制造半导体元件的方法与流程

技术特征：
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：沉积一第一硬质遮罩层于一介电层上；形成多个遮罩条于该第一硬质遮罩层中，其中该些遮罩条通过多个开口隔开；填充一第一材料于该些遮罩条之间的该些开口中；形成通过该第一材料的一切割开口；采用一第二材料填充该切割开口；去除该第一材料以暴露该第二材料及该些遮罩条；及使用该些遮罩条及该第二材料图案化该介电层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：在图案化该介电层之后，在该介电层中填充一导电材料。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成在该第一材料中的该切割开口包含：形成具有一第一宽度的一第一开口于一光阻层中；及使用一尺寸减小蚀刻剂进行一蚀刻制程，以将该光阻层中的该第一开口转移至该第一材料以形成该切割开口，其中该切割开口具有一第二宽度，且该第二宽度小于该第一宽度。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：在形成该第一硬质遮罩层之前，在该介电层上沉积一第二硬质遮罩层；及沉积一第三硬质遮罩层于该第二硬质遮罩层上，其中在该第三硬质遮罩层上形成该第一硬质遮罩层。5.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：沉积一第一硬质遮罩层；沉积一第二硬质遮罩层于该第一硬质遮罩层上；图案化该第二硬质遮罩层以在该第一硬质遮罩层之上形成多个遮罩条，其中该些遮罩条沿着一第一方向延伸；沉积一遮罩层于该些遮罩条及该第一硬质遮罩层之上；沉积一光阻层于该遮罩层之上；图案化该光阻层以形成一切割开口，以暴露该些遮罩条中的至少一个；形成一切割遮罩于该切割开口中，其中该切割遮罩沿着实质垂直于该第一方向的一第二方向延伸；及使用该些遮罩条及该切割遮罩作为多个蚀刻遮罩，图案化该第一硬质遮罩层。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，图案化该光阻层以形成该切割开口包含：形成一第一开口于该光阻层中，其中该第一开口的一宽度实质等于该些遮罩条的一宽度；及使用该光阻层作为一尺寸减小蚀刻剂的一蚀刻遮罩，在该遮罩层中形成该切割开口，使得该切割开口比该第一开口更窄。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包含：形成一第一开口于该光阻层中；使用该光阻层作为一蚀刻遮罩，在该遮罩层上形成的一背侧抗反射涂覆层中形成一第二开口，其中该第二开口比该第一开口更窄；及使用该背侧抗反射涂覆层作为一蚀刻遮罩，在该遮罩层中形成该切割开口。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该切割开口比该第二开口更窄。9.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：沉积一介电层；使用极紫外线图案化技术图案化该介电层，以在该介电层中形成一第一开口及一第二开口；及填充该介电层中的该第一开口及该第二开口以在该介电层中形成一第一导电线路及一第二导电线路，其中该第一导电线路及该第二导电线路沿着该相同方向延伸，该第一导电线路的一端部部分面对该第二导电线路的一端部部分，该第一导电线路及该第二导电线路的该些端部部分之间的一端部间距小于该第一导电线路的一线路宽度，且该线路宽度小于约25纳米。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一导电线路的该端部部分包含一轮廓，该轮廓包含：一第一角落；一第二角落；及一平坦部分，连接该第一角落及该第二角落，其中该平坦部分的一长度在该线路宽度的约60％至约80％之间。

技术总结
一种制造半导体元件的方法，本揭露内容的实施例提供用于形成具有介电切割特征的导电线路的方法。具体而言，本揭露内容的实施例提供一种用于使用两个图案化制程而形成导电线路图案的方法。在第一图案化制程中形成线路图案。在第二图案化制程中，在切割图案之上形成线路图案。通过形成具有宽度小于线路图案的线路宽度的切割开口，且接着采用遮罩材料填充该切割开口，而形成切割图案。而形成切割图案。而形成切割图案。


技术研发人员：苏怡年 陈育裕
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.07.19
技术公布日：2021/12/6