基于钙钛矿/PDPP3T聚合物复合膜的近红外宽光谱探测器及其制备方法与流程

基于钙钛矿/pdpp3t聚合物复合膜的近红外宽光谱探测器及其制备方法
技术领域
1.本发明涉及光电探测器件技术领域，尤其涉及一种基于钙钛矿/pdpp3t聚合物复合膜的近红外宽光谱探测器及其制备方法。


背景技术：

2.长期以来，基于无机半导体的光探测器，如氮化镓(gan)、晶体硅(si)和砷化铟(ingaas)等，由于其优异的光响应特性，在图像传感、航空航天、环境监测和土木工程等领域得到了广泛的研究，并成为当前实际应用的主流技术。不幸的是，这些光电探测器的制作过程复杂，材料和仪器昂贵，探测波段范围窄，极大地限制了其实际应用。到目前为止，许多无有机
‑
无机复合材料已经被开发出来作为这些器件的光采集器，典型的例子包括石墨烯，pc61bm/cd3p2纳米线，pbs量子点和p3ht/c60纳米棒有机光电探测器。与无机光电探测器相比，具有加工成本低、重量轻、柔性好、测波段范围大等优点。有机无机杂化卤化物钙钛矿材料具有载流子迁移率高、扩散长度长、暗电流小、吸收边锐利等特点，是实现光电探测的理想材料。然而，窄谱(300～800nm)响应限制了它们的应用。研制宽波段、高探测率的钙钛矿探测器成为研究热点。此外，由于各传输层之间的间隙与钙钛矿晶界缺陷的存在，导致电荷累积，器件的暗电流较高，使得器件的整体探测效率较为低下。与传统的由p
‑
n结构成的光电探测器不同，聚合物光电探测器以本征半导体为光吸收体，本质上是肖特基型器件。因此聚合物光电探测器的暗电流密度与半导体聚合物与金属电极之间的接触特性密切相关，并且由于其本征电荷浓度远小于掺杂无机半导体的本征电荷浓度，其暗电流密度较小。经过多年的努力，聚合物光电探测器的灵敏度(检测率)、响应速度、线性动态范围(ldr)等关键器件性能参数得到了显著的提高，其中一些性能指标与无机材料相当甚至优于无机材料。尽管取得了这些巨大的进展，但是很少有关于宽谱高检测率、快速响应时间和低暗电流的聚合物光电探测器的报道。这是一个困难的任务，因为需要同时满足宽光谱探测、高外部量子效率(eqe)、最小暗电流以及快速响应时间。


技术实现要素：

3.为解决上述问题，本发明的一个目的是提供一种基于钙钛矿/pdpp3t聚合物复合膜的近红外宽光谱探测器。本发明成功地开发了一种基于有机无机杂化卤化物钙钛矿/聚合物集成结构的光电探测器，以实现从紫外线(nuv)到可见光(vis)到近红外(nir)的高光响应度光电探测。通过选择合适的低禁带聚合物(pdpp3t)来实现光响应光谱的扩展，该聚合物具有更宽的响应范围(300～950nm)。
4.本发明采用如下技术方案实现：
5.一种基于钙钛矿/pdpp3t聚合物复合膜的近红外宽光谱探测器，所述探测器主要由依次设置的衬底、导电阳极、空穴传输层、钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层、近红外波段感光层、修饰层和金属阴极组成，所述钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层材料为ch3nh3pbi3，
所述近红外波段感光层的制备原料包括摩尔比为1:2的pdpp3t和pc71bm。
6.进一步地，所述钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层的厚度为300～550nm。
7.进一步地，所述近红外波段感光层厚度范围为50～150nm。
8.进一步地，所述衬底的材料为玻璃或透明聚合物，所述透明聚合物材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸中的一种或多种；
9.所述导电阳极材料为ito或fto；
10.所述空穴传输层材料为nio，厚度为20～40nm；
11.所述修饰层材料为lif，厚度为0.5～2nm；
12.所述金属阴极的材料为ag、al或cu中的一种或多种，金属阴极的厚度范围为80～200nm。
13.本发明另外一个目的是提供一种基于钙钛矿/pdpp3t聚合物复合膜的近红外宽光谱探测器的制备方法，所述方法包括以下步骤：
14.1)、对由衬底和导电阳极组成的基底进行清洗、干燥和紫外臭氧处理；
15.2)在基底表面梯度旋涂nio溶液、梯度退火制得空穴传输层；
16.3)在空穴传输层上梯度旋涂ch3nh3pbi3前驱体溶液，退火制得钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层；
17.4)在钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层上旋涂pdpp3t与pc71bm共混溶液，退火、氧化制得近红外波段感光层；
18.5)、在近红外波段感光层上依次蒸镀lif修饰层、金属阴电极，制得所需探测器。
19.进一步地，步骤2)所述nio溶液的配置方法包括将99mol％六水合硝酸镍溶解于乙二胺溶剂中，并且加入相当于乙二胺溶剂体积1～10％的乙二醇溶剂，所述nio溶液总摩尔浓度为0.5～2mmol/ml；
20.所述梯度旋涂的程序为：转速2500～4000转/分钟旋涂10～20s，将转速变为5000～7000转/分钟旋涂45～60s；
21.所述梯度退火为：温度100～170℃退火3～10min，温度200～300℃退火25～35min。
22.进一步地，步骤3)所述的ch3nh3pbi3前驱体溶液浓度为310～930mg/ml，所述的梯度旋涂程序为：转速2000～3500转/分钟下旋涂10～15s；将转速变为5000～6000转/分钟旋涂50～55s；所述退火为：80～100℃退火15min～30min。
23.进一步地，步骤4)所述的pdpp3t与pc71bm混合液的溶质浓度为15～24mg/ml。
24.进一步地，所述pdpp3t与pc71bm混合液配置方法包括如下步骤：将摩尔比为1：2的pdpp3t与pc71bm共同溶解于氯苯和邻二氯苯混合溶剂中，其中邻二氯苯溶剂的体积占氯苯和邻二氯苯混合溶剂总体积的0～40％，最后再加入相当于氯苯溶剂和邻二氯苯溶剂总体积3～8％的dio添加剂，溶解、过滤制得所需混合液。
25.进一步地，将pdpp3t与pc71bm共混溶液以2000～5000rpm速度旋涂在100℃钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层上，在100～150℃下退火5～20分钟，在室内温度为25～30℃,相对湿度为20～50％的空气中放置，自然氧化t小时，所述0＜t≤24。
26.综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
27.1.拓宽器件的吸收光谱。与单层钙钛矿薄膜构成的探测器相比较，由钙钛矿/pdpp3t聚合物复合薄膜组成的探测器可以将探测光谱范围由300～800nm扩大到300～950nm。
28.2.选取能级和迁移率合适的pdpp3t：pc71bm有机聚合物材料作为器件近红外吸收层，使得钙钛矿层产生的载流子更有效地传输。
29.3.通过控制dio溶剂添加剂的比例，有效地改善了体异质结(bhj)层的施主
‑
受主界面。除了电子/空穴传输路径的增强导致更高的效率外，它还显著降低了pdpp3t：pc71bm有机聚合物薄膜的粗糙度。
30.4.通过调整旋涂转速找到钙钛矿/pdpp3t聚合物复合薄膜中pdpp3t：pc71bm有机聚合物薄膜的最佳厚度。该厚度下，使得探测器既有最佳的红外光波段吸收能力，又能让钙钛矿层与聚合物层的光生载流子很好地传输出去。
31.5.本发明优化的钙钛矿/pdpp3t聚合物复合薄膜探测器外量子效率(eqe)高，响应度(r)高，探测率(d*)高，暗电流低，响应速度快。具体性能参数见下面表格1结果。
32.6.器件的稳定性高。在本发明中优化的pdpp3t：pc71bm聚合物膜的表面光滑，没有针孔和空洞，防止水汽侵入钙钛矿层损坏器件，显著提高了光电探测器的检测率和稳定性。该制备过程简单，极大降低器件成本。当没有封装的探测器放置在温度为25～30℃，相对湿度为20～50％的空气中一个星期，光电流响应几乎没有发生衰减。
附图说明
33.图1为钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层、近红外波段感光层、钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层/近红外波段感光层复合层的吸收光谱。
34.图2为实施例1以及对比例1
‑
3所制造的a，b，c，d探测器在0v偏压下的暗电流密度曲线图。
35.图3为实施例1以及对比例1
‑
3所制造的a，b，c，d探测器在0v偏压下的外量子效率(eqe)图；
36.图4为实施例1以及对比例1
‑
3所制造的a，b，c，d探测器在0v偏压下的光谱响应度(r)图。
37.图5为实施例1以及对比例1所制造的a，b探测器在0v偏压下的的探测率(d*)。
38.图6为对比例2和对比例3所制造的c，d探测器在0v偏压下的的探测率(d*)。
39.图7为实施例1所制造的a探测器在1khz频率下测量的时间响应谱。
40.图8为对比例1所制造的b探测器在1khz频率下测量的时间响应谱。
41.图9为本技术制得的光谱探测器件结构示意图。
42.图10为pdpp3t和pc71bm化学结构式。
具体实施方式
43.下面结合具体实施例，对本发明作进一步详细的阐述，但本发明的实施方式并不局限于实施例表示的范围。这些实施例仅用于说明本发明，而非用于限制本发明的范围。此外，在阅读本发明的内容后，本领域的技术人员可以对本发明作各种修改，这些等价变化同样落于本发明所附权利要求书所限定的范围。
44.以下实施例提供一种基于钙钛矿/pdpp3t聚合物复合薄膜的近紫外－可见－近红外宽光谱探测器件及其制备方法，包括衬底，导电阳极，空穴传输层(nio)，钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层，近红外波段感光层，修饰层和金属阴极组成。所述钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层材料为ch3nh3pbi3，所述近红外波段感光层的制备原料包括摩尔比为1:2的pdpp3t和pc71bm，其中：pdpp3t化学名称：poly(diketopyrrolopyrrole
‑
terthiophene)；pc71bm化学名称：(6,6)
‑
phenylc71butyricacidmethyleste。
45.实施例1
46.一种基于钙钛矿/pdpp3t聚合物复合薄膜的近紫外－可见－近红外宽光谱探测器件及其制备方法，包括以下步骤：
47.[1].清洗ito导电玻璃衬底。选择玻璃为衬底，以ito为导电阳极，对由玻璃衬底和ito导电阳极组成的基底进行清洗及预处理，清洗及预处理方法为：依次使用洗涤剂、丙酮溶液、异丙酮、酒精和去离子水对基底进行超声清洗，每次超声20分钟。最后在热氮气流下吹干和紫外臭氧处理15分钟，作为器件阳极待用。
[0048]
[2].nio空穴传输层的制备。将99mol％六水合硝酸镍溶解于乙二胺溶剂中，并且加入相当于乙二胺溶剂体积7％的乙二醇溶剂，所述nio溶液总摩尔浓度为1mmol/ml，置于磁力搅拌器上室温搅拌8小时。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到nio溶液。在空气气氛下将过滤后的nio溶液滴在干净的基底上：以转速3000rpm旋涂12s，接着转速变为6000rpm旋涂50s。然后将基底置于加热台上在空气气氛中梯度退火，退火条件为：温度150℃退火5min，温度280℃退火30min。退火处理得到的nio空穴传输层厚度30nm。将得到的nio空穴传输层衬底转移至惰性气体气保护的手套箱中，接下来的制作都在惰性气体保护的手套箱中完成。
[0049]
[3].钙钛矿(ch3nh3pbi3)近紫外
‑
可见光波段感光层的制备。在惰性气体保护的手套箱中将摩尔比为1：1的pbi2和mai溶于dmf(n，n
‑
二甲基甲酰胺)和dmso(二甲基亚砜)的混合溶剂中，体积比为8:2，浓度为600mg/ml。在60℃下磁力搅拌12小时使溶质充分溶解。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到钙钛矿ch3nh3pbi3前躯体溶液。将过滤后的钙钛矿前躯体溶液滴在nio空穴传输层表面：首先，在转速2500转/分钟下，旋涂12s；然后将转速变为5500转/分钟旋涂52s；接着将基底在90℃退火20min，制得厚度为450nm钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层。
[0050]
[4].近红外波段感光层的制备：将摩尔比为1：2的pdpp3t与pc71bm共同溶解于氯苯和邻二氯苯混合溶剂中，其中邻二氯苯溶剂的体积占氯苯和邻二氯苯混合溶剂总体积的30％，最后再加入相当于氯苯溶剂和邻二氯苯溶剂总体积8％的dio添加剂。溶质的浓度为15mg/ml，于120℃下搅拌24小时充分溶解。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到pdpp3t与pc71bm共混溶液。将过滤后的100℃的pdpp3t与pc71bm共混溶液以5000rpm速度旋涂在100℃钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层上，在100℃下退火10分钟。最后在室内温度为26℃,相对湿度为20％的空气中放置，自然氧化16小时。得到近红外波段感光层，厚度为80nm。
[0051]
[5].lif修饰层通过热蒸发的方法制备。在低于5
×
10
‑4pa压强下，在近红外波段感光层上形成一层1nm厚的lif修饰层，蒸发速率为0.02nm/s。在lif修饰层上蒸发一层金属电极al，厚度为100nm，蒸发速率0.05nm/s，制得金属电极作为探测器阴极。制备得到结构为
ito/nio/ch3nh3pbi3/pdpp3t：pc71bm/lif/al的宽带光电探测器a。光电探测器a的响应范围大(300～950nm)，外量子效率(eqe)高，响应度(r)高，探测率(d*)高，暗电流低，响应速度快。
[0052]
实施例2
[0053]
一种基于钙钛矿/pdpp3t聚合物复合薄膜的近紫外－可见－近红外宽光谱探测器件及其制备方法，包括以下步骤：
[0054]
[1].清洗fto导电聚乙烯衬底。选择聚乙烯为衬底，以fto为导电阳极，对由聚乙烯衬底和fto导电阳极组成的基底进行清洗及预处理，清洗及预处理方法为：依次使用洗涤剂、丙酮溶液、异丙酮、酒精和去离子水对基底进行超声清洗，每次超声20分钟。最后在热氮气流下吹干和紫外臭氧处理15分钟，作为器件阳极待用。
[0055]
[2].nio空穴传输层的制备。将99mol％六水合硝酸镍溶解于乙二胺溶剂中，并且加入相当于乙二胺溶剂体积1％的乙二醇溶剂，所述nio溶液总摩尔浓度为0.5mmol/ml，置于磁力搅拌器上室温搅拌8小时。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到nio溶液。在空气气氛下将过滤后的nio溶液滴在干净的基底上：以转速2500rpm旋涂10s，接着转速变为5000rpm旋涂45s。然后将基底置于加热台上在空气气氛中梯度退火，退火条件为：温度100℃退火3min，温度200℃退火25min。退火处理得到的nio空穴传输层厚度20nm。将得到的nio空穴传输层衬底转移至惰性气体气保护的手套箱中，接下来的制作都在惰性气体保护的手套箱中完成。
[0056]
[3].钙钛矿(ch3nh3pbi3)近紫外
‑
可见光波段感光层的制备。在惰性气体保护的手套箱中将摩尔比为1：1的pbi2和mai溶于dmf(n，n
‑
二甲基甲酰胺)和dmso(二甲基亚砜)的混合溶剂中，体积比为8:2，浓度为310mg/ml。在70℃下磁力搅拌12小时使溶质充分溶解。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到钙钛矿前躯体溶液。将过滤后的钙钛矿前躯体溶液滴在nio空穴传输层表面：首先，在转速2000转/分钟下，旋涂10s；然后将转速变为5000转/分钟旋涂50s；接着将基底在80℃退火15min，制得厚度为300nm钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层。
[0057]
[4].近红外波段感光层的制备：将摩尔比为1：2的pdpp3t与pc71bm共同溶解于氯苯和邻二氯苯混合溶剂中，其中邻二氯苯溶剂的体积占氯苯和邻二氯苯混合溶剂总体积的0％，最后再加入相当于氯苯溶剂和邻二氯苯溶剂总体积3％的dio添加剂。溶质的浓度为20mg/ml，于120℃下搅拌24小时充分溶解。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到pdpp3t与pc71bm共混溶液。将过滤后的120℃的pdpp3t与pc71bm共混溶液以2000rpm速度旋涂在100℃钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层上，在120℃下退火5分钟。最后在室内温度为25℃,相对湿度为30％的空气中放置，自然氧化6小时。得到近红外波段感光层，厚度为50nm。
[0058]
[5].lif修饰层通过热蒸发的方法制备。在低于5
×
10
‑4pa压强下，在近红外波段感光层上形成一层0.5nm厚的lif修饰层，蒸发速率为0.03nm/s。在lif修饰层上蒸发一层金属电极ag，厚度为80nm，蒸发速率0.06nm/s，制得金属电极作为探测器阴极。制备得到结构为fto/nio/ch3nh3pbi3/pdpp3t：pc71bm/lif/ag的宽带光电探测器a。光电探测器a的响应范围大(300～950nm)，外量子效率(eqe)高，响应度(r)高，探测率(d*)高，暗电流低，响应速度快。
[0059]
实施例3
[0060]
一种基于钙钛矿/pdpp3t聚合物复合薄膜的近紫外－可见－近红外宽光谱探测器件及其制备方法，包括以下步骤：
[0061]
[1].清洗ito导电聚碳酸酯衬底。选择聚碳酸酯为衬底，以ito为导电阳极，对由聚碳酸酯衬底和ito导电阳极组成的基底进行清洗及预处理，清洗及预处理方法为：依次使用洗涤剂、丙酮溶液、异丙酮、酒精和去离子水对基底进行超声清洗，每次超声20分钟。最后在热氮气流下吹干和紫外臭氧处理15分钟，作为器件阳极待用。
[0062]
[2].nio空穴传输层的制备。将99mol％六水合硝酸镍溶解于乙二胺溶剂中，并且加入相当于乙二胺溶剂体积10％的乙二醇溶剂，所述nio溶液总摩尔浓度为2mmol/ml，置于磁力搅拌器上室温搅拌8小时。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到nio溶液。在空气气氛下将过滤后的nio溶液滴在干净的基底上：以转速4000rpm旋涂20s，接着转速变为7000rpm旋涂60s。然后将基底置于加热台上在空气气氛中梯度退火，退火条件为：温度170℃退火10min，温度300℃退火35min。退火处理得到的nio空穴传输层厚度40nm。将得到的nio空穴传输层衬底转移至惰性气体气保护的手套箱中，接下来的制作都在惰性气体保护的手套箱中完成。
[0063]
[3].钙钛矿(ch3nh3pbi3)近紫外
‑
可见光波段感光层的制备。在惰性气体保护的手套箱中将摩尔比为1：1的pbi2和mai溶于dmf(n，n
‑
二甲基甲酰胺)和dmso(二甲基亚砜)的混合溶剂中，体积比为8:2，浓度为930mg/ml。在80℃下磁力搅拌12小时使溶质充分溶解。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到钙钛矿前躯体溶液。将过滤后的钙钛矿前躯体溶液滴在nio空穴传输层表面：首先，在转速3500转/分钟下，旋涂15s；然后将转速变为6000转/分钟旋涂55s；接着将基底在100℃退火30min，制得厚度为550nm钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层。
[0064]
[4].近红外波段感光层的制备：将摩尔比为1：2的pdpp3t与pc71bm共同溶解于氯苯和邻二氯苯混合溶剂中，其中邻二氯苯溶剂的体积占氯苯和邻二氯苯混合溶剂总体积的40％，最后再加入相当于氯苯溶剂和邻二氯苯溶剂总体积5％的dio添加剂。溶质的浓度为24mg/ml，于120℃下搅拌24小时充分溶解。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到pdpp3t与pc71bm共混溶液。将过滤后的130℃的pdpp3t与pc71bm共混溶液以4000rpm速度旋涂在100℃钙钛矿近紫外
‑
可见光波段感光层上，在150℃下退火20分钟。最后在室内温度为30℃,相对湿度为50％的空气中放置，自然氧化24小时。得到近红外波段感光层，厚度为150nm。
[0065]
[5].lif修饰层通过热蒸发的方法制备。在低于5
×
10
‑4pa压强下，在近红外波段感光层上形成一层2nm厚的lif修饰层，蒸发速率为0.04nm/s。在lif修饰层上蒸发一层金属电极cu，厚度为200nm，蒸发速率0.08nm/s，制得金属电极作为探测器阴极。制备得到结构为ito/nio/ch3nh3pbi3/pdpp3t：pc71bm/lif/cu的宽带光电探测器a。光电探测器a的响应范围大(300～950nm)，外量子效率(eqe)高，响应度(r)高，探测率(d*)高，暗电流低，响应速度快。
[0066]
对比例1
[0067]
参照实施例1，仅将步骤[4]的“最后在室内温度为26℃,相对湿度为20％的空气中放置，自然氧化16小时”改为不经过氧化处理。制备得到结构为ito/nio/ch3nh3pbi3/
pdpp3t：pc71bm/lif/al的宽带光电探测b。光电探测器b的响应范围大(300～950nm)，外量子效率(eqe)不高，响应度(r)不高，探测率(d*)较低，暗电流较大，响应速度较慢。
[0068]
对比例2
[0069]
参照实施例1，仅将步骤[3]去掉，改为将过滤后的100℃的pdpp3t与pc71bm共混溶液以5000rpm速度旋涂在100℃的nio空穴传输层上。制备得到结构为ito/nio/pdpp3t：pc71bm/lif/al的宽带光电探测c。光电探测器c的响应范围大(300～950nm)，外量子效率(eqe)低，响应度(r)低，探测率(d*)不高，暗电流较大。
[0070]
对比例3
[0071]
参照实施例1，不同的是，近红外波段感光层制备的原料不含有pdpp3t，具体方法如下：将pc71bm溶解于体积比为7:3的氯苯和邻二氯苯溶剂中，并且加入8％的dio添加剂。溶质的浓度为10mg/m l，于120℃下搅拌24小时充分溶解。最后，经过直径为0.22微米的有机过滤膜过滤后，得到pc71bm溶液。将过滤后的100℃的pc71bm溶液以2000rpm速度旋涂在100℃钙钛矿有源层上，在100℃下退火10分钟。制备得到结构为ito/nio/ch3nh3pbi3/pc71bm/lif/al的光电探测器d。光电探测器d的响应范围窄(300～800nm)，外量子效率(eqe)高，响应度(r)较高，探测率(d*)低，暗电流大。
[0072]
实施例1以及对比例1
‑
3所制得的a，b，c，d探测器的性能参数详见如下表1。
[0073]
表格1实施例1以及对比例1
‑
3所制造的a，b，c，d探测器的性能参数。
[0074][0075]
结论：从实施例与对比例的测试数据可以看出，通过优化pdpp3t：pc71bm有机聚合物的厚度(50～150nm)、优化溶剂添加剂dio的比例(3～8％)和优化pdpp3t：pc71bm有机聚合物异质结薄膜在空气中的自然氧化时间(0～24小时)制造的宽带探测器具有响应范围大(300～950nm)，外量子效率(eqe)高，响应度(r)高，探测率(d*)高，暗电流低和响应速度快的特点。通过dio溶剂分散的技术，有效地抑制pdpp3t：pc71bm有机聚合物薄膜的聚集，改善薄膜质量，从而增强光生电荷的萃取和传输。光滑平整的pdpp3t：pc71bm有机聚合物薄膜能有效阻挡空气环境中的水蒸气侵入钙钛矿层，损害探测器的探测性能。本发明使用的pdpp3t：pc71bm有机聚合物不但是红外吸光层，而且是优秀的电子传输层(空穴阻挡层)。pdpp3t：pc71bm有机聚合物的引入减少了器件工作中的漏电流，从而大幅降低暗电流。