声学装置封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种声学装置封装结构，包括：电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；多个凸块，设置在所述电路基板的第一表面上；声学装置，通过所述多个凸块与所述电路基板电连接，所述多个凸块使所述声学装置与所述电路基板的第一表面之间形成间隙；信号屏蔽模块，包括第一信号屏蔽单元，所述第一信号屏蔽单元设置在所述电路基板的第一表面上，其中，所述第一信号屏蔽单元位于所述多个凸块与所述电路基板的第一表面的接触点和所述第一表面的边缘之间。2.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第一信号屏蔽单元在所述电路基板的第一表面上的正投影具有靠近所述电路基板的边缘的方形外边缘，以及远离所述电路基板边缘的方形内边缘，所述方形外边缘与所述方形内边缘的距离为100
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150um。3.根据权利要求2所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述方形外边缘具有长边和短边，所述方形内边缘具有长边和短边，所述方形外边缘的长边与方形内边缘的长边之间的距离与所述方形外边缘的短边与方形内边缘的短边之间的距离不同。4.根据权利要求3所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述方形内边缘的长边与所述方形内边缘的短边的至少一个连接处，设置为斜切角或圆弧角。5.根据权利要求2所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第一信号屏蔽单元为金属膜，所述第一信号屏蔽单元的材质与所述凸块的材质相同。6.根据权利要求5所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第一信号屏蔽单元为两层结构，靠近所述电路基板的第一表面为第一层，材质为铜；远离所述电路基板的第一表面为第二层，材质为金，所述第二层的材质与所述凸块的材质相同。7.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述信号屏蔽单元还包括第二信号屏蔽单元，所述第二信号屏蔽单元与所示第一信号屏蔽单元相连，所述第二信号屏蔽单元与所述电路基板围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块。8.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第二信号屏蔽单元包括导热层、覆盖所述导热层的信号屏蔽层、覆盖所述信号覆盖层的环氧树脂层，所述导热层覆盖远离所述电路基板的第一表面的所述声学装置的上表面，以及垂直于所述电路基板的第一表面的所述声学装置的侧表面。9.根据权利要求8所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述环氧树脂层、所述信号屏蔽层和所述导热层的室温热导率依次增大，所述导热层的室温热导率为4w/mk以上。10.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第二信号屏蔽单元为包含导热填料与屏蔽填料的环氧树脂膜。11.根据权利要求10所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述屏蔽填料为金属网、金属粉、导电碳中的一种或几种。12.根据权利要求11所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述导热填料包覆在所述屏蔽填料外侧，所述导热填料为石墨烯、金属、金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物中的一种或几种。13.根据权利要求1或7中所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述信号屏蔽单元还包括第三信号屏蔽单元，所述第三信号屏蔽单元具有第一端和第二端，所述第一端与所述
第一信号屏蔽单元相连，所述第三信号屏蔽单元贯穿所述电路基板，所述第二端与所述电路基板的第二表面的接地引脚相连。14.根据权利要求13中所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第三信号屏蔽单元为接地探针。15.根据权利要求14所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述接地探针在所述电路基板中的路径沿水平或者竖直方向延伸设置。16.根据权利要求7或8所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述声学装置包括第一声学装置和第二声学装置，所述第一声学装置与所述第二声学装置之间设置间隔件，所述中空结构容置所述第一声学装置、所述第二声学装置、所述间隔件和所述凸块。17.根据权利要求16所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述间隔件为环氧树脂件。18.根据权利要求16所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述间隔件为包含屏蔽填料的环氧树脂件，所述间隔件与所述电路基板的第一表面接触的区域内设置金属膜。

技术总结
本发明提出了一种声学装置封装结构，包括：电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；多个凸块，设置在所述电路基板的第一表面上；声学装置，通过所述多个凸块与所述电路基板电连接，所述多个凸块使所述声学装置与所述电路基板的第一表面之间形成间隙；信号屏蔽模块，包括第一信号屏蔽单元，所述第一信号屏蔽单元设置在所述电路基板的第一表面上，其中，所述第一信号屏蔽单元位于所述多个凸块与所述电路基板的第一表面的接触点和所述第一表面的边缘之间。根据本发明的声学装置封装结构，能够提高声学装置的屏蔽性能，提高声学装置的工作质量，并且能够改善声学装置封装结构的散热性能，提高器件的寿命。提高器件的寿命。提高器件的寿命。


技术研发人员：王阳 吴洋洋 曹庭松 陆彬
受保护的技术使用者：北京超材信息科技有限公司
技术研发日：2021.08.25
技术公布日：2021/11/23