LED芯片、显示面板以及LED芯片的转移方法与流程

技术特征：
1.一种led芯片，包括具有第一面的芯片主体，所述第一面为所述芯片主体的上表面和下表面中用于出光的一面，其特征在于，所述led芯片还包括台阶结构，所述台阶结构沿所述芯片主体的周向设置于所述芯片主体的侧面上，且位于所述侧面靠近所述第一面的一侧。2.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述台阶结构与所述芯片主体一体成型。3.如权利要求1或2所述的led芯片，其特征在于，所述台阶结构的高度小于所述芯片主体的高度的1/2。4.如权利要求1或2所述的led芯片，其特征在于，所述台阶结构的高度为10
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100nm。5.如权利要求1或2所述的led芯片，其特征在于，所述台阶结构的宽度为1.5
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2.5μm。6.一种显示面板，其特征在于，包括驱动基板和权利要求1
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5任一项所述的led芯片，所述芯片主体还具有与所述第一面相对设置的第二面，所述led芯片还包括固定安装于所述第二面上的电极，所述芯片主体通过所述电极与所述驱动基板电连接；其中，所述芯片主体的表面上形成有保护层，所述保护层覆盖区域为所述芯片主体的表面中除所述第一面、所述电极覆盖区域和所述台阶结构覆盖区域之外的所有区域。7.一种led芯片的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：提供生长基板；在所述生长基板上制备外延层；制备权利要求1
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5任一项所述的led芯片；所述led芯片还包括固定安装于所述芯片主体上的电极；制备保护层，使所述保护层包覆所述芯片主体位于所述台阶结构远离所述第一面一侧的裸露区域，所述裸露区域为除所述电极覆盖区域以外的区域；剥离并转移由所述led芯片和所述保护层组成的组合体。8.如权利要求7所述的led芯片的转移方法，其特征在于，所述台阶结构的宽度大于或等于所述保护层的厚度。9.一种led芯片的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：提供生长基板；在所述生长基板上制备外延层；制备led芯片，所述led芯片包括芯片主体和固定安装于所述芯片主体上的电极；在所述生长基板上制备沿所述芯片主体的周向连接于所述芯片主体侧面的台阶结构；制备保护层，使所述保护层包覆所述芯片主体的裸露区域；所述裸露区域为除所述芯片主体的第一面、所述电极覆盖区域和所述台阶结构覆盖区域以外的所有区域；剥离并转移由所述led芯片、所述保护层和所述台阶结构组成的组合件；去除所述台阶结构。10.如权利要求9所述的led芯片的转移方法，其特征在于，当所述台阶结构和所述保护层均为有机层时，所述led芯片的转移方法还包括位于制备台阶结构步骤和制备保护层步骤之间的以下步骤：在所述台阶结构上制备隔离层；所述隔离层为无机层。

技术总结
本申请适用于显示技术领域，提供了一种LED芯片、显示面板以及LED芯片的转移方法。LED芯片包括具有第一面的芯片主体，第一面为芯片主体的上表面和下表面中用于出光的一面，LED芯片还包括台阶结构，台阶结构沿芯片主体的周向设置于芯片主体的侧面上，且位于侧面靠近第一面的一侧；台阶结构与芯片主体一体成型。显示面板包括驱动基板和的LED芯片，芯片主体通过电极与驱动基板电连接。本申请还提供了一种LED芯片的转移方法。本申请还提供的LED芯片、显示面板以及LED芯片的转移方法，解决了LED芯片表面包覆有无机保护层时不易剥离的技术问题。题。题。


技术研发人员：蒲洋 洪文进 许哲豪 康报虹
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2021.08.31
技术公布日：2021/12/6