一种适用于半导体分立器件的光刻方法与流程

1.本发明涉及一种适用于半导体分立器件的光刻方法。


背景技术：

2.光刻是集成电路制造的核心工艺，光刻机是光刻工艺是最主要设备。目前光刻工艺主要采用紫外光刻和粒子束光刻两种方法，紫外光刻占据主导地位。按曝光方式，光刻可分为接触接近式光刻和投影式光刻。在光刻技术中，接触/接近式光刻发展最早，也是最常见的曝光方式，它采用1:1方式复印掩膜版上的图形。
3.对于中国科学院光电技术研究所的ure
‑
2000/17型紫外光刻机，中国科学院微电子研究所kw
‑
4a型台式匀胶机，北京赛德凯斯电子有限责任公司制造的烘烤设备sc
‑
h
‑
ii型烤胶机等国产设备来说，旋转涂胶、前烘、曝光、显影四个主要光刻工艺的参数范围较大，不能精准的将掩模版图形转移到硅片基底上。


技术实现要素：

4.发明目的：针对上述现有技术，提出一种适用于半导体分立器件的光刻方法，能够将掩模版图形成功地转移到硅片基底上，显影后光刻胶线条清晰，图形完整。
5.技术方案：一种适用于半导体分立器件的光刻方法，包括如下步骤：步骤一：提供进行光刻所需要尺寸大小的硅片；步骤二：对硅片表面依次进行清洁、烘干、采用六甲基二硅胺烷进行气相成底膜处理；步骤三：通过旋转涂胶的方法在硅片表面涂布光刻胶；旋转涂胶时，将硅片置于匀胶机上，匀胶机低速旋转速度为500r/min，时间为10s，高速旋转速度为4000r/min，时间为25s；步骤四：对光刻胶进行前烘，前烘温度为120℃，持续时长为3min；步骤五：将硅片置于光刻机下进行对准和曝光，曝光时长为20s；步骤六：将曝光后的硅片放入显影液中显影，显影时长为30s；步骤七：将硅片再次放到烤胶机上进行坚膜烘培；步骤八：最后进行显影检查。
6.有益效果：本发明对旋转涂胶、前烘温度、曝光时间和显影时间等关键因素进行了探索，通过ure
‑
2000/17型紫外光刻机进行光刻工艺实验，深入研究光刻工艺，获得了最佳的工艺参数：匀胶时匀胶机低速旋转速度为500r/min，时间为10s，高速旋转速度为4000r/min，时间为25s；前烘温度为120℃，持续时长为3min；曝光时间为20s，显影时间为30s。基于上述参数，能够成功地将掩模版上呈现的图案精确复制到硅片基底上，为后续工艺奠定了良好基础。
附图说明
7.图1为本发明方法流程图。
具体实施方式
8.下面结合附图对本发明做更进一步的解释。
9.如图1所示，一种适用于半导体分立器件的光刻方法，包括如下步骤：步骤一：提供进行光刻所需要尺寸大小的硅片；步骤二：对硅片表面依次进行清洁、烘干、采用六甲基二硅胺烷进行气相成底膜处理；步骤三：通过旋转涂胶的方法在硅片表面涂布光刻胶；旋转涂胶时，将硅片置于匀胶机上，匀胶机低速旋转速度为500r/min，时间为10s，高速旋转速度为4000r/min，时间为25s；步骤四：对光刻胶进行前烘，前烘温度为120℃，持续时长为3min；步骤五：将硅片置于光刻机下进行对准和曝光，曝光时长为20s；步骤六：将曝光后的硅片放入显影液中显影，显影时长为30s；步骤七：将硅片再次放到烤胶机上进行坚膜烘培；步骤八：最后进行显影检查。
10.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。


技术特征：
1.一种适用于半导体分立器件的光刻方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：提供进行光刻所需要尺寸大小的硅片；步骤二：对硅片表面依次进行清洁、烘干、采用六甲基二硅胺烷进行气相成底膜处理；步骤三：通过旋转涂胶的方法在硅片表面涂布光刻胶；旋转涂胶时，将硅片置于匀胶机上，匀胶机低速旋转速度为500r/min，时间为10s，高速旋转速度为4000r/min，时间为25s；步骤四：对光刻胶进行前烘，前烘温度为120℃，持续时长为3min；步骤五：将硅片置于光刻机下进行对准和曝光，曝光时长为20s；步骤六：将曝光后的硅片放入显影液中显影，显影时长为30s；步骤七：将硅片再次放到烤胶机上进行坚膜烘培；步骤八：最后进行显影检查。

技术总结
本发明公开了一种适用于半导体分立器件的光刻方法，改变光刻步骤中的旋转涂胶、前烘温度、曝光时间、显影时间等四个主要光刻工艺参数：匀胶时匀胶机低速旋转速度为500r/min，时间为10s，高速旋转速度为4000r/min，时间为25s；前烘温度为120℃，持续时长为3min；曝光时间为20s；显影时间为30s。基于上述参数，通过URE


技术研发人员：汤磊 孟祥东
受保护的技术使用者：扬州大学
技术研发日：2021.09.16
技术公布日：2021/12/6