显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.在对现有技术的研究和实践过程中，本技术的发明人发现，量子点在蚀刻图案化的过程中容易受到溶剂的侵蚀而失效，而喷墨打印制备彩膜的方法具有精度控制难，量子点膜层不均匀、效率低等问题；且图案化后的量子点薄膜稳定性不佳，需要严密的封装保护，但是镀膜封装保护一般在高温环境中进行，容易破坏量子点的性能。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法，可以降低量子点稳定不佳的风险。
4.本技术实施例提供一种显示面板，其包括：
5.衬底；
6.彩膜结构层，所述彩膜结构层设置在所述衬底上，所述彩膜结构层包括多个色阻单元，所述色阻单元包括量子点色阻和设置在所述量子点色阻上的阻挡体。
7.可选的，在本技术的一些实施例中，所述色阻单元还包括透光的光刻胶体，所述光刻胶体设置在所述阻挡体上，所述保护层覆盖所述光刻胶体。
8.可选的，在本技术的一些实施例中，所述显示面板还包括保护层，所述保护层覆盖所述彩膜结构层。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，所述色阻单元之间具有缝隙，所述缝隙至少位于相邻的两个所述阻挡体之间，所述保护层填充所述缝隙。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述阻挡体的材料包括氧化铝、氧化锌、氮化镓、氮化铝和氧化镁中的至少一种；所述保护层的材料包括氧化铝、氧化锌、氮化镓、氮化铝和氧化镁中的至少一种。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述显示面板还包括设置在所述衬底上的遮光层，所述遮光层设置在相邻的两个所述色阻单元之间。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述显示面板还包括设置在所述衬底上的薄膜晶体管层，所述彩膜结构层设置在所述薄膜晶体管层上。
13.相应的，本技术实施例还提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
14.在衬底上形成彩膜结构层，所述彩膜结构层包括多个色阻单元，所述色阻单元包括量子点色阻和设置在所述量子点色阻上的阻挡体；
15.在所述彩膜结构层上形成保护层。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，多个所述色阻单元包括第一色阻单元和第二色阻单元，所述在衬底上形成彩膜结构层，包括以下步骤：
17.在衬底上形成所述第一色阻单元；
18.在所述衬底上形成所述第二色阻单元；
19.其中，所述在衬底上形成所述第一色阻单元，包括以下步骤：
20.在衬底上形成量子点材料层；
21.在所述量子点材料层上形成阻挡材料层；
22.在所述阻挡材料层上形成图案化的光刻胶层；
23.去除所述阻挡材料层和所述量子点材料层未被所述光刻胶层遮挡的部分。
24.可选的，在本技术的一些实施例中，在去除所述阻挡材料层和所述量子点材料层未被所述光刻胶层遮挡的部分，之后还包括以下步骤：
25.去除所述光刻胶层。
26.可选的，在本技术的一些实施例中，所述在所述量子点材料层上形成阻挡材料层，包括以下步骤：
27.在设定温度下，采用原子层沉积工艺在所述量子点材料层上沉积所述阻挡材料层，所述设定温度小于或等于60摄氏度。
28.可选的，在本技术的一些实施例中，所述制备方法还包括步骤：
29.在所述彩膜结构层上形成保护层。
30.可选的，在本技术的一些实施例中，所述在所述量子点材料层上形成阻挡材料层，包括以下步骤：
31.向腔室通入三甲基铝，并持续第一设定时间，所述第一设定时间介于0.01秒
‑
0.1秒之间；
32.通入惰性气体进行吹扫，并持续第二设定时间，所述第二设定时间介于20秒
‑
180秒之间；
33.向所述腔室通入氧气等离子体，并持续第三设定时间，所述第三设定时间介于30秒
‑
180秒之间；
34.再一次通入惰性气体进行吹扫，并持续第四设定时间，所述第四设定时间介于20秒
‑
180秒之间；
35.循环上述步骤设定次数，所述设定次数介于50次
‑
100次之间。
36.可选的，在本技术的一些实施例中，所述在所述量子点材料层上形成阻挡材料层，包括以下步骤：
37.向腔室通入三甲基铝，并持续第一设定时间，所述第一设定时间介于0.01秒
‑
0.1秒之间；
38.通入惰性气体进行吹扫，并持续第二设定时间，所述第二设定时间介于20秒
‑
180秒之间；
39.循环上述步骤第一设定次数，所述第一设定次数介于8次
‑
15次之间；
40.向所述腔室通入h2o，并持续第三设定时间，所述第三设定时间介于0.01秒
‑
0.1秒之间；
41.再一次通入惰性气体进行吹扫，并持续第四设定时间，所述第四设定时间介于20秒
‑
180秒之间；
42.循环上述步骤设定次数，所述设定次数介于50次
‑
100次之间。
43.本技术实施例的显示面板，其包括衬底、依次设置在衬底上的彩膜结构层，彩膜结
构层包括多个色阻单元，色阻单元包括量子点色阻和设置在量子点色阻上的阻挡体。本技术采用阻挡体覆盖量子点色阻，在剥离光刻胶层和/或蚀刻量子点材料层时，降低了剥离液和/或蚀刻材料破坏需要保留的量子点(量子点色阻)的风险。
44.另外，本实施例的显示面板还包括保护层，保护层覆盖彩膜结构层，起到防止水氧侵入量子点色阻的作用。
附图说明
45.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
46.图1是本技术第一实施例提供的显示面板的结构示意图；
47.图2是本技术第二实施例提供的显示面板的结构示意图；
48.图3是本技术第三实施例提供的显示面板的结构示意图；
49.图4是本技术第四实施例提供的显示面板的结构示意图；
50.图5是本技术实施例提供的显示面板的结构示意图；
51.图6是本技术实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图；
52.图7是本技术实施例提供的显示面板的制备方法中步骤b11的流程示意图；
53.图8是本技术实施例提供的显示面板的制备方法中步骤b12和步骤b13的流程示意图；
54.图9是本技术实施例提供的显示面板的制备方法中步骤b2的流程示意图。
具体实施方式
55.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
56.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
57.请参照图1，本技术第一实施例提供一种显示面板100，其包括衬底11和彩膜结构层12。
58.彩膜结构层12设置在衬底11上。彩膜结构层12包括多个色阻单元12a。色阻单元12a包括量子点色阻121和设置在量子点色阻121上的阻挡体122。本技术第一实施例的显示面板100采用阻挡体122覆盖量子点色阻121，在剥离光刻胶层和/或蚀刻量子点材料层时，降低了剥离液和/或蚀刻材料破坏需要保留的量子点的风险。需要保留的量子点为量子点色阻121。
59.具体的，在进行量子点材料层涂布后，在量子点材料层上形成阻挡材料层和光刻胶层，接着，对光刻胶层进行图案化；然后以图案化的光刻胶层为遮挡形成量子点色阻121和阻挡体122，而在形成量子点色阻121的过程，一般采用湿法蚀刻或干法蚀刻工艺，阻挡体122起到降低量子点被破坏的风险；随后剥离光刻胶层，在剥离光刻胶层的过程中剥离液被阻挡体122所阻挡，进而降低剥离液对量子点进行破坏的风险。
60.另一方面，阻挡体122覆盖量子点色阻121，还起到隔绝外界空气和量子点色阻121的接触，提高量子点色阻121的稳定性。
61.其中，本实施例的显示面板100还包括保护层13，保护层13覆盖彩膜结构层12，起到隔绝外界空气的作用，降低了外界空气与量子点色阻121进行接触的风险，从而提高了量子点色阻121的稳定性。
62.可选的，色阻单元12a之间具有缝隙12b。缝隙12b位于相邻的两个阻挡体122之间，保护层13填充缝隙12b。
63.可选的，阻挡体122可以是致密的金属氧化物膜，也可以是金属氮化物膜，比如阻挡体122的材料包括氧化铝、氧化锌、氮化镓、氮化铝和氧化镁中的至少一种。
64.可选的，阻挡体122可以是复合膜层结构，即阻挡体122由至少两层无机膜堆叠形成。
65.可选的，多个色阻单元12a包括第一色阻单元s1、第二色阻单元s2和第三色阻单元s3，第一色阻单元s1、第二色阻单元s2和第三色阻单元s3中的量子点材料层121的颜色彼此不同。比如第一色阻单元s1的量子点色阻是红色量子点色阻；第二色阻单元s2的量子点色阻是绿色量子点色阻；第三色阻单元s3的量子点色阻是蓝色量子点色阻。又比如第一色阻单元s1的量子点色阻是绿色量子点色阻；第二色阻单元s2的量子点色阻是蓝色量子点色阻；第三色阻单元s3的量子点色阻是红色量子点色阻，等。
66.第一色阻单元s1、第二色阻单元s2和第三色阻单元s3中的阻挡体122的材料可以相同，也可以不同。
67.保护层13的材料是致密的金属氧化物膜，也可以是金属氮化物膜；比如保护层13的材料可以包括氧化铝、氧化锌、氮化镓、氮化铝和氧化镁中的至少一种。
68.可选的，衬底11可为硬性衬底或者柔性衬底。衬底11的材质包括玻璃、蓝宝石、硅、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种。
69.可选的，显示面板100还包括设置在衬底11上的遮光层bm。遮光层bm设置在相邻的两个色阻单元12a之间。也就是说，显示面板100包括彩膜基板，彩膜基板包括上述结构特征。
70.可选的，遮光层14的材料可以是无机的金属材料，如cr(铬)、mo(钼)、mn(锰)等，也可以是金属氧化物材料，如cro
x
、moo
x
、mno2等，或者由金属和金属氧化物形成的混合膜层；亦可以是有机黑色树脂材料，如黑色聚苯乙烯、黑色光刻胶等。
71.请参照图2，本第二实施例的显示面板200包括包括衬底11、彩膜结构层12和保护层13。
72.彩膜结构层12设置在衬底11上。彩膜结构层12包括多个色阻单元12a。色阻单元12a包括量子点色阻121和设置在量子点色阻121上的阻挡体122。保护层13覆盖彩膜结构层
12。
73.本第二实施例的显示面板200与第一实施例的显示面板100的不同之处在于：色阻单元12a之间具有缝隙12b。缝隙12b至少位于相邻的两个阻挡体122之间。缝隙12b贯穿阻挡体122和量子点色阻121。
74.缝隙12b贯穿阻挡体122和量子点色阻121，使得色阻单元12a彼此分隔设置。接着，保护层13覆盖彩膜结构层12和填充缝隙12b，使得每个色阻单元12a均被保护层13独立包覆。
75.其中，当某一色阻单元12a的量子点色阻121被水氧侵入后，由于色阻单元12a具有被独立包覆的特性，使得其他的色阻单元12a不受影响，进而更好的保护其他色阻单元12a。
76.可选的，缝隙12b的宽度自靠近衬底11的一侧向远离衬底11的一侧递增，使得保护层13平缓地覆盖缝隙12b的侧壁，提高保护层13填充缝隙12b的密封性。
77.请参照图3，本第三实施例的显示面板300包括衬底11、彩膜结构层12和保护层13。
78.彩膜结构层12设置在衬底11上。彩膜结构层12包括多个色阻单元12a。色阻单元12a包括量子点色阻121和设置在量子点色阻121上的阻挡体122。保护层13覆盖彩膜结构层12。
79.本第三实施例的显示面板300分别与第一实施例的显示面板100和第二实施例的显示面板200的不同之处在于：显示面板300包括阵列基板。显示面板300的阵列基板包括设置在衬底11上的薄膜晶体管层tf。彩膜结构层12设置在薄膜晶体管层tf上。
80.其中薄膜晶体管层tf包括第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二金属层和第二绝缘层，第一金属层包括栅极和扫描线，第二金属层包括源极、漏极和数据线。
81.请参照图4，本技术第四实施例的显示面板400分别与第一实施例的显示面板100、第二实施例的显示面板200和第三实施例的显示面板300的不同之处在于：色阻单元12a还包括透光的光刻胶体123。光刻胶体123设置在阻挡体122上。保护层13覆盖光刻胶体123。光刻胶体123为负性光刻胶。
82.需要说明的是，本第四实施例的显示面板400以第二实施例的显示面板200为基础，进行说明，但不限于此。比如其也可以以第一实施例的显示面板100为基础。也就是说，本第四实施例的显示面板400在第一实施例的显示面板100或第二实施例的显示面板200的基础上，还设置了光刻胶体123。
83.本第四实施例的显示面板400在制备显示面板400的过程中保留了光刻胶体123，也即省略了采用剥离液剥离光刻胶体123的步骤，进而避免了剥离液破坏量子点色阻121的风险。
84.相应的，请参照图5，本技术实施例还提供一种显示面板1000，其包括对向基板j1和显示基板j2。显示基板j2与对向基板j1相对设置。显示基板j2和对向基板j1之间设置有液晶。
85.其中显示基板j2的结构与上述实施例的显示面板(100/200/300/400)的彩膜基板或阵列基板结构相同或相似。故显示基板j2的结构可参照上述关于显示面板(100/200/300/400)的阐述。
86.其中，当显示基板j2作为彩膜基板时，对向基板j1作为阵列基板；显示基板j2作为阵列基板时，对向基板j1作为非常规的彩膜基板。
87.相应的，请参照图6，本技术实施例还提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
88.步骤b1：在衬底上形成彩膜结构层，所述彩膜结构层包括多个色阻单元，所述色阻单元包括量子点色阻和设置在所述量子点色阻上的阻挡体；
89.步骤b2：在所述彩膜结构层上形成保护层。
90.本技术实施例的显示面板的制备方法，在量子点色阻上形成阻挡体，在剥离光刻胶层和/或蚀刻量子点材料层时，降低了剥离液和/或蚀刻材料破坏量子点的风险。在彩膜结构层上形成保护层，起到隔绝外界空气的作用，降低了外界空气与量子点色阻进行接触的风险，从而提高了量子点色阻的稳定性。
91.下文对本技术实施例的显示面板的制备方法进行阐述。
92.步骤b1：在衬底11上形成彩膜结构层12。彩膜结构层12包括多个色阻单元12a。色阻单元12a包括量子点色阻121和设置在量子点色阻121上的阻挡体122。
93.可选的，在步骤b1之前包括：在衬底11上形成遮光层bm。
94.在一些实施例中，在步骤b1之前还可以包括：在衬底11上形成薄膜晶体管层。
95.本技术实施例的显示面板100的制备方法，以在步骤b1之前包括：在衬底11上形成遮光层bm为例进行阐述，但不限于此。
96.可选的，多个色阻单元12a包括第一色阻单元s1和第二色阻单元s2。
97.可选的，多个色阻单元12a还包括第三色阻单元s3。
98.其中，步骤b1包括以下步骤：
99.步骤b11：在衬底11上形成第一色阻单元s1；
100.步骤b12：在衬底11上形成第二色阻单元s2；
101.步骤b13：在衬底11上形成第三色阻单元s3。
102.请参照图7，步骤b11包括以下步骤：
103.步骤b101：在衬底11上形成量子点材料层qd。其中采用涂布的方式在衬底11上形成量子点材料层qd。随后转入步骤b102。
104.可选的，衬底11可为硬性衬底或者柔性衬底。衬底11的材质包括玻璃、蓝宝石、硅、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种。
105.步骤b102：在所述量子点材料层qd上形成阻挡材料层bf。
106.可选的，步骤b102包括以下步骤：在设定温度下，采用原子层沉积工艺在所述量子点材料层qd上沉积所述阻挡材料层bf。所述设定温度小于或等于60摄氏度，比如可以是60摄氏度、55摄氏度、50摄氏度、45摄氏度、40摄氏度、35摄氏度、30摄氏度和25摄氏度。
107.在小于或等于60摄氏度的设定温度下，沉积阻挡材料层bf，起到降低保护量子点性能的效果，因为低温环境不会破坏量子点的性能。
108.可选的，在低温的设定温度下，在原子层沉积系统中，步骤b102包括：
109.步骤b1021：向腔室通入三甲基铝，并持续第一设定时间。所述第一设定时间介于0.01秒
‑
0.1秒之间，比如0.01秒、0.02秒、0.03秒、0.04秒、0.05秒、0.06秒、0.07秒、0.08秒、0.09秒和0.1秒。
110.步骤b1022：通入惰性气体进行吹扫，并持续第二设定时间，所述第二设定时间介
于20秒
‑
180秒之间，比如20秒、40秒、60秒、80秒、100秒、120秒、140秒、160秒和180秒。
111.步骤b1023：向所述腔室通入氧气等离子体，并持续第三设定时间，所述第三设定时间介于30秒
‑
180秒之间，比如30秒、45秒、60秒、80秒、100秒、125秒、150秒和180秒。
112.步骤b1024：再一次通入惰性气体进行吹扫，并持续第四设定时间。所述第四设定时间介于20秒
‑
180秒之间，比如20秒、40秒、60秒、80秒、100秒、120秒、140秒、160秒和180秒。
113.步骤b1025：循环上述步骤(步骤b1021
‑
步骤b1024)设定次数。所述设定次数介于50次
‑
100次之间，比如可以是50次、60次、70次、80次、90次和100次。随后转入步骤b103。
114.根据制备阻挡材料层bf的工艺为采用的等离子体增强原子层沉积系统(pe
‑
ald)进行制备，采用等离子体增强原子层沉积工艺，可以在低温的所述设定温度中进行，起到保护量子点性能的效果。
115.另外，本实施例中第一设定时间、第二设定时间、第三设定时间和第四设定时间的配合设置，以形成稳定的均匀的阻挡材料层bf。设定次数的设置可根据实际的需求进行调节，比如需要阻挡材料层bf的厚度大，则个适当的增加设定次数。
116.在一些实施例中，也可以采用常规的原子层沉积系统(ald)制备阻挡材料层bf。可选的，在低温的设定温度下，在原子层沉积系统中，步骤b102也可以包括：
117.步骤b102a：向腔室通入三甲基铝，并持续第一设定时间。所述第一设定时间介于0.01秒
‑
0.1秒之间，比如0.01秒、0.02秒、0.03秒、0.04秒、0.05秒、0.06秒、0.07秒、0.08秒、0.09秒和0.1秒。
118.步骤b102b：通入惰性气体进行吹扫，并持续第二设定时间，所述第二设定时间介于20秒
‑
180秒之间，比如20秒、40秒、60秒、80秒、100秒、120秒、140秒、160秒和180秒。
119.步骤b102c：循环上述步骤(步骤b102a
‑
步骤b102b)第一设定次数。所述第一设定次数介于8次
‑
15次之间，比如可以是8次、9次、10次、11次、12次、13次、14次和15次。
120.步骤b102d：向所述腔室通入h2o，并持续第三设定时间。所述第三设定时间介于0.01秒
‑
0.1秒之间，比如0.01秒、0.02秒、0.03秒、0.04秒、0.05秒、0.06秒、0.07秒、0.08秒、0.09秒和0.1秒。
121.步骤b102e：再一次通入惰性气体进行吹扫，并持续第四设定时间，所述第四设定时间介于20秒
‑
180秒之间，比如20秒、40秒、60秒、80秒、100秒、120秒、140秒、160秒和180秒。
122.步骤b102f：循环上述步骤(步骤b102a
‑
步骤b102e)设定次数。所述设定次数介于50次
‑
100次之间，比如可以是50次、60次、70次、80次、90次和100次。随后转入步骤b103。
123.其中，先进行步骤b102a
‑
步骤b102c，使得衬底11具有足够多的三甲基铝，可以与后续通入的h2o反应，降低h2o进入到量子点材料层qd的风险，进而保证量子材料层qd的性能。
124.另外，本实施例中第一设定时间、第二设定时间、第三设定时间和第四设定时间的配合设置，以形成稳定的均匀的阻挡材料层bf。第二设定次数的设置可根据实际的需求进行调节，比如需要阻挡材料层bf的厚度大，则个适当的增加设定次数。
125.步骤b103：在所述阻挡材料层bf上形成图案化的光刻胶层gk。
126.可选的，步骤b103包括步骤：第一，在阻挡材料层bf上涂布一层正性光刻胶层gk；
第二，采用紫外光通过掩模板对需要去除的量子点材料层qd的对应区域进行曝光，从而把掩模板上的图案转印到光刻胶层gk上；第三，对曝光后的光刻胶层gk进行显影处理，保留光刻胶层gk未被光照的部分，其中正性光刻胶层gk在紫外光照射后，感光剂分解，氨基耦合程度低，抗碱能力低，易被碱液溶解，从而保留未被光照的光阻。保留下来的光刻胶层gk为光刻胶体123。随后转入步骤b104。
127.可选的，步骤b103也可以包括步骤：第一，在阻挡材料层bf上涂布一层负性光刻胶层gk；第二，采用紫外光通过掩模板对需要保留的量子点材料层qd的对应区域进行曝光，从而把掩模板上的图案转印到光刻胶层gk上；第三，对曝光后的光刻胶层gk进行显影处理，其中被光照射的光刻胶层gk不易与显影液反应，进而保留光刻胶层gk被光照的部分。保留下来的光刻胶层gk为光刻胶体123。随后转入步骤b104。
128.步骤b104：去除所述阻挡材料层bf和所述量子点材料层qd未被所述光刻胶层gk遮挡的部分。随后转入步骤b105。
129.可选的，可采用干法蚀刻或湿法蚀刻去除所述阻挡材料层bf和所述量子点材料层qd未被所述光刻胶层gk遮挡的部分，进而形成量子点色阻121和阻挡体122。
130.其中，由于阻挡体122先于量子点色阻121形成，因此在蚀刻量子点材料层qd的过程中，阻挡体122还起到保护量子点材料层qd与其对应的部分，降低了蚀刻材料破坏量子点色阻121的风险。
131.步骤b105：去除所述光刻胶层gk。其中采用剥离液去除所述光刻胶层gk。其中由于阻挡体122设置在量子点色阻121上，因此在剥离光刻胶层gk的过程，降低了剥离液破坏量子点色阻121的风险。
132.随后转入步骤b12。
133.请参照图8，步骤b12：在衬底11上形成第二色阻单元s2。其中步骤b12与步骤b11相同或相似，不同之处在于，步骤b12和步骤b11形成的量子点色阻121的颜色不同。随后转入步骤b13。
134.请参照图8，步骤b13：在衬底11上形成第三色阻单元s3。其中步骤b13与步骤b11相同或相似，不同之处在于，步骤b13分别与步骤b11和步骤b12形成的量子点色阻121的颜色不同。随后转入步骤b2。
135.请参照图9，步骤b2：在所述彩膜结构层12上形成保护层13。
136.其中，第一色阻单元s1、第二色阻单元s2和第三色阻单元s3中，任意相邻的两个色阻单元12a之间具有缝隙12b。缝隙12b至少位于相邻的两个阻挡体122之间。保护层13覆盖彩膜结构层12且填充缝隙12b。
137.可选的，缝隙12b贯穿阻挡体122和量子点色阻121，使得色阻单元12a彼此分隔设置。接着，保护层13覆盖彩膜结构层12和填充缝隙12b，使得每个色阻单元12a均被保护层13独立包覆。
138.其中，当某一色阻单元12a的量子点色阻121被水氧侵入后，由于色阻单元12a具有被独立包覆的特性，使得其他的色阻单元12a不受影响，进而更好的保护其他色阻单元12a。
139.可选的，缝隙12b的宽度自靠近衬底11的一侧向远离衬底11的一侧递增，使得保护层13平缓地覆盖缝隙12b的侧壁，提高保护层13填充缝隙12b的密封性。
140.在一些实施例中，缝隙12b也可以仅位于相邻的两个阻挡体122之间，如图1所示。
141.可选的，步骤b2包括以下步骤：在设定温度下，采用原子层沉积工艺在所述彩膜结构层12上沉积所述保护层13。所述设定温度小于或等于60摄氏度，比如可以是60摄氏度、55摄氏度、50摄氏度、45摄氏度、40摄氏度、35摄氏度、30摄氏度和25摄氏度。
142.在小于或等于60摄氏度的设定温度下，沉积保护层13，起到降低保护量子点性能的效果，因为低温环境不会破坏量子点的性能。
143.可选的，在低温的设定温度下，在原子层沉积系统中，步骤b2包括：
144.步骤b21：向腔室通入三甲基铝，并持续第一设定时间。所述第一设定时间介于0.01秒
‑
0.1秒之间，比如0.01秒、0.02秒、0.03秒、0.04秒、0.05秒、0.06秒、0.07秒、0.08秒、0.09秒和0.1秒。
145.步骤b22：通入惰性气体进行吹扫，并持续第二设定时间，所述第二设定时间介于20秒
‑
180秒之间，比如20秒、40秒、60秒、80秒、100秒、120秒、140秒、160秒和180秒。
146.步骤b23：向所述腔室通入氧气等离子体，并持续第三设定时间，所述第三设定时间介于30秒
‑
180秒之间，比如30秒、45秒、60秒、80秒、100秒、125秒、150秒和180秒。
147.步骤b24：再一次通入惰性气体进行吹扫，并持续第四设定时间。所述第四设定时间介于20秒
‑
180秒之间，比如20秒、40秒、60秒、80秒、100秒、120秒、140秒、160秒和180秒。
148.步骤b25：循环上述步骤(步骤b21
‑
步骤b24)设定次数。所述设定次数介于50次
‑
100次之间，比如可以是50次、60次、70次、80次、90次和100次。
149.根据制备阻保护层13的工艺为采用的等离子体增强原子层沉积系统(pe
‑
ald)进行制备，采用等离子体增强原子层沉积工艺，可以在低温的所述设定温度中进行，起到保护量子点性能的效果。
150.另外，本实施例中第一设定时间、第二设定时间、第三设定时间和第四设定时间的配合设置，以形成稳定的均匀的保护层13。设定次数的设置可根据实际的需求进行调节，比如需要保护层13的厚度大，则个适当的增加设定次数。
151.在一些实施例中，也可以采用常规的原子层沉积系统(ald)制备保护层13。可选的，在低温的设定温度下，在原子层沉积系统中，步骤b2也可以包括：
152.步骤b2a：向腔室通入三甲基铝，并持续第一设定时间。所述第一设定时间介于0.01秒
‑
0.1秒之间，比如0.01秒、0.02秒、0.03秒、0.04秒、0.05秒、0.06秒、0.07秒、0.08秒、0.09秒和0.1秒。
153.步骤b2b：通入惰性气体进行吹扫，并持续第二设定时间，所述第二设定时间介于20秒
‑
180秒之间，比如20秒、40秒、60秒、80秒、100秒、120秒、140秒、160秒和180秒。可选的，惰性气体可以是氮气。
154.步骤b2c：循环上述步骤(步骤b2a
‑
步骤b2b)第一设定次数。所述第一设定次数介于8次
‑
15次之间，比如可以是8次、9次、10次、11次、12次、13次、14次和15次。
155.步骤b2d：向所述腔室通入h2o，并持续第三设定时间。所述第三设定时间介于0.01秒
‑
0.1秒之间，比如0.01秒、0.02秒、0.03秒、0.04秒、0.05秒、0.06秒、0.07秒、0.08秒、0.09秒和0.1秒。
156.步骤b2e：再一次通入惰性气体进行吹扫，并持续第四设定时间，所述第四设定时间介于20秒
‑
180秒之间，比如20秒、40秒、60秒、80秒、100秒、120秒、140秒、160秒和180秒。
157.步骤b2f：循环上述步骤(步骤b2a
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步骤b2e)设定次数。所述设定次数介于50次
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100次之间，比如可以是50次、60次、70次、80次、90次和100次。
158.其中，先进行步骤b2a
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步骤b2c，使得衬底11具有足够多的三甲基铝，可以与后续通入的h2o反应，降低h2o进入到量子点色阻121的风险，进而保证量子点色阻121的性能。
159.另外，本实施例中第一设定时间、第二设定时间、第三设定时间和第四设定时间的配合设置，以形成稳定的均匀的保护层13。第二设定次数的设置可根据实际的需求进行调节，比如需要保护层13的厚度大，则个适当的增加设定次数。
160.这样便完成了本实施例的显示面板的制备方法，从而得到上述实施例的显示面板100或显示面板200。
161.在一些实施例中，请参照图4，本实施例的显示面板的制备方法与上述实施例的显示面板的制备方法的不同之处在于，节省了剥离光刻胶层gk的步骤，即节省了上述步骤b105。此时，光刻胶层gk为透光的光刻胶层，保留光刻胶层gk包括多个光刻胶体123，也即使得光刻胶体123覆盖在阻挡体122上。
162.由于节省了剥离光刻胶层gk的步骤，避免了剥离液接触量子点色阻121的风险，保证了量子点性能的稳定性。
163.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。