一种纳米纹理保护膜的制作方法

技术特征：
1.一种纳米纹理保护膜，其特征在于，所述纳米纹理保护膜是通过先将n
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[3
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(三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺溶液da与月桂酰氯溶液la对聚偏二氟乙烯pvdf/羰基铁cip复合薄膜表面进行修饰，形成微/纳米复合结构，然后再通过外加磁场形成纹理结构。2.根据权利要求1所述的一种纳米纹理保护膜，其特征在于：所述聚偏二氟乙烯pvdf/羰基铁cip复合薄膜中pvdf与cip的质量比为1
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6：1。3.根据权利要求1所述的一种纳米纹理保护膜，其特征在于：所述n
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[3
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(三甲氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺溶液da是将4
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9mm的da溶解在丙酮和水8
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12：1的体积比混合溶解中。4.根据权利要求1所述的一种纳米纹理保护膜，其特征在于：所述月桂酰氯溶液la是将8
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13mm的la溶解在环己烷中，以三乙胺为催化剂。5.根据权利要求1
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4任一项所述的纳米纹理保护膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将聚偏二氟乙烯pvdf/羰基铁cip复合薄膜旋涂在干净的基板上，然后将涂有复合薄膜的基板放入naoh溶液中处理，得到pvdf/cip
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oh膜；(2)将得到的pvdf/cip
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oh膜浸入食人鱼溶液中，取出pvdf/cip
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oh膜表面用去离子水冲洗，并用n2干燥；(3)室温下，将干燥后的pvdf/cip
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oh膜移入da溶液中反应，反应结束后，取出用丙酮、环己烷超声清洗，并用n2干燥，得到pvdf/cip
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da膜；(4)将得到的pvdf/cip
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da膜放入la溶液中反应，反应结束后取出用甲苯、丙酮和乙醇进行超声清洗，并用n2干燥，得到pvdf/cip
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da
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la膜；(5)将得到的pvdf/cip
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da
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la膜移到永磁体的表面，5
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10min后，将pvdf/cip
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da
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la膜移到烘箱内烘干，结束后取出，即得成品。6.根据权利要求5所述的一种纳米纹理保护膜制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中naoh溶液的浓度为12mol/l。7.根据权利要求5所述的一种纳米纹理保护膜制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中pvdf/cip
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oh膜浸入食人鱼溶液中20
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40min。8.根据权利要求5所述的一种纳米纹理保护膜制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中pvdf/cip
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oh膜移入da溶液中反应0.5
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1.5h。9.根据权利要求5所述的一种纳米纹理保护膜制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中pvdf/cip
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da膜放入la溶液中反应22
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27h。10.根据权利要求5所述的一种纳米纹理保护膜制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中烘箱的温度为30
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50℃，烘干时间为3
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5h。

技术总结
本发明属于膜材料技术领域，具体涉及一种纳米纹理保护膜，该种纳米纹理保护膜是通过先将N


技术研发人员：许晋嘉 冯彬 李益玮 施绍富 杨雍华 夏晓龙
受保护的技术使用者：佛山市佳世达薄膜科技有限公司
技术研发日：2021.08.12
技术公布日：2021/11/14