一种有机电致发光器件及制备方法、显示装置与流程

1.本技术一般涉及显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件及制备方法、显示装置。


背景技术：

2.oled(organic light emitting diode，有机发光二极管)器件是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快、易形成柔性结构、视角宽等优点；因此，利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
3.现有oled器件，通常采用底发射(bottom emission)，或顶发射(top emission)结构。而这两种结构各有优缺点。顶发射器件因引入了光学微腔结构，因此正面亮度相较于底发射获得成倍提升，广泛应用于手机等产品。顶发射器件具有的超薄金属电极本身稳定性不足容易被水汽侵蚀，因此对封装要求较高。此外由于发光层靠近作为出光侧的金属阴极，光学损耗也较大。
4.而对于底发射器件来说，因为具有较厚的阴极，其稳定性更好。另外由于出光侧一般在距离发光层更远的非金属阳极，因此光学损耗较小。
5.然而对于底发射结构来说，由于光输出需透过驱动集成背板，因此背板设计的空间较小，开口率较低。加之底发射器件天然具有类朗伯体模式的光输出，器件亮度较顶发射低，因此极少出现在手机、车载等对亮度需求较高的应用场景。


技术实现要素：

6.鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种有机电致发光器件及制备方法、显示装置，可以基于底发射器件实现了高效的微腔发射。
7.第一方面，本技术公开了一种有机电致发光器件，包括基板以及在所述基板上依次形成的光学匹配层、液晶层、缓冲层，其中，所述基板、光学匹配层、液晶层、缓冲层的折射率按低折射率/高折射率依次交替设置。
8.可选地，所述基板的折射率小于所述光学匹配层的折射率，所述光学匹配层的折射率大于所述液晶层的折射率，所述液晶层的折射率小于所述缓冲层的折射率。可选地，所述基板的折射率为1.3～1.6。
9.可选地，所述光学匹配层的折射率为1.7～2.0，所述光学匹配层的厚度为40nm～100nm。
10.可选地，所述液晶层的折射率为1.4～1.7，所述液晶层的厚度为1μm～10μm。
11.还包括在所述缓冲层上依次形成的第一电极、有机功能层、第二电极。
12.进一步地，所述基板、光学匹配层、液晶层、缓冲层、第一电极的折射率按低折射率/高折射率依次交替设置。
13.可选地，所述基板的折射率小于所述光学匹配层的折射率，所述光学匹配层的折
射率大于所述液晶层的折射率，所述液晶层的折射率小于所述缓冲层的折射率，所述缓冲层的折射率大于所述第一电极的折射率。
14.可选地，所述液晶层具有特定手性方向，所述液晶层被配置为入射到所述液晶层的特定波段的自然光，其中50％的自然光被转化为与所述特定手性方向相反的圆偏振光并完全透过，50％的自然光被转化为与所述特定手性方向同向的圆偏振光并完全反射。
15.可选地，所述液晶层与所述发光功能层的关系满足：
16.|ne
‑
no|
×
p≥fwhm
×
2，ne为液晶层的非寻常光折射率，n
o
为液晶层的寻常光折射率，p为手性结构螺距，fwhm为发光功能层中发光客体的光致发光光谱半高全宽。
17.可选地，所述液晶层与所述发光功能层的关系满足：
18.|(no ne)
×
p
‑
2λ|≤20nm，ne为液晶层的非寻常光折射率，n
o
为液晶层的寻常光折射率，p为手性结构螺距，λ为发光功能层中发光客体发射光谱峰值。
19.可选地，所述器件还包括按预设形状设置的光学窗口，所述液晶层在所述光学窗口内的反射率不低于30％，在所述光学窗口以外的透射率不低于85％。
20.可选地，所述缓冲层的折射率为1.7～2.0，所述缓冲层的厚度为40nm～100nm。
21.可选地，所述第一电极的可见光区透过率>85％，所述第一电极的面电阻<20ω/
□
，所述第一电极的厚度为50nm～200nm。
22.可选地，所述第二电极的可见光区间反射率>80％，所述第二电极的面电阻<10ω/
□
，所述第二电极的厚度为100～200nm。
23.可选地，所述器件还包括设置在所述基板背离所述光学匹配层一侧的相位延迟片，所述相位延迟片为四分之一波片。
24.可选地，所述器件还包括设置在所述基板背离所述光学匹配层一侧的防反射膜，所述防反射膜包括四分之一波片和线偏振片，四分之一波片的光轴方向与线偏振片偏振方向的夹角为45
°
或135
°
。
25.可选地，所述基板为四分之一波相位延迟基板。
26.进一步地，所述有机功能层包括：发光层、位于所述发光层和所述第一电极之间的空穴注入层、位于所述发光层和所述第二电极之间的电子注入层。
27.进一步地，所述有机功能层还包括：位于所述空穴注入层和所述发光层之间的空穴传输层、发光调整层，位于所述电子注入层和所述发光层之间的空穴阻挡层、电子传输层。
28.第二方面，本技术提供了一种显示装置，包括如以上任一所述的有机电致发光器件。
29.第三方面，本技术提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括：
30.提供基板；
31.在所述基板上形成光学匹配层；
32.在所述光学匹配层上形成液晶层，包括：通过涂覆含有光聚合特性的相列向单体及特性方向手性剂的混合物，经过光固化形成具有特定手性方向的所述液晶层；或者，通过直接涂覆具有固定手性特征的聚合物材料形成所述液晶层；或者通过将预先制备好的液晶膜通过粘合贴附的方式在所述光学匹配层上形成所述液晶层；
33.在所述液晶层上形成缓冲层；
34.在所述缓冲层上依次形成第一电极、有机功能层、第二电极。
35.本技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
36.本技术实施例提供的有机电致发光器件，通过在透明阳极和基板之间设置液晶层，通过调制液晶层的折射率实现半透射半反射的阳极效果，基于底发射器件实现了高效的微腔发射；同时该结构器件出射光线具有显著的圆偏振特性，可极大降低防反射膜的光学损失，提高户外可见性；另外搭配相位延迟技术，还可成为高亮度的线偏振光源。
附图说明
37.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
38.图1为本技术的实施例提供的一种有机电致发光器件的结构示意图；
39.图2为本技术的实施例提供的另一种有机电致发光器件的结构示意图；
40.图3为本技术的实施例提供的一种有机电致发光器件的光学示意图；
41.图4为本技术的实施例提供的一种有机电致发光器件的波长和透射率的关系示意图。
具体实施方式
42.下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
43.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
44.胆甾相液晶在显示技术中十分有用，他大量用于向列相液晶的添加剂，可以引导液晶在液晶盒内沿面180
°
、270
°
等扭曲排列，形成超扭曲(stn)显示。
45.胆甾相是因其来源于胆甾醇衍生物而得名的，此类液晶分子呈扁平状，排列成层，层内分子相互平行，分子长轴平行于层平面，不同层的分子长轴方向稍有变化，沿层的法线方向排列成螺旋状结构。胆甾相液晶的螺纹距约为300nm，与可见光波长同一量级，这个螺旋距会随外界温度、电场条件不同而改变，因此可用调节螺距的方法对外界光进行调制。
46.近年来，人们利用胆甾相液晶的旋光性、选择性、光散射性、圆偏振二色性等特性开发出了多种新型显示器件。
47.请详见图1，本技术公开了一种有机电致发光器件，包括基板100以及在所述基板100上依次形成的光学匹配层200、液晶层300、缓冲层400，其中，所述基板100、光学匹配层200、液晶层300、缓冲层400的折射率按低折射率/高折射率依次交替设置。
48.本技术实施例中，基板100简写为glass，光学匹配层200简写为cpl层，液晶层300简写为clc层，缓冲层400(buffer layer)简写为bl层，第一电极500为阳极，在以下实施例中，通过ito代表为阳极。
49.从折射率匹配角度看glass/cpl/clc/bl/ito，具有明显的“低折射率/高折射率”交替的类周期性变化，该种结构有利于光的耦合输出。具体地，所述基板100的折射率小于所述光学匹配层200的折射率，所述光学匹配层200的折射率大于所述液晶层300的折射率，
所述液晶层300的折射率小于所述缓冲层400的折射率。
50.需要说明的是，本技术将液晶层300应用在有机发光电致器件(以下简称oled显示装置)中，与以液晶显示为代表的非发光型的显示装置不同，不需要背光等辅助光源。有机发光电致器件中，发光层的光是从单侧的表面取出，目前oled的出光方式包括顶发射和底发射，通常在取光的一侧采用透光性的透明电极，而在另一侧电极中采用具有反光性的反射电极。
51.目前，现有技术中对于顶发射元件，常采用微腔效应，当器件的发光区位于一个全反射膜和半反射膜构成的谐振腔内，腔长与光波的波长在同一数量级时，特定波长的光会得到选择和加强，光谱发生窄化，此为微腔效应。
52.具体地，本技术实施例中所述有机电致发光器件还包括在所述缓冲层上依次形成的第一电极500、有机功能层600、第二电极700。
53.其中，所述基板100、光学匹配层200、液晶层300、缓冲层400、第一电极500的折射率按低折射率/高折射率依次交替设置。所述基板100的折射率小于所述光学匹配层200的折射率，所述光学匹配层200的折射率大于所述液晶层300的折射率，所述液晶层300的折射率小于所述缓冲层400的折射率，所述缓冲层400的折射率大于所述第一电极500的折射率。
54.本技术实施例中，oled器件采用的是底发射的方式，其中采用第一电极500采用透明材料(例如ito)，第二电极700选用不透明材料(例如金属材料)，通过在阳极位置处的设置有液晶层300，clc/ito就形成了半透射半反射的阳极，由于阴极和阳极对光的透射、反射特性，使得有机发光功能层600发出的光在第一电极500层和第二电极700层之间往复反射，形成微腔效应。微腔效应能使谐振波长得到加强，提高了oled器件的色纯度和发光效率。微腔长度，即是指两个具有光反射功能的层结构之间距离。
55.本技术实施例中，第一电极500选用透明材料，第二电极700采用不透明全反射材料，在第一电极500上方设置可以用于反射的液晶层300，因此，发光层发出的光在第二电极700和液晶层300之间往复反射，形成微腔效应。并且，全第二电极700和液晶层300之间的距离定义了微腔长度。
56.示例性的，所述基板100的折射率为1.3～1.6。所述光学匹配层200的折射率为1.7～1.9，所述光学匹配层200的厚度为40nm～100nm。所述液晶层300的折射率为1.4～1.7，所述液晶层300的厚度为1μm～10μm。
57.在本技术实施例中，所述液晶层300采用胆甾相液晶，具有特定手性方向，所述液晶层300被配置为入射到所述液晶层300的特定波段的自然光，其中50％的自然光被转化为与所述特定手性方向相反的圆偏振光并完全透过，50％的自然光被转化为与所述特定手性方向同向的圆偏振光并完全反射。
58.需要说明的是，所述液晶层300的螺距可以根据需要设定，使得所述涂层组中的液晶层300的反射波长可以通过设定不同螺距的液晶层300设定，以达到不同的反射效果。在具体设置时，液晶层300的折射率可以通过叠加具有不同旋光方向的液晶层300。本技术不限于对同一层液晶层300采用不同旋光方向的材料进行混合制备，或者采用不同分子层的液晶层300进行叠加，以获得所述液晶层300的折射率。
59.胆甾相液晶分子呈扁平状，排列成层，层内分子相互平行，分子长轴平行于层平面，不同层的分子长轴方向稍有变化，沿层的法线方向排列成螺旋状结构。该螺旋状结构呈
左旋或右旋。按照螺旋状结构的旋向可以将液晶层300分为左旋液晶层300和右旋液晶层300。
60.胆甾液晶包含许多层分子，每层分子的排列方向相同，但相邻两层分子排列方向稍有旋转，层层叠成螺旋结构，当分子的排列旋转了360度而又回到原来的方向时，在分子排列完全相同的两层间的距离称胆甾液晶的螺距。根据实际需要，可以在胆甾液晶中添加手性剂等改变螺距。
61.液晶层300可以包含多种螺距不同的胆甾相液晶，还可以包括螺距单一的胆甾相液晶，具体根据实际情况而定。若入射光的波长与胆甾相液晶的螺距一致，则胆甾相液晶允许与其旋向相同的入射光透过，并将与其旋向相反的入射光反射。若入射光的波长与胆甾相液晶的螺距不一致，则胆甾相液晶允许全部入射光透过。因此，可以通过调节螺距来改变对于入射光的反射或透射情况。
62.在具体设置时，所述液晶层300与所述发光功能层的关系满足：
63.|ne
‑
no|
×
p≥fwhm
×
2，ne为液晶层300的非寻常光折射率，n
o
为液晶层300的寻常光折射率，p为手性结构螺距，fwhm为发光功能层中发光客体的光致发光光谱半高全宽。
64.另外，所述液晶层300与所述发光功能层的关系还满足：
65.|(no ne)
×
p
‑
2λ|≤20nm，ne为液晶层300的非寻常光折射率，n
o
为液晶层300的寻常光折射率，p为手性结构螺距，λ为发光功能层中发光客体发射光谱峰值。
66.在本技术实施例中，所述器件还包括按预设形状设置的光学窗口，所述液晶层300在所述光学窗口内的反射率不低于30％，在所述光学窗口以外的透射率不低于85％。
67.示例性的，所述缓冲层400的折射率为1.7～2.0，所述缓冲层400的厚度为40nm～100nm。所述第一电极500的可见光区透过率>85％，所述第一电极500的面电阻<20ω/
□
，所述第一电极500的厚度为50nm～200nm。所述第二电极700的可见光区间反射率>80％，所述第二电极700的面电阻<10ω/
□
，所述第二电极700的厚度为100～200nm。
68.如图2所示，在本技术的一个实施例中，所述器件还包括设置在所述基板100背离所述光学匹配层200一侧的相位延迟片900，所述相位延迟片为四分之一波片。本技术实施例中通过采用该波片的相位延迟特征波长与发光层光谱峰位对应波长一致，就衍生出一种高亮度的线偏振光源。
69.在本技术的再一个实施例中，所述基板100为四分之一波相位延迟基板100。本技术实施例中通过采用该波片的相位延迟特征波长与发光层光谱峰位对应波长一致，就衍生出一种高亮度的线偏振光源。
70.在本技术的另一个实施例中，所述器件还包括设置在所述基板100背离所述光学匹配层200一侧的防反射膜901，所述防反射膜包括四分之一波片91和线偏振片92，四分之一波片91的光轴方向与线偏振片92偏振方向的夹角为45
°
或135
°
。
71.一般在波片中定义快轴或者慢轴两个方向，偏振方向沿快轴的光传播速度较快，与该快轴垂直的方向即为慢轴，即偏振方向沿慢轴的光传播速度较慢。
72.如图3所示，oled器件发出的自然光线经液晶层300调制，成为圆偏光。本技术中通过设置的四分之一波片91，使得通过液晶层300的圆偏振光通过相位延迟变为线偏振光而出射。
73.线偏振片92只允许偏振方向平行于该线偏振片的透过轴的光线通过，同时过滤掉
垂直于该透过轴方向振动的光线。这里透过轴也可称为偏光轴。线偏光的偏正方向与防反膜偏振片的透过方向一致，则光可以无损耗的透过。
74.在本技术实施例中，所述有机功能层600包括：发光层40、位于所述发光层40和所述第一电极500之间的空穴注入层10、位于所述发光层40和所述第二电极700之间的电子注入层70。其中，所述有机功能层600还包括：位于所述空穴注入层10和所述发光层40之间的空穴传输层20、发光调整层30，位于所述电子注入层70和所述发光层40之间的空穴阻挡层50、电子传输层60。
75.在本技术实施例中，有机功能层600的上方为封装层800，可以为框胶方式封装，也可以是薄膜封装(tfe)。
76.在本技术实施例中，每一所述oled单元均包括三个子像素单元，r子像素单元、g子像素单元、b子像素单元，对应地分别包括红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件，各所述子像素单元由下至上至少包括空穴注入层10(hole inject layer；hil)、空穴传输层20(hole transport layer；htl)、发光调整层30(emittingprime layer)、发光层60(emitting layer；eml)、空穴阻挡层50(hole blocking layer；hbl)、电子传输层60(electron transport layer；etl)、电子注入层70(electron inject layer；eil)。
77.oled单元的第一电极500和第二电极700，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从第二电极700和第一电极500注入到电子注入层70和空穴注入层10，电子和空穴分别经过电子传输层60和空穴传输层20迁移到发光层40，并在发光层40中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
78.不同色光的本征反射波长不同，不同色光所需的微腔长度也不同。在制作有机发光显示面板(以下简称为oled显示面板)时，通常需要根据各像素所发光色来调整微腔的腔长。
79.较长的微腔腔长可以对较长波长的色光进行增强，而较短的微腔腔长则可以对较短波长的色光进行增强。r(red，红)、g(green，绿)、b(blue，蓝)三色的oled显示面板时，蓝光波长450～480nm、绿光波长500nm～560nm、红光波长605～700nm。因此，在具体应用时，蓝色对应的微腔长度＜绿色对应的微腔长度＜红色对应的微腔长度。
80.因此，本技术实施例在rgb子像素单元中，对应的所述发光元件包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，所述红色发光层到所述液晶层300之间的距离、所述绿色发光层到所述液晶层300之间的距离、所述蓝色发光层到所述液晶层300之间的距离依次递减。
81.在具体设置时，可以通过控制发光调整层的高度来实现。对于每种颜色对应的发光调整层的高度，本技术并不进行限制，在具体应用时，根据不同的显示装置的色域等具体调整。
82.在本技术实施例中，虽然对每个像素的描述为包括r子像单元、g子像素单元和b子像素单元，但是本发明不限于此。子像素的颜色还可以描述为第一颜色、第二颜色和第三颜色，第一颜色、第二颜色和第三颜色也可以是青色、品红色和黄色。此外，像素可以包括白色子像素。
83.薄膜封装(thin
‑
film encapsulation,tfe)，这一层的主要作用是为了防止湿气和氧气渗透到器件影响器件的寿命。薄膜封装层为cvd制备的sinx，sinox等无机层，无机层可以为单层或多层，多层无机物之间的有机物可以由喷墨打印的ijp的方法制备。
84.另一方面，本技术提供了一种显示装置，包括如以上任一所述的有机电致发光器件。
85.在一个或多个示例性实施例，所述显示装置，可应用于计算机监视器、笔记本电脑、数码相机、蜂窝电话、智能电话、智能焊盘、电视机、个人数字助理、便携式多媒体播放器、播放器、导航系统、游戏机、视频电话等。
86.本技术还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括：
87.提供基板100；所述基板100为刚性基板100或柔性基板100，其中，所述刚性基板100的材质可为透明玻璃、透明塑料等，所述柔性基板100的材质可为聚酰亚胺(pi)、聚醚砜(pes)、聚碳酸脂(pc)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、多芳基化合物(par)、玻璃纤维增强塑料(frp)等聚合物材料，基板100的折射率在1.3～1.6之间。
88.在所述基板100上形成光学匹配层200；可以利用pvd等工艺在基板100上沉积sion或sin等材料形成，对该层的折射率要求在1.7～2.0之间。厚度可以在40nm～100nm之间。
89.在所述光学匹配层200上形成液晶层300，包括：通过涂覆含有光聚合特性的相列向单体及特性方向手性剂的混合物，经过光固化形成具有特定手性方向的所述液晶层300；或者，通过直接涂覆具有固定手性特征的聚合物材料形成所述液晶层300；或者通过将预先制备好的胆甾相液晶膜通过粘合贴附的方式在所述光学匹配层200上形成所述液晶层300；该层折射率应在1.4～1.7之间，厚度可以在1μm～10μm之间。
90.在所述液晶层300上形成缓冲层400；缓冲层400一般为无机材料，可以放置制备ito工艺时磁控设备对clc层的破坏。该层具有较高折射率，有利于光从ito的耦合输出，减少波导模式。该层可以利用pvd等工艺在基板100上沉积sion或sin等材料形成，对该层的折射率要求在1.7～2.0之间。厚度可以在40nm～100nm之间。
91.在所述缓冲层400上依次形成第一电极500、有机功能层600、第二电极700。
92.第一电极500为透明电极，可以由例如ito、izo、zno或in2o3形成。通过磁控溅射等工艺，在缓冲层400上沉积ito，或izo等，并通过退火工艺，形成具有高透过率高电导性的透明电极。一般要求可见光区透过率>85％，面电阻<20ω/口。厚度可以在50nm～200nm之间。
93.第二电极700为反射电极，可以包括例如由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或其混合物形成的反射层，通过真空沉积的方式制备。可见光区间反射率>80％，面电阻<10ω/口，参考厚度100～200nm。
94.有机功能层600包括从下至上依次设置的空穴注入层10(hole inject layer；hil)、空穴传输层20(hole transport layer；htl)、发光调整层30(emitting prime layer)、发光层40(emitting layer；eml)、空穴阻挡层50(hole blocking layer；hbl)、电子传输层60(electron transport layer；etl)、电子注入层70(electron inject layer；eil)。
95.具体地，空穴注入层可以是咔唑类材料掺杂p型掺杂剂形成，htl和prime材料一般为咔唑类材料等。发光层一般包含负责电荷传输的主体和负责发光的客体。发光颜色及光谱特性主要由客体决定。特殊的如果为延迟荧光体系，该发光层还可以包含具有延迟荧光特性的敏化剂。空穴阻挡层和电子传输层材料可以为吖嗪，咪唑等衍生物。电子注入层可以是liq,li,ca,yb等材料的超薄层(<2nm)。
96.本技术中，在显示技术领域中，图案化工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺
以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的图案化工艺。
97.在本技术实施例中，液晶层300的参数如下表1所示。
[0098] pnenog
‑
clc345nm1.621.44
[0099]
在本技术实施例中，本器件各层的材料、厚度及折射率如下表2所示。
[0100] 材料折射率厚度基板100glass1.46500μmbl层sinx1.831μmclc层聚合物稳定液晶1.537μmcpl层sion1.750.8μm
[0101]
通过本技术实施例中提供的有机电致反光器件和对比实施例中的各器件进行驱动，在各实验中通过固定电流密度进行驱动，获得的实验结果如下表3所示。其中，ito为阳极，glass代表基板100，ar代表防反射膜，sion代表光学匹配层200，g
‑
clc代表液晶层300，sinx代表缓冲层400。
[0102]
阳极结构split(固定电流密度驱动)正面亮度色坐标fwhmel peak
…
/ito/glass6350nits0.352，0.62462531.../ito/glass/ar2730nits0.352，0.62462531
…
/ito/sinx/g
‑
clc/sion/glass11350nits0.251，0.70830530.../ito/sinx/g
‑
clc/sion/glass/ar10800nis0.251，0.70830530
[0103]
利用ito/clc复合阳极结构器件，530nm处透射率46％左右(如图4所示)，反射率估算在50％以上，该电极具有明显的半透半反射特征。
[0104]
通过调整缓冲层400厚度，固定电流下，器件表现出优良的微腔谐振发光特征，器件fwhm变窄，色纯度提高，且正视角下亮度有极大提升。同时采用复合电极结构的器件具有明显的圆偏振特征，在施加ar膜后光损失极小(<5％)，与普通底发射器件在ar下的损耗(57％)形成了鲜明对比。因此本提案所述器件相比于普通oled底发射器件，具有与抗反射膜兼容性更好的特点。
[0105]
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0106]
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0107]
除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本
发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。
[0108]
本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。