电子设备的制作方法

电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本专利申请要求于2020年5月22日在韩国知识产权局(kipo)提交的第10
‑
2020
‑
0061696号韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开涉及包括传感器层的电子设备。


背景技术：

4.电子设备包括由电信号激活的有效区域。电子设备可感测从外部通过有效区域施加的输入，并且同时显示各种图像以向用户提供信息。
5.电子设备可包括由电信号激活的各种元件，诸如显示元件、触摸元件或检测元件。此外，已经开发了包括在显示元件上的光学功能层的结构和用于形成光学功能层的方法，以便提高电子设备的显示质量。


技术实现要素：

6.本公开提供了通过控制(或调节)高折射层的位置而具有改进的可靠性的电子设备。
7.在一方面中，实施方式提供包括有效区域和邻近于有效区域设置的线区域的电子设备，该电子设备包括：显示元件层；封装层，设置在显示元件层上；传感器层，包括设置在有效区域中的感测电极以及设置在线区域中的、与感测电极电连接并且在第一方向上延伸的感测线；以及高折射层，设置在传感器层上。传感器层还可包括：设置在封装层上的第一导电层；设置在第一导电层上的第二导电层；设置在第一导电层与第二导电层之间的无机绝缘层；以及设置在第二导电层与高折射层之间的有机绝缘层。在线区域中，在有机绝缘层中限定至少一个开口，该至少一个开口在不同于第一方向的第二方向上延伸，以及无机绝缘层被有机绝缘层的至少一个开口暴露。
8.在实施方式中，可在无机绝缘层中限定多个接触孔，以及多个接触孔可包括分别在有机绝缘层的至少一个开口的一侧和另一侧处限定的第一接触孔和第二接触孔。
9.在实施方式中，第一导电层和第二导电层可通过多个接触孔中的第一接触孔和第二接触孔彼此电连接。
10.在实施方式中，多个接触孔中的第一接触孔和第二接触孔可由第二导电层填充。
11.在实施方式中，多个接触孔中的第一接触孔和第二接触孔可与有机绝缘层重叠，并且可不与高折射层重叠。
12.在实施方式中，第一方向可从有效区域延伸至线区域，以及第二方向可垂直于第一方向。
13.在实施方式中，电子设备还可包括设置在线区域中并且围绕有效区域的至少一部分的多个堤部。该多个堤部可邻近于有效区域设置，并且可不与有机绝缘层的至少一个开
口重叠。
14.在实施方式中，线区域可包括：邻近于有效区域设置的第一部，其中，多个堤部设置在该第一部中；与有机绝缘层的至少一个开口重叠的第二部；以及设置在第一部与第二部之间的第三部。无机绝缘层、有机绝缘层和高折射层可在线区域的第一部中彼此重叠，无机绝缘层可在线区域的第二部中不与有机绝缘层和高折射层重叠，以及无机绝缘层在线区域的第三部中可与有机绝缘层重叠并且可不与高折射层重叠。
15.在实施方式中，第一导电层、无机绝缘层、第二导电层、有机绝缘层和高折射层可在线区域的第一部中顺序地形成，第一导电层和无机绝缘层可在线区域的第二部中形成，以及第一导电层、无机绝缘层、第二导电层和有机绝缘层可在线区域的第三部中顺序地形成。
16.在实施方式中，电子设备还可包括设置在高折射层上的粘合层，以及设置在粘合层上的偏振器层。粘合层可在线区域的第一部中接触高折射层，粘合层可在线区域的第二部中接触暴露的无机绝缘层，以及粘合层可在线区域的第三部中接触有机绝缘层。
17.在实施方式中，有机绝缘层的至少一个开口可包括由暴露的无机绝缘层限定的底部部分，以及由与第二导电层重叠的有机绝缘层限定的侧部部分。侧部部分相对于底部部分的倾斜角可在从约100
°
至约110
°
的范围中。
18.在实施方式中，多个堤部可包括邻近于有效区域设置的第一堤部、设置在第一堤部外部的第二堤部、以及设置在第二堤部外部的第三堤部，并且高折射层可具有在从第一堤部到第三堤部的方向上逐渐减小的厚度。
19.在实施方式中，在平面图中，高折射层的边缘可与第三堤部重叠。
20.在实施方式中，高折射层可具有等于或大于约1.6的折射率。
21.在实施方式中，电子设备还可包括在有机绝缘层的至少一个开口中彼此间隔开的多个子突出部。
22.在实施方式中，多个子突出部和有机绝缘层可包括相同的材料。
23.在另一方面中，包括有效区域、邻近于有效区域设置的线区域以及与有效区域间隔开并且邻近于线区域设置的焊盘区域的电子设备，可包括：显示元件层；封装层，设置在显示元件层上；传感器层，包括设置在有效区域中的感测电极以及设置在线区域中的、与感测电极电连接并且在第一方向上延伸的感测线；以及高折射层，设置在传感器层上。传感器层还可包括：设置在封装层上的第一导电层；设置在第一导电层上的第二导电层；设置在第一导电层与第二导电层之间的无机绝缘层；以及设置在第二导电层与高折射层之间的有机绝缘层。在线区域中，在有机绝缘层中限定第一开口和第二开口，该第一开口和第二开口中的每个在与第一方向不同的第二方向上延伸，第二开口可设置成比第一开口更靠近焊盘区域，并且在线区域中的无机绝缘层中的邻近于有效区域的第一开口的一侧处限定第一接触孔，以及在无机绝缘层中的邻近于焊盘区域的第二开口的一侧处限定第二接触孔。
24.在实施方式中，第二方向可垂直于第一方向，以及第一开口和第二开口中的每个可具有在平面图中在第二方向上延伸的条带形状。
25.在实施方式中，电子设备还可包括设置在高折射层上并且填充有机绝缘层的第一开口的粘合层，以及设置在粘合层上的偏振器层。
26.在实施方式中，粘合层可接触通过第一开口或第二开口暴露的无机绝缘层，以及
可不接触第二导电层。
附图说明
27.通过参考附图详细描述本发明的实施方式，根据本发明的实施方式的附加理解将变得更加显而易见，其中：
28.图1是示出根据实施方式的电子设备的示意性立体图；
29.图2是示出根据实施方式的电子设备的示意性剖视图；
30.图3是示出根据实施方式的电子设备的示意性剖视图；
31.图4是示出根据实施方式的传感器层的示意性平面图；
32.图5是示出根据实施方式的电子设备的示意性平面图；
33.图6是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性平面图；
34.图7是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性剖视图；
35.图8是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性平面图；
36.图9a是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性平面图；
37.图9b是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性平面图；
38.图10是示出根据实施方式的开口的一部分的示意性立体图；
39.图11是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性剖视图；
40.图12是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性剖视图；
41.图13是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性剖视图；以及
42.图14是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性平面图。
具体实施方式
43.由于本公开可具有不同的修改实施方式，因此在附图中示出了优选实施方式，并且在本发明的详细描述中描述了优选实施方式。然而，这并不将本公开限制在特定实施方式内，并且应理解的是，本公开覆盖本发明的思想和技术范围内的所有修改、等同物和替换。
44.在本说明书中，还将理解的是，当一个组件(或区域、层、部分)被称为在另一组件“上”、“连接至”或“联接至”另一组件时，它可直接设置在一个组件上，或者连接至或联接至一个组件，或者也可存在中间第三组件。
45.在本技术中，将理解的是，当层、膜、区域或板“直接接触”另一层、膜、区域或板时，在它们之间不存在另一层、膜、区域或板。例如，如果层“直接设置”在另一层上，则该层可设置在该另一层上，而不使用诸如粘合构件的附加构件。
46.全文中相同的参考标记表示相同的元件。此外，在附图中，为了说明的清楚性，可夸大组件的厚度、比例和尺寸。
47.术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
48.将理解的是，尽管本文中使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。例如，在不背离所附权利要求的范围的情况下，在一个实施方式中被称为第一元件的第一元件可在另一实施方式中被称为第二元件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可包括复数形
式。
49.术语“在
…
之下”、“在
…
下方”、“在
…
上方”、“上面”等用于解释附图中所示的组件的关系关联。该术语可以是相对概念，并且基于附图中所示的方向进行描述。还将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可设置在该另一元件或层的上部或下部上。
50.除非在本文中另有限定或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，诸如在通用词典中限定的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在说明书中清楚地限定，否则不应当以理想的或过于正式的含义进行解释。
51.还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包含”、“包括”、“具有”等说明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。
52.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“…
中的至少一个”旨在包括“从
…
的群组中选择的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可理解为意指“a、b或者a和b”。
53.在下文中，将参考附图描述根据本发明的实施方式的电子设备。
54.图1是示出根据实施方式的电子设备的示意性立体图。图2是沿着图1的线i
‑
i'截取的示意性剖视图。参照图1和图2，根据实施方式的电子设备ed可由电信号激活。尽管电子设备ed可以是例如移动电话、平板计算机、用于车辆的导航单元、游戏控制台或可佩戴设备，但是实施方式不限于此。图1示例性地示出了电子设备ed是移动电话。
55.电子设备ed可通过有效区域aa显示图像。有效区域aa可包括由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定(或平行于第一方向轴dr1和第二方向轴dr2)的平坦表面。有效区域aa还可包括从由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定(或平行于第一方向轴dr1和第二方向轴dr2)的平坦表面的至少一侧延伸的弯曲表面。根据图1中的实施方式的电子设备ed包括分别从由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定(或平行于第一方向轴dr1和第二方向轴dr2)的平坦表面的两个侧表面延伸的两个弯曲表面。然而，实施方式不限于所示的有效区域aa的形状。例如，有效区域aa可仅包括平坦表面，或者还可包括至少两个弯曲表面，例如，分别从平坦表面的四个侧表面延伸的四个弯曲表面。
56.尽管在图1和下面的附图中示出了第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3，但是由第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3指示的方向反映相对概念并且可互换。由第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3指示的方向可被称为第一方向至第三方向，并且可由相同的参考标记(即，dr1、dr2和dr3)来表示。
57.在本说明书中，第一方向轴dr1和第二方向轴dr2彼此垂直，以及第三方向轴dr3是相对于由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面的法线方向。
58.电子设备ed的厚度方向可平行于第三方向轴dr3，该第三方向轴dr3是相对于由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面的法线方向。在本说明书中，电子设备ed的构件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)可基于第三方向轴dr3进行限定。
59.如图2中所示，电子设备ed可包括显示层dp和设置在显示层dp上的传感器层tp。电
子设备ed还可包括设置在传感器层tp上的光学层pp。电子设备ed还可包括设置在传感器层tp上的窗wp。窗wp可设置在光学层pp上，以及光学层pp与窗wp之间可设置粘合构件ap。
60.显示层dp可包括基底层bs、设置在基底层bs上的电路层cl、设置在电路层cl上的显示元件层edl、以及设置在显示元件层edl上的封装层tfe。封装层tfe可覆盖显示元件层edl或与显示元件层edl重叠。
61.基底层bs可以是提供在其上设置显示元件层edl的基底表面的构件。基底层bs可以是玻璃基板、金属基板、聚合物基板等。然而，实施方式不限于此。例如，基底层bs可以是无机层、有机层或复合材料层。
62.基底层bs可具有多层结构。例如，基底层bs可具有合成树脂层、粘合层和合成树脂层的三层结构。具体地，合成树脂层可包括聚酰亚胺基树脂。合成树脂层可包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯树脂基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和聚对二甲苯基树脂中的至少一种。在本说明书中，术语“x基”树脂表示包括“x”的官能团的特征。
63.电路层cl可设置在基底层bs上。电路层cl可包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体图案和导电图案可通过诸如涂覆和沉积的方法提供，以及然后绝缘层、半导体图案和导电图案可通过光刻工艺选择性地图案化。此后，可提供包括在电路层cl中的半导体图案、导电图案和信号线。
64.显示元件层edl可设置在电路层cl上。显示元件层edl可包括发光元件。例如，显示元件层edl可包括有机发光元件、量子点发光元件、微led发光元件或纳米led发光元件。
65.封装层tfe可设置在显示元件层edl上。封装层tfe可包括至少一个有机层和至少一个无机层。例如，封装层tfe可包括顺序层压(或形成)的无机层、有机层和无机层。然而，实施方式不限于包括在封装层tfe中的上述层。
66.传感器层tp可设置在显示层dp上。传感器层tp可感测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。例如，用户的输入可包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热、笔或压力。
67.传感器层tp可通过连续工艺提供在显示层dp上。在一个实施方式中，传感器层tp可直接设置在显示层dp上。直接设置的特征可意指在传感器层tp与显示层dp之间未设置第三组件。例如，可未在传感器层tp与显示层dp之间设置单独的粘合构件。作为另一示例，传感器层tp可直接设置在封装层tfe上。
68.然而，实施方式不限于此。例如，还可在传感器层tp与显示层dp之间设置粘合构件(未示出)。
69.光学层pp可设置在传感器层tp上。光学层pp可包括诸如改变光路的光路控制层或者降低从外部入射的外部光的反射率的抗反射层的光学功能层中的至少一个。例如，光学层pp可以是根据实施方式的电子设备ed中的偏振板。
70.窗wp可设置在光学层pp上。窗wp可对应于电子设备ed的最上层。窗wp可以是强化的钢化玻璃基板。窗wp可具有钢化表面以稳定地保护传感器层tp和显示层dp免受外部冲击。根据实施方式的窗wp还可包括设置在内侧或外侧边缘处的印刷层(未示出)。例如，印刷层(未示出)可对应于外围区域naa(参照图5)。
71.粘合构件ap还可设置在窗wp与光学层pp之间。粘合构件ap可包括光学透明粘合
层。
72.图3是示出根据实施方式的电子设备的示意性剖视图。图3是对应于电子设备ed的有效区域aa(参照图1)的一部分的示意性剖视图。
73.在显示层dp中的基底层bs的顶表面上提供至少一个无机层。无机层可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可具有多层。多层无机层可形成(或构成)阻挡层和/或缓冲层。在本实施方式中，显示层dp包括缓冲层bfl。
74.缓冲层bfl可增强基底层bs与半导体图案之间的联接力。缓冲层bfl可包括氧化硅层和氮化硅层，并且氧化硅层和氮化硅层可彼此交替地层压(或形成)。
75.半导体图案可设置在缓冲层bfl上。半导体图案可包括多晶硅。然而，实施方式不限于此。例如，半导体图案可包括非晶硅或金属氧化物。
76.图3仅示出了半导体图案的一部分，并且半导体图案还可设置在另一区域上。半导体图案可基于特定规则布置在像素之上。半导体图案可具有至少部分地由半导体图案的掺杂确定的电特性。半导体图案可包括掺杂区域和非掺杂区域。掺杂区域可用n型掺杂剂或p型掺杂剂掺杂。p型晶体管可包括用p型掺杂剂掺杂的掺杂区域，以及n型晶体管可包括用n型掺杂剂掺杂的掺杂区域。
77.掺杂区域可具有比非掺杂区域的电导率大的电导率，并且可基本上充当电极或信号线。非掺杂区域基本上对应于晶体管的有源层(或沟道)。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源层，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，以及另一部分可以是连接电极或连接信号线。
78.像素中的每个可具有包括七个晶体管、一个电容器和发光元件的等效电路，并且像素的等效电路可转换成各种电路。图3示例性地示出了包括在像素中的一个晶体管tr和一个发光元件emd。
79.可从半导体图案提供晶体管tr的源极s1、有源层a1和漏极d1。源极s1和漏极d1可在截面中以相对的方向从有源层a1延伸。图3示出了从半导体图案提供的连接信号线scl的一部分。尽管未单独示出，但是连接信号线scl可在平面或层上电连接至晶体管tr的漏极d1。
80.缓冲层bfl上可设置第一绝缘层10。第一绝缘层10可公共地与像素重叠，并且覆盖半导体图案或与半导体图案重叠。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可具有单层或多层结构。第一绝缘层10可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在实施方式中，第一绝缘层10可以是单层氧化硅层。除了第一绝缘层10之外，下面将描述的电路层cl的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且具有单层或多层结构。尽管无机层可包括上述材料中的至少一种，但是实施方式不限于此。
81.晶体管tr的栅极g1设置在第一绝缘层10上。栅极g1可以是金属图案的一部分。栅极g1与有源层a1重叠。栅极g1可在掺杂半导体图案的过程中充当掩模。
82.第一绝缘层10上可设置第二绝缘层20，以覆盖栅极g1或与栅极g1重叠。第二绝缘层20可公共地与像素重叠。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且具有单层或多层结构。在实施方式中，第二绝缘层20可以是(或包括)单层氧化硅层。
83.第二绝缘层20上可设置第三绝缘层30，并且在实施方式中，第三绝缘层30可以是(或包括)单层氧化硅层。
84.第三绝缘层30上可设置第一连接电极cne1。第一连接电极cne1可通过穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔cnt
‑
1电连接至连接信号线scl。
85.第三绝缘层30上可设置第四绝缘层40。第四绝缘层40可以是(或包括)单层氧化硅层。第四绝缘层40上可设置第五绝缘层50。第五绝缘层50可以是(或包括)有机层。
86.第五绝缘层50上可设置第二连接电极cne2。第二连接电极cne2可通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔cnt
‑
2电连接至第一连接电极cne1。
87.第五绝缘层50上可设置第六绝缘层60，以覆盖第二连接电极cne2或与第二连接电极cne2重叠。第六绝缘层60可以是(或包括)有机层。
88.包括发光元件emd的显示元件层edl可设置在电路层cl上。发光元件emd可包括第一电极ae、发光层el和第二电极ce。
89.第一电极ae可设置在第六绝缘层60上。第一电极ae可通过穿过第六绝缘层60的接触孔cnt
‑
3电连接至第二连接电极cne2。
90.第六绝缘层60上可设置像素限定层70，以与第一电极ae的一部分重叠。在像素限定层70中限定(或形成)开口70
‑
op。像素限定层70的开口70
‑
op暴露第一电极ae的至少一部分。在该实施方式中，发光区域pxa可限定为对应于第一电极ae的由开口70
‑
op暴露的一部分的区域。非发光区域npxa可围绕发光区域pxa。
91.发光层el可设置在第一电极ae上。发光层el可设置在开口70
‑
op中。例如，发光层el可分别提供在像素中的每个中。在发光层el分别提供在像素中的每个中的情况下，发光层el中的每个可发射具有蓝色、红色和绿色中的至少一种颜色的光。然而，实施方式不限于此。例如，发光层el可电连接至像素并且公共地设置。在这种情况下，发光层el可提供蓝光或白光。发光层el可包括有机发光材料或量子点材料。
92.第二电极ce可设置在发光层el上。第二电极ce可具有整体形状并且公共地设置在像素中。
93.尽管未示出，但是可在第一电极ae与发光层el之间设置空穴传输区。空穴传输区可公共地设置在发光区域pxa和非发光区域npxa中。空穴传输区可包括空穴传输层并且还可包括空穴注入层。可在发光层el与第二电极ce之间设置电子传输区。电子传输区可包括电子传输层并且还可包括电子注入层。空穴传输区和电子传输区可提供为像素中的公共层。然而，实施方式不限于此。例如，空穴传输区和电子传输区也可与发光区域pxa相对应地被图案化。
94.封装层tfe可设置在显示元件层edl上。封装层tfe可设置在第二电极ce上。
95.传感器层tp可包括传感器基底层bs
‑
tp、第一导电层ml1、无机绝缘层ipv、第二导电层ml2和有机绝缘层opv。
96.传感器基底层bs
‑
tp可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的一种的无机层。作为另一示例，传感器基底层bs
‑
tp可以是包括环氧基树脂、丙烯酸酯基树脂或酰亚胺基树脂的有机层。传感器基底层bs
‑
tp可具有单层结构或在第三方向dr3上层压(或形成)的多层结构。
97.第一导电层ml1和第二导电层ml2中的每个可具有单层结构或在第三方向dr3上层压的多层结构。具有单层结构的导电层可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼、银、钛、铜、铝及其合金。透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌
(izo)、氧化锌(zno)和氧化铟锌锡(izto)。此外，透明导电层可包括导电聚合物，诸如pedot、金属纳米线或石墨烯。
98.具有多层结构的导电层ml1和ml2可包括金属层。例如，金属层可具有钛(ti)/铝(al)/钛(ti)的三层结构。具有多层结构的导电层ml1和ml2可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
99.第二导电层ml2可具有比第一导电层ml1的厚度大的厚度。例如，第二导电层ml2可具有约是第一导电层ml1的厚度的1.5倍大的厚度。例如，第一导电层ml1可具有约的厚度，以及第二导电层ml2可具有约的厚度。然而，实施方式不限于该导电层的厚度。例如，在实施方式中，第一导电层ml1可具有与第二导电层ml2的厚度相等的厚度，以及第一导电层ml1可具有比第二导电层ml2的厚度大的厚度。
100.无机绝缘层ipv可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机绝缘层ipv可具有与下面将描述的高折射层hl的表面能不同的表面能。用于制造高折射层hl的高折射树脂与无机绝缘层ipv可具有低粘合力。因此，在提供高折射树脂的情况下，高折射树脂可能不会扩散到无机绝缘层ipv上。
101.有机绝缘层opv可包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种。有机绝缘层opv可具有与高折射层hl的表面能相似的表面能。用于制造高折射层hl的高折射树脂可与有机绝缘层opv具有高粘合力。因此，在提供高折射树脂的情况下，高折射树脂可容易地施加和扩散到有机绝缘层opv上。
102.在实施方式中，有机绝缘层opv可具有比无机绝缘层ipv的厚度大的厚度。有机绝缘层opv可具有无机绝缘层ipv的厚度约5倍大的厚度。无机绝缘层ipv可具有约的厚度，以及有机绝缘层opv可具有约至约的厚度。然而，无机绝缘层ipv和有机绝缘层opv中的每个的厚度不限于上述值。
103.可在有机绝缘层opv的一部分中限定(或形成)像素开口op。像素开口op可与发光区域pxa重叠。像素开口op可暴露无机绝缘层ipv的顶表面。
104.高折射层hl可设置在有机绝缘层opv上。高折射层hl可设置在像素开口op中。高折射层hl可具有比有机绝缘层opv的折射率大的折射率。高折射层hl可具有等于或大于约1.6的折射率。高折射层hl可包括硅氧烷基树脂。除了硅氧烷基树脂之外，高折射层hl可包括氧化锆颗粒、氧化铝颗粒和氧化钛颗粒中的至少一种。例如，高折射层hl可具有等于或大于约1.6并且等于或小于约1.75的折射率。具体地，高折射层hl可具有约1.7的折射率。高折射层hl的折射率与有机绝缘层opv的折射率之间的差可以是约0.1或大于约0.1。例如，有机绝缘层opv可具有约1.4至约1.55的折射率。具体地，有机绝缘层opv可具有约1.53的折射率。
105.尽管在附图中未示出，但是还可在高折射层hl下方提供光学控制层(未示出)。光学控制层可具有相对比高折射层hl的折射率低的折射率。例如，光学控制层可具有约1.4至约1.55的折射率。具体地，光学控制层可具有约1.53的折射率。
106.例如，有效区域aa中的高折射层hl可具有约1.8mm的平均厚度。线区域wa(参照例如图4)中的高折射层hl可具有比有效区域aa中的高折射层hl的厚度小的厚度。
107.从发光层el发射的光可在侧方向上以及在前方向上发射，例如，在平行于第三方向轴dr3的方向上发射。可基于在前方向上发射的光来确定光学效率。在根据实施方式的电子设备ed的侧方向上发射的光可通过高折射层hl与限定像素开口op的有机绝缘层opv的侧表面的折射率的差而被折射或全反射。因此，在侧方向上发射的光可具有在第三方向dr3或邻近于第三方向dr3的方向上改变的光路。因此，根据实施方式的包括高折射层hl的电子设备ed可表现出改进的光学效率特性。
108.图4是示出根据实施方式的传感器层的示意性平面图。传感器层tp可感测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。例如，用户的输入可包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热、笔或压力。传感器层tp可包括感测区域tp
‑
aa和外围区域naa。感测区域tp
‑
aa可由电信号激活。例如，感测区域tp
‑
aa可感测输入。外围区域naa可围绕感测区域tp
‑
aa。感测区域tp
‑
aa可对应于电子设备ed的有效区域aa。
109.传感器层tp可包括设置在对应于有效区域aa的感测区域tp
‑
aa上的感测电极tx和rx，以及在电连接至感测电极tx和rx并设置在线区域wa中的同时在第一方向dr1上延伸的感测线sl。例如，传感器层tp可包括第一感测电极tx、第二感测电极rx、第一感测线tl和第二感测线rl。
110.第一感测电极tx和第二感测电极rx可设置在感测区域tp
‑
aa中。传感器层tp可通过第一感测电极tx与第二感测电极rx之间的互电容的变化来获取关于外部输入的信息。
111.第一感测电极tx中的每个可在平行于第一方向轴dr1的方向上延伸。第一感测电极tx可在平行于第二方向轴dr2的方向上彼此间隔开。第二感测电极rx中的每个可在平行于第二方向轴dr2的方向上延伸。第二感测电极rx可在平行于第一方向轴dr1的方向上彼此间隔开。第一感测电极tx和第二感测电极rx可彼此相交。
112.第一感测电极tx中的每个可包括第一部分tx
‑
a和限定在第一部分tx
‑
a的相邻第一部分tx
‑
a之间的第二部分tx
‑
b。第一部分tx
‑
a可被称为感测部分，以及第二部分tx
‑
b可被称为连接部分或交叉部分。
113.第一部分tx
‑
a和第二部分tx
‑
b可彼此电连接以具有整体形状。因此，第二部分tx
‑
b可限定为第一感测电极tx的、与第二感测电极rx相交的一部分。第一部分tx
‑
a和第二部分tx
‑
b可设置在同一层上。
114.第二感测电极rx中的每个可包括感测图案rx
‑
a和电连接至感测图案rx
‑
a中的两个相邻感测图案rx
‑
a的桥接图案rx
‑
b。感测图案rx
‑
a和桥接图案rx
‑
b可设置在不同的层上。尽管在图4中示例性地示出了连接两个感测图案rx
‑
a的两个桥接图案rx
‑
b，但是不同数量的桥接图案rx
‑
b(例如，一个桥接图案rx
‑
b或三个桥接图案rx
‑
b)可连接感测图案rx
‑
a。
115.第一部分tx
‑
a、第二部分tx
‑
b、感测图案rx
‑
a可设置在同一层上。桥接图案rx
‑
b可与第一部分tx
‑
a、第二部分tx
‑
b和感测图案rx
‑
a设置在不同的层上。例如，桥接图案rx
‑
b可包括在第一导电层ml1中(参照图3)，以及第一部分tx
‑
a、第二部分tx
‑
b和感测图案rx
‑
a可包括在第二导电层ml2中(参照图3)。然而，实施方式不限于此。例如，只要桥接图案rx
‑
b和第二部分tx
‑
b设置在不同的层上，桥接图案rx
‑
b和第二部分tx
‑
b就可以以各种方式设置。
116.第一感测电极tx和第二感测电极rx中的每个可电连接至第一感测线tl和第二感测线rl的相应感测线sl。例如，第一感测电极tx可连接至第一感测线tl。第二感测电极rx可电连接至第二感测线rl。然而，实施方式不限于所示的第一感测线tl和第二感测线rl与第
一感测电极tx和第二感测电极rx之间的连接关系。例如，第一感测电极tx可电连接至两个第一感测线tl。第一感测电极tx可包括电连接至第一感测线tl的一端和电连接至另一第一感测线tl的另一端。
117.此处，图4中的感测电极tx和rx的形状、感测电极tx和rx的数量以及感测线sl之间的连接关系仅是说明性的。然而，实施方式不限于此。
118.图5是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性平面图。图6是示出对应于图5的部分ee的区域的示意性平面图。图7是沿着图6的线ii
‑
ii'截取的示意性剖视图。图8是示出根据实施方式的电子设备的一部分的示意性平面图。图8是示出对应于图6的部分gg的区域的平面图。
119.参照图5至图8，根据实施方式的电子设备ed可包括有效区域aa和外围区域naa。外围区域naa可包括线区域wa和焊盘区域pa。外围区域naa的线区域wa可邻近于有效区域aa，以及线区域wa可设置在有效区域aa与焊盘区域pa之间。焊盘区域pa中设置有焊盘pd。焊盘pd可电连接至相应的感测线sl。
120.此处，根据实施方式的电子设备ed中的线区域wa的一部分可相对于在平行于第二方向轴dr2的方向上延伸的虚拟弯曲轴bx弯曲，并且在电子设备ed的后方向上折叠。
121.光学层边缘pp
‑
ed可设置成相对于弯曲轴bx邻近于有效区域aa。光学层边缘pp
‑
ed可与电子设备ed的边缘dm
‑
ed间隔开。例如，线区域wa的一部分可不与光学层pp(参照图11)重叠。光学层边缘pp
‑
ed可表示偏振器层pl(参照图11)的边缘。
122.根据实施方式的电子设备ed可包括显示元件层edl(参照图3)、设置在显示元件层edl上的封装层tfe、包括感测电极tx和rx(参照图4)以及感测线sl的传感器层tp、以及设置在传感器层tp上的高折射层hl。
123.传感器层tp可包括设置在封装层tfe上的第一导电层ml1、设置在第一导电层ml1上的第二导电层ml2、设置在第一导电层ml1与第二导电层ml2之间的无机绝缘层ipv、以及设置在第二导电层ml2与高折射层hl之间的有机绝缘层opv。
124.封装层tfe可包括第一无机层il1、有机层ol和第二无机层il2。第一无机层il1、有机层ol和第二无机层il2可保护显示元件层edl(参照图3)免受湿气或氧气的影响，并且可防止引入诸如灰尘颗粒的异物。第一无机层il1和第二无机层il2中的每个可包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种。例如，在实施方式中，第一无机层il1和第二无机层il2中的每个可包括氧化钛或氧化铝。然而，实施方式不限于此。有机层ol可包括丙烯酸基树脂。然而，实施方式不限于此。
125.可在有机绝缘层opv中限定包括开口ov
‑
1和ov
‑
2的至少一个开口。开口ov
‑
1和ov
‑
2可设置在线区域wa中。开口ov
‑
1和ov
‑
2在不同于作为线的延伸方向的第一方向dr1的第二方向dr2上延伸。第一方向dr1可从有效区域aa延伸至线区域wa。
126.无机绝缘层ipv可通过开口ov
‑
1和ov
‑
2暴露。例如，可去除有机绝缘层opv和第二导电层ml2的至少一部分，并且可在开口ov
‑
1和ov
‑
2处暴露无机绝缘层ipv。
127.参照图7，可在有机绝缘层opv中限定第一开口ov
‑
1和第二开口ov
‑
2。第一开口ov
‑
1和第二开口ov
‑
2可基于设置在它们之间的有机突出部dm
‑
t来区分。此处，有机突出部dm
‑
t和有机绝缘层opv可以是同一层。
128.在实施方式中，第一开口ov
‑
1和第二开口ov
‑
2可彼此间隔开。第二开口ov
‑
2可设
置成比第一开口ov
‑
1更靠近焊盘区域pa。
129.无机绝缘层ipv可在第一开口ov
‑
1和第二开口ov
‑
2中暴露，并且暴露的无机绝缘层ipv可不接触高折射层hl。第二导电层ml2可被有机绝缘层opv重叠，并且与高折射层hl间隔开，或者从第一开口ov
‑
1和第二开口ov
‑
2去除，以不与高折射层hl接触。因此，在根据实施方式的电子设备ed中提供高折射层hl的情况下，高折射树脂可不沿着第二导电层ml2扩散。在实施方式中，由于第二导电层ml2的导电材料与高折射树脂具有高粘合力，因此可通过去除第二导电层ml2来暴露无机绝缘层ipv，使得第二导电层ml2不与高折射树脂接触，并且因此可控制高折射树脂的扩散。
130.即使在高折射树脂扩散到第一开口ov
‑
1的情况下，有机突出部dm
‑
t也可充当防止高折射树脂流动的堤部。
131.此处，其中开口ov
‑
1和ov
‑
2延伸的第二方向dr2可垂直于第一方向dr1。然而，实施方式不限于此。图9a和图9b是示出根据实施方式的线区域的一部分的示意性平面图。图9a和图9b是示出感测线sl与开口ov
‑
1和ov
‑
2之间的布置关系的示意图。
132.参照图9a，开口ov
‑
1和ov
‑
2中的每个可在第二方向dr2上延伸，第二方向dr2垂直于其中感测线sl延伸的第一方向dr1。开口ov
‑
1和ov
‑
2中的每个可具有在由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面上在第二方向dr2上延伸的条带形状。
133.参照图9b，感测线sl可相对于第一开口ov
‑
1在对角线方向上延伸，以及感测线sl可在垂直于第二开口ov
‑
2的方向上延伸。例如，开口ov
‑
1和ov
‑
2的延伸方向可不同于感测线sl的延伸方向。开口ov
‑
1和ov
‑
2的延伸方向可垂直于或对角于感测线sl的延伸方向。
134.再次参照图7和图8，可在无机绝缘层ipv中限定接触孔ch1和ch2。接触孔ch1和ch2可分别限定在至少一个开口ov
‑
1和ov
‑
2的一侧和另一侧处。第一接触孔ch1可限定为邻近于有机绝缘层opv中的第一开口ov
‑
1，以及第二接触孔ch2可限定为邻近于有机绝缘层opv中的第二开口ov
‑
2。第一接触孔ch1和第二接触孔ch2可穿过无机绝缘层ipv。
135.第一导电层ml1和第二导电层ml2可通过第一接触孔ch1和第二接触孔ch2彼此电连接。第一接触孔ch1和第二接触孔ch2可由第二导电层ml2的材料填充。尽管在图7和图8中示出了在第一开口ov
‑
1的一侧处限定的第一接触孔ch1和在第二开口ov
‑
2的一侧处限定的第二接触孔ch2，但是实施方式不限于此。可在第一开口ov
‑
1的一侧处限定多个接触孔，以及可在第二开口ov
‑
2的一侧处限定多个接触孔。
136.第二接触孔ch2可在平行于第一方向轴dr1的方向上延伸。例如，在实施方式中，第二接触孔ch2可在平面上平行于第一方向轴dr1纵向延伸，以及第一导电层ml1和第二导电层ml2可在整个延伸的第二接触孔ch2之上彼此电连接。例如，第二接触孔ch2可在第二接触孔ch2的延伸方向上由第二导电层ml2的材料填充，以及第一导电层ml1和第二导电层ml2可在整个延伸的第二接触孔ch2之上彼此电接触。
137.参照图7和图8，第一接触孔ch1和第二接触孔ch2可与有机绝缘层opv重叠，并且可不与高折射层hl重叠。
138.根据实施方式的电子设备ed可包括堤部dm1、dm2和dm3。堤部dm1、dm2和dm3可设置在线区域wa中。堤部dm1、dm2和dm3可设置在有效区域aa的外部。堤部dm1、dm2和dm3可围绕有效区域aa的至少一部分。参照图7和图8，堤部dm1、dm2和dm3可不与在有机绝缘层opv中限定的开口ov
‑
1和ov
‑
2重叠。堤部dm1、dm2和dm3可不与开口ov
‑
1和ov
‑
2重叠，并且设置成比
开口ov
‑
1和ov
‑
2更靠近有效区域aa。
139.堤部dm1、dm2和dm3可包括第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3。然而，实施方式不限于堤部dm1、dm2和dm3的数量。例如，可提供两个堤部或四个或更多个堤部。
140.在堤部dm1、dm2和dm3之中，第一堤部dm1可最靠近有效区域aa设置。第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3可在远离有效区域aa的方向上顺序布置。第二堤部dm2可围绕第一堤部dm1的至少一部分。第三堤部dm3可围绕第二堤部dm2的至少一部分。第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3可彼此间隔开。
141.第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3中的每个可具有其中层被层压的结构。例如，第一堤部dm1可包括第一基底部分dm1
‑
b和层压(或形成)在第一基底部分dm1
‑
b上的第一层压部分dm1
‑
t；第二堤部dm2可包括第二基底部分dm2
‑
b和层压在第二基底部分dm2
‑
b上的第二层压部分dm2
‑
t；以及第三堤部dm3可包括第三基底部分dm3
‑
b、层压在第三基底部分dm3
‑
b上的第三层压部分dm3
‑
t以及层压在第三层压部分dm3
‑
t上的第三突出部分dm3
‑
c。
142.第三基底部分dm3
‑
b可包括与第五绝缘层50(参照图3)相同的材料，并且可通过与第五绝缘层50(参照图3)相同的工艺提供。第三基底部分dm3
‑
b可包括有机材料。
143.第一基底部分dm1
‑
b、第二基底部分dm2
‑
b和第三层压部分dm3
‑
t可包括与第六绝缘层60(参照图3)相同的材料，并且可通过与第六绝缘层60(参照图3)相同的工艺提供。第一基底部分dm1
‑
b、第二基底部分dm2
‑
b和第三层压部分dm3
‑
t可包括与像素限定层70(参照图3)相同的材料，并且可通过与像素限定层70(参照图3)相同的工艺提供。
144.在供应有机单体树脂以提供有机层ol的情况下，第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3可用于防止有机单体溢出。
145.第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3中的每个可在与感测线sl交叉的方向上延伸。参照图7和图8，由于感测线sl中的每个在第一方向dr1上延伸，以及第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3中的每个在第二方向dr2上延伸，所以感测线sl与第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3可彼此相交。
146.感测线sl可设置在第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3上，并且可在其中感测线sl与第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3的边缘重叠的部分处具有弯曲形状。感测线sl可具有围绕其中感测线sl与第一堤部dm1、第二堤部dm2和第三堤部dm3的边缘重叠的部分的凹口形状。
147.形成感测线sl的第一导电层ml1和第二导电层ml2可通过接触部ch
‑
a和ch
‑
c电连接。接触部ch
‑
a和ch
‑
c可与第一堤部dm1和第二堤部dm2重叠，并且可限定在无机绝缘层ipv中。尽管在图7和图8中示出了与第一堤部dm1重叠的接触部ch
‑
a和与第二堤部dm2重叠的接触部ch
‑
c，但是实施方式不限于此。在其它实施方式中，两个或更多个接触部可与堤部重叠，或者接触部可不限定在与堤部重叠的部分中。
148.在实施方式中，线区域wa可包括第一部wa
‑
a、第二部wa
‑
b和第三部wa
‑
c，其中，在第一部wa
‑
a中设置堤部dm1、dm2和dm3，并且第一部wa
‑
a邻近于有效区域aa设置，第二部wa
‑
b与第一开口ov
‑
1重叠，第三部wa
‑
c设置在第一部wa
‑
a与第二部wa
‑
b之间。
149.无机绝缘层ipv、有机绝缘层opv和高折射层hl可在第一部wa
‑
a中彼此重叠，无机绝缘层ipv、有机绝缘层opv和高折射层hl可在第二部wa
‑
b中彼此不重叠，以及无机绝缘层ipv可在第三部wa
‑
c中与有机绝缘层opv重叠并且可不与高折射层hl重叠。
150.第一导电层ml1、无机绝缘层ipv、第二导电层ml2、有机绝缘层opv和高折射层hl可在第一部wa
‑
a中顺序地层压(或形成)，以及第一导电层ml1和无机绝缘层ipv可在第二部wa
‑
b中层压。此外，第一导电层ml1、无机绝缘层ipv、第二导电层ml2和有机绝缘层opv可在第三部wa
‑
c中顺序地层压。
151.例如，在根据实施方式的电子设备ed中，高折射层hl可覆盖整个有效区域aa或与整个有效区域aa重叠，并且可在从有效区域aa到线区域wa的方向上扩展。高折射层hl可与线区域wa的一部分重叠，以及可不与线区域wa的、邻近于焊盘区域pa(参照图5)的其余部分重叠。
152.在线区域wa中，高折射层hl可与堤部dm1、dm2和dm3重叠，以及可不与第一开口ov
‑
1重叠。高折射层hl可具有在从第一堤部dm1到第三堤部dm3的方向上逐渐减小的厚度。例如，高折射层hl在有效区域aa中可具有约1.7mm至约1.8mm的厚度，以及在与堤部dm1、dm2和dm3重叠的部分中具有约22μm至约38μm的平均厚度。然而，实施方式不限于此。
153.在根据实施方式的电子设备ed中，高折射层hl的边缘hl
‑
ed可与第三堤部dm3重叠。高折射层hl可具有在从第三堤部dm3上方到有效区域aa的方向上逐渐增加的厚度。
154.尽管在本说明书中，高折射层hl的边缘hl
‑
ed与第三堤部dm3的中心部分重叠，但是实施方式不限于此。例如，高折射层hl的边缘hl
‑
ed可与整个第三堤部dm3重叠。作为另一示例，高折射层hl的边缘hl
‑
ed可与第三堤部dm3与第一开口ov
‑
1之间的部分重叠。
155.图10是示出根据实施方式的电子设备中的第一开口ov
‑
1的示意性立体图。第一开口ov
‑
1可包括由暴露的无机绝缘层ipv限定的底部部分op
‑
bt和由与第二导电层ml2重叠的有机绝缘层opv限定的侧部部分op
‑
ss。在该实施方式中，第一开口ov
‑
1的底部部分op
‑
bt可以是暴露的无机绝缘层ipv的部分表面，以及第一开口ov
‑
1的侧部部分op
‑
ss可以是有机绝缘层opv的部分侧表面。侧部部分op
‑
ss相对于底部部分op
‑
bt的角度θ可大于约90
°
。例如，侧部部分op
‑
ss相对于底部部分op
‑
bt的角度θ可在约100
°
至约110
°
的范围内。
156.图11是示出根据实施方式的电子设备的示意性剖视图。根据实施方式的电子设备ed还可包括设置在高折射层hl上的光学层pp。光学层pp可以是包括光学功能层的偏振板。光学层pp可包括粘合层al和偏振器层pl。
157.偏振器层pl可以是包括细长(或拉伸的)聚合物膜的膜型线性偏振器。例如，细长聚合物膜可以是细长聚乙烯醇基膜。偏振器层pl可通过使二色性染料吸附到细长聚合物膜上来制造。例如，偏振器层pl可包括细长聚乙烯醇基膜和吸附到其上的碘。此处，聚合物膜的伸长方向可以是偏振器层pl的吸收轴，以及垂直于伸长方向的方向可以是偏振器层pl的透射轴。光学层pp还可包括设置在偏振器层pl下方的至少一个相位延迟层(未示出)。例如，光学层pp可包括设置在偏振器层pl下方的λ/2相位延迟层和设置在λ/2相位延迟层下方的λ/4相位延迟层。
158.粘合层al可以是光学透明粘合膜(oca)或光学透明粘合树脂层(ocr)。
159.作为包含在偏振器层pl中的二色性染料的碘可以以离子状态移动通过粘合层al，并且可转移到传感器层tp等。在离子态碘接触传感器层tp的第二导电层ml2的情况下，第二导电层ml2可能腐蚀，并且感测灵敏度可能劣化。
160.在实施方式中，粘合层al不直接接触第二导电层ml2，以及第二导电层ml2可不接触通过粘合层al转移的二色性染料。因此，可防止第二导电层ml2的腐蚀，以及可保持感测
灵敏度和感测性能。
161.具体地，在根据实施方式的电子设备ed中，当无机绝缘层ipv接触第一开口ov
‑
1中的粘合层al时，其中，在第一开口ov
‑
1中填充有粘合层al并且第二导电层ml2被去除，可解决由于采用偏振器层pl而引起的感测性能的劣化。
162.粘合层al可在线区域wa的第一部wa
‑
a中接触高折射层hl，粘合层al可在第二部wa
‑
b中接触暴露的无机绝缘层ipv，以及粘合层al可在第三部wa
‑
c中接触有机绝缘层opv。
163.尽管在图11中，偏振器层pl的边缘与有机突出部dm
‑
t重叠，但是实施方式不限于此。例如，偏振器层pl的边缘可与第二开口ov
‑
2重叠。
164.根据实施方式的其中第二导电层ml2至少部分地从开口ov
‑
1和ov
‑
2去除的电子设备ed可具有比其中第二导电层ml2不被去除的电子设备更大的线电阻。然而，电阻的增加可对应于传感器层tp的灵敏度偏差内的变化。因此，如实施方式中所示，即使在第二导电层ml2被至少部分地去除以暴露无机绝缘层ipv的情况下，传感器层tp也可保持感测特性。
165.根据实施方式的电子设备包括设置在线区域中的开口，该开口暴露传感器层的无机绝缘层。因此，可防止高折射树脂的扩散，并且可控制高折射层的位置。即使在第二导电层接触偏振器层的情况下，根据实施方式的电子设备可通过从开口去除第二导电层以暴露无机绝缘层来最小化第二导电层的性能劣化。
166.图12至图14是示出根据实施方式的电子设备的示意图。当参考图12至图14描述根据实施方式的电子设备时，将不再描述与图1至图11中描述的特征重叠的特征，而将主要描述区别。
167.图12是示出根据实施方式的电子设备的示意性剖视图。根据图12中的实施方式的电子设备ed
‑
a与参考图6至图11描述的实施方式的不同之处在于：有机突出部dm
‑
t还包括第二导电层ml2。
168.有机突出部dm
‑
t中的第二导电层ml2可被有机绝缘层opv覆盖或与有机绝缘层opv重叠。可在有机突出部dm
‑
t中的无机绝缘层ipv中限定至少一个接触孔ch3和ch4。第一导电层ml1和第二导电层ml2可通过至少一个接触孔ch3和ch4彼此电连接。至少一个接触孔ch3和ch4可由第二导电层ml2的材料填充。根据图12中的实施方式的电子设备ed
‑
a可通过在有机突出部dm
‑
t中进一步包括电连接第一导电层ml1和第二导电层ml2的接触孔ch3和ch4来减小感测线的电阻。
169.图13是示出根据实施方式的电子设备的示意性剖视图，以及图14是示出根据实施方式的电子设备的示意性平面图。
170.参照图13和图14，根据实施方式的电子设备ed
‑
b还可包括设置在至少一个开口(例如，图13和图14中的第一开口ov
‑
1)中的子突出部s
‑
dm。子突出部s
‑
dm可在第一开口ov
‑
1中彼此间隔开。此处，子突出部s
‑
dm可由与有机绝缘层opv相同的材料制成或包括与有机绝缘层opv相同的材料。
171.参照图14，子突出部s
‑
dm中的每个可在平面上具有矩形形状。然而，实施方式不限于此。例如，子突出部s
‑
dm中的每个可在平面上具有圆形、椭圆形或多边形形状。
172.尽管在图13和图14中子突出部s
‑
dm根据预定排列来布置，但是实施方式不限于此。例如，子突出部s
‑
dm可彼此间隔开并且随机地布置在第一开口ov
‑
1中。
173.子突出部s
‑
dm可充当堤部，用于防止为提供高折射层hl而供应的高折射树脂从第
一开口ov
‑
1扩散到第二开口ov
‑
2。
174.根据实施方式的电子设备可通过包括设置在线区域中的开口以暴露传感器层的无机绝缘层来控制高折射层的位置。即使在第二导电层从开口去除的情况下，经由通过分别在相对于开口的两侧处限定的接触孔电连接第一导电层和第二导电层，根据实施方式的电子设备也可保持感测灵敏度特性。根据实施方式的电子设备可通过使偏振器层的二色性染料与传感器层的导电层之间的接触最小化而具有许多有利的特性，诸如可靠性。
175.由于无机绝缘层在有机绝缘层中限定的开口中暴露，通过控制高折射层的流动，根据实施方式的电子设备可表现出改进的可靠性，而不会劣化传感器层的感测特性。
176.尽管已经描述了本发明的示例性实施方式，但是理解的是，本发明不应限于这些示例性实施方式，而是可由本领域的普通技术人员在如下文要求保护的本发明的精神和范围内进行各种改变和修改。
177.因此，本发明的实际保护范围应由所附权利要求的技术范围来确定。