提高HastelloyN合金ΣCSL晶界比例的工艺方法与流程

技术特征：
1.一种提高hastelloy n合金σcsl晶界比例的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在室温下对hastelloy n合金进行初次冷轧，控制变形量为30
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70％；b.在hastelloy n合金完成所述步骤a初次冷轧变形后，对变形后的合金进行初次退火，在1020
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1200℃的初次退火温度下保温5
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60min，然后水淬将hastelloy n合金快速冷却至室温；c.在室温下对经过所述步骤b进行初次退火的合金进行再次冷轧变形，保证与初次冷轧方向垂直，控制变形量为30
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70％，进行二次冷轧；d.在合金完成所述步骤c的二次冷轧变形后，对变形后的合金进行二次退火，在1020
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1200℃的退火温度下保温5
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60min，然后水淬将合金快速冷却至室温；e.在室温下，对经过所述步骤d二次退火的合金再次进行冷加工变形，采用冷轧、拉伸或者其它变形方式，控制变形量为3
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15％，完成冷加工过程；f.在合金完成所述步骤e的冷加工变形后，对变形后的合金进行再次进行退火，在1020
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1200℃的退火温度下保温3
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120min，然后水淬将合金快速冷却至室温，得到σ≤29的低σcsl晶界比例不低于70％的合金。2.根据权利要求1所述提高合金低σcsl晶界比例的gbe工艺方法，其特征在于：反复至少一次进行a
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d的步骤实施交叉轧制并进行中间退火，为步骤e和f做准备。3.根据权利要求1或2所述提高合金的低σcsl晶界比例的gbe工艺方法，其特征在于：在所述步骤a中，在室温下对hastelloy n合金进行初次冷轧，控制变形量为40
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70％。4.根据权利要求1或2所述提高合金的低σcsl晶界比例的gbe工艺方法，其特征在于：在所述步骤b中，在hastelloy n合金完成初次冷轧变形后，对变形后的合金进行初次退火，在1177
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1200℃的初次退火温度下保温30
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60min，然后水淬将hastelloy n合金快速冷却至室温。5.根据权利要求1或2所述提高合金的低σcsl晶界比例的gbe工艺方法，其特征在于：在所述步骤c中，在室温下对经过进行初次退火的合金进行再次冷轧变形，保证与初次冷轧方向垂直，控制变形量为50
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70％，进行二次冷轧。6.根据权利要求1或2所述提高合金的低σcsl晶界比例的gbe工艺方法，其特征在于：在所述步骤d中，在合金完成二次冷轧变形后，对变形后的合金进行二次退火，在1100
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1200℃的退火温度下保温30
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60min，然后水淬将合金快速冷却至室温。7.根据权利要求1或2所述提高合金的低σcsl晶界比例的gbe工艺方法，其特征在于：在所述步骤e中，对经过二次退火的合金再次进行冷加工变形，控制变形量为5
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15％，完成冷加工过程。8.根据权利要求1或2所述提高合金的低σcsl晶界比例的gbe工艺方法，其特征在于：在所述步骤f中，在合金完成冷加工变形后，对变形后的合金进行再次进行退火，在1170
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1200℃的退火温度下保温20
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120min，然后水淬将合金快速冷却至室温，得到低σcsl晶界比例不低于70％的合金。

技术总结
本发明公开了一种提高Hastelloy N合金低ΣCSL晶界比例的工艺方法，将Hastelloy N合金冷轧加工30


技术研发人员：白琴 刘黎明 夏爽 陶新 孔洁 周邦新
受保护的技术使用者：上海大学
技术研发日：2021.06.11
技术公布日：2021/11/19