组合物、膜、近红外线截止滤波器、层叠体、图案形成方法与流程

技术特征：
1.一种组合物，其包含两种以上的近红外线吸收化合物，该近红外线吸收化合物在波长650nm～1000nm的范围内具有极大吸收波长，且相对于23℃的水的溶解度为0.1质量％以下，所述两种以上的近红外线吸收化合物包含：第1近红外线吸收化合物，在波长650nm～1000nm的范围内具有极大吸收波长；及第2近红外线吸收化合物，在比所述第1近红外线吸收化合物的极大吸收波长更靠短波长侧的波长650nm～1000nm的范围内具有极大吸收波长，所述第1近红外线吸收化合物及所述第2近红外线吸收化合物为方酸化合物，所述第1近红外线吸收化合物的极大吸收波长与所述第2近红外线吸收化合物的极大吸收波长之差为1nm～150nm。2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述方酸化合物为式(sq
‑
1)所示的化合物，式(sq
‑
1)式(sq
‑
1)中，环a及环b分别独立地表示芳香族环，x
a
及x
b
分别独立地表示具有活性氢的基团，g
a
及g
b
分别独立地表示取代基，ka表示0～na的整数，kb表示0～nb的整数，na表示可取代为环a的最大的整数，nb表示可取代为环b的最大的整数，x
a
与g
a
、x
b
与g
b
任选地相互键合而形成环，g
a
及g
b
分别存在复数个的情况下，任选地相互键合而形成环。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述第1近红外线吸收化合物为下述式(sq
‑
a)所示的化合物，式(sq
‑
a)式中，r1及r2分别独立地表示烷基、烯基、芳基或杂芳基，
r3及r4分别独立地表示氢原子或烷基，x1及x2分别独立地表示氧原子或
‑
n(r5)
‑
，r5表示氢原子、烷基、芳基或杂芳基，y1～y4分别独立地表示取代基，y1与y2及y3与y4任选地相互键合而形成环，y1～y4分别存在复数个的情况下，任选地相互键合而形成环，p及s分别独立地表示0～3的整数，q及r分别独立地表示0～2的整数。4.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，相对于所述第1近红外线吸收化合物的100质量份，含有5质量份～500质量份的所述第2近红外线吸收化合物。5.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述第1近红外线吸收化合物及所述第2近红外线吸收化合物的、在波长550nm下的吸光度a1与在极大吸收波长下的吸光度a2的比率a1/a2分别为0.04以下。6.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述第1近红外线吸收化合物的极大吸收波长与所述第2近红外线吸收化合物的极大吸收波长之差为1nm～90nm。7.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述第1近红外线吸收化合物的极大吸收波长与所述第2近红外线吸收化合物的极大吸收波长之差为30nm～90nm。8.根据权利要求1或2所述的组合物，其还包含固化性化合物。9.根据权利要求1或2所述的组合物，其还包含树脂及溶剂。10.根据权利要求1或2所述的组合物，其还包含彩色着色剂。11.一种膜，其是使用权利要求1至10中任一项所述的组合物形成的。12.一种近红外线截止滤波器，其是使用权利要求1至10中任一项所述的组合物形成的。13.根据权利要求12所述的近红外线截止滤波器，其还具有含铜的层。14.一种层叠体，其具有权利要求12或13所述的近红外线截止滤波器和包含彩色着色剂的滤色器。15.一种图案形成方法，其包含如下工序：在支撑体上形成包含权利要求第1至10中任一项所述的组合物的组合物层的工序；及通过光刻法或干式蚀刻法在所述组合物层形成图案的工序。16.一种固体成像元件，其具有权利要求11所述的膜。17.一种图像显示装置，其具有权利要求11所述的膜。18.一种红外线传感器，其具有权利要求11所述的膜。19.一种滤色器，其具有包含权利要求1至10中任一项所述的组合物的像素和选自红、绿、蓝、品红、黄、青、黑及无色中的像素。

技术总结
本发明提供一种红外线屏蔽性优异，并能够形成不易产生光谱变化的膜的组合物。本发明的组合物含有两种以上的近红外线吸收化合物，该近红外线吸收化合物在波长650～1000nm的范围内具有极大吸收波长，且相对于23℃的水的溶解度为0.1质量％以下，两种以上的近红外线吸收化合物包含第1近红外线吸收化合物，在波长650～1000nm的范围内具有极大吸收波长；及第2近红外线吸收化合物，在比第1近红外线吸收化合物的极大吸收波长更靠短波长侧的波长650～1000nm的范围内具有极大吸收波长，第1近红外线吸收化合物的极大吸收波长与第2近红外线吸收化合物的极大吸收波长之差为1～150nm。收化合物的极大吸收波长之差为1～150nm。收化合物的极大吸收波长之差为1～150nm。


技术研发人员：松村季彦 佐佐木大辅 荒山恭平 神保良弘 尾田和也 有村启佑 大河原昂广
受保护的技术使用者：富士胶片株式会社
技术研发日：2017.01.19
技术公布日：2021/11/30