基板制备方法及膜片结构与流程

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种基板制备方法及膜片结构。


背景技术：

2.目前，微型发光二极管(micro light emitting diode，micro led)显示面板的阵列基板在制备过程中，通常会在阵列基板的侧边面及与该侧边面相邻的侧面边缘涂布银浆，然后将银浆通过激光固化，最后再进行激光雕刻，最终在阵列基板的侧边面上形成与阵列基板的侧面上的电路结构电连接的导线。
3.但是，现有的对阵列基板上固化后的银浆进行激光雕刻的方式比较复杂，作业时间较长，导致阵列基板的生产效率较低。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示面板及显示装置，可以解决现有的对基板上固化后的银浆进行激光雕刻的方式比较复杂，作业时间较长，导致基板的制备效率较低的问题。
5.本技术实施例提供一种基板制备方法，包括：
6.提供基板；
7.在所述基板的侧边面及与所述侧边面邻接的至少部分侧面上覆盖膜片结构，所述膜片结构包括相互连接的第一膜片和第二膜片，所述第一膜片覆盖所述侧边面，所述第二膜片覆盖至少部分所述侧面，所述膜片结构上开设有多条狭缝，所述多条狭缝与所述第一膜片和所述第二膜片的交界线交叉设置，所述多条狭缝沿所述交界线的长度方向依次分布；
8.在所述膜片结构背离所述基板一侧的表面形成导电层；
9.将所述膜片结构从所述基板上剥离，以在所述基板与所述狭缝对应的位置形成导线。
10.可选地，所述第一膜片和所述第二膜片呈夹角设置；所述在所述基板的侧边面及与所述侧边面邻接的至少部分侧面上覆盖膜片结构，包括：
11.将所述第二膜片与所述基板的侧面层叠放置，将所述第一膜片与所述基板的侧边面层叠放置；
12.将所述第二膜片压合在所述基板的侧面上，以在所述基板的至少部分侧面上覆盖所述膜片结构；
13.将所述第一膜片压合在所述基板的侧边面上，以在所述基板的侧边面上覆盖所述膜片结构。
14.可选地，所述将所述第二膜片压合在所述基板的侧面上，包括：
15.通过并列设置的两个滚轴分别对第二膜片背离所述基板的一侧，以及所述基板背离所述第二膜片的一侧进行滚动压合，以将所述第二膜片压合在所述基板的侧面上。
16.可选地，所述基板背离所述第二膜片的一侧贴有轻离膜；所述将所述第二膜片压
合在所述基板的侧面上，包括：
17.将所述基板上的轻离膜剥离；
18.在所述基板背离所述第二膜片的一侧设置底板；
19.通过并列设置的两个滚轴分别对第二膜片背离所述基板的一侧，以及所述底板背离所述基板的一侧进行滚动压合，以将所述第二膜片压合在所述基板的侧面上，并将所述基板压合在所述底板上。
20.可选地，所述将所述第一膜片压合在所述基板的侧边面上，包括：
21.通过压杆对所述第一膜片背离所述基板的一侧进行压印，以将所述第一膜片压合在所述基板的侧边面上。
22.可选地，所述在所述膜片结构背离所述基板一侧的表面形成导电层，包括：
23.在所述第一膜片和所述第二膜片背离所述基板一侧的表面沉积导电材料以形成所述导电层。
24.可选地，所述第二膜片与所述侧面重叠。
25.本技术实施例还提供一种膜片结构，所述膜片结构包括相互连接的第一膜片和第二膜片，所述膜片结构上开设有多条狭缝，所述多条狭缝与所述第一膜片和所述第二膜片的交界线交叉设置，所述多条狭缝沿所述交界线的长度方向依次分布；
26.其中，所述第一膜片和所述第二膜片呈夹角设置，或者，所述膜片结构的材质为柔性材料。
27.可选地，所述狭缝的宽度大于或等于50μm，且小于或等于150μm。
28.可选地，所述狭缝在所述第一膜片上的延伸方向与所述第一膜片长度方向呈夹角设置。
29.可选地，所述第一膜片和所述第二膜片一体成型设置。
30.本技术实施例在基板的制备过程中通过在基板上覆盖带有狭缝的膜片结构，并使膜片结构上的狭缝与基板的侧边面和侧面存在重叠，然后在膜片结构背离基板一侧的表面设置导电层，当将膜片结构从基板上剥离后，导电层与狭缝重叠的部分会留在基板的侧面和侧边面上，以在基板上形成与狭缝的形状一致的导线。与现有的通过基板的侧边面固化银浆，然后对银浆进行激光雕刻以形成导线的方式相比，本技术实施例中在基板的侧边面和侧面形成导线的方式操作比较简单，作业时间较短，能够提高基板的制备效率。
附图说明
31.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
32.图1是本技术实施例提供的基板制备方法的一个实施例的流程图；
33.图2是本技术实施例提供的基板制备导线后的结构示意图；
34.图3是图2中a处的放大图；
35.图4是本技术实施例提供的膜片结构的一个实施例的结构示意图；
36.图5是图4中b处的放大图；
circuit board，pcb)的绑定(bonding)。
49.其中，基板100上的电路结构可以包括与薄膜晶体管电连接的信号线、驱动线等等，此处不作限制。
50.另外，印刷电路板可以设置在基板100的侧表面并与基板100侧边面110上的导线310电连接，以实现印刷电路板(printed circuit board，pcb)的绑定(bonding)。或者，印刷电路板可以设置在基板100的另一侧面120并与基板100侧边面110上的导线310电连接，以实现印刷电路板的绑定。
51.当然，基板100侧边面110上的导线310实现印刷电路板的绑定仅仅是一个实施例，导线310也可以用于与印刷电路板以外的其它电路结构或电子元器件电连接，此处不作限制。具体例如：当基板100包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板时，基板100的侧边面110上的导线310可以用于将阵列基板上的电路结构与彩膜基板上的电路结构电连接。
52.110、在基板的侧边面及与侧边面邻接的至少部分侧面上覆盖膜片结构，膜片结构包括相互连接的第一膜片和第二膜片，第一膜片覆盖侧边面，第二膜片覆盖至少部分侧面，膜片结构上开设有多条狭缝，多条狭缝与第一膜片和第二膜片的交界线交叉设置，多条狭缝沿所述交界线的长度方向依次分布。
53.其中，如图4、图5及图6所示，可以将膜片结构200的第二膜片220覆盖在基板100设置有电路结构的侧面120上，并将膜片结构200的第一膜片210覆盖在基板100的侧边面110上。或者，也可以先将膜片结构200的第二膜片220覆盖在基板100的侧面120上，并将膜片结构200的第一膜片210覆盖在基板100的侧边面110上，待完成步骤120和步骤130后，再在基板100被第二膜片220覆盖过的侧面120上形成电路结构，使基板100的侧面120上的电路结构与基板100上形成的导线310电连接。
54.可以理解的是，由于膜片结构200上的多条狭缝213与第一膜片210和第二膜片220的交界线212交叉设置，因此，当膜片结构200覆盖在基板100上后，膜片结构200上的狭缝213会与基板100的侧边面110和侧面120存在重叠。
55.可选地，如图6所示，膜片结构200的第二膜片220与基板100的侧面120重叠。由此，第二膜片220能够对基板100的侧面120进行保护，以避免基板100的侧面120上的电路结构被刮伤。或者，避免基板100的侧面120上的电路结构在步骤120的过程中出现损伤。
56.可选地，膜片结构200的第一膜片210和第二膜片220一体成型设置，以提高第一膜片210和第二膜片220的连接稳定性。
57.在其他实施例中，第一膜片210和第二膜片220也可以通过粘贴、焊接等方式连接在一起。
58.可选地，如图4和图5所示，膜片结构200的第一膜片210和第二膜片220呈夹角设置，以便于第一膜片210和第二膜片220分别覆盖在基板100的侧边面110和侧面120。其中，第一膜片210和第二膜片220形成的夹角具体可根据基板100的侧边面110和侧面120的夹角而定，当基板100的侧边面110和侧面120的夹角为90
°
时，第一膜片210和第二膜片220的夹角也为90
°
。
59.在其他实施例中，膜片结构200的材质为柔性材料。由此，可以先将第二膜片220覆盖在基板100的侧面120上，然后在对第一膜片210进行弯折，以使第一膜片210覆盖在基板100的侧边面110上。或者，也可以先将第一膜片210覆盖在基板100的侧边面110上，然后在
对膜片结构200进行弯折，以使第二膜片220覆盖在基板100的侧面120上。
60.120、在膜片结构背离基板一侧的表面形成导电层。
61.可以理解的是，由于膜片结构200上的狭缝213与基板100的侧边面110和侧面120存在重叠，在膜片结构200背离基板100一侧的表面形成导电层300后，导电层300与狭缝213重叠的部分会与基板100的侧面120及侧边面110接触，而导电层300的其它部分会通过膜片结构200与基板100的侧面120及侧边面110隔开。
62.可选地，如图7所示，在第一膜片210和第二膜片220背离基板100一侧的表面沉积导电材料以形成导电层300。通过将导电材料沉积在第一膜片210和第二膜片220背离基板100的一侧表面沉积导电材料以形成导电层300，能够使导电层300与狭缝213重叠的部分与基板100的侧面120及侧边面110的连接更加牢固。
63.其中，导电材料的沉积可以采用物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)方式、真空蒸镀膜、溅射镀膜、离子镀膜等方式，此处不作限制，只需能够在第一膜片210和第二膜片220背离基板100一侧的表面沉积导电材料以形成导电层300即可。
64.在其他实施例中，也可以在第一膜片210和第二膜片220背离基板100一侧的表面涂布或喷涂电料材料，并对该导电材料进行固化以形成导电层300。
65.本技术实施例中，导电层300的导电材料包括导电金属、导电金属氧化物以及导电非金属等等，此处不作限制。
66.130、将膜片结构从基板上剥离，以在基板与狭缝对应的位置形成导线。
67.可以理解的是，当将膜片结构200从基板100上剥离后，导电层300与膜片结构200重叠的部分会随着膜片结构200一起被剥离，而导电层300与狭缝213重叠的部分则会留在基板100的侧面120和侧边面110上，以在基板100上形成与狭缝213的形状一致的导线310。
68.与现有的通过基板100的侧边面110固化银浆，然后对银浆进行激光雕刻以形成导线310的方式相比，本技术实施例在基板100的制备过程中通过在基板100上覆盖带有狭缝213的膜片结构200，并使膜片结构200上的狭缝213与基板100的侧边面110和侧面120存在重叠，然后在膜片结构200背离基板100一侧的表面设置导电层300，当将膜片结构200从基板100上剥离后，导电层300与狭缝213重叠的部分会留在基板100的侧面120和侧边面110上，以在基板100上形成与狭缝213的形状一致的导线310。本技术实施例中在基板100的侧边面110和侧面120形成导线310的方式操作比较简单，作业时间较短，能够提高基板100的生产效率。
69.可选地，第一膜片210和第二膜片220呈夹角设置。第一膜片210和第二膜片220形成的夹角具体可根据基板100的侧边面110和侧面120的夹角而定，当基板100的侧边面110和侧面120的夹角为90
°
时，第一膜片210和第二膜片220的夹角也为90
°
。
70.上述在基板100的侧边面110及与侧边面110邻接的至少部分侧面120上覆盖膜片结构200方式可包括步骤111至113，具体说明如下：
71.111、将第二膜片与基板的侧面层叠放置，将第一膜片与基板的侧边面层叠放置。
72.其中，当基板100的侧面120上设置有电路结构时，可以使第二膜片220上的狭缝213与基板100的侧面120上的电路结构的连接端130至少部分重叠，以使膜片结构200剥离后，基板100与狭缝213对应的位置形成的导线310能够与基板100的侧面120上的电路结构电连接在一起。当基板100的侧面120上还没有设置电路结构时，可以使第二膜片220上的狭
缝213与基板100的侧面120上的用于形成电路结构的连接端130区域至少部分重叠，以使膜片结构200剥离后，基板100与狭缝213对应的位置形成的导线310能够与基板100的侧面120后期形成的电路结构电连接在一起。
73.可选地，第二膜片220与基板100的侧面120采用ccd(charge coupled device，电荷耦合器件图像传感器)对位技术进行对位，使第二膜片220与基板100的侧面120叠放更加精确。具体地，在基板100的侧面120上设计有十字mark对位结构，可以采用ccd对位技术对膜片结构200的第二膜片220的边缘作为mark对位。
74.由于第一膜片210和第二膜片220呈夹角设置，当将第二膜片220与基板100的侧面120准确的层叠放置后，第一膜片210也会与基板100的侧边面110层叠放置。
75.112、将第二膜片压合在基板的侧面上，以在基板的至少部分侧面上覆盖膜片结构。
76.本技术实施例中，通过将第二膜片220压合在基板100的侧面120上，能够使膜片结构200的第二膜片220更加稳定的覆盖在基板100的至少部分侧面120上。
77.其中，在基板背离第二膜片的一侧贴有轻离膜。轻离膜能够对基板背离第二膜片的一侧进行保护。其中，轻离膜为一种离型膜，此处不做详细描述。
78.如图8所示，可以通过并列设置的两个滚轴500将第二膜片220压合在基板100的侧面120上，具体步骤如下：
79.1121、将基板上的轻离膜剥离。
80.1122、在基板背离第二膜片的一侧设置底板。
81.1123、通过并列设置的两个滚轴分别对第二膜片背离基板的一侧，以及底板背离基板的一侧进行滚动压合，以将第二膜片压合在基板的侧面上，并将基板压合在底板上。
82.本技术实施例通过两个滚轴500将第二膜片220压合在基板100的侧面120上，能够减少第二膜片220压合在基板100的侧面120上的过程中，第二膜片220和基板100的侧面120之间产生气泡的风险。
83.而且，通过在底板400背离第二膜片220的一侧设置底板400，当通过两个滚轴500将第二膜片220压合在基板100的侧面120上时，不仅能够减少第二膜片220压合在基板100的侧面120上的过程中，第二膜片220和基板100的侧面120之间产生气泡的风险。而且，还能够将基板100压合在底板400上，避免滚轴500与基板100滚动抵接而压坏基板100的同时，还能够是基板100的后续制备工艺更加方便。
84.其中，可以通过并列设置的两个滚轴500沿基板100远离侧边面110的方向分别对第二膜片220背离基板100的一侧，以及底板400背离基板100的一侧进行滚动压合，以减小通过滚轴500对第二膜片220进行压合的过程中，对第一膜片210的对位精度所造成的影响。
85.当然，在不影响第一膜片210的对位精度要求的情况下，也可以使两个滚轴500沿基板100靠近侧边面110的方向滚动，或者，两个滚轴500相对基板100沿侧边面110的长度方向滚动。
86.在其他实施例中，上述将第二膜片压合在基板的侧面上是方式可以包括如下步骤：
87.通过并列设置的两个滚轴分别对第二膜片背离基板的一侧，以及基板背离第二膜片的一侧进行滚动压合，以将第二膜片压合在基板的侧面上。
88.本技术实施例中，通过并列设置的两个滚轴500沿基板100远离侧边面110的方向分别对第二膜片220背离基板100的一侧，以及基板100背离第二膜片220的一侧进行滚动压合，以减小通过滚轴500对第二子磨片进行压合的过程中，影响第一膜片210的对位精度。
89.当然，在不影响第一膜片210的对位精度要求的情况下，也可以使两个滚轴500沿基板100靠近侧边面110的方向滚动，或者，两个滚轴500相对基板100沿侧边面110的长度方向滚动。
90.113、将第一膜片压合在基板的侧边面上，以在基板的侧边面上覆盖膜片结构。
91.本技术实施例中，通过将第一膜片210压合在基板100的侧边面110上，能够使膜片结构200的第一膜片210更加稳定的覆盖在基板100的侧边面110上。
92.其中，将第一膜片210压合在基板100的侧边面110上的步骤包括：通过压杆对第一膜片背离基板的一侧进行压印，以将第一膜片压合在基板的侧边面上。
93.可以理解的是，基板100的侧边面110的宽度较小，长度较长，通过压杆将第一膜片210压合在基板100的侧边面110上，能够使第一膜片210的压合更加方便。
94.本技术实施例还提供一种基板，该基板采用上述基板制备方法制得。
95.另外，本提案还提出一种膜片结构200，该膜片结构200包括相互连接的第一膜片210和第二膜片220，在膜片结构200上开设有多条狭缝213，该多条狭缝213与第一膜片210和第二膜片220的交界线212交叉设置，多条狭缝213沿交界线212的长度方向依次分布。
96.在通过膜片结构200制备基板100时，可以将膜片结构200覆盖在基板100的侧边面110及与侧边面110邻接的至少部分侧面120上，其中，膜片结构200的第一膜片210覆盖基板100的侧边面110，第二膜片220覆盖基板100的至少部分侧面120。然后，通过在膜片背离基板100的侧面120形成导电层300，并将膜片结构200从基板100上剥离，以在基板100上形成导线310。
97.其中，第一膜片210和第二膜片220呈夹角设置，或者，膜片结构200的材质为柔性材料，以便于膜片结构200的第一膜片210覆盖基板100的侧边面110，第二膜片220覆盖基板100的至少部分侧面120。
98.通过膜片结构200制备基板100的具体方法可以参照上述基本制备方法中的实施例，此处不再赘述。
99.可选地，膜片结构200上狭缝213的宽度大于或等于50μm，且小于或等于150μm，以使基板100上形成的合适宽度的导线310。
100.可选地，膜片结构200上的狭缝213在第一膜片210上的延伸方向与第一膜片210的长度方向呈夹角设置，以使基板100侧边面110的单位长度内，能够形成更多数量的导线310。另外，通过膜片结构200在基板100上形成导线310后，基板100侧边面110上的导线310能够朝向基板100背离第二膜片220的方向延伸，以便于与基板100背离第二膜片220一侧设置的电路或电子元器件电连接。
101.其中，可以使第一膜片210上的狭缝213延伸至第一膜片210远离第二膜片220的边缘。第一膜片210的宽度大于或等于基板100的厚度，以使基本侧边面110上的导线310能够延伸至侧边面110远离侧面120的边缘。
102.可选地，膜片结构200的第一膜片210和第二膜片220一体成型设置，以提高第一膜片210和第二膜片220的连接稳定性。
103.需要说明的是，本技术实施例提供的膜片结构200可以用于上述基板100制备方法中，膜片结构200的具体结构可以参照上述基板100制备方法中的膜片结构200，此处不再赘述。
104.以上对本技术实施例所提供的一种基板制备方法及膜片结构进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。