复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件与流程

技术特征：
1.一种复合钝化膜结构的光阻gpp芯片，包括由内及外依次设置的半绝缘掺氧多晶硅膜、玻璃和低温氧化膜，其特征在于，所述低温氧化膜上设有氧化铝膜，所述半绝缘掺氧多晶硅膜上设有氮化硅膜。2.如权利要求1所述的复合钝化膜结构的光阻gpp芯片，其特征在于，所述氧化铝膜的厚度为0.05μm
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0.15μm。3.如权利要求1所述的复合钝化膜结构的光阻gpp芯片，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为0.2μm
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0.4μm。4.一种如权利要求1
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3中任一项所述的复合钝化膜结构的光阻gpp芯片的制备方法，其特征在于，包括：在生长氧化层的扩散片上涂覆光刻胶；在露出待蚀刻的区域上进行一次光刻沟槽，形成具有沟槽的硅片；在具有沟槽的硅片上依次沉积半绝缘掺氧多晶硅膜和氮化硅膜；在氮化硅膜上进行二次光刻涂覆玻璃光阻剂，烧结形成玻璃保护层；在玻璃保护层上依次沉积低温氧化膜和氧化铝膜并形成晶片，对晶片的正面进行三次光刻露出焊接区域；分别在晶片正面的焊接区域和晶片背面上镀金属；将镀金属后的晶片背面进行划片处理，得到光阻gpp芯片。5.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻gpp芯片的制备方法，其特征在于，所述扩散片依次通过硼磷扩散、喷砂和清洗工艺获得。6.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻gpp芯片的制备方法，其特征在于，通过光刻工艺在生长氧化层的扩散片上涂覆负性光刻胶。7.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻gpp芯片的制备方法，其特征在于，使用混酸对待蚀刻的区域进行开沟腐蚀，形成具有沟槽的硅片。8.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻gpp芯片的制备方法，其特征在于，使用lpcvd沉积半绝缘掺氧多晶硅膜，使用磁控溅射沉积一层氧化铝膜。9.如权利要求4所述的复合钝化膜结构的光阻gpp芯片的制备方法，其特征在于，在晶片正面的焊接区域和晶片背面上镀的金属为镍与金。10.一种电子器件，其特征在于，包括如权利要求1
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3中任一项所述的复合钝化膜结构的光阻gpp芯片。

技术总结
本发明属于光阻GPP芯片技术领域，提供了一种复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件。其中，该芯片包括由内及外依次设置的半绝缘掺氧多晶硅膜、玻璃和低温氧化膜，所述低温氧化膜上设有氧化铝膜，所述半绝缘掺氧多晶硅膜上设有氮化硅膜。其在传统光阻GPP芯片钝化层设计的基础上，在玻璃表面增加Al2O3膜，在Sipos膜表面增加氮化硅膜，有这两层钝化层的保护，可完全避免可动离子移动到硅表面，加上Sipos膜对可动离子电场的中和作用，可确保产品高温反偏通过150℃/80％反压/1000小时的考核。小时的考核。小时的考核。


技术研发人员：张斌 马捷 于洋
受保护的技术使用者：济南市半导体元件实验所
技术研发日：2021.09.14
技术公布日：2021/12/3