混合集成方法和装置与流程

技术特征：
1.一种用于在混合集成方法中与硅平台一起使用的装置试样，所述装置试样包括：输入波导，所述输入波导包括输入小面；有源波导，所述有源波导耦合到所述输入波导，所述有源波导包括基于iii
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v半导体的电光装置；以及输出波导，所述输出波导被配置来在所述有源波导与输出小面之间耦合光；其中所述输入波导和所述输出波导是无源波导。2.如权利要求1所述的装置试样，其中所述输入波导和所述输出波导中的一者或两者包含弯曲部。3. 如权利要求2 所述的装置试样，其中所述弯曲部具有的宽度小于所述有源波导的宽度。4. 如权利要求2或权利要求3所述的装置试样，其中所述弯曲部具有的宽度不超过1 μm。5.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述输入波导和所述输出波导中的一者或两者由iii
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v半导体形成。6.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述有源波导由iii
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v半导体形成。7.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述输入波导和所述输出波导中的一者或两者包括模式转换器，所述模式转换器被配置来转换从中传输通过的光的光学模式。8.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述基于iii
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v半导体的电光装置是电吸收调制器。9.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述有源波导是具有直线几何形状的直波导。10.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述有源波导的光路长度小于所述输入波导和/或所述输出波导的光路长度。11.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述输入小面和所述输出小面在所述装置试样的同一横向侧上。12.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述装置试样包括设置在所述装置试样的一个或多个横向侧之上的抗反射涂层。13.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述装置试样包括第一接触焊盘和第二接触焊盘，每个接触焊盘电连接到所述电光有源装置中的相应层。14.如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述输入小面和/或所述输出小面是丁字架小面。15. 如任一前述权利要求所述的装置试样，其中所述输入波导和/或所述输出波导具有的宽度不超过4 μm。16.一种光电装置，所述光电装置包括硅平台和如任一前述权利要求所述的装置试样，其中：所述装置试样结合到所述硅平台；所述装置试样的所述输入波导通过所述输入小面耦合到所述硅平台的输入波导；并且所述装置试样的所述输出波导通过所述输出小面耦合到所述硅平台的输出波导。17.一种制造用于在混合集成方法中与硅平台一起使用的装置试样的方法，所述方法
包括以下步骤：生长基于iii
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v半导体的多层堆叠；从所述堆叠制造有源波导，所述有源波导包括基于iii
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v半导体的电光装置；在所述堆叠上制造输入波导，所述输入波导被配置来在输入小面与所述有源波导之间耦合光；以及在所述堆叠上制造输出波导，所述输出波导被配置来在所述有源波导与输出小面之间耦合光；其中所述输入波导和所述输出波导是无源波导。18.如权利要求17至19中任一项所述的方法，其中制造所述输入波导和/或所述输出波导包括以下步骤：蚀刻掉所述堆叠的一部分，并且从所述堆叠的暴露的表面外延生长所述输入波导和/或所述输出波导。19.如权利要求17至20中任一项所述的方法，其中制造所述有源波导包括：蚀刻掉所述堆叠的一个或多个部分，以便限定所述有源波导。20.一种制造光电装置的方法，所述方法包括将如权利要求1至15中任一项所述的装置试样结合到硅平台。21.如权利要求20所述的方法，其中所述方法包括倒装芯片结合工艺。22.如权利要求20所述的方法，其中所述方法包括微转移印刷工艺。23.一种光电装置，所述光电装置通过如权利要求20至22中任一项所述的方法制造。

技术总结
一种用于在混合集成方法中与硅平台一起使用的装置试样。所述装置试样包括：输入波导，所述输入波导包括输入小面；有源波导，所述有源波导耦合到所述输入波导，所述有源波导包括基于III


技术研发人员：余国民 A
受保护的技术使用者：洛克利光子有限公司
技术研发日：2021.05.13
技术公布日：2021/11/19