一种改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件与流程

技术特征：
1.一种改善mosfet雪崩特性的方法，其特征在于，包括如下步骤：s1、提供一半导体衬底，所述半导体衬底上设有外延片，在所述外延片上生长一层栅极氧化层；s2、在所述栅极氧化层上淀积一层多晶硅层,在多晶硅层的表面涂光刻胶，采用刻蚀机进行刻蚀，形成第一沟槽；s3、定义p型体区，将多晶硅层增加一层光罩；s4、采用离子注入工艺在所述p型体区内注入p型离子后退火；s5、采用离子注入工艺注入n型离子后退火形成n

源区；s6、在所述多晶硅层上表面沉积一绝缘介质层；s7、在所述绝缘介质层进行孔刻蚀形成第二沟槽；s8、在所述绝缘介质层上表面沉积正面金属层，引出源极。2.根据权利要求1所述的一种改善mosfet雪崩特性的方法，其特征在于，所述步骤s1中，外延片的掺杂浓度低于半导体衬底的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的一种改善mosfet雪崩特性的方法，其特征在于，所述s1步骤中，所述栅极氧化层材质为氧化硅。4.根据权利要求1所述的一种改善mosfet雪崩特性的方法，其特征在于，所述s1步骤中，采用热氧化工艺形成所述栅极氧化层。5.根据权利要求1所述的一种改善mosfet雪崩特性的方法，其特征在于，所述s2步骤中，采用光刻刻蚀工艺形成所述第一沟槽，所述第一沟槽横向间隔设置。6.根据权利要求1所述的一种改善mosfet雪崩特性的方法，其特征在于，所述s4步骤中，所述p型离子为硼离子；所述退火工艺为炉管退火工艺。7.根据权利要求1所述的一种改善mosfet雪崩特性的方法，其特征在于，所述s5步骤中，所述n型离子为磷离子或砷离子；所述退火工艺为炉管退火工艺。8.一种器件，其特征在于：其包括权利要求1至7中任意一项权利要求所述的一种改善mosfet雪崩特性的方法形成的mosfet功率器件。

技术总结
本发明涉及一种改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件，该方法提供一半导体衬底，半导体衬底上设有外延片，在所述外延片上生长一层栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积一层多晶硅层,在多晶硅层的表面涂光刻胶，采用刻蚀机进行刻蚀，形成第一沟槽；定义P型体区，将多晶硅层增加一层光罩；采用离子注入工艺在所述P型体区内注入P型离子后退火；通过定义P型体区，增加一层光罩，从而可以在增加P型体区注入掺杂浓度情况下，有利于降低寄生BJT基区的电阻；减小P型体区电阻，但不影响沟道浓度，因此可以极大的提高器件雪崩特性的同时，使得器件其它特性保持不变，工艺简单、成本低。成本低。成本低。


技术研发人员：何昌
受保护的技术使用者：深圳市美浦森半导体有限公司
技术研发日：2021.08.18
技术公布日：2021/11/28