栅极驱动装置的制作方法

技术特征：
1.一种栅极驱动装置，其特征在于，所述栅极驱动装置包括：多个栅极驱动单元，其中所述多个栅极驱动单元中的第n级栅极驱动单元包括：充电电路，经配置以反应于第(n
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m)级栅极驱动信号以将偏压节点的电压值抬升至第一偏压值；输出电路，耦接于所述偏压节点，经配置以反应于对应的外部时钟以及位于所述偏压节点的所述第一偏压值提供第n级栅极驱动信号；放电电路，耦接于所述偏压节点，经配置以反应于第(n p)级栅极驱动信号以将所述偏压节点的电压值下拉至第二偏压值；重置电路，耦接于所述偏压节点，经配置以反应于重置信号以将位于所述偏压节点的电压值重置为第三偏压值；以及抗噪电路，耦接于所述输出电路，经配置以反应于位于所述偏压节点的所述第二偏压值以及所述第三偏压值的其中之一来对所述偏压节点以及所述第n级栅极驱动单元的输出端执行抗噪操作，其中所述多个栅极驱动单元反应于所述重置信号以同时重置所述多个栅极驱动单元的多个偏压节点的电压值，其中n、m以及p分别为正整数，并且n
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m大于或等于1。2.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其特征在于，当位于所述偏压节点的电压值大于或等于所述第一偏压值时，所述抗噪电路对位于所述偏压节点的电压值进行稳压。3.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述输出电路包括：输出晶体管，所述输出晶体管的第一端用以接收所述外部时钟，所述输出晶体管的第二端作为所述第n级栅极驱动单元的输出端，所述输出晶体管的控制端耦接于所述偏压节点；以及电容器，耦接于所述输出晶体管的第二端以及所述输出晶体管的控制端之间。4.根据权利要求3所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述抗噪电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一端以及所述第一晶体管的控制端用以接收栅极高电压信号；第二晶体管，所述第二晶体管的第一端用以接收所述栅极高电压信号，所述第二晶体管的控制端耦接于所述第一晶体管的第二端；第三晶体管，所述第三晶体管的第一端耦接于所述第一晶体管的第二端，所述第三晶体管的第二端耦接于参考低电压，所述第三晶体管的控制端耦接于所述偏压节点；第四晶体管，所述第四晶体管的第一端耦接于所述第二晶体管的第二端，所述第四晶体管的第二端耦接于所述参考低电压，所述第四晶体管的控制端耦接于所述偏压节点；第五晶体管，所述第五晶体管的第一端耦接于所述偏压节点，所述第五晶体管的第二端耦接于所述参考低电压，所述第五晶体管的控制端耦接于所述第二晶体管的第二端；第六晶体管，所述第六晶体管的第一端耦接于所述输出晶体管的第二端，所述第六晶体管的第二端耦接于所述参考低电压，所述第六晶体管的控制端耦接于所述第二晶体管的第二端。5.根据权利要求4所述的栅极驱动装置，其特征在于，当位于所述偏压节点的电压值为所述第二偏压值以及所述第三偏压值的其中之一时，所述第三晶体管以及所述第四晶体管
被断开，使得所述第五晶体管以及所述第六晶体管被导通。6.根据权利要求4所述的栅极驱动装置，其特征在于，当位于所述偏压节点的电压值大于或等于所述第一偏压值时，所述第三晶体管以及所述第四晶体管被导通，使得所述第五晶体管以及所述第六晶体管被断开。7.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述充电电路包括：充电晶体管，所述充电晶体管的第一端耦接于系统高电压，所述充电晶体管的第二端耦接于所述偏压节点，所述充电晶体管的控制端用以接收所述第(n
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m)级栅极驱动信号。8.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述放电电路包括：放电晶体管，所述放电晶体管的第一端耦接于所述偏压节点，所述放电晶体管的第二端耦接于系统低电压，所述放电晶体管的控制端耦接于所述第(n p)级栅极驱动信号。9.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述重置电路包括：重置晶体管，所述重置晶体管的第一端耦接于所述偏压节点，所述重置晶体管的第二端耦接于参考低电压，所述重置晶体管的控制端用以接收所述重置信号。10.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述重置电路是在每个画框时间区间开始前以及在每个画框时间区间结束后的至少其中之一重置位于所述重置电路耦接的所述偏压节点的电压值。

技术总结
本实用新型提供一种栅极驱动装置。栅极驱动装置包括多个栅极驱动单元。第N级栅极驱动单元包括充电电路、输出电路、放电电路、重置电路以及抗噪电路。充电电路反应于第(N


技术研发人员：吕宣毅 周凯茹 陈辰恩
受保护的技术使用者：凌巨科技股份有限公司
技术研发日：2021.05.27
技术公布日：2021/11/17