层叠陶瓷电子部件制造方法、层叠陶瓷电子部件和电路板与流程

技术特征：
1.一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于：在具有被层叠且被引出至表面的内部电极的陶瓷主体的所述表面上，以与所述内部电极连接的方式形成由导电性材料形成的基底膜，利用电镀法在所述基底膜上形成第一镍膜，在形成所述第一镍膜后，在所述第一镍膜再结晶的温度以上的温度，利用弱还原气氛进行热处理，利用电镀法在进行了所述热处理的第一镍膜上形成第二镍膜。2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于：所述热处理的温度为450℃以上800℃以下。3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于：所述第一镍膜的厚度为1.0μm以上10.0μm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于：所述第二镍膜的厚度为1.5μm以上6.0μm以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于：所述基底膜的厚度为2μm以上50μm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于：所述基底膜包含铜或其合金作为主要成分。7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于：利用电镀法在所述第二镍膜上形成包含锡或其合金作为主要成分的表层膜。8.一种层叠陶瓷电子部件，其特征在于：包括陶瓷主体和外部电极，所述陶瓷主体具有被层叠且被引出至表面的内部电极，所述外部电极具有：由导电性材料形成的基底膜，其配置在所述陶瓷主体的所述表面上且与所述内部电极连接；配置在所述基底膜上的第一镍膜；和配置在所述第一镍膜上的第二镍膜。9.根据权利要求8所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于：所述第二镍膜的氢浓度高于所述第一镍膜的氢浓度。10.根据权利要求8或9所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于：所述第一镍膜包含再结晶组织。11.根据权利要求8～10中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于：所述第二镍膜的晶格缺陷多于所述第一镍膜的晶格缺陷。12.根据权利要求8～11中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于：所述第一镍膜的厚度为1.0μm以上10.0μm以下。13.根据权利要求8～12中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于：所述第二镍膜的厚度为1.5μm以上6.0μm以下。14.根据权利要求8～13中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于：所述基底膜的厚度为2μm以上50μm以下。
15.根据权利要求8～14中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于：所述基底膜包含铜或其合金作为主要成分。16.根据权利要求8～15中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于：所述外部电极还具有配置在所述第二镍膜上的、包含锡或其合金作为主要成分的表层膜。17.一种电路板，其特征在于，包括：安装基板；具有陶瓷主体和外部电极的层叠陶瓷电子部件，其中，所述陶瓷主体具有被层叠且被引出至表面的内部电极，所述外部电极配置在所述陶瓷主体的所述表面上且与所述内部电极连接；和将所述外部电极和所述安装基板连接的焊料，所述外部电极具有：配置在所述陶瓷主体的所述表面上的、由导电性材料形成的基底膜；配置在所述基底膜上的第一镍膜；和配置在所述第一镍膜上的第二镍膜。18.根据权利要求17所述的电路板，其特征在于：所述第二镍膜的晶格缺陷多于所述第一镍膜的晶格缺陷。19.根据权利要求17或18所述的电路板，其特征在于：所述第二镍膜的氢浓度高于所述第一镍膜的氢浓度。

技术总结
本发明提供不易受到由氢导致的不良影响、外部电极的镀膜的密合性优异、并且能够充分确保安装时的焊料的接合性的层叠陶瓷电子部件的制造方法、层叠陶瓷电子部件和电路板。本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法包括：在具有被层叠且被引出至表面的内部电极的陶瓷主体的所述表面上，以与所述内部电极连接的方式形成由导电性材料形成的基底膜的工序。利用电镀法在所述基底膜上形成第一镍膜。在形成所述第一镍膜后，在所述第一镍膜再结晶的温度以上的温度，利用弱还原气氛进行热处理。利用电镀法在进行了所述热处理的第一镍膜上形成第二镍膜。膜。膜。


技术研发人员：酒井智纪
受保护的技术使用者：太阳诱电株式会社
技术研发日：2021.05.19
技术公布日：2021/11/24