一种单模光纤及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种单模光纤，其特征在于，从内向外依次包括：芯层、内包层、外包层、第一涂覆层和第二涂覆层；芯层的相对折射率差
△
1为0.31～0.35％，内包层的相对折射率差
△
2为
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0.08～
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0.05％，内包层半径r2和芯层半径r1的比值大于等于3.9；当弯曲半径为10mm时，单模光纤在1550nm处的弯曲损耗小于0.75db/圈。2.根据权利要求1所述单模光纤，其特征在于，芯层所用材质为掺杂有使折射率上升的正掺杂剂的二氧化硅，内包层所用材质为掺杂有使折射率降低的负掺杂剂的二氧化硅，外包层所用材质为纯二氧化硅。3.根据权利要求2所述单模光纤，其特征在于，正掺杂剂为二氧化锗，负掺杂剂为氟。4.根据权利要求1所述单模光纤，其特征在于，芯层半径r1为4.2～4.5μm，内包层半径r2为15～18μm。5.根据权利要求1所述单模光纤，其特征在于，第一涂覆层和第二涂覆层所用材质为固化后树脂材料，第一涂覆层的杨氏模量小于1.0mpa，第二涂覆层的杨氏模量大于1400mpa。6.根据权利要求1所述单模光纤，其特征在于，单模光纤的1310mfd为8.8～9.2μm；优选地，单模光纤mac值为6.7～7.2。7.根据权利要求1所述单模光纤，其特征在于，单模光纤的截止波长为1250～1330nm。8.根据权利要求1所述单模光纤，其特征在于，单模光纤在1550nm处的色散系数小于等于18ps/(nm.km)。9.根据权利要求1所述单模光纤，其特征在于，单模光纤与常规光纤的在1550nm处熔接损耗小于等于0.05db。10.一种如权利要求1
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9任一项所述单模光纤的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：采用气相沉积法制作第一疏松体，第一疏松体脱水烧结形成烧结芯棒，将烧结芯棒进行延伸得到延伸芯棒，延伸芯棒接柄后采用气相沉积法制作第二疏松体，第二疏松体脱水烧结得到光纤预制棒，然后拉丝得到单模光纤；第一疏松体最终形成芯层和内包层，第二疏松体最终形成外包层。

技术总结
本发明公开了一种单模光纤，从内向外依次包括：芯层、内包层、外包层、第一涂覆层和第二涂覆层。其中芯层和内包层的相对折射率分别为


技术研发人员：谷佳承 潘艳 郑宇 王灵通 孙建
受保护的技术使用者：杭州金星通光纤科技有限公司
技术研发日：2021.08.23
技术公布日：2021/11/21