原子层沉积及蚀刻设备的制作方法

1.本实用新型涉及一种沉积及蚀刻设备，特别是涉及一种原子层沉积及蚀刻设备。


背景技术：

2.现有的原子层沉积及蚀刻设备中，仅具有为一支前驱物进气管，若要在同一制程而不破坏其腔体的真空环境时，仅能镀覆一种材料，而无法进行不同材料的交错镀覆，若需进行不同材料的交错镀覆，则需要多次破真空并更换前驱物材料，其破真空过程不仅会造成粒子(particle)污染的影响，还增加了制程时间。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种可避免需多次对腔体破真空，以提升对待处理物的处理质量及结构制作的便利性的原子层沉积及蚀刻设备。
4.本实用新型的原子层沉积及蚀刻设备，包含腔体、矩形载台，及多个进气管。
5.所述矩形载台位于所述腔体中，用于承载至少一待处理物，所述进气管位于所述矩形载台的周围，每一个所述进气管具有至少一面向所述至少一待处理物的进气口。
6.本实用新型的原子层沉积及蚀刻设备，所述进气管沿所述矩形载台的矩形态样设置，并构成与所述矩形载台平行的平面。
7.本实用新型的原子层沉积及蚀刻设备，包括多个进气单元，定义垂直所述矩形载台方向的轴线，所述进气单元沿所述轴线方向排列，且每一个所述进气单元包括至少一所述进气管。
8.本实用新型的原子层沉积及蚀刻设备，所述进气单元沿所述轴线方向等间隔设置。
9.本实用新型的原子层沉积及蚀刻设备，每一个所述进气单元包括多个进气管，所述进气管沿所述矩形载台的矩形态样设置，并构成与所述矩形载台平行的平面。
10.本实用新型的原子层沉积及蚀刻设备，所述腔体呈矩形态样。
11.本实用新型的有益效果在于：设置多个进气管，以提升对待处理物的处理质量及结构制作的便利性，且可避免需多次对所述腔体破真空，除了能降低粒子污染的影响，还能缩短制程时间。
附图说明
12.图1是本实用新型原子层沉积及蚀刻设备的一第一实施例；及
13.图2是本实用新型原子层沉积及蚀刻设备的一第二实施例的多个进气单元与所述矩形载台的相对关系。
具体实施方式
14.下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明：
15.参阅图1，本实用新型原子层沉积及蚀刻设备的一第一实施例包含一呈矩形态样的腔体2、一设置在该腔体2内的矩形载台3，及一位于该矩形载台3周围的进气单元4。要说明的是，在本实施例中，是以原子层沉积(atomic layer deposition，ald)设备为例做说明，但不以此限，也可以是原子层蚀刻(atomic layer etching，ale)设备，更可以是原子层沉积及蚀刻双功能设备。
16.具体地说，本实施例以原子层沉积设备为例做说明，其该腔体2界定出一矩形腔室20，令该矩形载台3适当地设置在该矩形腔室20内，通过将该腔体2与该矩形载台3设计成矩形态样，使该矩形载台3能一次承载多个待处理物100，其中，所述待处理物100的态样并没有特别限制，除了可以是一般常见的半导体晶圆之外，还可以是玻璃基板或tray盘，以适合用于例如面板产业与封装产业，在本实施例中，该待处理物100是以半导体晶圆，且一次承载两片为例做说明。
17.该进气单元4包括多个进气管41，设置所述进气管41的数量并没有特别限定，在本实施例中，所述进气管41是以四支沿该矩形载台3的矩形态样设置为例做说明，且所述进气管41共同构成与该矩形载台3平行的平面，而每一支该进气管41具有多个面向所述待处理物100的进气口40。
18.要说明的是，所述进气管41是用于供前驱物导入，以对该待处理物100进行镀覆，且可视应用情况，将不同的前驱物材料通入对应的所述进气管41中，以在不用对该腔体2进行破真空的情况下，便能对所述待处理物100镀覆交错不同的膜层。此处要说明的是，本实用新型原子层沉积及蚀刻设备的所述进气管41实际上会视应用情况分别连接多个装有不同前驱物的前驱物槽(precursor tank)，由于本实用新型主要特征在于该矩形载台3与所述进气管41之间的态样及配置，因此，相关图式仅示意出所述进气管41，有关前驱物槽与所述进气管41的连接方式实属本领域人员所周知，于此不加以赘述。
19.参阅图2，本实用新型原子层沉积及蚀刻设备一第二实施例大致相同于该第一实施例，不同处在于，该第二实施例还包含多个进气单元4，且是以呈现该矩形载台3能用于承载例如方形的玻璃基板为例。
20.具体地说，定义一垂直于该矩形载台3的轴线方向z，所述进气单元4沿该轴线方向z排列，且每一个该进气单元4包括多支该进气管41。较佳地，所述进气单元4沿该轴线方向z为等间隔设置，且每一该进气单元4也包括四支沿该矩形载台的矩形态样设置的进气管41。在本实施例中，是以两个进气单元4而共具有八支进气管41为例作说明，但其数量并没有特别限制，可视应用情况再增加进气单元4及不同数量的进气管41。
21.综上所述，本实用新型原子层沉积及蚀刻设备，在该矩形载台3四周设置多个进气管41，不仅能提升对待处理物100的处理质量及结构制作的便利性，还可避免需多次对该腔体2破真空，且除了能降低粒子污染该待处理物100的影响，还能整体缩短制程时间，因此，确实能达成本实用新型的目的。
22.以上所述仅为本实用新型较佳实施例，然其并非用以限定本实用新型的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本实用新型的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。


技术特征：
1.一种原子层沉积及蚀刻设备，其特征在于：所述原子层沉积及蚀刻设备包含腔体、矩形载台及多个进气管，所述矩形载台位于所述腔体中，用于承载至少一待处理物，所述进气管位于所述矩形载台的周围，每一个所述进气管具有至少一面向所述至少一待处理物的进气口。2.如权利要求1所述的原子层沉积及蚀刻设备，其特征在于：所述进气管沿所述矩形载台的矩形态样设置，并构成与所述矩形载台平行的平面。3.如权利要求1所述的原子层沉积及蚀刻设备，其特征在于：还包括多个进气单元，定义垂直于所述矩形载台的轴线方向，所述进气单元沿所述轴线方向排列，且每一个所述进气单元包括至少一所述进气管。4.如权利要求3所述的原子层沉积及蚀刻设备，其特征在于：所述进气单元沿所述轴线方向等间隔设置。5.如权利要求3所述的原子层沉积及蚀刻设备，其特征在于：每一个所述进气单元包括多个进气管，所述进气管沿所述矩形载台的矩形态样设置，并构成与所述矩形载台平行的平面。6.如权利要求1所述的原子层沉积及蚀刻设备，其特征在于：所述腔体呈矩形态样。

技术总结
本实用新型提供一种原子层沉积及蚀刻设备，包含腔体、矩形载台及多个进气管。所述矩形载台位于所述腔体中，用于承载至少一待处理物，所述进气管位于所述矩形载台的周围，每一个所述进气管具有至少一面向所述至少一待处理物的进气口。通过设置多个进气管，以提升对待处理物的处理质量及结构制作的便利性，且可避免需多次对所述腔体破真空，除了能降低粒子污染的影响，还能缩短制程时间。还能缩短制程时间。还能缩短制程时间。


技术研发人员：丁肇诚 李裕安 陈柏州
受保护的技术使用者：抱朴科技股份有限公司
技术研发日：2021.04.28
技术公布日：2021/11/17