半导体结构及半导体结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；位于衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构侧壁；位于介质层内的开口，所述开口沿垂直于栅极结构延伸方向贯穿所述栅极结构；位于开口内第一隔离层，所述第一隔离层顶部表面低于所述栅极结构顶部表面。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氮化硅。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述开口内的第二隔离层，且所述第二隔离层位于第一隔离层上；所述第二隔离层的材料与所述第一隔离层的材料不同，所述第二隔离层的材料与介质层的材料相同。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括基底和位于基底上的若干鳍部结构；所述栅极结构横跨若干所述鳍部结构；所述第一隔离层位于相邻的鳍部结构之间。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于栅极结构两侧的鳍部结构内的源漏掺杂区；位于介质层内的金属层，所述金属层与栅极结构一侧的源漏掺杂区电连接，且所述金属层位于所述第一隔离层上。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层与所述栅极结构平行。7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成伪栅极结构；在衬底上形成介质层，所述介质层位于所述伪栅极结构侧壁，且所述介质层暴露出所述伪栅极结构顶部表面；在介质层内形成开口，所述开口沿垂直于初始伪栅极结构延伸方向贯穿所述伪栅极结构；在所述开口内形成第一隔离层，所述第一隔离层顶部表面低于所述伪栅极结构顶部表面。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氮化硅。9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的形成方法包括：在开口内形成第一隔离材料层；回刻蚀所述第一隔离材料层，直至暴露出所述伪栅极结构侧壁，使得所述第一隔离层的顶部表面低于所述伪栅极结构顶部表面。10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一隔离层之后，还包括：在所述第一隔离层上形成第二隔离层，所述第二隔离层位于所述开口内；所述第二隔离层的材料与所述第一隔离层的材料不同，所述第二隔离层的材料与介质层的材料相同。11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化硅。12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底和位于基底上的若干鳍部结构；所述伪栅极结构横跨若干所述鳍部结构。
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成伪栅极结构之后，形成介质层之前，还包括：在所述伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成源漏掺杂区。14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二隔离层之后，还包括：去除部分所述第二隔离层和介质层，在介质层内形成凹槽，所述凹槽暴露出伪栅极结构一侧的源漏掺杂区表面和第一隔离层表面；在凹槽内形成金属层，所述金属层与伪栅极结构一侧的源漏掺杂区电连接。15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除部分所述第二隔离层和介质层形成凹槽之前，还包括：去除所述伪栅极结构，在介质层内形成栅极开口；在栅极开口内形成栅极结构，所述栅极结构包括有效栅极结构和无效栅极结构。16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除部分所述第二隔离层和介质层形成凹槽之前，还包括：去除所述无效栅极结构。17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述无效栅极结构的工艺包括湿法刻蚀工艺。18.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层与所述伪栅极结构平行。19.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层的形成方法包括：在第一隔离层上和介质层上形成第二隔离材料层；平坦化所述第二隔离材料层，直至暴露出所述介质层表面，形成所述第二隔离层。20.如权利要求19所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二隔离材料层的工艺包括化学气相沉积工艺。21.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的形成方法包括：在伪栅极结构顶部表面和介质层表面形成图形化的掩膜结构，所述图形化的掩膜结构暴露出部分所述伪栅极结构顶部表面和介质层表面；以所述图形化的掩膜结构为掩膜刻蚀所述伪栅极结构和介质层，在介质层内和伪栅极结构内形成开口。

技术总结
一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；位于衬底上的介质层，所述介质层位于所述栅极结构侧壁；位于介质层内的开口，所述开口沿垂直于栅极结构延伸方向贯穿所述栅极结构；位于开口内第一隔离层，所述第一隔离层顶部表面低于所述栅极结构顶部表面。所述半导体结构的性能得到提升。导体结构的性能得到提升。导体结构的性能得到提升。


技术研发人员：迟帅杰 张海洋 崇二敏 田伟
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.05.18
技术公布日：2021/11/23