抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件的制作方法

抗pid效应的组件及抗pid效应的晶体硅光伏组件
技术领域
1.本实用新型属于光伏技术领域，尤其涉及一种抗pid效应的组件及抗pid 效应的晶体硅光伏组件。


背景技术：

2.目前，电池组件在封装的层压过程中，分为5层。从外到内为：玻璃、eva、电池片、eva、背板。其中，玻璃是非晶无机非金属材料，一般是用多种无机矿物(如石英砂、硼砂、硼酸、重晶石、碳酸钡、石灰石、长石、纯碱等)为主要原料，另外加入少量辅助原料制成的。它的主要成分为二氧化硅和其他氧化物。
3.其中，为了增加玻璃的透过率，一般在玻璃的上表面进行减反膜的涂覆。当光伏组件长期在潮湿的环境中或者密封不严，空气中的水会吸附在玻璃表面，而玻璃中存在大量的钠离子、钙离子，占玻璃重量百分比12～15％之间。玻璃中的钠离子、钙离子和水中的氢离子h

进行交换，在玻璃表面水解形成naoh并分离出sio2，分离出来的sio2生成硅氧凝胶，在玻璃表面形成保护性薄膜；然而水解生成的naoh与空气中的co2反应生成na2co3聚集在玻璃表面，由于碳酸盐的强吸潮性最后形成碱液小滴并与玻璃长期接触，保护层硅氧凝胶薄膜可在其中部分被溶解，从而使玻璃表面发生严重的局部侵蚀，形成斑点，引发了玻璃透过率的降低，再进一步引起电池组件发电效率的下降，在组件行业称之为pid衰减效应。
4.目前，在玻璃的上表面涂覆减反膜，只能提高玻璃减反增透的作用，无法阻止或减小晶硅组件pid衰减效应，导致晶硅组件无法长时间进行正常使用。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种抗pid效应的组件及抗pid效应的晶体硅光伏组件，旨在解决现有技术中提供的组件存在pid衰减效应导致影响使用的问题。
6.为实现上述实用新型目的，本实用新型采用的技术方案如下：
7.第一方面，本实用新型提供一种抗pid效应的组件，所述抗pid效应的组件包括玻璃基体，设置在所述玻璃基体任一面的氧化锡层。
8.进一步，所述氧化锡层包括第一氧化锡层，所述第一氧化锡层为渗透至所述玻璃基体的表层形成的过渡区间。
9.进一步，所述氧化锡层包括第二氧化锡层，所述第二氧化锡层是层叠结合在所述玻璃基体的表面。
10.进一步，所述氧化锡层包括第一氧化锡层和第二氧化锡层，所述第一氧化锡层为渗透至所述玻璃基体的表层形成的过渡区间；所述第二氧化锡层是结合在所述第一氧化锡层的背离所述玻璃基体的表面。
11.进一步，所述过渡区间的厚度为2～25微米。
12.进一步，所述第二氧化锡层为0.01～0.05微米。
13.进一步，所述抗pid效应的组件，还包括：在所述氧化锡层背离所述玻璃基体的表
面设置减反膜层。
14.进一步，所述减反膜层的厚度为150～180纳米。
15.进一步，所述玻璃基体的厚度为2～5毫米。
16.第二方面，本实用新型提供一种抗pid效应的晶体硅光伏组件，所述晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，所述透明封装层选自抗pid效应的组件。
17.本实用新型第一方面提供的抗pid效应的组件，其中，抗pid效应的组件包括玻璃基体，设置在所述玻璃基体任一面的氧化锡层。形成pid效应主要是由于玻璃基体含有大量的钠离子、钙离子，钠离子、钙离子和水中的氢离子进行交换形成了一系列的反应导致pid效应的产生，而本实用新型在玻璃基体任一面设置氧化锡层，基于锡离子的离子半径均比钠离子、钙离子小，离子势能更强，与氧原子的结合能力更强，有明显的聚集作用，能够增强玻璃网络结构，使玻璃网络结构更加致密，进而限制钠离子、钙离子的迁移，使玻璃表面不形成含钠离子、钙离子的碳酸盐，保护玻璃不会发生严重的侵蚀，能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid衰减效应的产生；同时，氧化锡层对整体玻璃的透光率影响较小，进而保证得到的组件抗pid效应较强且整体性能优异，应用广泛。
18.本实用新型第二方面提供的抗pid效应的晶体硅光伏组件，所述晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，所述透明封装层选自抗pid效应的组件。由于透明封装层选自的抗pid效应的组件，且抗pid效应的组件能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid衰减效应的产生，同时保证具有较高的透光率；故得到的抗pid效应的晶体硅光伏组件能够有效减小pid效应的产生，提高组件的使用寿命。
附图说明
19.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1是本实用新型实施例提供的抗pid效应的组件的结构示意图。
21.图2是本实用新型实施例提供的抗pid效应的组件的结构示意图。
22.图3是本实用新型实施例提供的抗pid效应的组件的结构示意图。
23.图4是本实用新型实施例提供的抗pid效应的组件的结构示意图。
24.图5是本实用新型实施例提供的抗pid效应的组件的结构示意图。
25.图6是本实用新型实施例提供的组件抗碱析出机理示意图。
具体实施方式
26.为了使本实用新型要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
27.本实用新型中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，
例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况。其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
28.本实用新型中，“任意一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下任意一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项 (个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的任意一项(个)”，或，“a,b,和c中的任意一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a
‑
b(即a和b),a
‑
c,b
‑
c,或 a
‑
b
‑
c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
29.应理解，在本实用新型的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，部分或全部步骤可以并行执行或先后执行，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本实用新型实施例的实施过程构成任何限定。
30.在本实用新型实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本实用新型。在本实用新型实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、
“”
和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
31.本实用新型实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本实用新型实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本实用新型实施例说明书公开的范围之内。具体地，本实用新型实施例说明书中的质量可以是μg、 mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
32.术语“第一“、“第二”仅用于描述目的，用来将目的如物质彼此区分开，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。例如，在不脱离本实用新型实施例范围的情况下，第一xx也可以被称为第二xx，类似地，第二xx也可以被称为第一xx。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
33.本实用新型实施例第一方面提供一种抗pid效应的组件，如附图1所示，抗pid效应的组件包括玻璃基体1，设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2。
34.本实用新型第一方面提供的抗pid效应的组件，其中，抗pid效应的组件包括玻璃基体1，设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2。形成pid效应主要是由于玻璃含有大量的钠离子、钙离子，钠离子、钙离子和水中的氢离子进行交换形成了一系列的反应导致pid效应的产生，而本实用新型在玻璃基体1任一面设置氧化锡层2，基于锡离子的离子半径均比钠离子、钙离子小，离子势能更强，与氧原子的结合能力更强，有明显的聚集作用，能够增强玻璃网络结构，使玻璃网络结构更加致密，进而限制钠离子、钙离子的迁移，使玻璃表面不形成含钠离子、钙离子的碳酸盐，保护玻璃不会发生严重的侵蚀，能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid衰减效应的产生；同时，氧化锡层对整体玻璃的透光率影响较小，进而保证得到的组件抗pid效应较强且整体性能优异，应用广泛。
35.具体的，抗pid效应的组件包括玻璃基体1，其中，玻璃基体1的材料没有特定的要求，常规的任意一种玻璃材料均可使用。
36.实施例中，玻璃基体1的厚度选自2～5毫米，且，玻璃基体1的厚度差为
±
0.1毫米，控制玻璃基体1的厚度，使得到的抗pid效应的组件能够较好地应用于光伏组件中，有利于广泛应用。
37.在具体实施例中，玻璃基体1选自硅酸盐玻璃，且控制提供的硅酸盐玻璃中铁含量＜140ppm，保证提供的硅酸盐玻璃的透过率＞91％。由于硅酸盐玻璃的性质稳定，且保证硅
酸盐玻璃的透过率较高，使得到的抗pid效应的组件透过率不受影响，能够较好地应用于光伏组件中。
38.具体的，设置在玻璃基体1任一面的氧化锡层2。其中，基于提供的锡离子的离子半径均比钠离子、钙离子小，离子势能更强，与氧原子的结合能力更强，有明显的聚集作用，能够优先与氧原子结合形成氧化物结构，增强玻璃网络结构，使玻璃网络结构更加致密，进而限制钠离子、钙离子的迁移，使玻璃表面不形成含钠离子、钙离子的碳酸盐，保护玻璃不会发生严重的侵蚀，能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid衰减效应的产生；同时，氧化锡层2对整体器件的透光率影响较小，进而保证得到的组件抗pid效应较强且整体性能优异，应用广泛。
39.实施例中，如图2所示，氧化锡层2包括第一氧化锡层21，第一氧化锡层 21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间211。其中，过渡区间211是指从第一氧化锡层21至玻璃基体1的方向呈第一氧化锡层21所含锡含量递减的区间。得到的抗pid效应的组件包括玻璃基体1，设置在玻璃基体1任一面的第一氧化锡层21，其中，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间211。在该抗pid效应的组件中，玻璃基体1和第一氧化锡层21形成一体化结构，不会存在界面反射，对透光率的影响较低。
40.另一实施例中，如图3所示，氧化锡层2包括第二氧化锡层22，第二氧化锡层22是结合在玻璃基体的表面，得到的抗pid效应的组件包括玻璃基体1，设置在玻璃基体1任一面的第二氧化锡层22，其中，第二氧化锡层22是结合在玻璃基体1的表面。所形成的第二氧化锡层22与玻璃基体1会存在一定的界面反射，会导致组件的透光率降低。
41.再一实施例中，如图4所示，氧化锡层包括第一氧化锡层21和第二氧化锡层22，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间211；第二氧化锡层22是结合在第一氧化锡层21的背离玻璃基体1的表面。得到的抗pid 效应的组件包括玻璃基体1，设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2，其中，氧化锡层2包括第一氧化锡层21和第二氧化锡层22，第一氧化锡层21与玻璃基体 1结合的表面渗透至玻璃基体1的表层，形成过渡区间；第二氧化锡层22是结合在第一氧化锡层21的背离玻璃基体1的表面。形成的抗pid效应的组件既设置了第一氧化锡层21，也设置了第二氧化锡层22，因此，得到的抗pid效应的组件在第一氧化锡层21和第二氧化锡层22的双重作用下，能够有效限制钠离子、钙离子迁移，同时能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid衰减效应的产生；且进一步保证得到的抗pid效应的组件的透光率影响较小，保证整体性能优异。
42.实施例中，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间 211其中，过渡区间的厚度为2～25微米，控制过渡区间的厚度适中，保证得到的组件中，第一氧化锡层21中的锡离子能够与氧的结合能力强，聚集作用明显，增强玻璃网络结构，使玻璃网络结构更加致密；当玻璃受到外界侵蚀时，使得钠离子、钙离子迁移受到限制，能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid衰减效应的产生。同时，过渡区间对整体玻璃的透光率影响小，进而对组件的发电效应影响小。若过渡区间的厚度过小，则起不到抑制离子迁移的作用，若过渡区间的厚度过大，则会影响材料表面的透光率。
43.进一步，第二氧化锡22的厚度为0.01～0.05微米，控制第二氧化锡层22 的厚度适中，保证得到的组件中，一方面，能够为玻璃表面形成一层保护作用，且有效限制钠离子、钙离子迁移，同时能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid
衰减效应的产生；另一方面，控制第二氧化锡层22的厚度，进而保证得到的抗pid效应的组件的透光率影响较小，保证整体性能优异。
44.进一步，抗pid效应的组件，还包括：在氧化锡层2背离玻璃基体1的表面设置减反膜层3。
45.如图5所示，抗pid效应的组件包括玻璃基体1，设置在玻璃基体1任一面的氧化锡层2，设置在氧化锡层2背离玻璃基体1的表面的减反膜层3。设置减反膜层的目的是为了减少或消除反射光，从而增加光伏元件的透光量，减少或消除系统的杂散光，提高透光率。
46.进一步，减反膜层3选自氮化硅层，且减反膜层3的厚度为150～180纳米。
47.相应的，提供一种抗pid效应的组件的制备方法，包括如下步骤：
48.s01.提供玻璃基体，
49.s02.在玻璃基体的任一面设置氧化锡层，得到抗pid效应的组件。
50.本实用新型提供的抗pid效应的组件的制备方法，该制备为直接在玻璃基体1的任一面设置氧化锡层2即可得到抗pid效应的组件，制备过程简单方便，操作快速，有利于大规模使用。
51.步骤s01中，提供玻璃基体1，对提供的玻璃基体1进行除杂清洗，保证得到干净、无杂质的玻璃基体1进行使用。
52.步骤s02中，在玻璃基体1的任一面设置氧化锡层2，得到抗pid效应的组件。
53.在一些实施例中，氧化锡层2包括第一氧化锡层21，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间211，制备方法包括如下步骤：
54.g01.提供玻璃基体1，
55.g02.提供锡溶液，将玻璃基体1的一表面放置于锡溶液中进行离子交换反应，形成第一氧化锡层，得到抗pid效应的组件。
56.步骤g02中，将玻璃基体的一表面放置于锡溶液中进行离子交换反应的过程中，在还原性气氛下，离子交换反应的温度为600～1100℃，离子交换反应的时间为5～30分钟。控制离子交换反应的温度为600～1100℃，能够提高锡离子的活跃程度，为了防止锡溶液挥发，有利于第一氧化锡层的制备。控制离子交换反应的时间为5～30分钟，保证形成的第一氧化锡层过渡区间的厚度为2～25 微米，能够明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid衰减效应的产生。进一步，还原性气氛为h2与n2的混合气体，且，混合气体中，h2的体积百分含量为2～8％，n2的体积百分含量为92～98％，在上述条件下，玻璃浮在锡溶液表面，玻璃结构可以与锡溶液中的锡离子发生离子交换，
57.在一些实施例中，氧化锡层2包括第二氧化锡层2，第二氧化锡层2第二氧化锡层通过溶胶凝胶法、磁控溅射法、气相沉积法等常规方法进行制备得到。
58.进一步，抗pid效应的组件，还包括：在氧化锡层背离玻璃基体的表面设置减反膜层3。其中，减反膜层3的制备采用溶胶凝胶法、磁控溅射法、气相沉积法等常规方法进行制备得到。
59.在一些实施例中，抗pid效应的组件可选自但不限于采用浮法玻璃的工艺进行制备，其他的玻璃制备工艺也可进行制备。
60.本实用新型实施例第二方面提供一种抗pid效应的晶体硅光伏组件，晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和
光伏背板，其中，透明封装层选自抗pid效应的组件。
61.本实用新型第二方面提供的抗pid效应的晶体硅光伏组件，晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，由于透明封装层选自的抗pid效应的组件，且抗pid效应的组件能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid衰减效应的产生，同时保证具有较高的透光率；故得到的抗pid效应的晶体硅光伏组件能够有效减小pid效应的产生，提高晶体硅光伏组件的使用寿命。
62.进一步，抗pid效应的晶体硅光伏组件的制备方法包括如下步骤：
63.将透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板依次层叠胶合，并在层压机中的高温真空环境下进行胶粘固化，再在晶体硅光伏组件四周安装固定边框；其中，透明封装层为上文论述的抗pid 效应的组件包括玻璃基体1，层叠设置在玻璃基体1任一面的氧化锡层2，在制备过程中，玻璃基体1与第一胶膜层贴合设置。
64.下面结合具体实施例进行说明。
65.实施例1
66.抗pid效应的组件
67.抗pid效应的组件
68.抗pid效应的组件包括玻璃基体1；设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2，氧化锡层2包括第一氧化锡层21，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间；设置在氧化锡层2背离玻璃基体1的表面的减反膜层3。
69.其中，玻璃基体选自硅酸盐玻璃，且控制提供的硅酸盐玻璃中铁含量＜140 ppm，保证提供的硅酸盐玻璃的透过率＞91％，且玻璃基体的厚度为2毫米；
70.第一氧化锡层的厚度为2微米；
71.减反膜层选自氮化硅层，减反膜层的厚度为150纳米。
72.晶体硅光伏组件
73.晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，透明封装层选自实施例1提供的抗pid效应的组件。
74.实施例2
75.抗pid效应的组件
76.抗pid效应的组件
77.抗pid效应的组件包括玻璃基体1；设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2，氧化锡层2包括第一氧化锡层21，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间；设置在氧化锡层2背离玻璃基体1的表面的减反膜层3。
78.其中，玻璃基体选自硅酸盐玻璃，且控制提供的硅酸盐玻璃中铁含量＜140 ppm，保证提供的硅酸盐玻璃的透过率＞91％，且玻璃基体的厚度为2毫米；
79.第一氧化锡层的厚度为10微米；
80.减反膜层选自氮化硅层，减反膜层的厚度为150纳米。
81.晶体硅光伏组件
82.晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，透明封装层选自实施例2提供的抗pid效应的组件。
83.实施例3
84.抗pid效应的组件
85.抗pid效应的组件
86.抗pid效应的组件包括玻璃基体1；设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2，氧化锡层2包括第一氧化锡层21，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间；设置在氧化锡层2背离玻璃基体1的表面的减反膜层3。
87.其中，玻璃基体选自硅酸盐玻璃，且控制提供的硅酸盐玻璃中铁含量＜140 ppm，保证提供的硅酸盐玻璃的透过率＞91％，且玻璃基体的厚度为2毫米；
88.第一氧化锡层的厚度为15微米；
89.减反膜层选自氮化硅层，减反膜层的厚度为150纳米。
90.晶体硅光伏组件
91.晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，透明封装层选自实施例3提供的抗pid效应的组件。
92.实施例4
93.抗pid效应的组件
94.抗pid效应的组件
95.抗pid效应的组件包括玻璃基体1；设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2，氧化锡层2包括第一氧化锡层21，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间；设置在氧化锡层2背离玻璃基体1的表面的减反膜层3。
96.其中，玻璃基体选自硅酸盐玻璃，且控制提供的硅酸盐玻璃中铁含量＜140 ppm，保证提供的硅酸盐玻璃的透过率＞91％，且玻璃基体的厚度为2毫米；
97.第一氧化锡层的厚度为20微米；
98.减反膜层选自氮化硅层，减反膜层的厚度为150纳米。
99.晶体硅光伏组件
100.晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，透明封装层选自实施例4提供的抗pid效应的组件。
101.实施例5
102.抗pid效应的组件
103.抗pid效应的组件
104.抗pid效应的组件包括玻璃基体1；设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2，氧化锡层2包括第一氧化锡层21，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1的表层形成的过渡区间；设置在氧化锡层2背离玻璃基体1的表面的减反膜层3。
105.其中，玻璃基体选自硅酸盐玻璃，且控制提供的硅酸盐玻璃中铁含量＜140 ppm，保证提供的硅酸盐玻璃的透过率＞91％，且玻璃基体的厚度为2毫米；
106.第一氧化锡层的厚度为15微米；
107.减反膜层选自氮化硅层，减反膜层的厚度为150纳米。
108.晶体硅光伏组件
109.晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，透明封装层选自实施例5提供的抗pid效应的组件。
110.实施例6
111.抗pid效应的组件
112.抗pid效应的组件
113.抗pid效应的组件包括玻璃基体1；设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2，氧化锡层2包括第二氧化锡层22；设置在氧化锡层2背离玻璃基体1的表面的减反膜层3。
114.其中，玻璃基体选自硅酸盐玻璃，且控制提供的硅酸盐玻璃中铁含量＜140 ppm，保证提供的硅酸盐玻璃的透过率＞91％，且玻璃基体的厚度为2毫米；
115.第二氧化锡层的厚度为0.02微米；
116.减反膜层选自氮化硅层，减反膜层的厚度为150纳米。
117.晶体硅光伏组件
118.晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，透明封装层选自实施例6提供的抗pid效应的组件。
119.实施例7
120.抗pid效应的组件
121.抗pid效应的组件
122.抗pid效应的组件包括玻璃基体1；设置在玻璃基体任一面的氧化锡层2，氧化锡层2包括第一氧化锡层21和第二氧化锡层22；设置在氧化锡层2背离玻璃基体1的表面的减反膜层3；其中，第一氧化锡层21为渗透至玻璃基体1 的表层形成的过渡区间；第二氧化锡层22是结合在第一氧化锡层21的背离玻璃基体1的表面。
123.其中，玻璃基体选自硅酸盐玻璃，且控制提供的硅酸盐玻璃中铁含量＜140 ppm，保证提供的硅酸盐玻璃的透过率＞91％，且玻璃基体的厚度为2毫米；
124.第一氧化锡层的厚度为20微米；
125.第二氧化锡层的厚度为0.02微米；
126.减反膜层选自氮化硅层，减反膜层的厚度为150纳米。
127.晶体硅光伏组件
128.晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，透明封装层选自实施例9提供的抗pid效应的组件。
129.对比例1
130.光伏组件
131.光伏组件
132.光伏组件包括玻璃基体，设置在玻璃基体任一表面的减反膜层，
133.其中，玻璃基体选自硅酸盐玻璃，且控制提供的硅酸盐玻璃中铁含量＜140 ppm，保证提供的硅酸盐玻璃的透过率＞91％，且玻璃基体的厚度为2毫米；
134.减反膜层选自氮化硅层，减反膜层的厚度为150纳米。
135.光伏组件的制备方法
136.提供玻璃基体，
137.通过磁控溅射法在玻璃基体的任一表面设置减反膜层。
138.晶体硅光伏组件
139.晶体硅光伏组件依次层叠设置透明封装层、第一胶膜层、间隔阵列布置的晶体硅
电池片、第二胶膜层和光伏背板，其中，透明封装层选自对比例1提供的光伏组件。
140.性质测试
141.(一)晶体硅光伏组件的综合发电量性质测试
142.将实施例1～7以及对比例1提供的晶体硅光伏组件进行发电量测定，分析晶体硅光伏组件的在正常情况下以及恶劣环境下的综合发电量情况。
143.(二)抗pid效应的组件发挥抗pid效应的机理分析
144.光伏光伏
145.结果分析
146.(一)晶体硅光伏组件的综合发电量性质测试
147.将实施例1～7以及对比例1提供的晶体硅光伏组件进行发电量统计，晶体硅光伏组件的综合发电量情况如下表1所示，可以看出，实施例1～7得到的晶体硅光伏组件的综合发电量比对比例1得到的晶体硅光伏组件的综合发电量高。
148.表1
[0149][0150]
(三)抗pid效应发挥抗pid效应的机理分析
[0151]
由于玻璃的耐候性主要由钠离子迁移影响，迁移越快，越多，则玻璃损伤越大。钠离子的迁移能够被氧化锡层抑制，能显著提高玻璃表面的耐候性，以及ar镀膜的耐候性。进一步抑制pid的发生几率。提高晶体硅光伏组件的光电转换效率。
[0152]
对实施例1提供抗pid效应的组件发挥抗pid效应的机理进行分析，如图6所示，空气中的水汽和盐雾中含有的氢离子会与玻璃中的钠钙离子进行置换，再与空气中的co2反应生成碳酸钙沉积在玻璃表面，影响玻璃的透光率和外观。传统减反镀(ar)膜甚至会加剧这样的现象。而实施例1提供抗pid效应的组件中，氧化锡层可以抑制玻璃种钠离子、钙离子迁移，杜绝这个过程，发挥抗 pid效应，维持组件外观。
[0153]
综上，本实用新型提供的抗pid效应的组件，其中，抗pid效应的组件包括玻璃基体，设置在玻璃基体任一面的氧化锡层。形成pid效应主要是由于玻璃基体含有大量的钠离子、钙离子，钠离子、钙离子和水中的氢离子进行交换形成了一系列的反应导致pid效应的
产生，而本实用新型基于锡离子的离子半径均比钠离子、钙离子小，离子势能更强，与氧原子的结合能力更强，有明显的聚集作用，能够增强玻璃网络结构，使玻璃网络结构更加致密，进而限制钠离子、钙离子的迁移，使玻璃表面不形成含钠离子、钙离子的碳酸盐，保护玻璃不会发生严重的侵蚀，能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的pid衰减效应的产生；同时氧化锡层对整体玻璃的透光率影响较小，进而保证得到的组件抗pid效应较强且整体性能优异，应用广泛。
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以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。