包括不同长度的引线的半导体封装的制作方法

包括不同长度的引线的半导体封装


背景技术：

1.很多电子器件正被设计得更小更细。半导体封装可以确定电子器件的最终设计。可能期望减小半导体封装在印刷电路板(pcb)上使用的空间，以减小电子器件的总体大小或尺寸。还可能期望减小半导体封装在pcb上使用的空间以能够在电子器件之内使用更大数量的半导体封装而不会增大电子器件的总体大小或尺寸。
2.出于这些和其他原因，存在对本公开的需求。


技术实现要素：

3.半导体封装的一个示例包括管芯焊盘、管芯、第一引线、多个第二引线和模制材料。管芯电耦合到管芯焊盘。第一引线电耦合到管芯。多个第二引线电耦合到管芯。多个第二引线与第一引线相邻。模制材料至少包封管芯焊盘、管芯、第一引线和多个第二引线的一部分。多个第二引线中的每个从模制材料延伸出比第一引线更远的距离。
4.半导体封装的另一个示例包括管芯焊盘、管芯、第一接触焊盘、多个第二接触焊盘和模制材料。管芯电耦合到管芯焊盘。第一接触焊盘电耦合到管芯。多个第二接触焊盘电耦合到管芯。多个第二接触焊盘与第一接触焊盘相邻。模制材料至少包封管芯焊盘、管芯、第一接触焊盘和多个第二接触焊盘的一部分。多个第二接触焊盘中的每个从模制材料延伸出比第一接触焊盘更远的距离。
5.器件的一个示例包括印刷电路板、第一功率半导体smd封装和第二功率半导体smd封装。第一功率半导体smd封装电耦合到印刷电路板。第一功率半导体smd封装包括第一引线、多个第二引线和第一模制材料。多个第二引线与第一引线相邻。第一模制材料至少包封第一引线和多个第二引线的一部分。第一引线从第一模制材料延伸的长度小于多个第二引线中的每个从第一模制材料延伸的长度。第二功率半导体smd封装电耦合到印刷电路板并与第一功率半导体smd封装对准。第二功率半导体封装包括第三引线、多个第四引线和第二模制材料。多个第四引线与第三引线相邻。第二模制材料至少包封第三引线和多个第四引线的一部分。第三引线从第二模制材料延伸的长度小于多个第四引线中的每个从第二模制材料延伸的长度。
附图说明
6.图1a
‑
1c分别示出了半导体封装的一个示例的截面图、顶视图和底视图。
7.图2a
‑
2c分别示出了包括图1a
‑
1c的半导体封装的电子器件的一个示例的截面图、顶视图和底视图。
8.图3是示出了用于图2a
‑
2c的电子器件的电路的一个示例的示意图。
9.图4示出了半导体封装的另一个示例的底视图。
10.图5a
‑
5c分别示出了半导体封装的另一个示例的截面图、顶视图和底视图。
11.图6a
‑
6c分别示出了包括图5a
‑
5c的半导体封装的电子器件的一个示例的截面图、顶视图和底视图。
12.图7示出了半导体封装的另一示例的底视图。
13.图8a和8b分别示出了半导体封装的另一个示例的顶视图和底视图。
14.图9示出了电子器件的一个示例的顶视图。
15.图10示出了电子器件的另一个示例的顶视图。
16.图11a
‑
11c分别示出了半导体封装的另一个示例的截面图、顶视图和底视图。
具体实施方式
17.在下文的具体实施方式中，将参考附图，附图形成本文的一部分并且在附图中以说明的方式示出了可以实践本公开的具体示例。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他示例，并且可以做出结构和逻辑的改变。因此，不应以限制性意义理解下文的具体实施方式，并且本公开的范围由所附权利要求限定。应当理解，可以使本文描述的各种示例的特征部分地或者完全地相互组合，除非做出另外的具体指示。
18.图1a
‑
1c分别示出了半导体封装100的一个示例的截面图、顶视图和底视图。半导体封装100可以是表面安装的器件(smd)封装。半导体封装100包括引线框架，引线框架包括管芯焊盘102、第一引线104和多个第二引线106。引线框架可以由金属制成或者具有金属表面，例如ag、cu、ni/pd/au、ninip或ni/pd/auag。如图1a中所示，第一引线104和多个第二引线106可以是鸥翼形引线。
19.半导体封装100还包括管芯108和模制材料110。管芯108电耦合(例如，焊接、烧结等)到管芯焊盘102。第一引线104经由第一键合线(例如，键合线112)电耦合到管芯108。多个第二引线106经由多个第二键合线(例如，多个键合线112)或夹具(未示出)电耦合到管芯108。多个第二引线106在半导体封装100的同一侧面上与第一引线104相邻。模制材料110至少包封管芯焊盘102、管芯108、第一引线104、多个第二引线106和键合线112(或夹具)的一部分。模制材料110可以包括环氧树脂或另一种适当的电介质材料。
20.多个第二引线106中的每个从模制材料110延伸出比第一引线104更远的距离。如图1b中所示，第一引线104从模制材料110的侧壁延伸出第一距离(或长度)114，并且多个第二引线106中的每个从模制材料110的侧壁延伸出第二距离(或长度)116。第二距离116大于第一距离114。在一个示例中，第一距离114在第二距离116的约20％和80％之间的范围内，例如在第二距离116的约40％和70％之间。尽管在半导体封装100中多个第二引线106包括6个第二引线，但在其他示例中，多个第二引线可以包括不同数量的第二引线。
21.管芯焊盘102可以包括沿管芯焊盘的底部和侧面的凹陷118。凹陷118被配置成接收另一半导体封装的第二引线，以将管芯焊盘102电耦合到另一半导体封装的第二引线，如下文将参考图2a
‑
2c所述。如图1c中所示，凹陷118可以具有足以接收另一半导体封装的多个第二引线中的每个的宽度120。凹陷118布置在管芯102的与第一引线104和多个第二引线106相对的侧面上。
22.在一个示例中，管芯108包括晶体管，例如功率晶体管。在一个示例中，管芯焊盘102电耦合到晶体管的源极，第一引线104电耦合到晶体管的栅极，并且多个第二引线106电耦合到晶体管的漏极。在另一个示例中，管芯焊盘102电耦合到晶体管的漏极，第一引线104电耦合到晶体管的栅极，并且多个第二引线106电耦合到晶体管的源极。
23.图2a
‑
2c分别示出了包括图1a
‑
1c的半导体封装100的电子器件150的一个示例的
截面图、顶视图和底视图(去除了pcb)。电子器件150包括印刷电路板152、第一半导体封装(例如，第一功率半导体smd封装)100a和第二半导体封装(例如，第二功率半导体smd封装)100b。第一半导体封装100a和第二半导体封装100b电耦合(例如，焊接、烧结等)到印刷电路板152。
24.第一半导体封装100a类似于前面参考图1a
‑
1c所述和所示的半导体封装100。第一半导体封装100a包括第一管芯焊盘102a、第一引线104a、与第一引线104a相邻的多个第二引线106a、第一管芯108a、第一键合线112a和第一模制材料110a。第一管芯108a电耦合到第一管芯焊盘102a、第一引线104a和多个第二引线106a。第一模制材料110a至少包封第一管芯焊盘102a、第一引线104a、多个第二引线106a、第一管芯108a和第一键合线112a的一部分。第一引线104a从第一模制材料110a延伸出的长度小于多个第二引线106a中的每个从第一模制材料110a延伸出的长度。第一管芯焊盘102a包括第一凹陷118a。
25.第二半导体封装100b类似于前面参考图1a
‑
1c所述和所示的半导体封装100。第二半导体封装100b包括第二管芯焊盘102b、第三引线104b、与第三引线104b相邻的多个第四引线106b、第二管芯108b、第二键合线112b和第二模制材料110b。第二管芯108b电耦合到第二管芯焊盘102b、第三引线104b和多个第四引线106b。第二模制材料110b至少包封第二管芯焊盘102b、第三引线104b、多个第四引线106b、第二管芯108b和第二键合线112b的一部分。第三引线104b从第二模制材料110b延伸出的长度小于多个第四引线106b中的每个从第二模制材料110b延伸出的长度。第二管芯焊盘102b包括第二凹陷118b。
26.第一半导体封装100a的多个第二引线106a被插入到第二凹陷118b中并电耦合(例如，焊接、烧结等)到第二半导体封装100b的第二管芯焊盘102b。由于第一半导体封装100a的第一引线104a从第一模制材料110a延伸出的长度比多个第二引线106a更短，多个第二引线106a可以直接电耦合到第二半导体封装100b的第二管芯焊盘102b，而不会将第一引线104a短接到多个第二引线106a或第二管芯焊盘102b。通过这种方式，与多个第二引线106a不直接电耦合到第二半导体封装100b的第二管芯焊盘102b的电子器件相比，可以减小由于电子器件150在印刷电路板152上占用的空间。
27.图3是示出图2a
‑
2c的电子器件150的电路160的一个示例的示意图。电路160包括第一功率晶体管162a和第二功率晶体管162b。第一功率晶体管162a可以由图2a
‑
2c的第一半导体封装100a提供，并且第二功率晶体管162b可以由图2a
‑
2c的第二半导体封装100b提供。第一晶体管162a的栅极可以耦合到第一引线104a，第一晶体管162a的漏极可以耦合到第一管芯焊盘102a，并且第一晶体管162a的源极可以耦合到多个第二引线106a。第二晶体管162b的栅极可以耦合到第三引线104b，第二晶体管162b的漏极可以耦合到第二管芯焊盘102b，并且第二晶体管162b的源极可以耦合到多个第四引线106b。多个第二引线106a电耦合到第二管芯焊盘102b。
28.图4示出了半导体封装170的另一个示例的底视图。半导体封装170类似于前面参考图1a
‑
1c所述和所示的半导体封装100，只是半导体封装170包括多个凹陷118a
‑
118d替代了单个凹陷118。此外，半导体封装170包括4个第二引线106而不是6个第二引线106。每个凹陷118a、118b、118c和118d被配置成接收另一半导体封装的单个第二引线106以将管芯焊盘102电耦合到另一半导体封装的第二引线。
29.图5a
‑
5c分别示出了半导体封装200的另一个示例的截面图、顶视图和底视图。半
导体封装200可以是smd封装。半导体封装200包括引线框架，引线框架包括管芯焊盘202、第一接触焊盘或引线204和多个第二接触焊盘或引线206。引线框架可以由金属制成或者具有金属表面，例如ag、cu、ni/pd/au、ninip或ni/pd/auag。如图5a中所示，第一接触焊盘或引线204和多个第二接触焊盘或引线206可以是平坦的并且与管芯焊盘202共面。
30.半导体封装200还包括管芯208和模制材料210。管芯208电耦合(例如，焊接、烧结等)到管芯焊盘202。第一接触焊盘或引线204经由第一键合线(例如，键合线212)电耦合到管芯208。多个第二接触焊盘或引线206经由多个第二键合线(例如，多个键合线212)或夹具(未示出)电耦合到管芯208。多个第二接触焊盘或引线206在半导体封装200的同一侧面上与第一接触焊盘或引线204相邻。模制材料210至少包封管芯焊盘202、管芯208、第一接触焊盘或引线204、多个第二接触焊盘或引线206和键合线212(或夹具)的一部分。模制材料210可以包括环氧树脂或另一种适当的电介质材料。
31.多个第二接触焊盘或引线206中的每个从模制材料210延伸出比第一接触焊盘或引线204更远的距离。如图5b中所示，第一接触焊盘或引线204从模制材料210的侧壁延伸出第一距离(或长度)214，并且多个第二接触焊盘或引线206中的每个从模制材料210的侧壁延伸出第二距离(或长度)216。第二距离216大于第一距离214。在一个示例中，第一距离214在第二距离216的约20％和80％之间的范围内，例如在第二距离216的约30％和60％之间。尽管在半导体封装200中多个第二接触焊盘或引线206包括6个第二接触焊盘或引线，但在其他示例中，多个第二接触焊盘或引线可以包括不同数量的第二接触焊盘或引线。
32.管芯焊盘202可以包括沿管芯焊盘的底部和侧面的凹陷218。凹陷218被配置成接收另一半导体封装的第二接触焊盘或引线，以将管芯焊盘202电耦合到另一半导体封装的第二接触焊盘或引线，如下文将参考图6a
‑
6c所述。如图5c中所示，凹陷218可以具有足以接收另一半导体封装的多个第二接触焊盘或引线中的每个的宽度220。凹陷218布置在管芯202的与第一接触焊盘或引线204和多个第二接触焊盘或引线206相对的侧面上。
33.在一个示例中，管芯208包括晶体管，例如功率晶体管。在一个示例中，管芯焊盘202电耦合到晶体管的源极，第一接触焊盘或引线204电耦合到晶体管的栅极，并且多个第二接触焊盘或引线206电耦合到晶体管的漏极。在另一个示例中，管芯焊盘202电耦合到晶体管的漏极，第一接触焊盘或引线204电耦合到晶体管的栅极，并且多个第二接触焊盘或引线206电耦合到晶体管的源极。
34.图6a
‑
6c分别示出了包括图5a
‑
5c的半导体封装200的电子器件250的一个示例的截面图、顶视图和底视图(去除了pcb)。电子器件250包括印刷电路板252、第一半导体封装(例如，第一功率半导体smd封装)200a和第二半导体封装(例如，第二功率半导体smd封装)200b。第一半导体封装200a和第二半导体封装200b电耦合(例如，焊接、烧结等)到印刷电路板252。
35.第一半导体封装200a类似于前面参考图5a
‑
5c所述和所示的半导体封装200。第一半导体封装200a包括第一管芯焊盘202a、第一接触焊盘或引线204a、与第一接触焊盘或引线204a相邻的多个第二接触焊盘或引线206a、第一管芯208a、第一键合线212a和第一模制材料210a。第一管芯208a电耦合到第一管芯焊盘202a、第一接触焊盘或引线204a和多个第二接触焊盘或引线206a。第一模制材料210a至少包封第一管芯焊盘202a、第一接触焊盘或引线204a、多个第二接触焊盘或引线206a、第一管芯208a和第一键合线212a的一部分。第一
接触焊盘或引线204a从第一模制材料210a延伸出的长度小于多个第二接触焊盘或引线206a中的每个从第一模制材料210a延伸出的长度。第一管芯焊盘202a包括第一凹陷218a。
36.第二半导体封装200b类似于前面参考图5a
‑
5c所述和所示的半导体封装200。第二半导体封装200b包括第二管芯焊盘202b、第三接触焊盘或引线204b、与第三接触焊盘或引线204b相邻的多个第四接触焊盘或引线206b、第二管芯208b、第二键合线212b和第二模制材料210b。第二管芯208b电耦合到第二管芯焊盘202b、第三接触焊盘或引线204b和多个第四接触焊盘或引线206b。第二模制材料210b至少包封第二管芯焊盘202b、第三接触焊盘或引线204b、多个第四接触焊盘或引线206b、第二管芯208b和第二键合线212b的一部分。第三接触焊盘或引线204b从第二模制材料210b延伸出的长度小于多个第四接触焊盘或引线206b中的每个从第二模制材料210b延伸出的长度。第二管芯焊盘202b包括第二凹陷218b。
37.第一半导体封装200a的多个第二接触焊盘或引线206a被插入到第二凹陷218b中并电耦合(例如，焊接、烧结等)到第二半导体封装200b的第二管芯焊盘202b。由于第一半导体封装200a的第一接触焊盘或引线204a从第一模制材料210a延伸出的长度比多个第二接触焊盘或引线206a更短，多个第二接触焊盘或引线206a可以直接电耦合到第二半导体封装200b的第二管芯焊盘202b，而不会将第一接触焊盘或引线204a短接到多个第二接触焊盘或引线206a或第二管芯焊盘202b。通过这种方式，与多个第二接触焊盘或引线206a不直接电耦合到第二半导体封装200b的第二管芯焊盘202b的电子器件相比，可以减小由于电子器件250在印刷电路板252上占用的空间。
38.图7示出了半导体封装270的另一示例的底视图。半导体封装270类似于前面参考图5a
‑
5c所述和所示的半导体封装200，只是半导体封装270包括多个凹陷218a
‑
218d替代了单个凹陷218。此外，半导体封装270包括4个第二接触焊盘或引线206而不是6个第二接触焊盘或引线206。每个凹陷218a、218b、218c和218d被配置成接收另一半导体封装的单个第二接触焊盘或引线206以将管芯焊盘202电耦合到另一半导体封装的第二接触焊盘或引线。
39.图8a和8b分别示出了半导体封装300的另一个示例的顶视图和底视图。半导体封装300包括管芯焊盘302、第一接触焊盘或引线304、多个第二接触焊盘或引线306和模制材料310。管芯焊盘302包括凹陷318。半导体封装300类似于前面参考图5a
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5c所述和所示的半导体封装200，只是在半导体封装300中，第一接触焊盘或引线304被模制材料310覆盖。
40.多个第二接触焊盘或引线306中的每个从模制材料310延伸出比第一接触焊盘或引线304更远的距离，第一接触焊盘或引线根本不从模制材料310延伸。如图8b中所示，第一接触焊盘或引线304不从模制材料310的侧壁延伸，多个第二接触焊盘或引线306中的每个从模制材料310的侧壁延伸出距离(或长度)316。尽管在半导体封装300中多个第二接触焊盘或引线306包括6个第二焊盘或引线，但在其他示例中，多个第二接触焊盘或引线可以包括不同数量的第二接触焊盘或引线。
41.图9示出了电子器件350的一个示例的顶视图。电子器件350包括印刷电路板352。在本示例中，电子器件350还包括前面参考图1a
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1c所述和所示的半导体封装100，包括第一半导体封装(例如，第一功率半导体smd封装)100a和第二半导体封装(例如，第二功率半导体smd封装)100b。第一半导体封装100a和第二半导体封装100b电耦合(例如，焊接、烧结等)到印刷电路板352。在另一示例中，电子器件350可以包括前面参考图5a
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5c所述和所示的半导体封装200以替代半导体封装100。
42.第一半导体封装100a包括第一管芯焊盘102a、第一引线104a、与第一引线104a相邻的多个第二引线106a和第一模制材料110a。第一模制材料110a至少包封第一管芯焊盘102a、第一引线104a和多个第二引线106a的一部分。第一引线104a从第一模制材料110a延伸出的长度小于多个第二引线106a中的每个从第一模制材料110a延伸出的长度。在本示例中，可以不包括第一管芯焊盘102a的凹陷。
43.第二半导体封装100b包括第二管芯焊盘102b、第三引线104b、与第三引线104b相邻的多个第四引线106b和第二模制材料110b。第二模制材料110b至少包封第二管芯焊盘102b、第三引线104b和多个第四引线106b的一部分。第三引线104b从第二模制材料110b延伸出的长度小于多个第四引线106b中的每个从第二模制材料110b延伸出的长度。在本示例中，可以不包括第二管芯焊盘102b的凹陷。
44.第一半导体封装100a与第二半导体封装100b对准，使得多个第二引线106a接近第二管芯焊盘102b。由于第一半导体封装100a的第一引线104a从第一模制材料110a延伸出的长度比多个第二引线106a更短，多个第二引线106a可以被布置为更接近第二半导体封装100b的第二管芯焊盘102b，而不会将第一引线104a短接到多个第二引线106a或第二管芯焊盘102b。通过这种方式，与第一引线104a具有与多个第二引线106a距第一模制材料110a的长度相同的电子器件相比，可以减小由于电子器件350在印刷电路板352上占用的空间。另外，与多个第二引线106a中的每个和多个第四引线106b中的每个相比，更短的第一引线104a和第三引线104b均具有更低的电阻和更低的电感。在第一引线104a和第三引线104b是晶体管的栅极引线的示例中，更短的栅极引线减小了栅极回路电感，这能够实现增大的驱动电流和增大的晶体管开关速度。
45.图10示出了电子器件370的另一个示例的顶视图。电子器件370包括印刷电路板372。在本示例中，电子器件370也包括前面参考图1a
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1c所述和所示的多个半导体封装100，包括第一半导体封装(例如，第一功率半导体smd封装)100a、以及第二半导体封装(例如，第二功率半导体smd封装)100b、第三半导体封装(例如，第三功率半导体smd封装)100c、第四半导体封装(例如，第四功率半导体smd封装)100d、第五半导体封装(例如，第五功率半导体smd封装)100e和第六半导体封装(例如，第六功率半导体smd封装)100f。半导体封装100a
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100f电耦合(例如，焊接、烧结等)到印刷电路板372。在另一示例中，电子器件370可以包括前面参考图5a
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5c所述和所示的多个半导体封装200以替代多个半导体封装100。
46.第一半导体封装100a包括第一管芯焊盘102a、第一引线104a、与第一引线104a相邻的多个第二引线106a和第一模制材料110a。第一模制材料110a至少包封第一管芯焊盘102a、第一引线104a和多个第二引线106a的一部分。第一引线104a从第一模制材料110a延伸出的长度小于多个第二引线106a中的每个从第一模制材料110a延伸出的长度。在本示例中，可以不包括第一管芯焊盘102a的凹陷。
47.第二半导体封装100b包括第二管芯焊盘102b、第三引线104b、与第三引线104b相邻的多个第四引线106b和第二模制材料110b。第二模制材料110b至少包封第二管芯焊盘102b、第三引线104b和多个第四引线106b的一部分。第三引线104b从第二模制材料110b延伸出的长度小于多个第四引线106b中的每个从第二模制材料110b延伸出的长度。在本示例中，可以不包括第二管芯焊盘102b的凹陷。
48.同样地，每个半导体封装100c
‑
100f分别包括管芯焊盘102c
‑
102f、引线104c
‑
104f、与引线104c
‑
104f相邻的多个引线106c
‑
106f以及模制材料110c
‑
110f。模制材料110c
‑
110f至少分别包封管芯焊盘102c
‑
102f、引线104c
‑
104f和多个引线106c
‑
106f的一部分。引线104c
‑
104f从模制材料110c
‑
110f延伸出的长度分别小于多个引线106c
‑
106f中的每个从模制材料110c
‑
110f延伸出的长度。在本示例中，可以不包括每个管芯焊盘102c
‑
102f的凹陷。
49.印刷电路板372通过第一迹线374将第一引线104a电耦合到第三引线104b并电耦合到引线104c
‑
104f。印刷电路板372通过第二迹线376将多个第二引线106a中的每个电耦合到多个第四引线106b中的每个以及多个引线106c
‑
106f中的每个。印刷电路板372通过第三迹线378将第一管芯焊盘102a电耦合到第二管芯焊盘102b和管芯焊盘102c
‑
102f。由于引线104a
‑
104f从模制材料110a
‑
110f延伸出的距离分别比多个引线106a
‑
106f短，所以简化了印刷电路板370的迹线布局。
50.图11a
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11c分别示出了半导体封装400的另一个示例的截面图、顶视图和底视图。半导体封装400可以是smd封装。半导体封装400包括引线框架，引线框架包括管芯焊盘402、第一引线404、多个第二引线406和第三引线430。引线框架可以由金属制成或者具有金属表面，例如ag、cu、ni/pd/au、ninip或ni/pd/auag。如图11a中所示，第一引线404、多个第二引线406和第三引线430可以是鸥翼形引线。
51.半导体封装400还包括管芯408和模制材料410。管芯408电耦合(例如，焊接、烧结等)到管芯焊盘402。第一引线404经由第一键合线(例如，键合线412)电耦合到管芯408。多个第二引线406经由多个第二键合线(例如，多个键合线412)或夹具(未示出)电耦合到管芯408。第三引线430经由第三键合线(例如，键合线412)电耦合到管芯408。多个第二引线406在半导体封装400的同一侧面上与第一引线404和第三引线430相邻。模制材料410至少包封管芯焊盘402、管芯408、第一引线404、多个第二引线406、第三引线430和键合线412(或夹具)的一部分。模制材料410可以包括环氧树脂或另一种适当的电介质材料。
52.多个第二引线406中的每个从模制材料410延伸出比第一引线404和第三引线430更远的距离。如图11b中所示，第一引线404从模制材料410的侧壁延伸出第一距离(或长度)414，多个第二引线406中的每个从模制材料410的侧壁延伸出第二距离(或长度)416，并且第三引线430从模制材料410的侧壁延伸出第三距离(或长度)432。第二距离416大于第一距离414和第三距离432。在本示例中，第三距离432等于第一距离414。不过，在其他示例中，第三距离432可以大于第一距离414或小于第一距离414。在一个示例中，第一距离414和第三距离432均在第二距离416的约20％和80％之间的范围内，例如在第二距离416的约40％和70％之间。尽管在半导体封装400中多个第二引线106包括5个第二引线，但在其他示例中，多个第二引线可以包括不同数量的第二引线。
53.管芯焊盘402可以包括沿管芯焊盘的底部和侧面的凹陷418。凹陷418被配置成接收另一半导体封装的第二引线，以将管芯焊盘402电耦合到另一半导体封装的第二引线。如图11c中所示，凹陷418可以具有足以接收另一半导体封装的多个第二引线中的每个的宽度420。凹陷418布置在管芯402的与第一引线404、多个第二引线406和第三引线430相对的侧面上。
54.在一个示例中，管芯408包括晶体管，例如功率晶体管。在一个示例中，管芯焊盘402电耦合到晶体管的源极，第一引线404电耦合到晶体管的栅极，多个第二引线406电耦合
到晶体管的漏极，并且第三引线430电耦合到晶体管的源极传感器或开尔文传感器。在另一个示例中，管芯焊盘402电耦合到晶体管的漏极，第一引线404电耦合到晶体管的栅极，多个第二引线406电耦合到晶体管的源极，并且第三引线430电耦合到晶体管的源极传感器。在其他示例中，前面参考图5a
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5c所述和所示的半导体封装200可以包括平坦的第三接触焊盘或引线，其功能类似于半导体封装400的第三引线430。
55.尽管在本文中已经对具体示例进行说明和描述，但是可以在不脱离本公开的范围的情况下，针对所示和所述的具体示例替换各种各样的备选和/或等价实施方式。本技术意在涵盖本文讨论的具体示例的任何调整或变化。因此，意在使本公开仅由权利要求及其等价物限制。