半导体装置的制作方法

1.本发明涉及半导体装置。


背景技术：

2.半导体集成电路被模塑树脂覆盖的半导体装置广为人知。该半导体装置包含与半导体集成电路连接的引线框。该引线框的与半导体集成电路相反侧的前端从模塑树脂露出。露出的引线框的前端作为半导体装置所具有的引脚起作用。
3.模塑树脂使引线框的除了前端之外的部位露出的结构也广为人知。例如在专利文献1中，在模塑树脂设置3个凹部，端子在该凹部的每一者处露出。
4.该端子用于具有对电源噪声进行抑制的功能的去耦电容器。在专利文献1中例示出在凹部的每一者处设置一对端子的情况。
5.专利文献1：日本特开平6
‑
125035号公报
6.就半导体装置而言，模塑树脂使导电部件露出的位置越少则半导体装置的耐湿性越高。


技术实现要素：

7.本发明的目的在于提供耐湿性高的半导体装置。
8.本发明涉及的半导体装置具有：第1半导体集成电路，其至少具有第1端子和第2端子；第1引线框，其与所述第1端子连接；第2引线框，其与所述第2端子连接；以及模塑树脂，其覆盖所述第1半导体集成电路。所述模塑树脂使所述第1引线框的局部露出地进一步覆盖所述第1引线框。所述模塑树脂使所述第2引线框的与所述第2端子相反侧的前端露出地进一步覆盖所述第2引线框。所述模塑树脂包含凹部，所述凹部以仅使所述局部及所述模塑树脂露出的方式开口。
9.发明的效果
10.根据本发明，得到耐湿性高的半导体装置。
附图说明
11.图1是对实施方式1涉及的半导体装置的结构进行例示的俯视图。
12.图2是对实施方式1涉及的半导体装置的图1的位置aa处的剖面进行例示的剖视图。
13.图3是对实施方式1涉及的半导体装置的电连接关系进行例示的电路图。
14.图4是对实施方式1涉及的半导体装置的图1的位置bb处的剖面的一部分进行例示的剖视图。
15.图5是局部地对实施方式1涉及的半导体装置与配线的连接关系进行例示的俯视图。
16.图6是对实施方式1涉及的半导体装置的变形进行例示的俯视图。
17.图7是局部地对图6的位置cc处的剖面进行例示的剖视图。
18.图8是对实施方式2涉及的半导体装置的结构进行例示的俯视图。
19.图9是对实施方式2涉及的半导体装置的图8的位置dd处的剖面进行例示的剖视图。
20.图10是对实施方式2涉及的半导体装置的电连接关系进行例示的电路图。
21.图11是对实施方式2涉及的半导体装置的图8的位置ee处的剖面的一部分进行例示的剖视图。
22.图12是局部地对实施方式2涉及的半导体装置与配线的连接关系进行例示的俯视图。
具体实施方式
23.<实施方式1>
24.图1是对实施方式1涉及的半导体装置100a的结构进行例示的俯视图。半导体装置100a作为将直流电压向三相交流变换的逆变器起作用。半导体装置100a通过外接通称为自举电容器(boot strap capacitor：下面简称为“bsc”)的电容器，从而实现自举电路。半导体装置100a例如是作为传递模塑(transfer mold)外形的智能功率模块(intelligent power module)(例如dipipm(注册商标))而实现的。
25.半导体装置100a包含多个第1导线1、二极管组2、开关元件组3、集成电路组4、元件组5、引线框601～624、片材7、多个第2导线8、模塑树脂9。为了提高图示的辨识性，用双点划线表示模塑树脂9。
26.在图1中示意性地用粗的虚线表示第1导线1。在图1中示意性地用粗的实线表示第2导线8。例如，第1导线1的材质均为铝。例如，第2导线8的材质均为金。
27.二极管组2包含二极管21～26。二极管21～26在三相逆变器中承担通称为续流二极管(free wheeling diode)的功能。
28.开关元件组3包含开关元件31～36。开关元件31、32、33在三相逆变器中承担通称为上桥臂的功能。开关元件34、35、36在三相逆变器中承担通称为下桥臂的功能。
29.开关元件31～36例如均为绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor)，下面简称为“igbt”。开关元件31～36也可以采用场效应晶体管。
30.下面，对开关元件31～36由igbt实现的情况进行例示，有时替代开关元件这一名称而用称为igbt的名称表示。igbt 31～36各自具有发射极、集电极、栅极。
31.集成电路组4包含半导体集成电路10、11。半导体集成电路10对开关元件31、32、33进行控制。半导体集成电路10承担通称为hvic(high voltage integrated circuit)的电路的功能。半导体集成电路11对开关元件34、35、36进行控制。半导体集成电路11承担通称为lvic(low voltage integrated circuit)的电路的功能。
32.元件组5包含二极管501、502、503。二极管501、502、503作为在向bsc充电时成为路径的自举二极管(boot strap diode)起作用。二极管501、502、503各自内置对该充电中的电流进行限制的电流限制电阻。
33.引线框601对二极管501进行载置。二极管501为芯片二极管，其阴极与引线框601连接。引线框607通过第2导线8与二极管501的阳极连接。
34.引线框602对二极管502进行载置。二极管502为芯片二极管，其阴极与引线框602连接。引线框607通过第2导线8与二极管502的阳极连接。
35.引线框603对二极管503进行载置。二极管503为芯片二极管，其阴极与引线框603连接。引线框607通过第2导线8与二极管503的阳极连接。
36.引线框601～607通过第2导线8与半导体集成电路10连接。半导体集成电路10的不同的7个端子各自与引线框601～607对应地连接。
37.引线框608对半导体集成电路10、11进行载置。半导体集成电路10的一个电极与半导体集成电路11的一个电极共通地连接于引线框608。
38.引线框609～616通过第2导线8与半导体集成电路11连接。半导体集成电路11的不同的8个端子各自与引线框609～616对应地连接。
39.引线框620对igbt 36和二极管26进行载置。igbt 36的集电极与二极管26的阴极连接于引线框620。
40.引线框621对igbt 35和二极管25进行载置。igbt 35的集电极与二极管25的阴极连接于引线框621。
41.引线框622对igbt 34和二极管24进行载置。igbt 34的集电极与二极管24的阴极连接于引线框622。
42.引线框623对igbt 31、32、33和二极管21、22、23进行载置。igbt 31、32、33各自的集电极与二极管21、22、23各自的阴极连接于引线框623。二极管21、22、23分别以相对于开关元件31、32、33并联，并且导通的方向彼此相反的方式连接。引线框624与其它部件之间没有电连接。
43.引线框617通过第1导线1与二极管26的阳极及igbt 36的发射极连接。引线框618通过第1导线1与二极管25的阳极及igbt 35的发射极连接。引线框619通过第1导线1与二极管24的阳极及igbt34的发射极连接。二极管24、25、26分别以相对于开关元件34、35、36并联，并且导通的方向彼此相反的方式连接。
44.片材7具有绝缘性。片材7至少对被载置二极管组2、开关元件组3的位置处的引线框620、621、622、623进行载置。片材7对二极管组2、开关元件组3进行散热。
45.模塑树脂9覆盖多个第1导线1、二极管组2、开关元件组3、集成电路组4、元件组5、片材7、多个第2导线8。模塑树脂9局部地覆盖引线框601～624，使引线框601～624的前端露出。
46.模塑树脂9包含凹部141、142、143。凹部141使引线框601的局部91露出。凹部142使引线框602的局部92露出。凹部143使引线框603的局部93露出。
47.图2是对半导体装置100a的图1的位置aa处的剖面进行例示的剖视图。在图2中，为了易于理解，图示出第1导线1及第2导线8而对连接关系进行例示。在图2中，为了易于理解，省略了模塑树脂9的阴影。
48.模塑树脂9具有面9a、9b。例如，片材7也可以在面9a露出。例如，片材7也可以在其露出的面设置金属箔。在图2中添加了从面9b朝向面9a的方向z。图1被描绘为沿方向z观察的俯视图。
49.引线框601～624(参照图1)在被面9a、9b夹着的位置处从模塑树脂9凸出，朝向与方向z相反的方向弯曲。从模塑树脂9凸出的部分的引线框601～624作为半导体装置100a的
引脚起作用。
50.凹部142在面9b处开口，仅使局部92和模塑树脂9露出。凹部141也相同地仅使局部91和模塑树脂9露出。凹部143也相同地仅使局部93和模塑树脂9露出。
51.图3是对半导体装置100a的电连接关系进行例示的电路图。半导体装置100a具有端子vufb、vvfb、vwfb、up、vp、wp、vp1，引线框601、602、603、604、605、606、607分别作为它们起作用。半导体集成电路10具有端子vcc、vub、up、vvb、vp、vwb、wp，它们分别与引线框607、601、604、602、605、603、606连接。
52.半导体装置100a具有端子un、vn、wn、vn1、fo、cin、vot，引线框609、610、611、612、613、614、616分别作为它们各自起作用。半导体集成电路11具有端子vcc、vot、un、vn、wn、fo、cin，它们分别与引线框612、616、609、610、611、613、614连接。
53.半导体装置100a具有2个端子vnc。半导体集成电路10具有端子com，半导体集成电路11具有端子gnd，这些端子com、gnd共通地与半导体装置100a的一个端子vnc(在图3中，在上方示出的那一个端子vnc)连接。引线框608作为该一个端子vnc起作用。
54.半导体集成电路11的端子gnd与另一个端子vnc(在图3中，在下方示出的那一个端子vnc)连接。引线框615作为该另一个端子vnc起作用。
55.半导体装置100a具有端子nw、nv、nu、w、v、u、p，引线框617、618、619、620、621、622、623分别作为它们各自起作用。半导体集成电路10具有端子vus、vvs、vws，它们分别与引线框622、621、620连接。
56.半导体集成电路10具有端子uout、vout、wout。半导体集成电路10的端子uout、vout、wout各自与igbt 31、32、33的栅极连接。来自半导体集成电路10的端子uout、vout、wout的输出分别对开关元件31、32、33的动作进行控制。
57.半导体集成电路11具有端子uout、vout、wout。半导体集成电路11的端子uout、vout、wout各自与igbt 34、35、36的栅极连接。来自半导体集成电路11的端子uout、vout、wout的输出分别对开关元件34、35、36的动作进行控制。
58.在图3中，局部91、92、93各自使用中空的圆形符号来表示。
59.在半导体集成电路10的端子vub、vus之间、端子vvb、vvs之间、端子vwb、vws之间各自连接bsc，实现使用了半导体装置100a的自举电路。
60.连接于端子vub、vus之间的bsc在半导体装置100a的端子vp1、nu之间与二极管501、igbt 34串联连接。如果通过来自半导体集成电路11的端子uout的信号将igbt 34接通，则该bsc被充电。连接于端子vvb、vvs之间的bsc、连接于端子vwb、vws之间的bsc也相同地被充电。这些bsc提供半导体集成电路10的消耗电力。
61.由于与bsc、二极管组2、开关元件组3、元件组5一起进行动作的半导体集成电路10、11的动作其本身是公知的，因此在本发明中省略了详情。
62.局部91从模塑树脂9露出，包含局部91的引线框601与端子vub连接。关于连接于端子vub、vus之间的bsc，成为其一个电极的第1端部与局部91连接，成为其另一个电极的第2端部经由半导体装置100a的外部的配线及与该配线连接的引线框622与端子vus连接。
63.局部92从模塑树脂9露出，包含局部92的引线框602与端子vvb连接。关于连接于端子vvb、vvs之间的bsc，成为其一个电极的第1端部与局部92连接，成为其另一个电极的第2端部经由半导体装置100a的外部的配线及与该配线连接的引线框621与端子vvs连接。
64.局部93从模塑树脂9露出，包含局部93的引线框603与端子vwb连接。关于连接于端子vwb、vws之间的bsc，成为其一个电极的第1端部与局部93连接，成为其另一个电极的第2端部经由半导体装置100a的外部的配线及与该配线连接的引线框620与端子vws连接。
65.在使用半导体装置100a来实现自举电路时，半导体装置100a并非必须具有端子vufb、vvfb、vwfb。引线框601、602、603的前端也可以没有从模塑树脂9露出。
66.图4是与配线基板18的一部分的剖面一起对半导体装置100a的图1的位置bb处的剖面的一部分进行例示的剖视图。
67.配线基板18具备配线181、182、183和具有绝缘性的基板180。配线181、182、183相对于基板180设置于相同侧。配线基板18的配线181、182、183面向面9b而与面9b相对。
68.电容器171、172、173均作为bsc起作用。例如，电容器171、172、173均为芯片电容器。
69.电容器171包含端部171a(与上述bsc的“第1端部”相当)和端部171b(与上述bsc的“第2端部”相当)。凹部141具有收容电容器171的至少一部分的形状。在图4的例子中，电容器171被收容于凹部141。也可以说方向z为凹部141的深度方向。例如，从端部171b朝向端部171a的方向为方向z。端部171a经由导电材料161与局部91电连接。端部171b经由导电材料151与配线181电连接。
70.电容器172包含端部172a(与上述bsc的“第1端部”相当)和端部172b(与上述bsc的“第2端部”相当)。凹部142具有收容电容器172的至少一部分的形状。在图4的例子中，电容器172被收容于凹部142。也可以说方向z为凹部142的深度方向。例如，从端部172b朝向端部172a的方向为方向z。端部172a经由导电材料162与局部92电连接。端部172b经由导电材料152与配线182电连接。
71.电容器173包含端部173a(与上述bsc的“第1端部”相当)和端部173b(与上述bsc的“第2端部”相当)。凹部143具有收容电容器173的至少一部分的形状。在图4的例子中，电容器173被收容于凹部143。也可以说方向z为凹部143的深度方向。例如，从端部173b朝向端部173a的方向为方向z。端部173a经由导电材料163与局部93电连接。端部173b经由导电材料153与配线183电连接。
72.例如，导电材料151、152、153、161、162、163采用焊料。导电材料151、152、153、161、162、163采用焊料有助于通过回流焊(reflow)对电容器171、172、173进行焊接。
73.图5是局部地对半导体装置100a与配线181、182、183的连接关系进行例示的俯视图。图5被描绘为沿与方向z相反的方向观察的俯视图。可以说图5为沿从半导体装置100a朝向基板180的方向观察的俯视图。
74.配线181将引线框622的前端和电容器171(更具体而言，端部171b)连接。配线182将引线框621的前端和电容器172(更具体而言，端部172b)连接。配线183将引线框620的前端和电容器173(更具体而言，端部173b)连接。在图5中，虚线仅限于表示配线181、182、183及电容器171、172、173，避免烦杂的图示。
75.在图5中也描绘了与引线框601、602、603、623、624各自连接的配线184、185、186、189、188。配线184、185、186、188、189在与配线181、182、183相同侧设置于基板180。配线188例如为焊盘。在图5中例示出配线181、182、183配置为具有在俯视观察时绕过半导体装置100a的路径的情况。也可以不呈现出这样的绕过地对配线181、182、183进行配置。
76.配线181将引线框622和电容器171的端部171b连接。如图4所示将局部91和电容器171的端部171a连接。如图3所示，局部91与半导体集成电路10的端子vub连接。如图3所示，半导体集成电路10的端子vus与半导体装置100a的端子u连接。引线框622作为端子u起作用。电容器171经由局部91、配线181、引线框622连接于半导体集成电路10的端子vub、vus之间，作为bsc起作用。
77.相同地，电容器172经由局部92、配线182、引线框621连接于半导体集成电路10的端子vvb、vvs之间，作为bsc起作用。相同地，电容器173经由局部93、配线183、引线框620连接于半导体集成电路10的端子vwb、vws之间，作为bsc起作用。
78.[特征的说明1a]
[0079]
能够如下所述地说明半导体装置100a的特征。半导体装置100a具有半导体集成电路10、引线框601、622、模塑树脂9。模塑树脂9覆盖半导体集成电路10。
[0080]
半导体集成电路10至少具有端子vub、vus。引线框601与端子vub连接。引线框622与端子vus连接。模塑树脂9使引线框601的局部91露出地进一步覆盖引线框601。模塑树脂9使引线框622的与端子vus相反侧的前端露出地进一步覆盖引线框622。
[0081]
模塑树脂9包含凹部141，凹部141以仅使局部91及模塑树脂9露出的方式开口。
[0082]
上述特征有助于局部91作为与电容器171的端部171a连接的端子起作用。电容器171的端部171b例如经由设置于半导体装置100a的外部的配线181与引线框622连接。
[0083]
上述说明即使使用下述对应关系而进行改称也是恰当的：将引线框601、622各自改称为引线框602、621；将端子vub、vus各自改称为端子vvb、vvs；将凹部141及局部91各自改称为凹部142及局部92；将电容器171及端部171a、171b各自改称为电容器172及端部172a、172b；以及将配线181改称为配线182。
[0084]
或者，上述说明即使使用下述对应关系而进行改称也是恰当的：将引线框601、622各自改称为引线框603、620；将端子vub、vus各自改称为端子vwb、vws；将凹部141及局部91各自改称为凹部143及局部93；将电容器171及端部171a、171b各自改称为电容器173及端部173a、173b；以及将配线181改称为配线183。
[0085]
在凹部141处露出的端子为局部91，在凹部142处露出的端子为局部92，在凹部143处露出的端子为局部93，在各处模塑树脂9使引线框露出的部位少。因此，半导体装置100a的耐湿性高。
[0086]
[特征的说明2a]
[0087]
还能够进一步如下所述地说明半导体装置100a。半导体装置100a还具有二极管501、半导体集成电路11、引线框619、623、开关元件31、34。半导体集成电路10还具有端子vcc。
[0088]
二极管501具有阳极、与引线框601连接的阴极。端子vcc与二极管501的阳极连接。在上述例示中经由引线框607将端子vcc和二极管501的阳极连接。
[0089]
开关元件31、34被模塑树脂9覆盖。开关元件31连接于引线框623、622之间。开关元件34连接于引线框622、619之间。
[0090]
开关元件31为半导体集成电路10的控制对象。开关元件34为半导体集成电路11的控制对象。
[0091]
凹部141具有收容电容器171的至少一部分的形状。电容器171成为通过开关元件
34的导通而经由二极管501的充电的对象。电容器171例如作为bsc起作用。
[0092]
上述说明即使使用下述对应关系而进行改称也是恰当的：将二极管501改称为二极管502；将引线框601、619、622各自改称为引线框602、618、621；将开关元件31、34各自改称为开关元件32、35；以及将凹部141及电容器171各自改称为凹部142及电容器172。
[0093]
或者，上述说明即使使用下述对应关系而进行改称也是恰当的：将二极管501改称为二极管503；将引线框601、619、622各自改称为引线框603、617、620；将开关元件31、34各自改称为开关元件33、36；以及将凹部141及电容器171各自改称为凹部143及电容器173。
[0094]
[特征的说明3]
[0095]
还能够进一步如下所述地说明半导体装置100a。模塑树脂9也使引线框601的与端子vub相反侧的前端、引线框602的与端子vvb相反侧的前端、引线框603的与端子vwb相反侧的前端露出。局部91位于引线框601的前端和端子vub之间。局部92位于引线框602的前端和端子vvb之间。局部93位于引线框603的前端和端子vwb之间。
[0096]
从半导体装置100a的外部将电压施加于引线框601、602、603，不采用自举就得到半导体集成电路10的消耗电力。具体而言，例如，在引线框601、622之间、引线框602、621之间、引线框603、620之间各自施加直流电压。
[0097]
[变形]
[0098]
可以适当设计局部91、92、93各自在凹部141、142、143处露出的形状。图6是对实施方式1涉及的半导体装置的变形进行例示的俯视图。在图6中仅描绘了凹部141、142、143及它们附近。在图6中，面9b出现在纸面近端侧。
[0099]
图7是局部地对图6的位置cc处的剖面进行例示的剖视图。在图7中通过采用了双点划线的假想线表示电容器171及其端部171a、171b的位置。
[0100]
局部91在凹部141处弯曲。更具体而言，例如，沿方向z观察，局部91呈多层。这样弯曲的局部91作为板弹簧起作用。电容器171的至少一部分被收容于凹部141，如果向方向z按压局部91，则局部91向与方向z相反方向对电容器171施加力。由于该力，电容器17更具体而言电容器17的端部171b被推压于配线181(参照图4)。
[0101]
局部91作为板弹簧起作用有助于不使用导电材料161、151(参照图4)地将电容器171连接于引线框601和配线181之间的技术。
[0102]
局部92在凹部142处与凹部141处的局部91相同地弯曲而作为板弹簧起作用。该功能有助于不使用导电材料162、152(参照图4)地将电容器172连接于引线框602和配线182之间的技术。
[0103]
局部93在凹部143处与凹部141处的局部91相同地弯曲而作为板弹簧起作用。该功能有助于不使用导电材料163、153(参照图4)地将电容器173连接于引线框603和配线183之间的技术。
[0104]
在图6中例示出局部91、92、93所弯曲的方向一致的情况。该方向并非必须一致。
[0105]
<实施方式2>
[0106]
图8是对实施方式2涉及的半导体装置100b的结构进行例示的俯视图。半导体装置100b也与半导体装置100a相同地作为将直流电压向三相交流变换的逆变器起作用。半导体装置100b通过外接bsc，从而实现自举电路。半导体装置100b例如是作为传递模塑外形的智能功率模块(例如dipipm(注册商标))而实现的。
[0107]
半导体装置100b与半导体装置100a的区别在于，替代使局部91、92、93从模塑树脂9露出这一做法，使引线框622的局部94、引线框621的局部95、引线框620的局部96露出，除此之外具有与半导体装置100a共通的结构。
[0108]
模塑树脂9包含凹部144、145、146。凹部144使局部94露出。凹部145使局部95露出。凹部146使局部96露出。在图8中也用双点划线表示模塑树脂9。
[0109]
图9是对半导体装置100b的图8的位置dd处的剖面进行例示的剖视图。在图9中，为了易于理解，图示出第1导线1及第2导线8而对连接关系进行例示。在图9中，为了易于理解，省略了模塑树脂9的阴影。图8被描绘为沿方向z观察的俯视图。
[0110]
图10是对半导体装置100b的电连接关系进行例示的电路图。在图10中，局部94、95、96各自使用中空的圆形符号来表示。
[0111]
图11是与配线基板18的一部分的剖面一起对半导体装置100b的图8的位置ee处的剖面的一部分进行例示的剖视图。
[0112]
配线基板18具备配线184、185、186和具有绝缘性的基板180。配线184、185、186相对于基板180设置于相同侧。配线基板18的配线184、185、186面向面9b而与面9b相对。
[0113]
电容器174、175、176均作为bsc起作用。例如，电容器174、175、176均为芯片电容器。
[0114]
电容器174包含端部174a和端部174b。例如，从端部174b朝向端部174a的方向为方向z。端部174a经由导电材料164与局部94电连接。端部174b经由导电材料154与配线184电连接。凹部144具有收容电容器174的至少一部分的形状。在图11的例子中，电容器174被收容于凹部144。
[0115]
电容器175包含端部175a和端部175b。例如，从端部175b朝向端部175a的方向为方向z。端部175a经由导电材料165与局部95电连接。端部175b经由导电材料155与配线185电连接。凹部145具有收容电容器175的至少一部分的形状。在图11的例子中，电容器175被收容于凹部145。
[0116]
电容器176包含端部176a和端部176b。例如，从端部176b朝向端部176a的方向为方向z。端部176a经由导电材料166与局部96电连接。端部176b经由导电材料156与配线186电连接。凹部146具有收容电容器176的至少一部分的形状。在图11的例子中，电容器176被收容于凹部146。
[0117]
例如，导电材料154、155、156、164、165、166采用焊料。导电材料154、155、156、164、165、166采用焊料有助于通过回流焊对电容器174、175、176进行焊接。
[0118]
图12是局部地对半导体装置100b与配线184、185、186的连接关系进行例示的俯视图。图12被描绘为沿与方向z相反的方向观察的俯视图。可以说图12为沿从半导体装置100b朝向基板180的方向观察的俯视图。
[0119]
配线184将引线框601的前端和电容器174(更具体而言，端部174b)连接。配线185将引线框602的前端和电容器175(更具体而言，端部175b)连接。配线186将引线框603的前端和电容器176(更具体而言，端部176b)连接。在图12中，虚线仅限于表示配线184、185、186及电容器174、175、176，避免烦杂的图示。
[0120]
在图12中也描绘了与引线框620、621、622、623、624各自连接的配线183、182、181、189、188。配线181、182、183、188、189在与配线184、185、186相同侧设置于基板180。在图12
中例示出配线184、185、186配置为在俯视观察时被半导体装置100b和基板180夹着的情况。配线184、185、186也可以配置为具有在俯视观察时绕过半导体装置100b的路径。
[0121]
配线184将引线框601和电容器174的端部174b连接。如图11所示将局部94和电容器174的端部174a连接。如图10所示，局部94与半导体集成电路10的端子vus连接。如图10所示，半导体集成电路10的端子vub与半导体装置100b的端子vufb连接。引线框601作为端子vufb起作用。电容器174经由局部94、配线184、引线框601连接于半导体集成电路10的端子vub、vus之间，作为bsc起作用。
[0122]
相同地，电容器175经由局部95、配线185、引线框602连接于半导体集成电路10的端子vvb、vvs之间，作为bsc起作用。相同地，电容器176经由局部96、配线186、引线框603连接于半导体集成电路10的端子vwb、vws之间，作为bsc起作用。
[0123]
[特征的说明1b]
[0124]
能够如下所述地说明半导体装置100b的特征。半导体装置100b具有半导体集成电路10、引线框601、622、模塑树脂9。模塑树脂9覆盖半导体集成电路10。
[0125]
半导体集成电路10至少具有端子vub、vus。引线框601与端子vub连接。引线框622与端子vus连接。模塑树脂9使引线框622的局部94露出地进一步覆盖引线框622。模塑树脂9使引线框601的与端子vub相反侧的前端露出地进一步覆盖引线框601。
[0126]
模塑树脂9包含凹部144，凹部144以仅使局部94及模塑树脂9露出的方式开口。
[0127]
上述特征有助于局部94作为与电容器174的端部174a连接的端子起作用。电容器174的端部174b例如经由设置于半导体装置100b的外部的配线184与引线框601连接。
[0128]
上述说明即使使用下述对应关系而进行改称也是恰当的：将引线框601、622各自改称为引线框602、621；将端子vub、vus各自改称为端子vvb、vvs；将凹部144及局部94各自改称为凹部145及局部95；将电容器174及端部174a、174b各自改称为电容器175及端部175a、175b；以及将配线184改称为配线185。
[0129]
上述说明即使使用下述对应关系而进行改称也是恰当的：将引线框601、622各自改称为引线框603、620；将端子vub、vus各自改称为端子vwb、vws；将凹部144及局部94各自改称为凹部146及局部96；将电容器174及端部174a、174b各自改称为电容器176及端部176a、176b；以及将配线184改称为配线186。
[0130]
在凹部144处露出的端子为局部94，在凹部145处露出的端子为局部95，在凹部146处露出的端子为局部96，在各处模塑树脂9使引线框露出的部位少。因此，半导体装置100b的耐湿性高。
[0131]
[特征的说明2b]
[0132]
还能够进一步如下所述地说明半导体装置100b。半导体装置100b还具有二极管501、半导体集成电路11、引线框619、623、开关元件31、34。半导体集成电路10还具有端子vcc。
[0133]
二极管501具有阳极、与引线框601连接的阴极。端子vcc与二极管501的阳极连接。在上述例示中经由引线框607将端子vcc和二极管501的阳极连接。
[0134]
开关元件31、34被模塑树脂9覆盖。开关元件31连接于引线框623、622之间。开关元件34连接于引线框622、619之间。
[0135]
开关元件31为半导体集成电路10的控制对象。开关元件34为半导体集成电路11的
控制对象。
[0136]
凹部144具有收容电容器174的至少一部分的形状。电容器174成为通过开关元件34的导通而经由二极管501的充电的对象。电容器174作为bsc起作用。
[0137]
上述说明即使使用下述对应关系而进行改称也是恰当的：将二极管501改称为二极管502；将引线框601、619、622各自改称为引线框602、618、621；将开关元件31、34各自改称为开关元件32、35；以及将凹部144及电容器174各自改称为凹部145及电容器175。
[0138]
或者，上述说明即使使用下述对应关系而进行改称也是恰当的：将二极管501改称为二极管503；将引线框601、619、622各自改称为引线框603、617、620；将开关元件31、34各自改称为开关元件33、36；以及将凹部144及电容器174各自改称为凹部146及电容器176。
[0139]
<变形>
[0140]
可以适当设计局部94、95、96各自在凹部144、145、146处露出的形状。也可以与在图7中例示出的局部91、92、93相同地，局部94、95、96各自在凹部144、145、146处弯曲。
[0141]
[应用例]
[0142]
开关元件31～36、二极管501～503、21～26、半导体集成电路10、11都例如采用si(硅)、sic(碳化硅)作为半导体材料。
[0143]
在一个凹部处仅露出一个引线框的局部及模塑树脂的构造并不限于bsc，也可以与其它部件例如去耦电容器一起利用。成为去耦电容器所具有的一对电极中的一者的端部与在凹部处露出的局部电连接。成为该一对电极中的另一者的端部与包含具有凹部的模塑树脂的半导体装置的外部的配线电连接。凹部具有收容去耦电容器的至少一部分的形状。
[0144]
此外，可以将各实施方式自由地组合，对各实施方式适当进行变形、省略。
[0145]
标号的说明
[0146]
vus、vub、vvs、vvb、vws、vwb、vcc端子，601～624引线框，9模塑树脂，10、11半导体集成电路，31～36开关元件，91～96局部，100a、100b半导体装置，141～146凹部，501～503二极管，z方向。