半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及位于所述鳍片顶面上的掩膜层，所述鳍片包括第一部分和第二部分；在所述半导体衬底表面、所述鳍片侧壁、所述掩膜层侧壁和顶面形成第一介质层；在所述半导体衬底上的第一介质层表面形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述鳍片第一部分表面的第一介质层；在高出所述第一隔离层的第一介质层的侧壁和顶部形成第二介质层；在所述第一隔离层上和所述第二介质层上形成第二隔离层；固化所述第一隔离层和所述第二隔离层。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为20埃至40埃。3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上的第一介质层表面形成第一隔离层的方法为流体化学气相沉积工艺。4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为600埃至1000埃。5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度为20埃至40埃。6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一隔离层上和所述第二介质层上形成第二隔离层的方法为流体化学气相沉积工艺。7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层的厚度为1000埃至2000埃。8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，固化所述第一隔离层和所述第二隔离层的工艺中，所述鳍片的第一部分的侧壁被氧化为第三介质层。9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，固化所述第一隔离层和所述第二隔离层，鳍片的第一部分的侧壁被氧化为第三介质层后，所述鳍片的第一部分的宽度小于所述鳍片的第二部分的宽度。10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，固化所述第一隔离层和所述第二隔离层的方法为湿退火工艺。11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，去除高于所述第一隔离层顶面的第二隔离层、所述第二介质层、所述第一介质层和所述掩膜层的方法包括湿法刻蚀。12.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的工艺参数包括：刻蚀液包括氢氟酸和氨水，所述氢氟酸和氨水的流量比例为(90-150)∶(90-450)，刻蚀温度为60摄氏度至150摄氏度，刻蚀压强为1500mtorr至2000mtorr。13.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述鳍片的第二部分的侧壁和顶面形成栅氧层后，所述鳍片的第一部分的侧壁和所述鳍片的第二部分的侧壁共面。14.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干鳍片，所述鳍片包括第一部分和第二部分，所述鳍片的第一部分的侧壁和所述鳍片的第二部分的侧壁共面，且鳍片的所述第一部分垂
直方向的投影落入所述第二部分垂直方向的投影内；第一隔离层，位于所述半导体衬底上，所述第一隔离层顶面与所述鳍片第一部分顶面共面。15.如权利要求14所述半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为600埃至1000埃。16.如权利要求14所述半导体结构，其特征在于，所述鳍片的第一部分的侧壁还包括第三介质层。

技术总结
本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干鳍片，所述鳍片包括第一部分和第二部分，所述鳍片的第一部分的侧壁和所述鳍片的第二部分的侧壁共面，且鳍片的所述第一部分垂直方向的投影落入所述第二部分垂直方向的投影内；第一隔离层，位于所述半导体衬底上，所述第一隔离层顶面与所述鳍片第一部分顶面共面。本申请所述的半导体结构及其形成方法，所述第二介质层可以保护所述鳍片的第二部分的侧壁不被氧化，使形成栅氧层后的所述鳍片的第一部分的侧壁和所述鳍片的第二部分的侧壁共面，提高FinFET器件的性能。提高FinFET器件的性能。提高FinFET器件的性能。


技术研发人员：刘云珍
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2020.06.03
技术公布日：2021/12/6