形成用于抑制弧状弯曲的保护侧壁层的方法以及装置与流程

技术特征：
1.一种方法，是蚀刻基板的方法，其中，包括：第一工序，其为蚀刻所述基板而在所述基板形成凹部的第一部分的工序，所述凹部的所述第一部分包括底面和侧壁；第二工序，在所述侧壁内或所述侧壁上形成氟硅酸铵afs层；以及第三工序，在所述第二工序后，在通过所述氟硅酸铵afs层保护所述侧壁的同时蚀刻所述底面，形成所述凹部的第二部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二工序和所述第三工序以小于100℃的温度实施。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二工序包括在所述凹部的所述第一部分的所述侧壁的表面上形成所述氟硅酸铵afs层的工序。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二工序还包括：将所述侧壁的所述表面暴露于含si前体，在所述侧壁的所述表面上形成前体层的工序；将所述前体层暴露于氧等离子体使所述前体层氧化，形成sio2层的工序；以及将所述sio2层暴露于含有n晶种、f晶种以及h晶种的等离子体的工序。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二工序包括在所述凹部的所述第一部分的所述侧壁内形成所述氟硅酸铵afs层的工序。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括sio2层，所述第二工序包括将所述sio2层暴露于含有n晶种、f晶种以及h晶种的等离子体的工序。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括具有开口部的掩模层，所述第一工序包括：在所述掩模层的所述开口部内对所述基板进行蚀刻的工序以及在所述掩模层的所述开口部内对所述凹部的所述第一部分的所述底面进行蚀刻的工序中的至少一方。8.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：重复所述第二工序和所述第三工序的工序。9.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：第四工序，在所述第三工序后，将所述基板加热至超过100℃而去除所述氟硅酸铵afs层。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括交替具备sio
x
层和sin层的堆叠。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括交替具备sio
x
层和多晶硅层的堆叠。12.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第二工序和所述第三工序在相同的反应腔室内实施。13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二工序在第一反应腔室内实施，所述第三工序在第二反应腔室内实施，所述第二反应腔室与所述第一反应腔室不同。14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二工序包括将所述氟硅酸铵afs层形成为覆盖所述凹部的所述第一部分的至少所述侧壁的保形层的工序。15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二工序包括将所述氟硅酸铵afs层形成为从所述基板的上表面沿所述侧壁延伸至所述凹部的所述第一部分的所述底面为止的副保形层的工序。16.一种方法，是蚀刻基板的方法，其中，包括：第一工序，其为蚀刻所述基板而在所述基板形成凹部的第一部分的工序，所述凹部的所述第一部分包括底面和侧壁；第二工序，通过氟硅酸铵afs层保护所述侧壁；以及第三工序，在通过所述氟硅酸铵afs层保护所述侧壁的同时蚀刻所述底面，形成所述凹部的第二部分。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第二工序包括：在蚀刻所述底面的期间，以防止所述凹部的所述第一部分的所述侧壁的弧状弯曲的方式保护所述凹部的所述第一部分的所述侧壁的工序。18.一种方法，是蚀刻基板的方法，其中，包括：第一工序，其为蚀刻所述基板而在所述基板形成凹部的第一部分的工序，所述凹部的所述第一部分包括底面和侧壁：第二工序，在所述侧壁内或所述侧壁上形成包含n、f、h以及si的保护层；以及第三工序，在所述第二工序后，在通过所述保护层保护所述侧壁的同时蚀刻所述底面，形成所述凹部的第二部分。19.一种基板处理装置，具备：腔室，其配置有具有作为蚀刻对象的基板的晶片，所述基板包括具有开口部的掩模层；气体源；等离子体生成器；以及控制器电路，所述控制器电路构成为：以生成第一等离子体的方式控制所述气体源和所述等离子体生成器，该第一等离子体用于在所述掩模层的所述开口部内蚀刻所述基板而在所述基板形成包括底面和侧壁的凹部的第一部分，以生成第二等离子体的方式控制所述气体源和所述等离子体生成器，该第二等离子体含有用于在所述侧壁内或所述侧壁上形成氟硅酸铵afs层的n晶种、f晶种以及h晶种，以生成第三等离子体的方式控制所述气体源和所述等离子体生成器，该第三等离子体用于在所述氟硅酸铵afs层的形成后，在以所述凹部的所述第一部分的所述侧壁不被进一步蚀刻的方式通过所述氟硅酸铵afs层保护所述侧壁的同时进一步蚀刻所述底面，形成所
述凹部的第二部分。20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，所述基板包括sio
x
以外的蚀刻层，所述控制器电路进一步构成为：以将所述侧壁暴露于含si前体，在所述侧壁的表面上形成前体层的方式控制所述气体源，以将所述前体层暴露于氧等离子体而使所述前体层氧化，在所述侧壁上形成sio2层的方式控制所述等离子体生成器，以生成第二等离子体的方式控制所述气体源和所述等离子体生成器，该第二等离子体含有用于使所述侧壁上的sio2层变化为氟硅酸铵afs层的n晶种、f晶种以及h晶种。21.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，还具备将所述氟硅酸铵afs层形成为保形层或副保形层的单元。

技术总结
本发明涉及形成用于抑制弧状弯曲的保护侧壁层的方法以及装置。基板处理装置实施蚀刻基板的方法。本方法包括蚀刻基板而在基板形成凹部的第一部分的第一工序。凹部的第一部分包括底面和侧壁。本方法还包括：在侧壁内或侧壁上形成氟硅酸铵(AFS)层的第二工序，以及接着蚀刻底面而形成凹部的第二部分的第三工序。第三工序在维持由AFS层对侧壁的保护的同时实施。施。施。


技术研发人员：须田隆太郎 熊谷圭惠 户村幕树
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.05.13
技术公布日：2021/12/2