显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种显示装置，且特别是涉及一种具有稳定数据线电位的显示装置。


背景技术：

2.在以异型切割方式生产的显示器中，需要将栅极与源极的信号源放置于同一侧，以便于切割。因此，在显示器的显示区内会有垂直的栅极转接线设置于相邻的像素之间，且栅极转接线通常与数据线平行。然而，平行且相邻的数据线与栅极转接线之间会存在固定的电容，此电容会造成信号的电容耦合，而在栅极信号开启或关闭时影响数据线的电位，使数据线的电位产生变动而不稳定，导致显示亮度异常。


技术实现要素：

3.本发明提供一种显示装置，具有稳定的数据线电位。
4.本发明的一个实施例提出一种显示装置，具有周边区以及显示区，且包括：多条数据线，自周边区延伸进入显示区，其中数据线沿着第一方向延伸；多条扫描线，位于显示区，且沿着交错于第一方向的第二方向延伸；多条转接线，自周边区延伸进入显示区，且分别电连接至扫描线；多个像素，分别电连接至扫描线以及数据线，其中第一数据线以及至少二转接线位于像素中的相邻两者之间；以及多条屏蔽导线，其中第一屏蔽导线位于第一数据线与上述的至少二转接线之间，第二屏蔽导线位于上述的至少二转接线中的相邻两者之间。
5.在本发明的一实施例中，上述的屏蔽导线相互电连接。
6.在本发明的一实施例中，上述的第二屏蔽导线具有开口。
7.在本发明的一实施例中，上述的像素中的相邻两者之间设有四条转接线以及五条屏蔽导线。
8.在本发明的一实施例中，上述的像素包括多个子像素，各子像素包括开关元件以及像素电极，像素电极电连接至开关元件，且屏蔽导线与像素电极属于相同膜层。
9.在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括共用电极，其中屏蔽导线电连接至共用电极。
10.在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括虚设数据线，其中至少二转接线位于第一数据线与虚设数据线之间。
11.在本发明的一实施例中，上述的屏蔽导线中的第三屏蔽导线位于虚设数据线与转接线之间。
12.在本发明的一实施例中，上述的虚设数据线与第一数据线经由导电层连接，且导电层与扫描线属于相同膜层。
13.在本发明的一实施例中，上述的数据线、转接线以及虚设数据线属于相同膜层。
14.在本发明的一实施例中，上述的数据线、转接线以及虚设数据线属于不同膜层。
15.在本发明的一实施例中，上述的至少二转接线属于不同膜层。
16.本发明的一个实施例提出一种显示装置，具有周边区以及显示区，且显示区具有
转接线区，转接线区具有侧边区以及中央区，侧边区位于周边区与中央区之间，其中显示装置包括：多条数据线，自周边区延伸进入显示区，其中数据线沿着第一方向延伸；多条扫描线，位于显示区，且沿着交错于第一方向的第二方向延伸；多条转接线，自周边区延伸进入转接线区，且分别电连接至扫描线；多个像素，分别电连接至扫描线以及数据线，其中第一数据线以及至少二转接线位于像素中的相邻两者之间；多条屏蔽导线，位于中央区；以及多个屏蔽图案，位于中央区；其中第一屏蔽导线位于第一数据线与至少二转接线之间，第二屏蔽导线位于至少二转接线中的相邻两者之间，各屏蔽图案位于各转接线与对应的扫描线连接之处，且各屏蔽图案同时重叠至少二转接线以及对应的扫描线。
17.在本发明的一实施例中，上述的各屏蔽图案连接第一屏蔽导线以及第二屏蔽导线。
18.在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括虚设数据线，其中至少二转接线位于第一数据线与虚设数据线之间。
19.在本发明的一实施例中，上述的第一数据线与虚设数据线于侧边区连接。
20.在本发明的一实施例中，上述的显示区还具有非转接线区，非转接线区位于转接线区与周边区之间，于非转接线区，虚设数据线与第二数据线位于像素中的相邻两者之间。
21.在本发明的一实施例中，上述的第二数据线与虚设数据线电连接。
22.在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括多条共用电极线，其中至少二共用电极线位于第二数据线与虚设数据线之间。
23.在本发明的一实施例中，上述的至少二共用电极线与至少二转接线的数量相同。
24.为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
25.图1是本发明一实施例的显示装置10的上视示意图；
26.图2是图1中区域i的放大图；
27.图3是本发明一实施例的显示装置20的上视示意图；
28.图4a是本发明一实施例的显示装置30的上视示意图；
29.图4b是图4a的显示装置30的区域v的放大示意图；
30.图4c是沿图4b的剖面线a
‑
a’所作的剖面示意图；
31.图5是图4a的显示装置30于如图1所示的区域ii的放大图；
32.图6是图4a的显示装置30于如图1所示的区域iii的放大图；
33.图7是图4a的显示装置30于如图1所示的区域iv的放大图；
34.图8a是本发明一实施例的显示装置40的上视示意图；
35.图8b是沿图8a的剖面线b
‑
b’所作的剖面示意图；
36.图8c是沿图8a的剖面线c
‑
c’所作的剖面示意图；
37.图9是本发明一实施例的显示装置50的剖面示意图。
38.符号说明
39.10、20、30、40、50：显示装置
40.a
‑
a’、b
‑
b’、c
‑
c’：剖面线
41.aa：显示区
42.bf：缓冲层
43.bp：绝缘层
44.ca1、ca2：中央区
45.ch：半导体层
46.cl、cl1、cl2：共用电极
47.cm1、cm2、cm3、cm4：共用电极线
48.d1：第一方向
49.d2：第二方向
50.dc：驱动电路
51.ddl：虚设数据线
52.de：漏极
53.dl、dl1、dl2：数据线
54.ea1、ea2：侧边区
55.g1、g2、g3、g4、gn：转接线
56.ge：栅极
57.gi：栅极绝缘层
58.gl、gl1：扫描线
59.i、ii、iii、iv、v、vi：区域
60.m0、m1、m2、m3、m4：导电层
61.ml1、ml2、ml3：导线
62.na：周边区
63.nta：非转接线区
64.o2、o4：开口
65.p1：导电图案
66.p2：导电图案
67.pe：像素电极
68.pv：钝化层
69.px、px1、px2：像素
70.s1、s2、s3、s4、s5、s6、s7、sn：屏蔽导线
71.s21、s22、s41、s42：子导线
72.sb：基板
73.se：源极
74.sm：屏蔽图案
75.sm1、sm2：屏蔽区块
76.sp：子像素
77.sw：开关元件
78.ta：转接线区
79.v1、v2、v3、v4、v5、v6：通孔
具体实施方式
80.图1是本发明一实施例的显示装置10的上视示意图。图2是图1中区域i的放大图。显示装置10具有周边区na以及显示区aa。显示装置10包括多条数据线dl、多条扫描线gl、多条转接线gn、多个像素px以及多条屏蔽导线sn。多条数据线dl自周边区na延伸进入显示区aa，其中数据线dl沿着第一方向d1延伸。多条扫描线gl位于显示区aa，且沿着第二方向d2延伸，其中第二方向d2交错于第一方向d1。多条转接线gn自周边区na延伸进入显示区aa，且分别电连接至扫描线gl。多个像素px分别电连接至扫描线gl以及数据线dl，其中数据线dl1以及至少二转接线gn位于多个像素px中的相邻两个像素px之间。多条屏蔽导线sn中的屏蔽导线s1位于数据线dl1与转接线gn之间，屏蔽导线s2位于相邻的两条转接线gn之间。
81.在本实施例中，利用屏蔽导线s1来隔开转接线gn与数据线dl1，以降低转接线gn与数据线dl1之间的电容耦合，从而避免数据线dl1的电位产生变动，而能够使数据线dl1具有稳定的电位。此外，相邻的转接线gn之间的屏蔽导线s2可以使各转接线gn的负载较为相近，以避免显示装置10的亮度不均。
82.以下，配合附图，继续说明显示装置10的各个元件与膜层的实施方式，但本发明不以此为限。
83.请参照图1，在本实施例中，显示装置10的形状为圆形，但本发明不限于此。在一些实施例中，显示装置10可以具有矩形、椭圆形、多角形、或不规则的形状，可以视需要选择显示装置10的形状。
84.显示装置10可以具有周边区na以及显示区aa，且周边区na围绕显示区aa。在本实施例中，显示装置10还包括位于周边区na的驱动电路dc。在本实施例中，显示装置10为单边驱动，且驱动电路dc位于显示区aa的上侧，但本发明不以此为限。在一些实施例中，显示装置10可为双边驱动，且驱动电路dc可位于显示区aa的上、下两侧或左、右两侧。
85.在本实施例中，显示区aa可以具有转接线区ta以及非转接线区nta，其中转接线区ta为设置有转接线gn的区域，且转接线gn不设置于非转接线区nta。在本实施例中，转接线区ta位于显示区aa的中央区域，且非转接线区nta位于转接线区ta的两侧，但本发明不以此为限，转接线区ta以及非转接线区nta的配置可以视需要进行变更。在本实施例中，转接线区ta可以具有侧边区ea1以及中央区ca1，其中侧边区ea1位于周边区na与中央区ca1之间。另外，非转接线区nta也可以具有侧边区ea2以及中央区ca2，而且侧边区ea2位于周边区na与中央区ca2之间。
86.请同时参照图1与图2，显示装置10包括位于基板sb上的多条数据线dl、多条扫描线gl、多条转接线gn、多个像素px以及多条屏蔽导线sn。数据线dl电连接至驱动电路dc。举例来说，数据线dl电连接至驱动电路dc中的源极驱动元件(未绘出)。数据线dl自周边区na延伸进入显示区aa，位于显示区aa的数据线dl沿着第一方向d1延伸，而位于周边区na的数据线dl可以彼此不平行。
87.扫描线gl位于显示区aa，且沿着交错于第一方向d1的第二方向d2延伸。转接线gn自周边区na延伸进入显示区aa的转接线区ta，且转接线gn的一端分别电连接至扫描线gl，转接线gn的另一端电连接至驱动电路dc，举例来说，转接线gn可电连接至驱动电路dc中的栅极驱动元件(未绘出)。如此一来，转接线gn可分别将来自驱动电路dc的栅极驱动信号传送至对应的扫描线gl。
88.请参照图2，在本实施例中，显示装置10包括多个子像素sp，且每个子像素sp电连接至对应的扫描线gl以及数据线dl。举例来说，每个子像素sp包括开关元件sw以及电连接至开关元件sw的像素电极pe，其中开关元件sw电连接至对应的一条扫描线以及对应的一条数据线。在本实施例中，子像素sp包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素。举例来说，重叠于红色滤光元件(未绘出)的子像素sp为红色子像素，重叠于绿色滤光元件(未绘出)的子像素sp为绿色子像素，重叠于蓝色滤光元件(未绘出)的子像素sp为蓝色子像素。在本实施例中，子像素sp阵列成多个像素px。举例来说，每个像素px包括一个红色子像素、一个绿色子像素以及一个蓝色子像素。在一些实施例中，每个像素px还可以包括其他颜色的子像素。在本实施例中，每个像素px包括三个子像素sp，且每个像素px电连接至一条扫描线以及三条数据线。
89.在转接线区ta，相邻的两个像素px之间可以设置一条数据线dl以及至少二条转接线gn。举例而言，在本实施例中，相邻的两个像素px1、px2之间设置一条数据线dl1以及四条转接线g1～g4。在一些实施例中，相邻的像素px1、px2之间可以设置一条数据线dl1以及三条转接线gn。在一些实施例中，相邻的像素px1、px2之间可以设置一条数据线dl以及五条转接线gn。
90.在本实施例中，数据线dl1位于像素px1与转接线g1之间。显示装置10还可以包括虚设数据线ddl，且转接线g1～g4位于数据线dl1与虚设数据线ddl之间，虚设数据线ddl位于转接线g4与像素px2之间。在本实施例中，数据线dl1、转接线g1～g4以及虚设数据线ddl可以属于相同膜层，但本发明不以此为限。通过设置虚设数据线ddl，数据线dl1与像素px1之间产生的电容耦合可以被虚设数据线ddl与像素px2之间的电容耦合抵消。
91.在转接线区ta的中央区ca1，显示装置10的多条屏蔽导线sn可以分别设置于数据线dl1、转接线g1～g4以及虚设数据线ddl之间。举例而言，在本实施例中，显示装置10包括三条屏蔽导线s1～s3，其中屏蔽导线s1位于数据线dl1与转接线g1之间；屏蔽导线s2位于转接线g2与转接线g3之间；且屏蔽导线s3位于转接线g4与虚设数据线ddl之间，但本发明不以此为限。如此一来，屏蔽导线s1可以将数据线dl1与转接线g1隔开，以减小数据线dl1与转接线g1之间的电容耦合，且屏蔽导线s2与屏蔽导线s3可以使转接线g2～g4的负载与转接线g1相近，而避免亮度不均。
92.图3是本发明一实施例的显示装置20的上视示意图。与如图1至图2的显示装置10相比，如图3所示的显示装置20的不同之处在于：显示装置20包括五条屏蔽导线s1～s5，其中屏蔽导线s1位于数据线dl1与转接线g1之间；屏蔽导线s2位于转接线g1与转接线g2之间；屏蔽导线s3位于转接线g2与转接线g3之间；屏蔽导线s4位于转接线g3与转接线g4之间；且屏蔽导线s5位于转接线g4与虚设数据线ddl之间。在数据线dl1、转接线g1～g4以及虚设数据线ddl中任意两者之间都设置屏蔽导线sn可以全面地均匀化转接线g1～g4的负载，且避免制作工艺中的些微对位偏差导致负载不均的状况更加严重。
93.图4a是本发明一实施例的显示装置30的上视示意图。图4b是图4a的显示装置30的区域v的放大示意图。图4c是沿图4b的剖面线a
‑
a’所作的剖面示意图。与图3的显示装置20相比，如图4a至图4c所示的显示装置30的不同之处在于：屏蔽导线s2具有开口o2，屏蔽导线s4具有开口o4，其中屏蔽导线s2包括子导线s21以及子导线s22，且开口o2位于子导线s21与子导线s22之间；同时屏蔽导线s4包括子导线s41以及子导线s42，且开口o4位于子导线s41
与子导线s42之间。在本实施例中，开口o2、o4可以减小屏蔽导线s2以及屏蔽导线s4与附近的导电层之间的电容，且避免屏蔽导线s2以及屏蔽导线s4与附近的导电层之间发生短路。
94.请同时参照图4b与图4c，在本实施例中，开关元件sw包括栅极ge、半导体层ch、源极se以及漏极de。栅极ge重叠半导体层ch，半导体层ch重叠栅极ge的区域可视为开关元件sw的通道区。开关元件sw的源极se与漏极de彼此分离，且源极se与漏极de分别接触半导体层ch。像素电极pe电连接至漏极de。开关元件sw可通过扫描线gl所传递的信号而开启或关闭，并且开关元件sw开启时可将数据线dl上所传递的信号传递给像素电极pe。
95.开关元件sw的源极se与漏极de可以属于相同膜层，而且开关元件sw的源极se、漏极de以及栅极ge的材质可包括导电性良好的金属，例如铝、钼、钛等金属，但本发明不以此为限。为了避免各构件之间发生不必要的短路，在栅极ge与半导体层ch之间设置栅极绝缘层gi，且在形成源极se和漏极de的膜层与像素电极pe之间设置钝化层pv。虽然本实施例中的栅极ge位于半导体层ch下方，使得开关元件sw为底栅极晶体管。然而，在其他实施例中，栅极ge也可以位于半导体层ch上方，使得开关元件sw为顶栅极晶体管。
96.在本实施例中，屏蔽导线s1～s5与像素电极pe属于相同膜层，且屏蔽导线s1～s5的材质包括透明导电材料。在一些实施例中，屏蔽导线s1～s5可以使用合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料、或是上述导电材料的堆叠层，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物或其他合适的氧化物或者是上述至少二者的堆叠层，但本发明不限于此。
97.显示装置30还包括共用电极cl，且屏蔽导线s1～s5分别电连接至共用电极cl，因此，屏蔽导线s1～s5具有与共用电极cl相同的电位。举例而言，在本实施例中，共用电极cl包括共用电极cl1与共用电极cl2，且共用电极cl1与共用电极cl2分别位于扫描线gl的两侧。屏蔽导线s1～s5可以通过导线ml1相互电连接，且导线ml1可通过通孔v1连接至共用电极cl1。另外，导线ml1还可通过通孔v2连接导线ml2，且导线ml2可通过通孔v3、导线ml3以及通孔v4连接共用电极cl2，使得共用电极cl1以及共用电极cl2可连接形成网状电极。如此一来，即使在显示装置30经过异型切割之后，共用电极cl1以及共用电极cl2仍然能够电性电接。
98.图5是图4a的显示装置30于如图1所示的区域ii的放大图。于显示装置30的转接线区ta的侧边区ea1中，虚设数据线ddl与数据线dl1经由导电层m1连接，以使虚设数据线ddl与数据线dl1具有相同电位。在一些实施例中，导电层m1可与扫描线gl属于相同膜层，但本发明不以此为限。在一些实施例中，数据线dl1可以通过导电图案p1连接导电层m1，且虚设数据线ddl可以通过导电图案p2连接导电层m1。导电图案p1以及导电图案p2可以与图4a的显示装置30的屏蔽导线s1～s5属于相同膜层，且屏蔽导线s1～s5未延伸至侧边区ea1，以避免与导电图案p1以及导电图案p2短路。
99.图6是图4a的显示装置30于如图1所示的区域iii的放大图。在本实施例中，在转接线区ta的中央区ca1，转接线g1～g4可以连接四条扫描线gl，其中每条转接线g1～g4各自连接对应的一条扫描线gl。转接线g1～g4连接的四条扫描线gl可以沿着第一方向d1依序排列，但本发明不限于此。另外，在转接线g1～g4连接扫描线gl之处，可以设置屏蔽图案sm。
100.举例而言，在本实施例中，屏蔽图案sm位于数据线dl1以及虚设数据线ddl之间，且屏蔽图案sm可以包括屏蔽区块sm1以及屏蔽区块sm2。
101.在一些实施例中，屏蔽区块sm1连接屏蔽导线s1～s5，且屏蔽区块sm1同时重叠公用电极cl1、公用电极cl2、转接线g1～g4以及扫描线gl1。利用屏蔽区块sm1来覆盖转接线g1～g4，能够避免转接线g1～g4的电场影响邻近的像素电极pe。在一些实施例中，转接线g1可以通过通孔v5连接屏蔽区块sm2，且屏蔽区块sm2可以通过通孔v6连接扫描线gl1。由于通孔v5以及通孔v6为现有制作工艺即可形成，因此，可以免除在转接线g1与扫描线gl1的重叠区域vi形成通孔的制作工艺步骤与光掩模。
102.图7是图4a的显示装置30于如图1所示的区域iv的放大图。在本实施例中，非转接线区nta位于转接线区ta与周边区na之间。于非转接线区nta，相邻的像素之间可设置数据线dl2以及虚设数据线ddl，且数据线dl2与虚设数据线ddl于侧边区ea2电连接。
103.由于非转接线区nta并无设置转接线gn，因此，在非转接线区nta，可在数据线dl2与虚设数据线ddl之间设置多条共用电极线，且共用电极线的数量可与转接线区ta中相邻像素之间的转接线的数量相同，以使非转接线区nta的电容负载与转接线区ta相近。举例而言，在本实施例中，数据线dl2与虚设数据线ddl之间设置四条共用电极线cm1、cm2、cm3、cm4。
104.此外，在数据线dl2与共用电极线cm1之间可设置屏蔽导线s6，且在虚设数据线ddl与共用电极线cm4之间可设置屏蔽导线s7，以降低共用电极线cm1、cm4与数据线dl2、虚设数据线ddl之间的电容耦合，从而避免数据线dl2以及虚设数据线ddl的电位产生变动，而能够使数据线dl2具有稳定的电位。
105.图8a是本发明一实施例的显示装置40的上视示意图。图8b是沿图8a的剖面线b
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b’所作的剖面示意图。图8c是沿图8a的剖面线c
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c’所作的剖面示意图。与图3所示的显示装置20相比，如图8a至图8c所示的显示装置40的不同之处在于：在转接线区ta的中央区ca1，数据线dl1、转接线g1～g4以及虚设数据线ddl属于不同膜层。
106.举例而言，在本实施例中，转接线g1、转接线g3以及虚设数据线ddl属于导电层m0，且数据线dl1、转接线g2以及转接线g4属于导电层m2。因此，转接线g1～g4也属于不同膜层。导电层m0位于基板sb上，导电层m0与导电层m2之间设置缓冲层bf以及栅极绝缘层gi，且钝化层pv位于导电层m2上。通过数据线dl1、转接线g1～g4以及虚设数据线ddl中的任意相邻走线都属于不同膜层，能够排除相邻走线由于制作工艺误差而产生短路的可能性，从而最小化相邻走线之间的间距。
107.请参照图8c，在显示装置40的转接线区ta的侧边区ea1中，虚设数据线ddl与数据线dl1经由导电层m4连接，以使虚设数据线ddl与数据线dl1具有相同电位。
108.图9是本发明一实施例的显示装置50的剖面示意图。与图8b所示的显示装置40相比，如图9所示的显示装置50的不同之处在于：转接线g1、转接线g3以及虚设数据线ddl属于导电层m3，且数据线dl1、转接线g2以及转接线g4属于导电层m2。
109.在本实施例中，栅极绝缘层gi位于基板sb上，导电层m2设置于栅极绝缘层gi上，钝化层pv位于导电层m2与导电层m3之间，且绝缘层bp位于导电层m3上。通过数据线dl1、转接线g1～g4以及虚设数据线ddl中的任意相邻走线都属于不同膜层，能够排除相邻走线由于制作工艺误差而产生短路的可能性，从而最小化相邻走线之间的距离。
110.综上所述，本发明利用屏蔽导线来隔开转接线与数据线，能够降低转接线与数据线之间的电容耦合，而避免数据线的电位产生变动，使得数据线的电位能够保持稳定。此
外，在相邻的转接线之间设置屏蔽导线可以使各转接线的负载相近，而能够避免显示装置的亮度不均。
111.虽然结合以上实施例已公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。