一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

可释放中红外线镜片及其制造方法与流程

2021-11-20 01:35:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种可释放中红外线镜片的制造方法,包含:将一镜片与第一远红外线幅射源一同置放在一工作空间中,以介于40至115摄氏度之间的温度进行加热,加热的时间介于1至3小时之间,使所述镜片接受一远红外线;将所述镜片浸渍在一硬化液中,使该硬化液涂覆在所述镜片上,控制所述硬化液涂覆厚度介于1至3微米之间,所述硬化液为一矽利康及一异丙醇的混合液或该矽利康与一甲醇的混合液,且所述硬化液中添加有一远红外线材料或一远红外线复合材料,该远红外线复合材料为所述远红外线材料与一氧化锌的混合物;将涂覆有所述硬化液的所述镜片放置在一烘干空间中进行烘干,使所述硬化液干燥硬化而在所述镜片的表面形成一硬化层,其中,所述烘干空间的温度介于80至120摄氏度之间,烘干的时间介于1至10小时之间。2.如权利要求1的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:所述远红外线材料为下列任一:氧化镁、氧化钙、氧化钡、二氧化锆、二氧化钛、三氧化二铬、二氧化锰、三氧化二铁、三氧化二铝、碳化物、硅化物、硼化物、氮化物、钽、钼、钨、铁、镍、铂、铜、金,所述硬化液的矽利康的重量固含量介于19%至35%之间。3.如权利要求1的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:所述镜片接受所述第一远红外线幅射源的远红外线的加热程序系采用渐进式升温,该渐进式升温是在40至115摄氏度之间与加热时间1至3小时之间,由低温至高温分段升温,每升一段温度即维持一段时间。4.如权利要求1的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:所述镜片接受所述第一远红外线幅射源的远红外线的加热程序系采用直接升温,该直接升温是在40至115摄氏度之间与加热时间1至3小时之间,由低温直接升温至高温,且在最高温时维持一段时间。5.如权利要求1的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:所述工作空间中设置多个所述第一远红外线幅射源在该镜片周围。6.如权利要求1的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:所述烘干空间中设置有一第二远红外线幅射源,使所述镜片在烘干过程中接受所述第二远红外线幅射源所辐射出的远红外线。7.如权利要求1的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:进一步,在所述硬化层上执行一蒸镀步骤,该蒸镀步骤包含:蒸镀一第一折射率薄膜层;在该第一折射率薄膜层上蒸镀一第二折射率薄膜层;蒸镀第一折射率薄膜层与蒸镀第二折射率薄膜层的操作是依序执行一次或多次;最后再于所述第二折射率薄膜层上蒸镀所述第一折射率薄膜层;其中所述第一折射率薄膜层的折射率低于所述第二折射率薄膜层的折射率。8.如权利要求7的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:所述第一折射率薄膜层的折射率介于1.46至1.98之间,所述第二折射率薄膜层的折射率介于2.15至2.76之间。9.如权利要求7的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:所述第一折射率薄膜层为下列之一:一氧化硅薄膜层、二氧化硅薄膜层、一氧化硅与二氧化硅复合薄膜层;所述第二折射率薄膜层为下列之一:二氧化锆薄膜层、二氧化钛薄膜层、三氧化二钛薄膜层、五氧化三钛薄膜层。
10.如权利要求7的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:进一步,蒸镀有氧化铟锡薄膜层在所述第一折射率薄膜层与所述第二折射率薄膜层之间。11.如权利要求7的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:进一步,在所述硬化层上蒸镀所述第一折射率薄膜层与所述第二折射率薄膜层前,先将所述蒸镀的靶材与所述第一远红外线幅射源一同置放在所述工作空间中,以40至115摄氏度之间的温度进行加热,加热的时间为1至3小时之间,所述该靶材接受所述远红外线。12.如权利要求1的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:所述远红外线材料或所述远红外线复合材料在所述硬化液中的重量比例介于1%至5%之间。13.如权利要求1的可释放中红外线镜片的制造方法,其特征在于:所述远红外线复合材料中,所述氧化锌的重量比例介于20%至40%之间。14.一种可释放中红外线镜片,其特征在于:是使用如权利要求1至权利要求13任一项所述可释放中红外线镜片的制造方法所制造。

技术总结
本发明关于一种可释放中红外线镜片的制造方法,包含下列步骤:将一镜片放置在一远红外线辐射源中,使该镜片接受远红外线;将该镜片浸渍在一硬化液中,使该硬化液涂覆在该镜片上,该硬化液为一矽利康及一异丙醇的混合液或该矽利康与一甲醇的混合液,且添加有一远红外线材料或一远红外线复合材料;将涂覆有该硬化液的该镜片放置在一烘干空间中烘干,使该硬化液干燥硬化而在该镜片的表面形成一硬化层,其中,该烘干空间的温度介于80至120摄氏度之间,烘干的时间介于1至10小时之间。烘干的时间介于1至10小时之间。烘干的时间介于1至10小时之间。


技术研发人员:袁启洲
受保护的技术使用者:均霈光学股份有限公司
技术研发日:2021.03.03
技术公布日:2021/11/19
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表

相关文献