双键断裂，从而减少在有机绝缘层的表面上以及内部的氧和碳。例如，在氦光谱中，识别到约51.6纳米(nm)和约59.1nm的非常低的波长，且当转换为能量时，分别是约24.0电子伏(ev)和约20.9ev。这可以足以使分别具有3.7ev和8.3ev的键合能的c
‑
o和c＝o键断裂。
86.等离子体处理可以在包括加工腔的蚀刻设备或等离子发生设备中执行。等离子体处理中使用的加工气体可以仅包含氦或仅包含氩。作为非限制性示例，等离子体处理的加工温度可以在约200摄氏度(℃)至约300℃，例如约230℃至约250℃的范围内，这是对于丙烯酸类聚合物的合适固化温度。加工压力可以在约10毫托(mt)至约200mt，例如约10mt至约150mt的范围内。加工功率可以具有约500瓦(w)或更大，例如约500w至约1000w的源功率，以及约0w或更大，例如约0w至约1000w的偏置功率。加工时间可以在约15秒(s)或更长，例如约15s至120s的范围内。
87.参照图3和图6，通过在绝缘层181上形成导电层并将其图案化而形成第二数据导体(s7)。第二数据导体可以包括连接电极le和驱动电压线172等。连接电极le可以通过绝缘层181中限定的接触孔81而与漏电极de连接。
88.参照图3和图7，在第二数据导体和绝缘层181上形成绝缘层182。通过将绝缘层182图案化而限定在平面图中与连接电极le重叠的接触孔82(s8)。绝缘层182包括有机绝缘材
料或由其形成。当有机绝缘材料是丙烯酸类聚合物时，如上所述，执行氦等离子体处理或氩等离子体处理以减少脱气(s8)。
89.参照图3和图8，可以通过在绝缘层182上形成导电层并将导电层图案化而形成第一电极e1(s9)。第一电极e1可以通过绝缘层182中限定的接触孔82而与连接电极le连接，以与漏电极de电连接。
90.参照图3和图9，通过在第一电极e1和绝缘层182上形成绝缘层190并将绝缘层190图案化而形成用于与第一电极e1重叠的开口90的空间。使用有机绝缘材料形成绝缘层190。当有机绝缘材料是丙烯酸类聚合物时，如上所述，执行氦等离子体处理或氩等离子体处理以减少脱气(s10)。
91.再次参照图2，形成在平面图中与绝缘层190的开口90重叠的光发射构件em，并在光发射构件em和绝缘层190上形成第二电极e2(s11)。在开口90中，光发射构件em可以与第一电极e1和第二电极e2接触。此后，可以通过形成用于密封发光二极管led的封装层en而制造具有与如图2中阐释的相同的截面结构的显示面板10(s11)。
92.图10和图11阐释了示出在对有机绝缘层进行氦等离子体处理pt之前和之后的分析结果的图。在该示例中，使用具有dongjin semichem co.,ltd.的产品名sojp
‑
290的丙烯酸类聚合物(下文称为丙烯酸)形成有机绝缘层。下文中，即使当没有特别提及时，对于有机绝缘层的所有测试结果也都是对于使用相同公司的相同产品的丙烯酸形成的有机绝缘层。
93.图10阐释了通过x射线光电子光谱法分析有机绝缘层的表面的结果，并且图11示出了通过x射线光电子光谱法分析有机绝缘层的内部的结果。参照图10，与对有机绝缘层的表面进行氦等离子体处理之前相比，在氦等离子体处理之后c
‑
o和c＝o两种键减少。参照图11，在有机绝缘层中氦等离子体处理之后，c
‑
o和c＝o键更急剧减少。该结果可以支持通过氦等离子体处理减少了有机绝缘层中的脱气源。
94.图12阐释了示出脱气总量取决于有机绝缘层中氦等离子体处理而减少的图。
95.参照图12，测试例1(#1)示出了通过涂覆光敏聚酰亚胺(下文称为聚酰亚胺)并在约250℃下将其固化而形成的有机绝缘层中的脱气总量。测试例2(#2)示出了通过涂覆丙烯酸并在约250℃下将其固化而形成的有机绝缘层中的脱气总量，并且测试例3(#3)示出了在与对测试例2(#2)中相同的材料和条件下形成的有机绝缘层进行氦等离子体处理之后的脱气总量。测试例4(#4)示出了通过涂覆丙烯酸并在约230℃下将其固化而形成的有机绝缘层中的脱气总量，并且测试例5(#5)示出了在对测试例4(#4)中相同的材料和条件下形成的有机绝缘层进行氦等离子体处理之后的脱气总量。测试例1(#1)、测试例2(#2)和测试例4(#4)的有机绝缘层未被等离子体处理。
96.如在测试例2(#2)和测试例4(#4)中，由丙烯酸形成的有机绝缘层具有大于由聚酰亚胺形成的有机绝缘层的脱气总量三倍的脱气总量。然而，如在测试例3(#3)和测试例5(#5)中，确认的是，即使当由丙烯酸形成时，在采用氦等离子体处理的有机绝缘层中也显著减少了脱气总量。
97.从这些结果可以看到，可以通过采用丙烯酸类聚合物形成绝缘层181、绝缘层182和/或绝缘层190并采用氦等离子体处理它们而抑制脱气和收缩。因此，与当使用聚酰亚胺用于绝缘层181、绝缘层182和/或绝缘层190时相比，可以改善显示装置的可靠性同时减少制造成本。
98.图13、图14和图15阐释了示出取决于氦等离子体处理的加工条件的脱气总量的图。图13阐释了取决于氦等离子体处理的加工压力的结果，图14阐释了取决于氦等离子体处理的加工功率的结果，并且图15阐释了取决于氦等离子体处理的加工时间的结果。
99.参照图13，测试例1(#1)示出了通过涂覆聚酰亚胺并在约250℃下将其固化而形成的有机绝缘层中的脱气总量。测试例2(#2)示出了通过涂覆丙烯酸并将其在约230℃下将其固化而形成的有机绝缘层(未经受等离子体处理)中的脱气总量。测试例3(#3)、测试例4(#4)和测试例5(#5)分别示出了在对与测试例2(#2)中相同的材料和相同的条件下形成的有机绝缘层执行了采用约10mt、约80mt和约150mt的加工压力的氦等离子体处理之后的脱气总量。如在测试例3(#3)、测试例4(#4)和测试例5(#5)中所示，发现当通过在约10mt至约150mt的范围内改变加工压力而执行氦等离子体处理时，显著减少了脱气总量。然而确认的是，在约200mt或更大的加工压力下脱气减少的效果小。
100.参照图14，测试例1(#1)和测试例2(#2)分别与图13中所示的测试例1(#1)和测试例2(#2)相同。测试例3(#3)、测试例4(#4)、测试例5(#5)、测试例6(#6)和测试例7(#7)分别示出了在对与测试例2(#2)相同的材料和条件下形成的有机绝缘层执行了采用具有500w/0w、1000w/0w、1000w/300w、2000w/500w和2000w/1000w的源/偏置功率的加工功率的氦等离子体处理之后的脱气总量。发现通过在约500w至约2000w的源功率和约0w至约1000w的偏置功率的范围内改变加工功率而在氦等离子体处理期间显著减小了脱气总量。当源功率降低低于500w时，由于不稳定放电而难以获得数据。
101.参照图15，测试例1(#1)和测试例2(#2)分别与图13中所示的测试例1(#1)和测试例2(#2)相同。测试例3(#3)、测试例4(#4)和测试例5(#5)分别示出了在15秒(s)、60s和120s的加工时间期间对与测试例2(#2)中相同的材料和相同的条件下形成的有机绝缘层执行了氦等离子体处理之后的脱气总量。如在测试例3(#3)、测试例4(#4)和测试例5(#5)中所示，发现当通过在约15s至约120s的范围内改变加工时间而执行氦等离子体处理时脱气总量显著减少。
102.图16和图17阐释了示出有机绝缘层的可靠性评估的结果的图。
103.评估显示装置的可靠性、特别是太阳能可靠性。测试例1(#1)与其中有机绝缘层由聚酰亚胺形成的显示面板相关，测试例2(#2)与其中有机绝缘层(未经受等离子体处理)包括丙烯酸或由其形成的显示面板相关，并且测试例3(#3)与通过采用丙烯酸形成有机绝缘层并随后对其执行氦等离子体处理所形成的显示面板相关。测试重复10次循环，其中一次循环包括a)在非驱动状态下在约25℃下在腔室中覆盖屏幕的一半并开始发射光(1120瓦每平方米(w/m2))，b)将温度从约25℃增加至约40℃持续约6个小时(h)，并在约40℃维持4h，c)在温度开始上升之后2h照射光约8h，并在剩余约16h不照射光，以及d)将温度从约40℃降低至约25℃持续约10h，并约在25℃维持约4h。图16阐释了通过对于每次循环测量屏幕上曝光和非曝光区域的颜色坐标和亮度所获得的色温差，并且图17阐释了其亮度比。
104.参照图16，在测试例2(#2)的情形中，色温差在约400开尔文(k)内，这是规范范围，直至6次循环，但是在6次循环之后其超出规范范围。在其中经受氦等离子体处理的测试例3(#3)的情形中，色温差在约200k内，且低于在测试例1(#1)中。
105.参照图17，在测试例2(#2)的情形中，亮度比在10次循环中是约70百分比(％)，这显著超出规范范围的
±
10％。在测试例3(#3)中，甚至在10次循环中亮度几乎没有变化，并
且亮度比低于在测试例1(#1)中。
106.即使当丙烯酸用作如上所述的显示面板的有机绝缘层时，当执行氦等离子体处理时，也可以确保可靠性等于或高于聚酰亚胺的可靠性。
107.图18阐释了有机绝缘层的永久性分析的结果的图。图18阐释了分析有机绝缘层中甲烷(ch4)的结果。
108.在图18中，测试例1(#1)与由丙烯酸(未经受等离子体处理)形成的有机绝缘层相关，测试例2(#2)与由丙烯酸形成并经受了氦等离子体处理的有机绝缘层相关，并且测试例3(#3)与由丙烯酸形成并经受氩等离子体处理的有机绝缘层相关。发现了经受了氦或氩等离子体处理的有机绝缘层的甲烷含量与未经受等离子体处理的有机绝缘层的甲烷含量相比，增加约5至6倍。因此，通过分析丙烯酸有机绝缘层的甲烷含量，可以确认是否对于丙烯酸有机绝缘层执行等离子体处理。
109.尽管已经结合当前视为实际实施方式而描述了本发明构思，但要理解的是本发明构思不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在覆盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等效布置。