薄膜沉积方法及薄膜沉积设备与流程

技术特征：
1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：往反应腔室内通入原子量大于氩气的原子量的惰性气体；在往所述反应腔室内通入所述惰性气体的过程中，在所述反应腔室内的靶材和基片之间施加电离电压，使所述惰性气体电离产生惰性气体离子轰击所述靶材；当所述反应腔室内的气体压强达到预设值时，停止通入所述惰性气体；向所述反应腔室内施加磁场，以在所述磁场的作用下使所述靶材电离产生的等离子体中的带电粒子轰击所述靶材，以使所述靶材的组成粒子沉积在所述基片上。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在停止通入所述惰性气体之后，所述方法还包括：在所述靶材和所述基片之间施加偏压，以在所述偏压的作用下使所述带电粒子轰击所述靶材。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述偏压范围为：300v至10000v。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当所述反应腔室内的气体压强达到预设值时，停止通入所述惰性气体，包括：检测所述反应腔室内的气体压强，并将检测到的所述气体压强与所述预设值进行比较；当检测到的所述气体压强达到所述预设值时，停止通入所述惰性气体。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设值的范围为：0.1pa至10pa。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述靶材和所述基片之间施加电离电压的时间为：1s至10s；和/或，在往所述反应腔室内通入原子量大于氩气的原子量的所述惰性气体之前，所述方法还包括：将所述反应腔室抽真空。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材包括金属合金相变材料；和/或，所述惰性气体包括以下至少之一：氪气；氙气；氡气。8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述向所述反应腔室内施加磁场，包括：向环绕在所述反应腔室外壁的电磁线圈中通入电流，以使所述反应腔室内产生所述磁场。9.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：反应腔室；承载装置，位于所述反应腔室内，用于承载基片；阴极板，位于所述反应腔室顶部，用于与靶材相连；阳极板，位于所述反应腔室底部，与所述承载装置相连，以使所述靶材与所述基片相对布置；进气管，与所述反应腔室的内部连通，用于向所述反应腔室内通入原子量大于氩气的原子量的惰性气体；其中，所述惰性气体电离产生惰性气体离子轰击所述靶材，使所述靶材
电离产生带电粒子；电磁线圈，环绕在所述反应腔室的外壁；当所述电磁线圈通电时，通电的所述电磁线圈用于在所述反应腔室内产生磁场，以使所述带电粒子在所述磁场作用下轰击所述靶材，使所述靶材电离；控制器，用于在所述反应腔室内的气体压强达到预设值时，控制停止向所述反应腔室通入惰性气体，并控制所述电磁线圈产生所述磁场。10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：工作电源，分别与所述控制器以及所述阴极板和阳极板电连接，用于在接收到所述控制器的开启指令时，在所述阴极板和所述阳极板之间施加范围为300v至10000v的偏压。

技术总结
本公开实施例公开了一种薄膜沉积方法和薄膜沉积设备，所述薄膜沉积方法方法包括：往反应腔室内通入原子量大于氩气的惰性气体；在往所述反应腔室内通入所述惰性气体的过程中，在所述反应腔室内的靶材和基片之间施加电离电压，使所述惰性气体电离产生惰性气体离子轰击所述靶材；当所述反应腔室内的气体压强达到预设值时，停止通入所述惰性气体；向所述反应腔室内施加磁场，以在所述磁场的作用下使所述靶材电离产生的等离子体中的带电粒子轰击所述靶材，以使所述靶材的组成粒子沉积在所述基片上。片上。片上。


技术研发人员：骆金龙
受保护的技术使用者：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
技术研发日：2021.08.30
技术公布日：2021/11/30