显示面板及显示面板的制作方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及显示面板的制作方法、显示装置。


背景技术：

2.由于具有面积大、集成度高、分辨率高及功耗低等优点，tft
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lcd(thin film transistor
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liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)器件作为新一代显示装置的基础，受到越来越多的关注。
3.相关技术中，tft
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lcd显示面板的像素单元包括晶体管、像素电极和公共电极。其中，像素电极可以通过过孔结构与晶体管连接，而当像素电极与晶体管连接时，容易因像素电极与过孔结构的孔壁接触不良等因素而导致连接不良，进而引起显示面板的显示不良。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的在于提供一种显示面板及显示面板的制作方法、显示装置，以降低显示面板发生显示不良的概率。具体技术方案如下：
5.本技术的第一方面的实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
6.衬底基板以及位于所述衬底基板上且呈矩阵分布的多个像素单元，至少一个像素单元包括晶体管和与所述晶体管连接的像素电极；
7.第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述晶体管的远离所述衬底基板的一侧；
8.第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层的远离所述晶体管的一侧，所述第二绝缘层上设有第一过孔，所述像素电极通过所述第一过孔与所述晶体管连接，所述第一过孔包括贯穿所述第一绝缘层的第一孔段和贯穿所述第二绝缘层的第二孔段，所述第二绝缘层覆盖所述第一孔段的至少部分孔壁。
9.一些实施例中，至少一个晶体管包括位于所述衬底基板一侧的第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层及有源层，所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括源极和漏极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
10.一些实施例中，所述第二绝缘层完全覆盖所述第一孔段的孔壁，且所述第二绝缘层与所述漏极接触。
11.一些实施例中，至少一个像素单元还包括与所述像素电极相对设置的公共电极，所述第二绝缘层上设有第二过孔，所述公共电极通过所述第二过孔与所述栅极连接。
12.一些实施例中，所述第二过孔包括贯穿所述第一绝缘层的第三孔段、贯穿所述第二绝缘层的第四孔段及贯穿所述栅极绝缘层的第五孔段，所述第二绝缘层覆盖所述第三孔段及所述第五孔段的孔壁。
13.一些实施例中，至少部分像素单元的公共电极连接。
14.一些实施例中，所述公共电极及所述像素电极均为透明金属氧化物电极。
15.一些实施例中，所述第一绝缘层的材料包括氮化硅，所述第二绝缘层的材料包括
树脂。
16.本技术实施例的第二方面提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板的制作方法包括：
17.提供一衬底基板；
18.在所述衬底基板的一侧形成晶体管；
19.在所述晶体管的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；
20.在所述第一绝缘层的远离所述晶体管的一侧形成第二绝缘层；
21.在所述第二绝缘层上形成第一过孔，所述第一过孔包括贯穿所述第一绝缘层的第一孔段和贯穿所述第二绝缘层的第二孔段；
22.采用预设温度加热所述第二绝缘层，使所述第二绝缘层流动并覆盖所述第一孔段的至少部分孔壁；
23.形成像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述晶体管连接。
24.一些实施例中，所述预设温度为200摄氏度至250摄氏度。
25.本技术实施例的第三方面提供了一种显示装置，其特征在于所述显示装置包括上述任一所述的显示面板。
26.本技术实施例有益效果：
27.本技术实施例提供的显示面板及显示面板的制作方法、显示装置，显示面板中，显示面板包括衬底基板和位于衬底基板上的多个像素单元。像素单元包括晶体管和与晶体管连接的像素电极。显示面板还包括位于像素单元的晶体管上的第一绝缘层及位于第一绝缘层上的第二绝缘层。其中，第二绝缘层上开设有第一过孔，以使像素电极可通过第二过孔与晶体管连接。第一过孔包括分别贯穿第一绝缘层及第二绝缘层的第一孔段和第二孔段，且第二绝缘层覆盖第一孔段的至少部分孔壁。本技术实施例提供的显示面板中，第二孔段贯穿第二绝缘层，且第二绝缘层覆盖第一孔段的至少部分孔壁，这使得第二绝缘层至少部分覆盖了第一孔段及第二孔段的连接处，使得第一过孔的孔壁较为平缓。基于此，当像素电极通过第一过孔与像素单元的晶体管连接时，像素电极能够更加贴合第一过孔的孔壁，从而降低了像素电极与第一过孔的孔壁接触不良的概率，进而降低了像素电极与晶体管连接不良的概率，降低了显示面板发生显示不良的概率。
28.当然，实施本技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
29.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
30.图1为相关技术中一种显示面板的一种结构示意图；
31.图2为本技术一些实施例中一种显示面板的一种结构示意图；
32.图3为沿图2中a
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a方向的一种剖面图；
33.图4为沿图2中a
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a方向的另一种剖面图；
34.图5为沿图2中a
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a方向的又一种剖面图；
35.图6为本技术一些实施例中一种显示面板的制作方法的流程图。
36.附图标记：100
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显示面板；200
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发光层；210
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有机发光层；300
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液晶层；1
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衬底基板；2
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像素单元；21
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晶体管；211
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第一金属层；2111
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栅极；212
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栅极绝缘层；213
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第二金属层；2131
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源极；2132
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漏极；214
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有源层；22
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像素电极；23
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公共电极；3
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第一绝缘层；4
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第二绝缘层；5
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第一过孔；51
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第一孔段；52
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第二孔段；6
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第二过孔；61
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第三孔段；62
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第四孔段；63
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第五孔段。
具体实施方式
37.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员基于本技术所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
38.需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
39.相关技术中，如图1所示，显示面板包括衬底基板1’和位于衬底基板1’上的像素单元2’，像素单元2’包括晶体管21’和与晶体管21’连接的像素电极22’。显示面板还包括位于晶体管21’上的第一绝缘层3’和位于第一绝缘层3’上的第二绝缘层4’，第二绝缘层4’上设置有过孔结构5’，像素电极22’通过过孔结构5’和晶体管21’连接。而相关技术中，由于第一绝缘层3’与第二绝缘层的材质可以不同，在形成过孔结构5’时，可以先采用曝光显影等技术在第二绝缘层上形成过孔结构5’的第二孔段52’，然后采用刻蚀等方式对第一绝缘层3’进行处理以形成过孔结构5’的第一孔段51’，从而形成过孔结构5’。而在对第一绝缘层进行刻蚀处理后，如图1所示，第一绝缘层3’在第一孔段51’处可能形成倒切面，即第一孔段51’的孔壁不与第二孔段52’的孔壁位于同一平面，基于此，当像素电极22’通过过孔结构5’与晶体管21’连接时，像素电极22’与第一孔段51’的孔壁易于产生接触不良，从而导致像素电极22’与晶体管21’出现搭接不良，导致显示面板的显示不良。
40.因此，为降低显示面板发生显示不良的概率，本技术实施例提供了一种显示面板及显示面板的制作方法、显示装置，下面将结合附图对本技术实施例提供的显示面板及显示面板的制作方法、显示装置进行详细说明。其中，显示面板包括但不限于oled(organic light
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emitting diode，有机电致发光显示面板)、qled(quantum dot light emitting diodes，量子点电致发光显示面板)、量子点光致发光显示面板及tft
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lcd(thin film transistor
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liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示面板)等。
41.如图2和图3所示，本技术的第一方面的实施例提供了一种显示面板100，该显示面板100包括衬底基板1、多个像素单元2、第一绝缘层3及第二绝缘层4。其中，多个像素单元2位于衬底基板1上且呈矩阵分布，至少一个像素单元2包括晶体管21和与晶体管21连接的像
素电极22。第一绝缘层3位于晶体管21的远离衬底基板1的一侧。第二绝缘层4位于第一绝缘层3的远离晶体管21的一侧，第二绝缘层4上设有第一过孔5，像素电极22通过第一过孔5与晶体管21连接，第一过孔5包括贯穿第一绝缘层3的第一孔段51和贯穿第二绝缘层4的第二孔段52，第二绝缘层4覆盖第一孔段51的至少部分孔壁。
42.本技术实施例提供的显示面板100中，第二绝缘层4上开设有第一过孔5，以使像素单元2的像素电极22可通过第一过孔5与晶体管21连接。第一过孔5包括分别贯穿第一绝缘层3及第二绝缘层4的第一孔段51和第二孔段52，且第二绝缘层4覆盖第一孔段51的至少部分孔壁。其中，第二孔段52贯穿第二绝缘层4，且第二绝缘层4覆盖第一孔段51的至少部分孔壁，这使得第二绝缘层4至少部分覆盖了第一孔段51及第二孔段52的连接处，使得第一过孔5的孔壁较为平缓。基于此，当像素电极22通过第一过孔5与像素单元2的晶体管21连接时，像素电极22能够更加贴合第一过孔5的孔壁，从而降低了像素电极22与第一过孔5的孔壁接触不良的概率，进而降低了像素电极22与晶体管21连接不良的概率，降低了显示面板100发生显示不良的概率。
43.其中，衬底基板1可以为刚性衬底基板，如玻璃基板等。衬底基板1还可以为柔性衬底基板，如聚酰亚胺基板等，本技术实施例对此不作具体限定。
44.进一步的，第一绝缘层3的材料包括氮化硅(sinx)，第二绝缘层4的材料包括树脂。其中，由于第一绝缘层3及第二绝缘层4的材料可以不同，在第二绝缘层4上形成第一过孔5时，需要先在第二绝缘层4上形成第一过孔5的第二孔段52，然后进一步在第一绝缘层3上形成第一孔段51，从而形成第一过孔5。具体的，以第一绝缘层3的材质为sinx，第二绝缘层4的材质为树脂为例，在第二绝缘层4上形成第一过孔5时，首先通过曝光显影的方式在第二绝缘层4上形成贯穿第二绝缘层4的第二孔段52，然后通过干法刻蚀的方式继续在第一绝缘层3上形成贯穿第一绝缘层3的第一孔段51。由于第二绝缘层4的材料为树脂，在形成第一过孔5后，采用200摄氏度至250摄氏度的高温对第二绝缘层4进行加热，使第二绝缘层4流动并覆盖sinx的刻蚀边缘，即使第二绝缘层4流动覆盖第一孔段51的孔壁及第一孔段51与第二孔段52的连接处。然后在高温的作用下使第二绝缘层4固化。基于此，在第一孔段51与第二孔段52处形成较为平缓的过度，从而使第一过孔5的孔壁更加平整。一个具体的实施例中，可以采用230摄氏度的高温对第二绝缘层4进行加热。
45.一些实施例中，如图3所示，至少一个晶体管21包括位于衬底基板1一侧的第一金属层211、栅极绝缘层212、第二金属层213及有源层214。其中，第一金属层211包括栅极2111，第二金属层213包括源极2131和漏极2132，像素电极22通过第一过孔5与漏极2132连接。
46.本技术实施例中，像素电极22设置于第二绝缘层4上，且像素电极22通过第一过孔5与晶体管21内的漏极2132连接。其中，第一金属层211及第二金属层213的材料可以包括铜、铝、银等金属材料或包含上述金属材料的合金材料。栅极绝缘层212的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料，或者可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料。进一步的，栅极2111可以为具有铜层及钼铌层的层叠结构，钼铌层用于对铜层进行保护。此外，源极2131和漏极2132也均可以包括铜层和用于保护铜层的钼铌层，类似地，钼铌层对铜层具有保护作用，以防止铜层被腐蚀。
47.一些实施例中，第二绝缘层4完全覆盖第一孔段51的孔壁，且第二绝缘层4与漏极
2132接触。
48.本技术实施例中，如图3所示，第二绝缘层4可以由第一孔段51与第二孔段52的连接处朝向漏极2132延伸，直至第二绝缘层4延伸至漏极2132且覆盖漏极2132的部分表面。基于此，第二绝缘层4完全覆盖第一孔段51与第二孔段52的连接处及第一孔段51的孔壁，这使得第一过孔5的孔壁由第二绝缘层4覆盖而形成一个整体，使得第一过孔5的孔壁更加平缓。当像素电极22通过第一过孔5与像素单元2的晶体管21连接时，像素电极22能够更加贴合第一过孔5的孔壁，进一步降低了像素电极22与第一过孔5的孔壁接触不良的概率，从而进一步降低了像素电极22与晶体管21连接不良的概率，降低了显示面板100发生显示不良的概率。
49.一些实施例中，如图3所示，至少一个像素单元2还包括与像素电极22相对设置的公共电极23，第二绝缘层4上设有第二过孔6，公共电极23通过第二过孔6与栅极2111连接。
50.本技术实施例中，公共电极23可以设置在第一绝缘层3之上，像素电极22可以设置在第二绝缘层4之上，像素电极22和公共电极23通过第二绝缘层4隔开，第一过孔5贯穿第一绝缘层3和第二绝缘层4设置，这样，像素电极22的一部分结构可以延伸至第一过孔5中，从而通过第一过孔5与位于第一绝缘层3之下的漏极2132连接。第二过孔6贯穿第一绝缘层3、第二绝缘层4及栅极绝缘层212设置，使得公共电极23可以延伸至第二过孔6中，从而通过第二过孔6位于栅极绝缘层212之下的栅极2111连接。
51.一些实施例中，第二过孔6包括贯穿第一绝缘层3的第三孔段61、贯穿第二绝缘层4的第四孔段62及贯穿栅极绝缘层212的第五孔段63，第二绝缘层4覆盖第三孔段61及第五孔段63的孔壁。
52.本技术实施例中，第二绝缘层4覆盖第三孔段61及第五孔段63的至少部分孔壁，这使得第二绝缘层4至少部分覆盖了第三孔段61与第四孔段62的连接处，以及第四孔段62与第五孔段63的连接处，这使得第二过孔6的孔壁较为平缓。基于此，当公共电极23通过第二过孔6与晶体管21的栅极2111连接时，公共电极23能够更加贴合第二过孔6的孔壁，从而降低了公共电极23与第二过孔6的孔壁接触不良的概率，进而降低了公共电极23与晶体管21连接不良的概率，降低了显示面板100发生显示不良的概率。
53.进一步的，如图3所示，第二绝缘层4可以完全覆盖第三孔段61及第五孔段63的孔壁，且第二绝缘层4可朝向栅极2111延伸直至与栅极2111接触。第二绝缘层4完全覆盖第三孔段61及第五孔段63的孔壁，使得第二过孔6的孔壁完全由第二绝缘层4覆盖而形成一个整体，从而使得第二过孔6的孔壁更加平缓。基于此，当公共电极23通过第二过孔6与栅极2111连接时，公共电极23能够更加贴合第二过孔6的孔壁，降低了公共电极23与栅极2111产生搭接不良的概率，进一步降低了显示面板100出现显示不良的概率。
54.其中，第一过孔5与第二过孔6可以同时形成，在形成第一过孔5及第二过孔6后，采用200摄氏度至250摄氏度的高温对第二绝缘层4进行加热，使得第二绝缘层4能够流动并覆盖第一过孔5的第一孔段51、第二过孔6的第三孔段61及第五孔段63，然后第二绝缘层4在高温的作用下固化。
55.一些实施例中，至少部分像素单元2的公共电极23连接。
56.本技术实施例中，位于衬底基板1上的多个像素单元2呈矩阵分布。其中，部分像素单元2可以为位于同一行的多个像素单元2，部分像素单元2也可以为位于不同行的多个像
素单元2。也就是，位于同一行的多个像素单元2的公共电极23可以连接为一体结构，位于不同行的像素单元2的公共电极23也可以连接为一体结构。部分像素单元2的公共电极23连接为一体结构，使得多个像素单元2的公共电极23具有等电势，从而提升显示面板100的显示效果。
57.进一步的，显示面板100的所有像素单元2的公共电极23连接，以使所有像素单元2的公共电极23具有等电势，进一步提升显示面板100的显示效果。
58.其中，多个像素单元2的公共电极23可以直接连接，多个像素单元2的公共电极23也可以通过辅助电极线连接。具体的，当多个像素单元2的公共电极23通过辅助电极线连接时，像素单元2的公共电极23通过过孔结构与辅助电极线的一端连接，且与该像素单元2相邻的像素单元2的公共电极23通过过孔结构与辅助电极线的另一端连接，从而将相邻的两个像素单元2的公共电极23连接起来。其中，辅助电极线的材料可以包括铜、铝、银等金属材料或包含上述金属材料的合金材料等，辅助电极线的材料还可以为透明金属氧化物等。
59.一些实施例中，公共电极23及像素电极22均为透明金属氧化物电极。即公共电极23及像素电极22的材料均为透明金属氧化物，如izo(氧化铟锌)、ito(氧化铟锡)等。公共电极23及像素电极22的材料为透明金属氧化物，降低了公共电极23及像素电极22对光线的阻挡率，提高了显示面板100的透光率。
60.一些实施例中，公共电极23及像素电极22的材料还可以包括铜、铝、银等金属材料或包含上述金属材料的合金材料等。
61.本技术实施例中，当显示面板100为有机发光显示面板时，如图4所示，有机发光显示面板包括上述衬底基板1、晶体管21及位于晶体管21的远离衬底基板1一侧的发光层200。晶体管21用于驱动发光层200发光。其中，像素电极22可以为发光层200中的阳极层，公共电极23可以为发光层200中的阴极层，像素电极22及公共电极23之间还设置有用于发光的有机发光层210。
62.当显示面板100为薄膜晶体管液晶显示面板时，如图5所示，显示面板100包括上述衬底基板1、晶体管21、像素电极22、公共电极23及位于公共电极23的远离衬底基板1的一侧的液晶层300，晶体管21用于驱动液晶层300内的液晶发生定向偏转。
63.本技术的第二方面的实施例提供了一种显示面板的制作方法，如图6所示，该方法包括以下步骤：
64.步骤s601，提供一衬底基板。
65.步骤s602，在衬底基板的一侧形成晶体管。
66.步骤s603，在晶体管的远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层。
67.步骤s604，在第一绝缘层的远离晶体管的一侧形成第二绝缘层。
68.步骤s605，在第二绝缘层上形成第一过孔，第一过孔包括贯穿第一绝缘层的第一孔段和贯穿第二绝缘层的第二孔段。
69.其中，形成第一过孔的具体过程可以为，在第二绝缘层上通过曝光显影等方式形成贯穿第二绝缘层的第二孔段，然后采用干法刻蚀等方式对第二绝缘层下方的第一绝缘层进行刻蚀，以在第一绝缘层上形成贯穿第一绝缘层的第一孔段，从而形成第一过孔。
70.步骤s606，采用预设温度加热第二绝缘层，使第二绝缘层流动并覆盖第一孔段的至少部分孔壁。
71.进一步的，预设温度为200摄氏度至250摄氏度。一个示例中，预设温度可以为230摄氏度。
72.步骤s607，形成像素电极，像素电极通过第一过孔与晶体管连接。
73.根据本公开实施例的显示面板的制作方法，第二孔段贯穿第二绝缘层，且第二绝缘层覆盖第一孔段的至少部分孔壁，这使得第二绝缘层至少部分覆盖了第一孔段及第二孔段的连接处，使得第一过孔的孔壁较为平缓。基于此，当像素电极通过第一过孔与像素单元的晶体管连接时，像素电极能够更加贴合第一过孔的孔壁，从而降低了像素电极与第一过孔的孔壁接触不良的概率，进而降低了像素电极与晶体管连接不良的概率，降低了显示面板发生显示不良的概率。
74.进一步的，步骤s605可以细化为，在第二绝缘层上形成第一过孔及第二过孔，第一过孔包括贯穿第一绝缘层的第一孔段和贯穿第二绝缘层的第二孔段，第二过孔包括贯穿第第一绝缘层的第三孔段、贯穿第二绝缘层的第四孔段及贯穿晶体管中栅极绝缘层的第五孔段。
75.进一步的，步骤s606可以细化为，采用预设温度加热第二绝缘层，使第二绝缘层流动并覆盖第一孔段的至少部分孔壁，并使第二绝缘层流动并覆盖第三孔段及第五孔段的部分孔壁。
76.进一步的，上述制作方法还包括：形成公共电极，公共电极通过第二过孔与晶体管连接。
77.本技术实施例中，第二绝缘层覆盖第三孔段及第五孔段的至少部分孔壁，这使得第二绝缘层至少部分覆盖了第三孔段与第四孔段的连接处，以及第四孔段与第五孔段的连接处，这使得第二过孔的孔壁较为平缓。基于此，当公共电极通过第二过孔与晶体管的栅极连接时，公共电极能够更加贴合第二过孔的孔壁，从而降低了公共电极与第二过孔的孔壁接触不良的概率，进而降低了公共电极与晶体管连接不良的概率，降低了显示面板发生显示不良的概率。
78.本公开第三方面的实施例提供了一种显示装置，显示装置包括上述任一实施例中的显示面板100。其中，显示装置包括但不限于手机、平板电脑、显示器、电视机、画屏、广告屏、电子纸等。由于显示装置包括上述显示面板100，因此显示装置具有上述显示面板100所具有的发生显示不良的概率较低等所有优点。
79.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
80.以上所述仅为本技术的较佳实施例，并非用于限定本技术的保护范围。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本技术的保护范围内。