一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示装置以及制造方法与流程

2021-11-18 02:37:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种显示装置,其包括:多个像素;以及与所述多个像素对应的像素电路,所述显示装置特征在于,在基板上依次层叠有半导体层、栅极绝缘膜、栅极、第一层间绝缘膜、电容电极以及第二层间绝缘膜,所述像素电路包括驱动晶体管、电容和连接布线,所述驱动晶体管包括在俯视时彼此重叠的所述半导体层、所述栅极绝缘膜以及所述栅极,所述电容包括在俯视时彼此重叠的所述栅极、所述第一层间绝缘膜及所述电容电极,在所述半导体层设置有沟道区域和将所述沟道区域夹在中间的导体区域,所述电容电极在俯视时与所述栅极重叠的位置的一部分上设置有第一开口以及第二开口,所述第一层间绝缘膜及所述第二层间绝缘膜具有接触孔和孔,所述接触孔设置在被所述第一开口包围的位置,所述孔设置在被所述第二开口包围的位置,所述连接布线设置在所述第二层间绝缘膜之上,经由所述接触孔与所述栅极连接,所述孔在俯视时与所述沟道区域的一部分重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述孔被设置为,在与所述导体区域彼此相对的沟道长度方向正交的沟道宽度方向上,至少与所述沟道区域的一端交叉。3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述孔在所述沟道宽度方向上与所述沟道区域的两端交叉地设置。4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述第二开口和与所述第二开口对应的所述孔设置有多个。5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述接触孔与所述沟道区域的一部分在俯视时重叠。6.一种显示装置,其包括:多个像素;以及与所述多个像素对应的像素电路,所述显示装置特征在于,在基板上依次层叠半导体层、栅极绝缘膜、栅极、第一层间绝缘膜、电容电极以及第二层间绝缘膜,所述像素电路包括驱动晶体管、电容和连接布线,所述驱动晶体管包括在俯视时彼此重叠的所述半导体层、所述栅极绝缘膜以及所述栅极,所述电容包括在俯视时彼此重叠的所述栅极、所述第一层间绝缘膜及所述电容电极,在所述半导体层设置有沟道区域和将所述沟道区域夹在中间的导体区域,所述电容电极在俯视时与所述栅极重叠的位置的一部分上设置有第一开口,所述第一层间绝缘膜及所述第二层间绝缘膜具有接触孔,所述接触孔设置在被所述第一开口包围的位置,所述连接布线设置在所述第二层间绝缘膜之上,经由所述接触孔与所述栅极连接,所述接触孔与所述沟道区域的一部分在俯视时重叠。7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,
所述接触孔设置为在与所述导体区域彼此相对的沟道长度方向正交的沟道宽度方向上,至少与所述沟道区域的一端交叉。8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述接触孔设置为在所述沟道宽度方向上与所述沟道区域的两端交叉。9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述接触孔沿所述沟道区域在所述沟道长度方向延伸。10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述沟道区域具有蛇行部,其沿着与所述沟道长度方向交叉的方向延伸,所述接触孔沿着所述蛇行部延伸。11.根据权利要求9或10所述的显示装置,其特征在于,设置有所述第一开口的范围为与所述栅极重叠的范围。12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述电容电极是所述多个像素共用的第一电源电压线。13.一种显示装置的制造方法,所述显示装置包括多个像素和与所述多个像素对应的像素电路,所述显示装置的制造方法特征在于,其包括:在基板上成膜半导体膜的工序;在所述半导体膜上图案化形成半导体层的工序;在所述半导体层上成膜栅极绝缘膜的工序;在所述栅极绝缘膜上成膜第一金属层的工序;在所述第一金属层上图案化形成栅极的工序;在所述栅极上成膜第一层间绝缘膜的工序;在所述第一层间绝缘膜上成膜第二金属层的工序;在所述第二金属层的俯视时与所述栅极重叠的位置的一部分图案化形成电容电极的工序,所述电容电极具有第一开口以及第二开口;在所述第一层间绝缘膜以及所述电容电极上成膜第二层间绝缘膜的工序;在所述第一层间绝缘膜及所述第二层间绝缘膜上图案化形成俯视时被所述第一开口包围的接触孔和被所述第二开口包围的孔的工序;退火工序;在所述第二层间绝缘膜上成膜第三金属层的工序;以及在所述第三金属层上图案化形成经由所述接触孔与所述栅极电连接的连接布线的工序。

技术总结
在显示装置中,包括与多个像素对应的像素电路,在基板(2)上依次层叠有半导体层(5)、栅极绝缘膜(6)、栅极(7)、第一层间绝缘膜(8)、电容电极(9)以及第二层间绝缘膜(10)。像素电路包含驱动晶体管(1)、电容和连接布线(11)。电容电极(9)在俯视时与栅极(7)重叠的位置的一部分设置有第一开口(9a)和第二开口(9b)。第一层间绝缘膜(8)和第二层间绝缘膜(10)具有设置在被第一开口(9a)包围的位置的接触孔(14)和设置在被第二开口(9b)包围的位置的孔(15)。连接布线(11)经由接触孔(14)与栅极(7)连接。孔(15)与半导体层(5)的沟道区域(5a)的一部分在俯视时重叠。俯视时重叠。俯视时重叠。


技术研发人员:三轮昌彦 齐藤贵翁 山中雅贵 孙屹 神崎庸辅
受保护的技术使用者:夏普株式会社
技术研发日:2019.04.09
技术公布日:2021/11/17
再多了解一些

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