一种基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构及其应用的制作方法

技术特征：
1.一种基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构，其特征在于，包括双极型晶体管，多个双极型晶体管的一端共地连接，另一端分别经对应的电阻后与电阻r1的一端连接，电阻r1的另一端经场效应管与运算放大器连接，利用双极型晶体管的电流增益β的非线性降低带隙基准源基准电压v
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的温度系数。2.根据权利要求1所述的基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构，其特征在于，双极型晶体管包括三极管q1和三极管q2，电阻r1的一端分三路，一路经电阻mr2与三极管q1的集电极连接，第二路经电阻r2分别与三极管q1的基极和三极管q2的集电极连接，第三路与三极管q2的基极连接，三极管q1的发射极和三极管q2的发射极共地连接。3.根据权利要求2所述的基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构，其特征在于，三极管q1支路的电阻大小为三极管q2支路电阻大小的m倍。4.根据权利要求3所述的基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构，其特征在于，m为2.5～3.2。5.根据权利要求2所述的基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构，其特征在于，基准电压v
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与温度t的函数关系如下：其中，c为常数，η为工艺因子，δ为与三极管电流相关的参数，k为玻尔兹曼常数，q为电子电荷量，m为三极管q1支路的电阻大小为三极管q2支路电阻大小的倍数，n为三极管q1和三极管q2的面积之比，β0、β1、β2为常数。6.根据权利要求5所述的基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构，其特征在于，基准电压v
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为：其中，v
be2
为三极管q2的基
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射极电压。7.根据权利要求2所述的基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构，其特征在于，三极管q1和三极管q2的面积之比为n：1。8.根据权利要求1所述的基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构，其特征在于，场效应管的源极接电源vdd，场效应管的栅极接运算放大器的输出，场效应管的漏极与电阻r1的一端连接。9.根据权利要求1至8中任一项所述的基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构，其特征在于，自补偿带隙基准源结构在
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40℃～125℃的温度系数为1.8ppm/℃。10.根据权利要求1所述的基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构能够应用在集成电路中。

技术总结
本发明公开了一种基于曲率函数的自补偿带隙基准源结构及其应用，包括双极型晶体管，多个双极型晶体管的一端共地连接，另一端分别经对应的电阻后与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端经场效应管与运算放大器连接，利用双极型晶体管的电流增益β的非线性降低带隙基准源基准电压V


技术研发人员：耿莉 董力 吕程 沈云虓
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2021.08.05
技术公布日：2021/11/30