一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种低二次电子发射系数的膜层，其特征在于：该膜层的结构包括表层富勒烯功能薄膜和基底层，基底层材料是银、金、铜、不锈钢、铝、聚四氟乙烯、聚酰亚胺、铁氧体、氧化铝中的任意一种，富勒烯功能薄膜的原料为c60。2.一种权利要求1所述的低二次电子发射系数的膜层的制备方法，其特征在于该方法的步骤包括：第一步，将基底材料放置到含有富勒烯束源的真空蒸镀系统中，抽真空；第二步，用挡板遮住基底材料，将富勒烯束源以15℃/分钟
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25℃/分钟的速率进行升温直至富勒烯的沉积速率在范围内；第三步，当富勒烯的沉积速率在范围内时撤去挡板，在基底材料上沉积富勒烯薄膜，沉积结束后用挡板遮住基底材料，以不高于25℃/分钟的速率将富勒烯束源降至室温；第四步，向真空蒸镀系统中冲入氮气，待内部气压达到外界大气压后取出基底材料，完成低二次电子发射系数的膜层的制备。3.根据权利要求2所述的一种低二次电子发射系数的膜层的制备方法，其特征在于：所述的第二步中，富勒烯的沉积速率用晶振进行监控。4.根据权利要求2所述的一种低二次电子发射系数的膜层的制备方法，其特征在于：所述的第一步中，富勒烯的纯度大于等于99％。5.根据权利要求2所述的一种低二次电子发射系数的膜层的制备方法，其特征在于：所述的第一步中，抽真空至真空度小于等于5
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‑4pa。6.根据权利要求2所述的一种低二次电子发射系数的膜层的制备方法，其特征在于：所述的第二步中，富勒烯的沉积速率为7.根据权利要求2所述的一种低二次电子发射系数的膜层的制备方法，其特征在于：所述的第三步中，沉积富勒烯的厚度大于等于10nm。8.根据权利要求7所述的一种低二次电子发射系数的膜层的制备方法，其特征在于：沉积富勒烯的厚度为15nm。9.根据权利要求2所述的一种低二次电子发射系数的膜层的制备方法，其特征在于：所述的第四步中，氮气的浓度大于等于99.99％。

技术总结
本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。


技术研发人员：何鋆 白春江 苗光辉 胡天存 张恒 黄浩 陈国宇
受保护的技术使用者：西安空间无线电技术研究所
技术研发日：2021.06.23
技术公布日：2021/11/23