封装结构、封装结构的制作方法以及量子处理器与流程

技术特征：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基底；共面波导，包括间隔设置在基底表面上的两个地线和信号线，所述信号线位于所述两个地线之间；空气悬梁桥，一端与一个所述地线连接，另一端与另一个所述地线连接，且所述空气悬梁桥与所述信号线的远离所述基底的表面之间具有间隔；至少一个补偿结构，至少一个所述补偿结构位于所述基底的表面上。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，至少一个所述补偿结构位于所述基底的表面上和所述共面波导的表面上。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，至少一个所述补偿结构位于所述基底的表面上和所述空气悬梁桥的表面上。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，至少一个所述补偿结构位于所述基底的表面上、所述共面波导的表面上以及所述空气悬梁桥的表面上。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述补偿结构有多个，其中，至少一个所述补偿结构位于所述共面波导的表面上且不位于所述基底的表面上。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述补偿结构有多个，其中，至少一个所述补偿结构位于所述共面波导的表面上和所述空气悬梁桥的表面上，且不位于所述基底的表面上。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述补偿结构有多个，至少一个所述补偿结构仅位于所述空气悬梁桥的表面上。8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述补偿结构位于所述地线的侧壁上和/或所述信号线的侧壁上。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述补偿结构位于所述地线和所述信号线之间的间隔中。10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述补偿结构的裸露表面为曲面。11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述补偿结构的裸露表面在预定方向上的截面形状为半椭圆形或半圆形，所述预定方向为所述封装结构的厚度方向。12.根据权利要求1至11中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述补偿结构的材料包括超导材料。13.根据权利要求1至11中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述补偿结构为中空结构。14.一种封装结构，其特征在于，包括：基底；共面波导，包括间隔设置在基底表面上的两个地线和信号线，所述信号线位于所述两个地线之间；空气悬梁桥，一端与一个所述地线连接，另一端与另一个所述地线连接，且所述空气悬梁桥与所述信号线的远离所述基底的表面之间具有间隔；至少一个补偿结构，至少一个所述补偿结构位于所述共面波导的表面上。15.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，至少一个所述补偿结构位于所述共
面波导的表面上和所述空气悬梁桥的表面上。16.一种封装结构，其特征在于，包括：基底；共面波导，包括间隔设置在基底表面上的两个地线和信号线，所述信号线位于所述两个地线之间；空气悬梁桥，一端与一个所述地线连接，另一端与另一个所述地线连接，且所述空气悬梁桥与所述信号线的远离所述基底的表面之间具有间隔；至少一个补偿结构，至少一个所述补偿结构位于所述空气悬梁桥的表面上。17.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底的表面上形成共面波导、补偿结构和空气悬梁桥，形成权利要求1至16中任一项所述的封装结构，其中，所述共面波导包括间隔设置在所述基底的表面上的两个地线和信号线，所述信号线位于所述两个地线之间，所述空气悬梁桥的一端与一个所述地线连接，另一端与另一个所述地线连接，且所述空气悬梁桥与所述信号线的远离所述基底的表面之间具有间隔。18.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，在所述基底的表面上形成共面波导、补偿结构和空气悬梁桥，包括：在所述基底的表面上形成所述共面波导和补偿结构；在所述共面波导的表面上形成所述空气悬梁桥。19.根据权利要求18所述的制作方法，其特征在于，在所述基底的表面上形成所述共面波导和补偿结构，包括：在所述基底的表面上设置波导材料层；在所述波导材料层的表面上设置第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层和所述波导材料层进行至少一次刻蚀，形成所述共面波导和位于所述共面波导表面上的所述补偿结构。20.根据权利要求19所述的制作方法，其特征在于，对所述第一光刻胶层和所述波导材料层进行至少一次刻蚀，形成所述共面波导和位于所述共面波导表面上的所述补偿结构，包括：对所述第一光刻胶层和所述波导材料层进行一次刻蚀，形成两个所述地线、所述信号线以及位于所述地线和所述信号线之间的间隔中的所述补偿结构，所述补偿结构位于所述地线的侧壁上和/或所述信号线的侧壁上；去除剩余的所述第一光刻胶层。21.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，在所述共面波导的表面上形成所述空气悬梁桥，包括：在所述补偿结构的裸露表面上、所述信号线的表面裸露上、所述信号线两侧的所述基底的裸露表面上以及各所述地线的部分裸露表面上形成牺牲结构，所述牺牲结构的远离所述基底的表面的最低位置高于所述共面波导的远离所述基底的表面；在所述牺牲结构的裸露表面上以及所述地线的部分裸露表面上形成所述空气悬梁桥；去除所述牺牲结构。
22.根据权利要求21所述的制作方法，其特征在于，在所述补偿结构的裸露表面上、所述信号线的表面裸露上、所述信号线两侧的所述基底的裸露表面上以及各所述地线的部分裸露表面上形成牺牲结构，包括：在所述基底的裸露表面上、所述共面波导的裸露表面上以及所述补偿结构的裸露表面上形成预定结构部；刻蚀去除部分所述预定结构部，使得所述信号线的表面裸露、所述信号线两侧的所述基底表面裸露以及各所述地线的部分表面裸露，剩余的所述预定结构部形成预定通孔，所述预定通孔的远离所述基底一侧的开口宽度小于靠近所述基底一侧的开口宽度；在预定通孔内形成所述牺牲结构。23.根据权利要求22所述的制作方法，其特征在于，在所述牺牲结构的裸露表面上以及所述地线的部分裸露表面上形成所述空气悬梁桥，包括：刻蚀去除剩余的所述预定结构部；在所述牺牲结构的裸露表面上以及所述地线的部分裸露表面上形成所述空气悬梁桥。24.根据权利要求22所述的制作方法，其特征在于，在所述基底的裸露表面上、所述共面波导的裸露表面上以及所述补偿结构的裸露表面上形成预定结构部，包括：在所述基底的裸露表面上、所述共面波导的裸露表面上以及所述补偿结构的裸露表面上依次形成第一材料层和第二材料层，预定刻蚀剂对所述第一材料层的刻蚀速率为n，所述预定刻蚀剂对所述第二材料层的刻蚀速率为m，n>m，刻蚀去除部分所述预定结构部部，使得所述信号线的表面裸露、所述信号线两侧的所述基底表面裸露以及各所述地线的部分表面裸露，剩余的所述预定结构部部形成预定通孔，包括：采用电子束曝光形成所述第一材料层和所述第二材料层；采用所述预定刻蚀剂去除部分曝光后的所述第一材料层和部分所述第二材料层，形成所述预定通孔。25.根据权利要求24所述的制作方法，其特征在于，所述第一材料层为甲基丙烯酸甲酯层，所述第二材料层为聚甲基丙烯酸甲酯层，所述第一材料层的厚度在1μm～3μm之间，所述第二材料层的厚度在300nm～800nm之间。26.根据权利要求21所述的制作方法，其特征在于，在所述牺牲结构的裸露表面上以及所述地线的部分裸露表面上形成所述空气悬梁桥，包括：在所述牺牲结构两侧的所述地线上分别设置一个光刻胶部，各所述光刻胶部与所述牺牲结构之均间具有间隔；在所述光刻胶部的裸露表面上、所述地线的裸露表面上以及所述牺牲结构的裸露表面上设置空气悬梁桥材料；去除所述光刻胶部以及位于所述光刻胶部上的所述空气悬梁桥材料，剩余的所述空气悬梁桥材料形成所述空气悬梁桥。27.根据权利要求21所述的制作方法，其特征在于，所述补偿结构的不与所述基底、所述共面波导和/或所述空气悬梁桥接触的表面为曲面。28.根据权利要求17至27中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述补偿结构的裸露表面为曲面。
29.根据权利要求28所述的制作方法，其特征在于，所述补偿结构的裸露表面在预定方向上的截面形状为半椭圆形或半圆形，所述预定方向为所述封装结构的厚度方向。30.根据权利要求17至27中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述补偿结构的材料包括超导材料。31.根据权利要求21至27中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲结构的材料包括二氧化硅。32.一种量子处理器，包括封装结构，其特征在于，所述封装结构为权利要求1至16中任一项所述的封装结构或者权利要求17至31中任一项所述的制作方法制作得到的封装结构。

技术总结
本发明公开了一种封装结构、封装结构的制作方法以及量子处理器。其中，该封装结构，包括：基底；共面波导，包括间隔设置在基底表面上的两个地线和信号线，信号线位于两个地线之间；空气悬梁桥，一端与一个地线连接，另一端与另一个地线连接，且空气悬梁桥与信号线的远离基底的表面之间具有间隔；至少一个补偿结构，至少一个补偿结构位于基底的表面上。本发明缓解了由于空气悬梁桥造成的介质损耗的技术问题。题。题。


技术研发人员：徐华 秦金
受保护的技术使用者：阿里巴巴集团控股有限公司
技术研发日：2020.05.13
技术公布日：2021/11/19