形成具有氮化钛导电结构的设备的方法，以及相关的设备和系统与流程

技术特征：
1.一种形成微电子装置的方法，所述方法包含：在前体结构上形成氮化钛(tin)材料，形成所述tin材料包含重复循环，包含：使含钛气体邻近所述前体结构流动；使还原气体在所述前体结构之上流动；使含氮气体在所述前体结构之上流动；以及在使所述含氮气体流动之前和之后，吹扫气体。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述含钛气体的所述流动与所述还原气体的所述流动之间，没有所述含氮气体暴露于所述前体结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中使所述含钛气体流动和使所述还原气体流动包含在使所述含钛气体流动的同时使所述还原气体流动。4.根据权利要求3所述的方法，进一步包含在启动所述还原气体的流动之前启动所述含钛气体的流动。5.根据权利要求4所述的方法，进一步包含在停止所述含钛气体的流动之前停止所述还原气体的流动。6.根据权利要求1所述的方法，其中使所述含钛气体流动先于使所述还原气体流动。7.根据权利要求6所述的方法，进一步包含在使所述含钛气体流动与使所述还原气体流动之间吹扫气体。8.根据权利要求1所述的方法，其中：使所述含钛气体流动包含使ticl4气体流动；并且使所述含氮气体流动包含使nh3气体流动。9.根据权利要求8所述的方法，其中使所述还原气体流动包含使含硅气体流动。10.根据权利要求9所述的方法，其中使所述含硅气体流动包含使硅烷气体流动。11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，进一步包含在所述前体结构之上形成所述氮化钛(tin)材料之后，在所述tin材料之上形成包含硅的顶盖结构。12.根据权利要求11所述的方法，进一步包含，去除所述顶盖结构和所述tin材料的一部分，以形成相对于所述前体结构的电介质衬垫的上表面凹陷的tin结构。13.一种微电子装置，其包含：导电结构，所述导电结构凹陷在基础结构内，所述导电结构包含氮化钛和贯穿所述氮化钛的至少一部分的小于约五原子百分比的硅；和电介质衬垫，所述电介质衬垫在所述导电结构与所述基础结构之间。14.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述导电结构包含贯穿所述氮化钛的所述至少一部分的不大于约四原子百分比的硅。15.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述导电结构包含小于约0.05原子百分比的卤素物质。16.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述导电结构包含小于约0.05原子百分比的氯物质。17.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述导电结构基本上不含钨(w)、钌(ru)、铜(cu)、钽(ta)、钴(co)或钼(mo)中的一或多种。18.根据权利要求17所述的微电子装置，其中所述导电结构基本上不含钨(w)。
19.根据权利要求13至18中任一项所述的微电子装置，进一步包含鳍片结构，所述鳍片结构包含半导体材料，所述导电结构设置在所述鳍片结构之上和所述鳍片结构之间。20.一种电子系统，包含：输入装置；输出装置；处理器装置，所述处理器装置可操作地耦合到所述输入装置和所述输出装置；以及存储器装置，所述存储器装置可操作地耦合到所述处理器装置并且包含至少一个微电子装置结构，所述至少一个微电子装置结构包含至少一个存取线栅极结构，所述存取线栅极结构包含氮化钛和分散在整个所述氮化钛中的硅物质，所述硅物质占所述氮化钛的小于约五原子百分比。

技术总结
本申请涉及形成具有氮化钛导电结构的设备的方法，以及相关的设备和系统。形成微电子装置的方法包括在前体结构之上形成氮化钛(TiN)材料。形成所述TiN材料包含重复以下循环：使含钛气体邻近前体结构流动；使还原气体在所述前体结构之上流动；使含氮气体在所述前体结构之上流动；以及在使所述含氮气体流动之前和之后，吹扫气体。还描述了相关微电子装置和相关电子系统。和相关电子系统。和相关电子系统。


技术研发人员：金道俊 S
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.05.11
技术公布日：2021/11/19