一种MiniLED芯片及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种mini led芯片制造方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上制备锥状的图形化介质膜，在所述图形化介质膜远离所述衬底的一端生长外延层；对所述外延层进行切割道刻蚀；蚀刻所述切割道侧壁和底部露出的所述图形化介质膜，在所述图形化介质膜位置形成正梯形的切割道下侧壁；对所述切割道侧壁进行腐蚀，形成粗糙的切割道侧壁；在上述制得的芯片上方覆盖绝缘钝化层和反射层，得到mini led芯片。2.根据权利要求1所述的一种mini led芯片制造方法，其特征在于，所述在衬底上制备锥状的图形化介质膜包括：在衬底上沉积一层介质膜，根据光刻掩模图形对所述介质膜进行光刻和蚀刻，得到锥状的图形化介质膜。3.根据权利要求1所述的一种mini led芯片制造方法，其特征在于，对所述外延层进行切割道刻蚀包括：使用光刻胶或者介质层作为掩模对所述外延层进行切割道刻蚀，在所述外延层位置形成倒梯形的切割道上侧壁；在所述图形化介质膜位置形成正梯形的切割道下侧壁包括：形成的所述切割道下侧壁的顶面为所述切割道上侧壁的底面。4.根据权利要求1所述的一种mini led芯片制造方法，其特征在于，在所述图形化介质膜远离所述衬底的一端生长外延层包括：在所述图形化介质膜远离所述衬底的一端依次生长n型氮化镓、多层量子阱和p型氮化镓，得到外延层；对所述外延层进行切割道刻蚀之前包括：对所述外延层进行光刻和刻蚀，露出所述n型氮化镓的表面。5.根据权利要求1所述的一种mini led芯片制造方法，其特征在于，对所述切割道侧壁进行腐蚀，形成粗糙的切割道侧壁包括：在预设温度和时间下，使用粗化腐蚀溶液对所述切割道侧壁进行腐蚀，在具有n型氮化镓的外延层部分形成粗糙的切割道侧壁；所述粗化腐蚀溶液包含koh、naoh、h3po4或者tmah。6.根据权利要求1所述的一种mini led芯片制造方法，其特征在于，所述在上述制得的芯片上方覆盖绝缘钝化层和反射层之前包括：在上述制得的芯片未对所述外延层进行光刻和刻蚀的区域覆盖电流扩展层；在所述电流扩展层和n型氮化镓的表面分别制作p型欧姆接触金属层和n型欧姆接触金属层。7.根据权利要求1所述的一种mini led芯片制造方法，其特征在于，所述在上述制得的芯片上方覆盖绝缘钝化层和反射层包括：在上述制得的芯片上方依次覆盖绝缘钝化层和反射层，并露出p型欧姆接触金属层和n型欧姆接触金属层；所述在上述制得的芯片上方覆盖绝缘钝化层和反射层之后包括：
在所述p型欧姆接触金属层和n型欧姆接触金属层上方分别制作p型焊接金属电极和n型焊接金属电极。8.根据权利要求7所述的一种mini led芯片制造方法，其特征在于，所述在上述制得的芯片上方覆盖绝缘钝化层和反射层还包括：在未露出n型氮化镓的芯片上方依次覆盖绝缘钝化层和反射层，并露出所述p型欧姆接触金属层；在露出所述n型氮化镓的芯片上方覆盖绝缘钝化层，并露出所述n型欧姆接触金属层。9.一种mini led芯片，其特征在于，包括衬底、图形化介质膜、外延层、电流扩展层、p型欧姆接触金属层、n型欧姆接触金属层、绝缘钝化层、反射层、p型焊接金属电极和n型焊接金属电极；所述图形化介质膜呈锥状，位于所述衬底正上方；所述外延层位于所述图形化介质膜远离所述衬底的一端；所述外延层包括露出n型氮化镓区域和未露出n型氮化镓区域；所述露出n型氮化镓区域的外延层中包含切割道，所述切割道上侧壁在所述外延层位置呈倒梯形，所述切割道下侧壁在所述图形化介质膜位置呈正梯形，所述切割道下侧壁的顶面为所述切割道上侧壁的底面；所述电流扩展层位于未露出n型氮化镓区域的外延层远离所述衬底的一端；所述p型欧姆接触金属层和n型欧姆接触金属层分别位于所述电流扩展层和所述n型氮化镓的表面；所述绝缘钝化层和反射层位于上述芯片的表面，并露出所述p型欧姆接触金属层和n型欧姆接触金属层；所述p型焊接金属电极和n型焊接金属电极位于所述p型欧姆接触金属层和n型欧姆接触金属层上方。10.根据权利要求9所述的一种mini led芯片，其特征在于，所述绝缘钝化层和反射层位于上述芯片的表面，并露出所述p型欧姆接触金属层和n型欧姆接触金属层还包括：所述绝缘钝化层位于上述芯片的表面，并露出所述p型欧姆接触金属层和所述n型欧姆接触金属层；所述反射层位于所述未露出n型氮化镓区域的芯片表面，并露出所述p型欧姆接触金属层。

技术总结
本发明公开了一种Mini LED芯片及其制造方法，在衬底上制备锥状图形化介质膜，在图形化介质膜远离所述衬底的一端生长外延层；对外延层进行切割道刻蚀后，蚀刻所述切割道侧壁和底部露出的所述图形化介质膜，由于图形化介质膜为锥状的，因此在图形化介质膜位置能够形成正梯形的切割道下侧壁；对切割道侧壁进行腐蚀，能够形成比较粗糙的侧壁表面，从而采用侧面粗化的方式增加光从芯片侧面提取的效率，提高了芯片整体亮度，增加了侧面出射光的占比，使得芯片发光角增大；在上述制得的芯片的上方覆盖绝缘钝化层和反射层，能够在保护芯片侧壁的同时，实现Mini LED芯片的大发光角度的要求。求。求。


技术研发人员：郑高林 吴永胜 张帆
受保护的技术使用者：福建兆元光电有限公司
技术研发日：2021.09.08
技术公布日：2021/12/2