一种显示面板及显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode,oled)显示面板由于具备自发光、不需要背光源、对比度高、色域宽、厚度薄、反应速度快和可用于柔性面板等优点，特别是顶发射的oled显示面板由于具有开口率高等优势，被认为是下一代平面显示新型技术。
3.为实现全面屏，屏下摄像头技术成为屏幕技术的焦点。目前实现屏下摄像头的方案主要从像素电路设计，阴极图形化，偏光片局部去除等等。
4.以上这些方案都无法回避oled阳极/阴极两侧皆不透光(即发光像素区不透光)的问题。现有的oled的阳极为不透明电极，而阴极则为半透明电极，透射率一般为40％～60％。导致大量光线无法射出。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种显示面板及显示装置，旨在提高摄像头区光线的透射率。
6.一方面，本发明提供一种显示面板，包括：
7.基板，所述基板包括显示区和摄像头区；
8.位于所述基板上且位于所述显示区的第一发光组件；
9.位于所述基板上且位于所述摄像头区的第二发光组件，所述第二发光组件包括依次位于所述基板上的第一电极层、发光层和第二电极层；
10.其中，所述第二电极层为透明电极。
11.进一步优选的，所述第一电极层为阴极，所述第二电极层为阳极；所述发光层包括依次位于所述第一电极层上的电子注入层、电子传输层、像素层、空穴传输层和空穴注入层。
12.进一步优选的，所述第一电极层为阳极，所述第二电极层为阴极；所述发光层包括依次位于所述第一电极层上的空穴注入层、空穴传输层、像素层、电子传输层和第一电子注入层。
13.进一步优选的，所述发光层还包括位于所述第一电子注入层上的金属层和位于所述金属层上的第二电子注入层。
14.进一步优选的，所述第一电极层为透明电极。
15.进一步优选的，所述第一发光组件包括依次位于所述基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、像素层、电子传输层和电子注入层。
16.进一步优选的，所述第二电极层包括：
17.位于所述发光层上的保护层；
18.位于所述保护层上的氧化铟锡层。
19.进一步优选的，所述保护层的厚度小于等于20nm。
20.进一步优选的，还包括：
21.位于所述基板和所述第一发光组件之间且位于所述显示区的第一薄膜晶体管层；
22.位于所述基板和所述第二发光组件之间且位于所述摄像头区的第二薄膜晶体管层。
23.另一方面，本发明提供一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。
24.本发明的有益效果是：提供一种显示面板及显示装置，包括基板和位于所述基板上的第一发光组件和第二发光组件，所述基板包括显示区和摄像头区，所述第一发光组件位于所述显示区，所述第二发光组件位于所述摄像头区。其中，所述第二发光组件包括依次位于所述基板上的第一电极层、发光层和第二电极层，且所述第二电极层为透明电极，因此能够提高摄像头区光线的透射率。
附图说明
25.下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
26.图1是本发明第一实施例提供的显示面板的结构示意图；
27.图2是本发明第二实施例提供的显示面板的结构示意图；
28.图3是本发明第三实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
29.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
30.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
31.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
32.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以
意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
33.请参阅图1，图1是本发明第一实施例提供的显示面板100的结构示意图。该显示面板100包括基板110和位于所述基板110上的第一发光组件120和第二发光组件130。所述基板110包括显示区111和摄像头区112，所述第一发光组件120位于所述显示区111，所述第二发光组件130位于所述摄像头区112。其中，所述第二发光组件130包括依次位于所述基板110上的第一电极层131、发光层132和第二电极层133，且所述第二电极层133为透明电极。
34.在本实施例中，所述第一电极层131作为阴极，第二电极层133作为阳极，所述发光层132包括依次位于所述第一电极层131上的电子注入层、电子传输层、像素层、空穴传输层和空穴注入层。由于作为阳极的第二电极层133位于最上面，电流从上往下流入，因此该显示面板100的第二发光组件130适合nmos驱动。
35.在本实施例中，所述第一发光组件120包括依次位于所述基板110上的阳极121、发光材料层122(包括空穴注入层、空穴传输层、像素层、电子传输层、电子注入层)和位于所述电子注入层上的阴极123，因此第二发光组件130中的各层与第一发光组件120的各层是上下倒置的。由于第一发光组件120的阴极123位于阳极121的上方，电流从下向上流入，因此第一发光组件120适合pmos驱动。
36.其中，阳极与器件外加驱动电压的正极相连，阳极中的空穴会在外加驱动电压的驱动下向器件中的像素层移动。空穴注入层能够对器件的阳极进行修饰，并可以使来自阳极的空穴顺利的注入到空穴传输层。空穴传输层用于将空穴运输到像素层。发光层还可以包括电子阻挡层，电子阻挡层会把来自阴极的电子阻挡在器件的像素层界面处，增大器件像素层界面处电子的浓度。像素层为器件电子和空穴再结合形成激子然后激子退激发光的地方。发光层还可以包括空穴阻挡层，空穴阻挡层会将来自阳极的空穴阻挡在器件像素层的界面处，进而提高器件像素层界面处电子和空穴再结合的概率，增大器件的发光效率。电子传输层用于将来自阴极的电子传输到器件的像素层中。电子注入层起对阴极修饰及将电子传输到电子传输层的作用。阴极中的电子会在器件外加驱动电压的驱动下向器件的像素层移动，然后在像素层与来自阳极的空穴进行再结合。像素层可以包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，所述红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素都为有机发光材料。
37.在本实施例中，第一发光组件120的阳极121可以采用不透明的ito/ag/ito叠层结构，第一发光组件120的阴极123可以采用半透明的ag或mg:ag合金。第二发光组件130的第二电极层133(阳极)可以采用完全透明的ito或izo或其他一些透明电极，第一电极层131(阴极)可以采用可透光的ag或mg或镁银合金。
38.在本实施例中，第二电极层133可以包括位于所述发光层132上的保护层(图中未示出)，以及位于所述保护层上的氧化铟锡层(ito)。保护层可以为有机或无机材料，例如mo3或并五苯，所述保护层可以采用蒸镀的方法形成在空穴注入层上，蒸镀厚度小于等于20nm，氧化铟锡层可以采用溅镀的方法形成在保护层上，溅镀的厚度为
39.该显示面板100还可以包括位于所述基板110和所述第一发光组件120之间且位于所述显示区111的第一薄膜晶体管层140，以及位于所述基板110和所述第二发光组件130之间且位于所述摄像头区112的第二薄膜晶体管层150。优选的，第二发光组件130的第一电极层131(阴极)可以与第二薄膜晶体管一起制备，容易图案化。
40.本发明第一实施例提供的显示面板100，将摄像头区112的第二发光组件130的第
二电极层133(阳极)设置为透明电极，倒置的第二发光组件130的阳极在上面不需要起发射作用，所以可以不用ag，只用透明的ito即可。由于ito具有高透特性(透射率为90％～95％)，可以大大提高摄像头区112可见光的透射率，以增强拍照效果。
41.请参阅图2，图2是本发明第二实施例提供的显示面板200的结构示意图，该显示面板200包括基板210和位于所述基板210上的第一发光组件220和第二发光组件230。所述基板210包括显示区211和摄像头区212，所述第一发光组件220位于所述显示区211，所述第二发光组件230位于所述摄像头区212。其中，所述第二发光组件230包括依次位于所述基板210上的第一电极层231、发光层232和第二电极层233，且所述第二电极层233为透明电极。
42.在本实施例中，所述第一电极层231作为阳极，第二电极层233作为阴极，所述发光层232包括依次位于所述基板210上的空穴注入层、空穴传输层、像素层、电子传输层和电子注入层。所述第一发光组件220包括依次位于所述基板210上的阳极221、发光材料层222(包括空穴注入层、空穴传输层、像素层、电子传输层和电子注入层)和阴极223。由于第一发光组件220和第二发光组件230的阴极都位于阳极的上方，电流从下向上流入，因此都适合pmos驱动。
43.该显示面板200与第一实施例提供的显示面板100的区别在于第二发光组件230的第一电极层231作为阳极，第二电极层233作为阴极，即阳极在下，阴极在上。
44.其中，第一电极层231(阳极)可以采用不透光的ito/ag/ito叠层结构，第二电极层233(阴极)为透明电极，比如ito。
45.优选的，为了保证发光效果，可以在第一电子注入层和第二电极层233之间增加金属层和第二电子注入层，即发光层232还可以包括位于所述第一电子注入层上的金属层和位于所述金属层上的第二电子注入层。所述金属层可以为al或mg：ag(1:9)合金，所述金属层的厚度可以为2nm。
46.该显示面板200还可以包括位于所述基板210和所述第一发光组件220之间且位于所述显示区211的第一薄膜晶体管层240，以及位于所述基板210和所述第二发光组件230之间且位于所述摄像头区212的第二薄膜晶体管层250。
47.本发明第二实施例提供的显示面板200中，第二电极层233(阴极)采用透明电极，可以提高阴极的光线透过率，提高第二发光组件230的光线透过率。另外，由于第一发光组件220和第二发光组件230都适合pmos驱动，因此有利于显示区211和摄像头区212使用相同的驱动方案。
48.请参阅图3，图3是本发明第三实施例提供的显示面板300的结构示意图，该显示面板300包括基板310和位于所述基板310上的第一发光组件320和第二发光组件330。所述基板310包括显示区311和摄像头区312，所述第一发光组件320位于所述显示区311，所述第二发光组件330位于所述摄像头区312。其中，所述第二发光组件330包括依次位于所述基板310上的第一电极层331、发光层332和第二电极层333，且所述第二电极层333为透明电极(比如ito)。
49.在本实施例中，所述第一电极层331作为阳极，第二电极层333作为阴极，所述发光层332包括依次位于所述基板310上的空穴注入层、空穴传输层、像素层、电子传输层和电子注入层。所述第一发光组件320包括依次位于所述基板310上的阳极321、发光材料层322(包括空穴注入层、空穴传输层、像素层、电子传输层和电子注入层)和阴极323。由于第一发光
组件320和第二发光组件330的阴极都位于阳极的上方，电流从下向上流入，因此都适合pmos驱动。
50.该显示面板300与第二实施例提供的显示面板200的区别在于第一电极层331也采用透明电极，比如ito或izo等高透射率的金属层，这样第一电极层331和第二电极层333都为透明电极，可以进一步提高摄像头区312的透光率。
51.该显示面板300还可以包括位于所述基板310和所述第一发光组件320之间且位于所述显示区311的第一薄膜晶体管层340，以及位于所述基板310和所述第二发光组件330之间且位于所述摄像头区312的第二薄膜晶体管层350。
52.本发明第三实施例提供的显示面板300，将第一电极层331和第二电极层333都设置为透明电极，形成全透明的第二发光组件330，可大大提高屏下摄像头区312的透射率。
53.本发明实施例还提供一种包括上述任一种显示面板的显示装置，因此该显示装置具有与上述任一种显示面板相同的有益效果，在此不再赘述。
54.以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。