显示装置的制作方法

1.公开涉及一种显示装置。


背景技术：

2.液晶显示器(lcd)是最广泛使用的显示装置类型中的一种。lcd包括具有像素电极和共电极的一对基底以及置于两个基底之间的液晶层。在lcd中，电压施加到像素电极和共电极以在液晶层中产生电场，从而驱动液晶层的液晶分子并控制入射光的偏振。因此，图像显示在lcd上。
3.为了将电压施加到像素电极，lcd可以包括在一方向上延伸的扫描线、在与所述一方向相交的另一方向上延伸的数据线以及分别连接到扫描线和数据线的子像素。子像素中的每个通过扫描线的扫描信号导通，以将像素电极连接到数据线。在lcd中，扫描线和数据线不可避免地彼此相交，但是由于在扫描线和数据线的相交点处的颗粒，在扫描线与数据线之间非常可能发生短路。


技术实现要素：

4.当前公开的实施例提供一种可以减少扫描线和数据线的相交点的数量的显示装置。
5.根据公开的实施例，显示装置包括：基底；扫描线，设置在基底上且沿着第一方向延伸；数据线，设置在基底上且沿着与第一方向相交的第二方向延伸；第一开关元件，包括第一有源层、连接到扫描线之中的第一扫描线的第一栅电极、连接到数据线之中的第一数据线的第一漏电极以及面对第一漏电极的第一源电极；第一像素电极，连接到第一开关元件的第一源电极；第二开关元件，包括第二有源层、连接到第一扫描线的第二栅电极、连接到数据线之中的第二数据线的第二漏电极以及面对第二漏电极的第二源电极；以及第二像素电极，连接到第二开关元件的第二源电极。第一像素电极和第二像素电极沿着第二方向设置，并且第一源电极和第一漏电极在与第一开关元件的第一有源层叠置的区域中沿着第二方向延伸。
6.根据公开的实施例，显示装置包括：基底；扫描线，设置在基底上且沿着第一方向延伸；数据线，设置在基底上且沿着与第一方向相交的第二方向延伸；第一开关元件，包括第一有源层、连接到扫描线之中的第一扫描线的第一栅电极、连接到数据线之中的第一数据线的第一漏电极以及面对第一漏电极的第一源电极；第一像素电极，通过第一接触孔连接到第一开关元件的第一源电极；第二开关元件，包括第二有源层、连接到第一扫描线的第二栅电极、连接到数据线之中的第二数据线的第二漏电极以及面对第二漏电极的第二源电极；以及第二像素电极，通过第二接触孔连接到第二开关元件的第二源电极。第一开关元件在第二方向上与第一接触孔叠置，并且第二开关元件在第二方向上与第二接触孔叠置。
7.根据公开的实施例，显示装置包括：基底；扫描线，设置在基底上且沿着第一方向延伸；数据线，设置在基底上且沿着与第一方向相交的第二方向延伸；第一开关元件，包括
第一有源层、连接到扫描线之中的第一扫描线的第一栅电极、连接到数据线之中的第一数据线的第一漏电极以及面对第一漏电极的第一源电极；第一像素电极，连接到第一开关元件的第一源电极；第一源极连接部，从第一源电极延伸且通过第一接触孔连接到第一像素电极；以及第一存储电极，在平面图中与第一源极连接部叠置。第一存储电极的一个边缘比第一源极连接部的一个边缘在第一方向或第二方向上突出得远。
8.根据公开的实施例，由于颗粒引起的存储线与数据线之间的短路可以通过减少存储线和数据线的相交点的数量来减少。因此，可以增加显示面板的制造成品率。
9.应注意的是，本公开的效果不限于上述效果，根据下面的描述，本公开的其它效果对于本领域技术人员而言将是清楚的。
附图说明
10.通过参照附图详细描述发明构思的示例性实施例，发明构思的以上和其它特征将会变得更清楚，在附图中：
11.图1是根据实施例的显示装置的透视图；
12.图2是根据实施例的显示装置的框图；
13.图3是示出了根据实施例的显示面板的子像素的电路图；
14.图4是示出了根据实施例的显示面板的子像素的布局图；
15.图5是示出了根据实施例的显示面板的子像素的电路图；
16.图6是示出了根据实施例的显示面板的子像素的布局图；
17.图7是详细示出了图6的第一子像素的第一开关元件和第一接触孔以及第二子像素的第二开关元件和第二接触孔的示例的放大布局图；
18.图8是沿着图7的线i
‑
i'截取的显示面板的示例的剖视图；
19.图9、图10和图11是详细示出了图8的第一子像素的第一开关元件、第一源极连接部和第一存储电极的放大布局图；
20.图12是示出了图6中所示的显示面板的子像素和光阻挡构件的示例的布局图；
21.图13是示出了图6中所示的显示面板的子像素和光阻挡构件的示例的布局图；
22.图14是示出了图6中所示的显示面板的子像素和光阻挡构件的示例的布局图；
23.图15是示出了根据实施例的显示面板的子像素的布局图；
24.图16是详细示出了图15的第一子像素的第一开关元件和第一接触孔以及第二子像素的第二开关元件和第二接触孔的放大布局图；
25.图17是示出了根据实施例的显示面板的子像素的布局图；以及
26.图18是详细示出了图17的第一子像素的第一开关元件和第一接触孔以及第二子像素的第二开关元件和第二接触孔的放大布局图。
具体实施方式
27.现在将在下文中参照附图更充分地描述发明构思，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明构思的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。
28.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，所述层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
29.将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离在此的教导的情况下，下面讨论的第一“元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
30.在此所使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如在此所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”旨在包括复数形式，复数形式包括“至少一个(种/者)”。“或”意指“和/或”。“a和b中的至少一个(种/者)”意指“a和/或b”。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”及其变型说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
31.此外，在此可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另外的元件的关系。将理解的是，相对术语旨在涵盖装置的除了附图中描绘的方位以外的不同方位。例如，如果附图中的一个中的装置翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件随后将被定位为在所述其它元件的“上”侧上。因此，示例性术语“下”可以根据附图的具体方位涵盖“下”和“上”两个方位。类似地，如果附图中的一个中的装置翻转，则被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在
·····
下方”或“在
·····
之下”可以涵盖上方和下方两个方位。
32.这里所使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且表示在如由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)所确定的具体值的偏差的可接受的范围之内。
33.除非另有定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在此明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义进行解释。
34.在此，参照作为理想化的实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差导致的图示形状的变化。因此，在此所描述的实施例不应被解释为限于如在此所示的区域的具体形状，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。而且，所示的锐角(或“尖角”)可以是圆形的(倒圆的)。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，也不旨在限制本权利要求的范围。
35.在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。
36.图1是根据实施例的显示装置10的透视图。
37.参照图1，根据实施例的显示装置10是用于显示运动图像或静止图像的装置。显示装置10可以用作便携式电子装置(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置和超移动pc(umpc))以及各种产品(诸如电视、笔记本计算机、监视器、广告牌和物联网(iot))中的显示屏。
38.根据实施例的显示装置10可以是lcd显示装置以及诸如使用有机发光二极管的有机发光显示装置、包括量子点发光层的量子点发光显示装置、包括无机半导体的无机发光显示装置或使用微型发光二极管的微型发光显示装置的发光显示装置。下面将主要描述显示装置10是lcd显示装置的情况，但是本公开不限于此。
39.根据实施例的显示装置10包括显示面板110、第一源极驱动电路121、第一柔性膜122、第二源极驱动电路123、第二柔性膜124、第一源极电路板140、第二源极电路板141、第一电缆150、第二电缆153、控制电路板160和时序控制电路170。
40.显示面板110在平面图中可以是矩形的。例如，显示面板110可以具有矩形平面形状，矩形平面形状具有在第一方向(x轴方向)上的长边和在第二方向(y轴方向)上的短边。在第一方向(x轴方向)上延伸的长边与在第二方向(y轴方向)上延伸的短边相交的每个角可以是直角，或者可以以预定曲率倒圆。显示面板110的平面形状不限于矩形形状，而是也可以是另一多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。虽然显示面板110在图1中形成为平坦的，但是本公开不限于此。显示面板110也可以以预定曲率弯曲。
41.显示面板110可以包括第一基底111和第二基底112。第一基底111和第二基底112可以由玻璃或塑料制成。显示面板110可以被实现为包括设置在第一基底111与第二基底112之间的液晶层的液晶显示面板。下偏振膜可以设置在第一基底111的外表面上，上偏振膜可以设置在第二基底112的外表面上。
42.显示面板110可以是具有诸如4k超高清(uhd)或8k uhd的高分辨率的显示面板。4k uhd指3840
×
2160的分辨率，8k uhd指7680
×
4320的分辨率。8k uhd的分辨率是4k uhd的分辨率的四倍。
43.第二基底112在第二方向(y轴方向)上的长度可以比第一基底111在第二方向(y轴方向)上的长度小。因此，第一基底111的在显示面板110的第一侧和第二侧上的表面可以被暴露而不被第二基底112覆盖。显示面板110的第二侧可以在第二方向(y轴方向)上与显示面板110的第一侧相对。在本说明书中，将主要描述如图1中所示的显示面板110的第一侧是显示面板110的下侧且显示面板110的第二侧是显示面板110的上侧的情况。
44.扫描驱动器130(见图2)的第一扫描驱动器131(见图3)可以设置在显示面板110的第三侧上，扫描驱动器130(见图2)的第二扫描驱动器132(见图3)可以设置在显示面板110的第四侧上。显示面板110的第四侧可以在第一方向(x轴方向)上与显示面板110的第三侧相对。在本说明书中，将主要描述如图1中所示的显示面板110的第三侧是显示面板110的左侧且显示面板110的第四侧是显示面板110的右侧的情况。
45.第一扫描驱动器131(见图3)可以响应于时序控制电路170的第一扫描控制信号产生第一扫描信号，并且将第一扫描信号顺序地输出到显示面板110的扫描线。第二扫描驱动器132(见图3)可以响应于时序控制电路170的第二扫描控制信号产生第二扫描信号，并且将第二扫描信号顺序地输出到显示面板110的扫描线。第一扫描信号和第二扫描信号可以
同步。
46.第一柔性膜122可以设置在显示面板110的下侧上。第一柔性膜122可以在第一方向(x轴方向)上布置。第二柔性膜124可以设置在显示面板110的上侧上。第二柔性膜124可以在第一方向(x轴方向)上布置。
47.第一柔性膜122中的每个的一侧可以附着到第一基底111的被暴露而不被第二基底112覆盖的表面。第一柔性膜122中的每个的另一侧可以附着到第一源极电路板140中的任何一个的表面。第一柔性膜122中的每个可以使用各向异性导电膜附着到第一基底111的表面和第一源极电路板140的表面。
48.第二柔性膜124中的每个的一侧可以设置在第一基底111的被暴露而不被第二基底112覆盖的表面上。第二柔性膜124中的每个的另一侧可以附着到第二源极电路板141中的任何一个的表面。第二柔性膜124中的每个可以使用各向异性导电膜附着到第一基底111的表面和第二源极电路板141的表面。
49.第一柔性膜122和第二柔性膜124中的每个可以是诸如带载封装或膜上芯片的可弯曲的柔性膜。第一柔性膜122和第二柔性膜124可以弯曲以设置在第一基底111下面。因此，第一源极电路板140、第二源极电路板141、第一电缆150、第二电缆153、控制电路板160和时序控制电路170可以设置在第一基底111下面。
50.虽然图1中示出了第一柔性膜122和第二柔性膜124，但是在本说明书中可以省略第一柔性膜122或第二柔性膜124。例如，当显示面板110具有诸如8k uhd的高分辨率时，需要全部第一柔性膜122和第二柔性膜124。然而，当显示面板110具有4k uhd时，可以省略第一柔性膜122或第二柔性膜124。
51.另外，虽然在图1中八个第一柔性膜122和八个第二柔性膜124附着到显示面板110的第一基底111上，但是在本说明书中，第一柔性膜122的数量和第二柔性膜124的数量不限于此。例如，第一柔性膜122的数量和第二柔性膜124的数量可以根据第一柔性膜122中的每个的通道的数量和第二柔性膜124中的每个的通道的数量变化。第一柔性膜122中的每个的通道的数量指示第一柔性膜122中的每个的连接到显示面板110的第一垫(pad，或称为“焊盘”)的引线垫的数量。第二柔性膜124中的每个的通道的数量指示第二柔性膜124中的每个的连接到显示面板110的第二垫的引线垫的数量。
52.第一源极驱动电路121可以分别设置在第一柔性膜122上。第一源极驱动电路121可以形成为集成电路。第一源极驱动电路121中的每个响应于时序控制电路170的第一源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且通过第一柔性膜122将模拟数据电压输出到显示面板110的数据线。
53.第二源极驱动电路123可以分别设置在第二柔性膜124上。第二源极驱动电路123可以形成为集成电路。第二源极驱动电路123中的每个响应于时序控制电路170的第二源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且通过第二柔性膜124将模拟数据电压输出到显示面板110的数据线。
54.第一源极电路板140中的每个可以通过第一电缆150连接到控制电路板160。第一源极电路板140中的每个可以包括连接到第一电缆150的第一连接部151a。
55.第二源极电路板141中的每个可以通过第二电缆153连接到控制电路板160。第二源极电路板141中的每个可以包括连接到第二电缆153的第三连接部154。
56.第一源极电路板140和第二源极电路板141可以是柔性印刷电路板或印刷电路板。第一电缆150和第二电缆153可以是柔性电缆。
57.控制电路板160可以通过第一电缆150连接到第一源极电路板140。控制电路板160可以包括连接到第一电缆150的第二连接部152。控制电路板160可以通过第二电缆153连接到第二源极电路板141。控制电路板160可以包括连接到第二电缆153的第四连接部155。控制电路板160可以是柔性印刷电路板或印刷电路板。
58.在图1中，四个第一电缆150连接第一源极电路板140和控制电路板160，四个第二电缆153连接第二源极电路板141和控制电路板160。然而，在本说明书中，第一电缆150的数量和第二电缆153的数量不限于此。另外，在图1中，示出了两个第一源极电路板140和两个第二源极电路板141。然而，在本说明书中，第一源极电路板140的数量和第二源极电路板141的数量不限于此。
59.时序控制电路170可以设置在控制电路板160上。时序控制电路170可以形成为集成电路。时序控制电路170可以从系统电路板(未示出)的片上系统接收数字视频数据和时序信号。时序控制电路170可以根据时序信号产生用于控制第一源极驱动电路121的时序的第一源极控制信号和用于控制第二源极驱动电路123的时序的第二源极控制信号。时序控制电路170可以根据时序信号产生用于控制第一扫描驱动器131(见图3)的时序的第一扫描控制信号和用于控制第二扫描驱动器132(见图3)的时序的第二扫描控制信号。
60.片上系统可以安装在通过另一柔性电缆连接到控制电路板160的系统电路板上，并且可以形成为集成电路。片上系统可以是智能电视的处理器、计算机或笔记本计算机的中央处理单元(cpu)或图形卡或者智能电话或平板pc的应用处理器。系统电路板可以是柔性印刷电路板或印刷电路板。
61.电源电路可以附加地附着到控制电路板160的表面上。电源电路可以使用从系统电路板施加的主电力来产生驱动显示面板110所需的电压，并且将电压供应到显示面板110。例如，电源电路可以产生并供应用于驱动第一扫描驱动器131(见图3)、第二扫描驱动器132(见图2)、第一源极驱动电路121、第二源极驱动电路123、时序控制电路170等的驱动电压。电源电路可以形成为集成电路。可选地，电源电路可以设置在与控制电路板160分开形成的电力电路板上。电力电路板可以是柔性印刷电路板或印刷电路板。
62.图2是根据实施例的显示装置10的框图。
63.参照图2，显示面板110可以包括使用子像素sp显示图像的显示区域da和围绕显示区域da的非显示区域nda。在显示区域da中，不仅可以设置子像素sp，而且可以设置连接到子像素sp的扫描线sl和数据线dl。
64.扫描线sl可以在第一方向(x轴方向)上延伸，并且可以在第二方向(y轴方向)上设置。数据线dl可以在与第一方向(x轴方向)相交的第二方向(y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(x轴方向)上设置。
65.子像素sp中的每个可以连接到扫描线sl中的任何一条和数据线dl中的任何一条。子像素sp中的每个可以包括至少一个晶体管、存储电容器和像素电极。晶体管可以响应于从扫描线sl接收的扫描信号导通。因此，数据线dl的数据电压可以施加到像素电极。电场可以根据施加到像素电极的数据电压与施加到共电极的共电压之间的电压差施加到液晶层。因此，液晶层的液晶可以被电场驱动。存储电容器用于将施加到像素电极的数据电压保持
预定时段。
66.非显示区域nda可以被限定为从显示区域da的外部延伸到显示面板110的边缘的区域。在非显示区域nda中，可以设置用于将扫描信号传输到扫描线sl的扫描驱动器130。
67.扫描驱动器130可以从时序控制电路170接收扫描控制信号scs。扫描驱动器130可以根据扫描控制信号scs产生扫描信号，并且将扫描信号顺序地输出到扫描线sl。如图3中所示，扫描驱动器130可以包括设置在显示面板110的第三侧上的第一扫描驱动器131(见图3)和设置在显示面板110的第四侧上的第二扫描驱动器132(见图3)。
68.数据驱动器120可以包括第一源极驱动电路121和第二源极驱动电路123。数据驱动器120将数字视频数据data转换为模拟正/负数据电压，并且将模拟正/负数据电压输出到数据线dl。因此，数据电压可以供应到被扫描驱动器130的扫描信号选择的子像素sp。
69.时序控制电路170可以从片上系统接收数字视频数据data和时序信号。时序控制电路170可以根据时序信号产生用于控制扫描驱动器130的操作时序的扫描控制信号scs和用于控制数据驱动器120的操作时序的数据控制信号dcs。时序控制电路170可以将扫描控制信号scs输出到扫描驱动器130，并且将数据控制信号dcs输出到数据驱动器120。
70.图3是示出了根据实施例的显示面板110的子像素sp1和sp2的电路图。为了易于描述，在图3中示出了连接到第一扫描线sl1至第四扫描线sl4、第一数据线dl1至第四数据线dl4以及第m
‑
3数据线dlm
‑
3至第m数据线dlm(其中，m是8或更大的正整数)的子像素sp1和sp2。
71.参照图3，第一子像素sp1可以连接到奇数的扫描线sl1和sl3，第二子像素sp2可以连接到偶数的扫描线sl2和sl4。连接到奇数的扫描线sl1和sl3中的任何一条的第一子像素sp1可以在第一方向(x轴方向)上布置。连接到偶数的扫描线sl2和sl4中的任何一条的第二子像素sp2可以在第一方向(x轴方向)上布置。第一子像素sp1和第二子像素sp2可以在第二方向(y轴方向)上交替地布置。
72.由于彼此相邻的奇数的扫描线和偶数的扫描线彼此连接，因此相同的扫描信号可以传输到彼此相邻的奇数的扫描线和偶数的扫描线。例如，彼此相邻的第一扫描线sl1和第二扫描线sl2可以彼此连接，相同的扫描信号可以传输到第一扫描线sl1和第二扫描线sl2。彼此相邻的第三扫描线sl3和第四扫描线sl4可以彼此连接，相同的扫描信号可以传输到第三扫描线sl3和第四扫描线sl4。
73.在沿第二方向(y轴方向)交替地布置的第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一子像素sp1可以连接到奇数的数据线，第二子像素sp2可以连接到偶数的数据线。
74.第一扫描驱动器131可以设置在显示面板110的第三侧上，第二扫描驱动器132可以设置在显示面板110的第四侧上。第一扫描驱动器131和第二扫描驱动器132中的每个可以连接到扫描线sl1至sl4。第一扫描驱动器131和第二扫描驱动器132可以将同步的扫描信号输出到相应的扫描线sl1至sl4。
75.第一扫描驱动器131和第二扫描驱动器132中的每个可以包括多个晶体管，以响应于扫描控制信号scs输出扫描信号。晶体管可以是与每个第一子像素sp1的第一开关元件t1和每个第二子像素sp2的第二开关元件t2类似的薄膜晶体管。
76.第一子像素sp1中的每个可以包括第一开关元件t1、第一液晶电容器clc1和第一存储电容器cst1。
77.第一开关元件t1可以包括连接到奇数的扫描线的第一栅电极、连接到奇数的数据线的第一电极以及连接到第一像素电极pxe1的第二电极。第一开关元件t1可以在扫描信号传输到奇数的扫描线时导通，并且可以将奇数的数据线的数据电压施加到第一像素电极pxe1。
78.第一开关元件t1可以是薄膜晶体管。在这种情况下，第一开关元件t1的第一电极和第二电极中的任何一个可以是源电极，另一个可以是漏电极。
79.第一液晶电容器clc1可以包括数据电压施加到其的第一像素电极pxe1和共电压vcom施加到其的共电极ce。第一液晶电容器clc1可以用第一像素电极pxe1的数据电压与共电极ce的共电压vcom之间的电压差充电。
80.第一存储电容器cst1可以包括数据电压施加到其的第一像素电极pxe1和存储电压vcst施加到其的第一存储电极ste1。第一存储电容器cst1可以用第一像素电极pxe1的数据电压与第一存储电极ste1的存储电压vcst之间的电压差充电。
81.第二子像素sp2中的每个可以包括第二开关元件t2、第二液晶电容器clc2和第二存储电容器cst2。
82.第二开关元件t2可以包括连接到偶数的扫描线的第二栅电极、连接到偶数的数据线的第一电极以及连接到第二像素电极pxe2的第二电极。第二开关元件t2可以在扫描信号传输到偶数的扫描线时导通，并且可以将偶数的数据线的数据电压施加到第二像素电极pxe2。
83.第二开关元件t2可以是薄膜晶体管。在这种情况下，第二开关元件t2的第一电极和第二电极中的任何一个可以是源电极，另一个可以是漏电极。
84.第二液晶电容器clc2可以包括数据电压施加到其的第二像素电极pxe2和共电压vcom施加到其的共电极ce。第二液晶电容器clc2可以用第二像素电极pxe2的数据电压与共电极ce的共电压vcom之间的电压差充电。
85.第二存储电容器cst2可以包括数据电压施加到其的第二像素电极pxe2和存储电压vcst施加到其的第二存储电极ste2。第二存储电容器cst2可以用第二像素电极pxe2的数据电压与第二存储电极ste2的存储电压vcst之间的电压差充电。
86.如图3中所示，由于彼此相邻的奇数的扫描线和偶数的扫描线彼此连接，因此当相同的扫描信号传输到彼此相邻的奇数的扫描线和偶数的扫描线时，第一子像素sp1的第一开关元件t1和第二子像素sp2的第二开关元件t2同时地导通。因此，第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2可以用不同的数据电压同时地充电。因此，当显示面板110具有诸如8k uhd的高分辨率时，能够防止像素电极中的数据电压的充电速率(charging rate)的降低。因此，这可以防止由于像素电极中的数据电压的充电速率的降低而发生水平或竖直线缺陷。
87.图4是示出了根据实施例的显示面板110的子像素sp1和sp2的布局图。为了易于描述，在图4中仅示出连接到第一扫描线sl1、第二扫描线sl2以及第一数据线dl1至第六数据线dl6的子像素sp1和sp2。
88.在图4中，为了易于描述，将主要描述连接到第一扫描线sl1和第一数据线dl1的第一子像素sp1以及连接到第二扫描线sl2和第二数据线dl2的第二子像素sp2。另外，在图4中，第一开关元件t1的第一电极是第一漏电极de1，第二电极是第一源电极se1。
89.参照图4，第一子像素sp1可以包括第一开关元件t1、第一像素电极pxe1、第一源极
连接部sce1、第一存储电极ste1、第一存储线stl1和第一屏蔽线shl1。
90.第一开关元件t1可以包括连接到第一扫描线sl1的第一栅电极ge1、连接到第一源极连接部sce1的第一源电极se1、连接到第一数据线dl1的第一漏电极de1以及与第一栅电极ge1叠置的第一有源层act1。
91.第一栅电极ge1可以是第一扫描线sl1的部分。
92.第一有源层act1不仅可以与第一栅电极ge1叠置，而且可以与第一源电极se1和第一漏电极de1叠置。第一有源层act1可以具有四边形平面形状，但是本公开不限于此。
93.第一源电极se1可以在第二方向(y轴方向)上从第一源极连接部sce1突出。第一源电极se1可以在第二方向(y轴方向)上延伸以与第一有源层act1叠置。
94.第一漏电极de1可以包括在第一方向(x轴方向)上从第一数据线dl1突出的第一突出部pp1、在第二方向(y轴方向)上从第一突出部pp1的端部延伸的第一延伸部ep1以及在第二方向(y轴方向)上从第一突出部pp1的中间延伸的第二延伸部ep2。第一突出部pp1、第一延伸部ep1和第二延伸部ep2在平面图中可以形成u形。
95.第一延伸部ep1和第二延伸部ep2中的每个可以在第一方向(x轴方向)上与第一源电极se1分隔开。第一延伸部ep1、第一源电极se1和第二延伸部ep2可以在第一方向(x轴方向)上设置。第一源电极se1可以在第一方向(x轴方向)上设置在第一延伸部ep1与第二延伸部ep2之间。第一延伸部ep1与第一源电极se1之间在第一方向(x轴方向)上的间隙以及第二延伸部ep2与第一源电极se1之间在第一方向(x轴方向)上的间隙可以被限定为第一开关元件t1的沟道区。
96.第一源极连接部sce1可以从第一源电极se1延伸，并且可以通过第一接触孔cnt1连接到第一像素电极pxe1的第一像素电极连接部pce1。第一源极连接部sce1可以与第一像素电极pxe1的第一像素电极连接部pce1叠置。第一源极连接部sce1可以具有四边形平面形状，但是本公开不限于此。
97.第一源极连接部sce1可以与第一存储电极ste1叠置。彼此叠置的第一源极连接部sce1和第一存储电极ste1可以形成第一存储电容器cst1。
98.第一像素电极pxe1可以包括在第一方向(x轴方向)上延伸的第一水平主干phse1、在第二方向(y轴方向)上延伸的第一竖直主干pvse1、从第一水平主干phse1和第一竖直主干pvse1向外延伸的多个第一分支pbe1以及从第一竖直主干pvse1和/或第一分支pbe1延伸且与第一源极连接部sce1叠置的第一像素电极连接部pce1。
99.第一像素电极pxe1可以包括由第一水平主干phse1和第一竖直主干pvse1限定的四个域dm1至dm4。第一水平主干phse1和第一竖直主干pvse1在平面图中可以以十字形设置。
100.狭缝slt可以设置在两个相邻的第一分支pbe1之间。即，两个相邻的第一分支pbe1可以被狭缝slt分隔开。
101.第一分支pbe1可以在四个域dm1至dm4中的每个中沿不同的方向延伸。例如，设置在定位在右上侧上的第一域dm1中的第一分支pbe1可以在右上方向上倾斜地延伸。设置在定位在右下侧上的第二域dm2中的第一分支pbe1可以在右下方向上倾斜地延伸。设置在定位在左上侧上的第三域dm3中的第一分支pbe1可以在左上方向上倾斜地延伸。设置在定位在左下侧上的第四域dm4中的第一分支pbe1可以在左下方向上倾斜地延伸。第一分支pbe1
的端部可以彼此连接。
102.第一屏蔽线shl1可以在第一方向(x轴方向)上延伸。第一屏蔽线shl1可以与第一扫描线sl1的至少一部分叠置。第一屏蔽线shl1可以与第一开关元件t1的至少一部分叠置。第一屏蔽线shl1可以与第一像素电极pxe1由相同的材料制成，并且与第一像素电极pxe1设置在相同的层上。第一屏蔽线shl1可以防止寄生电容器形成在第一扫描线sl1与共电极ce之间以及第一开关元件t1与共电极ce之间，从而防止液晶驱动故障。
103.第一扫描线sl1可以包括第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12。第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12中的每条可以在第一方向(x轴方向)上延伸。第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12可以在第二方向(y轴方向)上设置。第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12中的每条可以连接到第一栅电极ge1。
104.第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12中的每条可以与第一数据线dl1和第二数据线dl2相交。在制造子扫描线sl11和sl12以及数据线dl1和dl2的工艺期间，当颗粒存在于子扫描线sl11和sl12与数据线dl1和dl2的相交点中的任何一个处时，子扫描线和数据线非常可能由于颗粒而在任何一个相交点处短路。然而，由于多于一条子扫描线(例如，两条子扫描线)与数据线相交，因此当任何一条子扫描线和数据线短路时，可以通过切割短路的任何一条子扫描线来防止短路故障。
105.第一存储线stl1可以包括在第二方向(y轴方向)上延伸的第一子存储线stl11和第二子存储线stl12以及在第一方向(x轴方向)上延伸的第三子存储线stl13和第四子存储线stl14。第一存储线stl1可以与第一扫描线sl1由相同的材料制成，并且与第一扫描线sl1设置在相同的层上。
106.第一子存储线stl11可以设置在第一数据线dl1外部。即，第一子存储线stl11可以设置在第一数据线dl1的左侧上。
107.第二子存储线stl12可以设置在第二数据线dl2外部。即，第二子存储线stl12可以设置在第二数据线dl2的右侧上。
108.第三子存储线stl13可以连接第一子存储线stl11的下端和第二子存储线stl12的下端。第三子存储线stl13可以在第二方向(y轴方向)上设置在第一竖直主干pvse1与第一扫描线sl1之间。第一存储电极ste1可以在第二方向(y轴方向)上从第三子存储线stl13突出。
109.第四子存储线stl14可以连接第一子存储线stl11的上端和第二子存储线stl12的上端。
110.第二子像素sp2可以包括第二开关元件t2、第二像素电极pxe2、第二源极连接部sce2、第二存储电极ste2、第二存储线stl2和第二屏蔽线shl2。
111.第二子像素sp2的第二像素电极pxe2、第二源极连接部sce2、第二存储电极ste2、第二存储线stl2和第二屏蔽线shl2与第一子像素sp1的第一像素电极pxe1、第一源极连接部sce1、第一存储电极ste1、第一存储线stl1和第一屏蔽线shl1基本上相同或相似，因此将省略其详细描述。
112.另外，除了第二栅电极ge2连接到第二扫描线sl2而不是第一扫描线sl1且第二漏电极de2连接到第二数据线dl2而不是第一数据线dl1之外，第二子像素sp2的第二开关元件t2与第一子像素sp1的第一开关元件t1相同，因此将省略第二子像素sp2的详细描述。
113.在第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一数据线dl1与第一存储线stl1的第三子存储线stl13和第四子存储线stl4、第一扫描线sl1的第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12、第二存储线stl2的第三子存储线stl23和第四子存储线stl24以及第二扫描线sl2的第一子扫描线sl21和第二子扫描线sl22相交。即，在第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一数据线dl1与八条线相交。
114.当颗粒存在于扫描线与数据线的相交点处时，扫描线与数据线非常可能由于颗粒而在相交点处短路。另外，当颗粒存在于存储线和数据线的相交点处时，存储线和数据线非常可能由于颗粒而在相交点处短路。因此，为了增加显示面板的制造成品率或减少在制造工艺期间修复显示面板的情况，需要减少第一子像素sp1和第二子像素sp2中的第一数据线dl1与扫描线sl1和sl2的相交点的数量或第一数据线dl1与存储线stl1和stl2的相交点的数量。
115.图5是示出了根据实施例的显示面板110的子像素sp1和sp2的电路图。
116.为了易于描述，在图5中示出了连接到第一扫描线sl1和第二扫描线sl2、第一数据线dl1至第四数据线dl4以及第m
‑
3数据线dlm
‑
3至第m数据线dlm(其中，m是8或更大的正整数)的子像素sp1和sp2。
117.参照图5，在第二方向(y轴方向)上彼此相邻设置的第一子像素sp1和第二子像素sp2可以连接到一条扫描线。即，在第二方向(y轴方向)上彼此相邻设置的第一子像素sp1和第二子像素sp2可以连接到相同的扫描线。
118.连接到任何一条扫描线的第一子像素sp1可以在第一方向(x轴方向)上布置。连接到任何一条扫描线的第二子像素sp2可以在第一方向(x轴方向)上布置。第一子像素sp1和第二子像素sp2可以在第二方向(y轴方向)上交替地布置。
119.在沿第二方向(y轴方向)交替地布置的第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一子像素sp1可以连接到奇数的数据线，第二子像素sp2可以连接到偶数的数据线。例如，在沿第二方向(y轴方向)交替地布置的第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一子像素sp1可以连接到第一数据线dl1，第二子像素sp2可以连接到第二数据线dl2。
120.第一扫描驱动器131可以设置在显示面板110的第三侧上，第二扫描驱动器132可以设置在显示面板110的第四侧上。第一扫描驱动器131和第二扫描驱动器132中的每个可以连接到扫描线sl1和sl2。第一扫描驱动器131和第二扫描驱动器132可以将同步的扫描信号输出到扫描线sl1和sl2。
121.第一扫描驱动器131和第二扫描驱动器132中的每个可以包括多个晶体管，以响应于扫描控制信号scs输出扫描信号。晶体管可以是与每个第一子像素sp1的第一开关元件t1和每个第二子像素sp2的第二开关元件t2类似的薄膜晶体管。
122.第一子像素sp1中的每个可以包括第一开关元件t1、第一液晶电容器clc1和第一存储电容器cst1。
123.第一开关元件t1可以包括连接到扫描线的第一栅电极、连接到奇数的数据线的第一电极以及连接到第一像素电极pxe1的第二电极。第一开关元件t1可以在扫描信号传输到扫描线时导通，并且可以将奇数的数据线的数据电压施加到第一像素电极pxe1。
124.第一开关元件t1可以是薄膜晶体管。在这种情况下，第一开关元件t1的第一电极和第二电极中的任何一个可以是源电极，另一个可以是漏电极。
125.第一液晶电容器clc1和第一存储电容器cst1与上面参照图3描述的第一液晶电容器clc1和第一存储电容器cst1基本上相同，因此将省略其描述。
126.第二子像素sp2中的每个可以包括第二开关元件t2、第二液晶电容器clc2和第二存储电容器cst2。
127.第二开关元件t2可以包括连接到第一开关元件t1的第一栅电极连接到其的扫描线的第二栅电极、连接到偶数的数据线的第一电极以及连接到第二像素电极pxe2的第二电极。第二开关元件t2可以在扫描信号传输到扫描线时导通，并且可以将偶数的数据线的数据电压施加到第二像素电极pxe2。
128.第二开关元件t2可以是薄膜晶体管。在这种情况下，第二开关元件t2的第一电极和第二电极中的任何一个可以是源电极，另一个可以是漏电极。
129.第二液晶电容器clc2和第二存储电容器cst2与上面参照图3描述的第二液晶电容器clc2和第二存储电容器cst2基本上相同，因此将省略其描述。
130.如图5中所示，由于在第二方向(y轴方向)上彼此相邻的第一子像素sp1和第二子像素sp2连接到相同的扫描线，因此第一子像素sp1的第一开关元件t1和第二子像素sp2的第二开关元件t2可以同时地导通。因此，第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2可以用不同的数据电压同时地充电。因此，当显示面板110具有诸如8k uhd的高分辨率时，能够防止像素电极中的数据电压的充电速率的降低。因此，这可以防止由于像素电极中的数据电压的充电速率的降低而发生水平或竖直线缺陷。
131.图6是示出了根据实施例的显示面板110的子像素sp1和sp2的布局图。图7是详细示出了图6的第一子像素sp1的第一开关元件t1和第一接触孔cnt1以及第二子像素sp2的第二开关元件t2和第二接触孔cnt2的示例的放大布局图。
132.为了易于描述，在图6中仅示出连接到第一扫描线sl1以及第一数据线dl1至第六数据线dl6的子像素sp1和sp2。在图6和图7中，为了易于描述，将主要描述连接到第一扫描线sl1和第一数据线dl1的第一子像素sp1以及连接到第一扫描线sl1和第二数据线dl2的第二子像素sp2。另外，在图6和图7中，第一开关元件t1的第一电极是第一漏电极de1，第二电极是第一源电极se1。
133.参照图6和图7，第一子像素sp1可以包括第一开关元件t1、第一像素电极pxe1、第一源极连接部sce1、第一存储电极ste1和第一存储线stl1。
134.第一开关元件t1可以包括连接到第一扫描线sl1的第一栅电极ge1、连接到第一源极连接部sce1的第一源电极se1、连接到第一数据线dl1的第一漏电极de1以及与第一栅电极ge1叠置的第一有源层act1。
135.第一栅电极ge1可以在第二方向(y轴方向)上从第一扫描线sl1突出。第一栅电极ge1可以从第一扫描线sl1朝向第二像素电极pxe2突出。第一栅电极ge1可以从第一扫描线sl1突出以在第二方向(y轴方向)上与第二像素电极pxe2相邻。
136.第一有源层act1不仅可以与第一栅电极ge1叠置，而且可以与第一源电极se1和第一漏电极de1叠置。第一有源层act1可以具有四边形平面形状，但是本公开不限于此。
137.第一源电极se1可以在第二方向(y轴方向)上从第一源极连接部sce1突出以与第一有源层act1叠置。第一源电极se1可以从第一源极连接部sce1朝向第二像素电极pxe2突出。第一源电极se1可以在第二方向(y轴方向)上延伸。
138.第一漏电极de1可以包括在第一方向(x轴方向)上从第一数据线dl1突出的第一突出部pp1和在第二方向(y轴方向)上从第一突出部pp1延伸的第一延伸部ep1。第一延伸部ep1可以在第二方向(y轴方向)上从第一突出部pp1的中间突出，以与第一有源层act1叠置。第一延伸部ep1可以朝向第一像素电极pxe1突出。第一突出部pp1可以在第一方向(x轴方向)上延伸，第一延伸部ep1可以在第二方向(y轴方向)上延伸。
139.第一延伸部ep1可以在第一方向(x轴方向)上与第一源电极se1分隔开。第一延伸部ep1和第一源电极se1可以在第一方向(x轴方向)上设置。第一源电极se1和第一延伸部ep1可以在与第一有源层act1叠置的区域中沿第二方向(y轴方向)延伸。第一延伸部ep1与第一源电极se1之间在第一方向(x轴方向)上的间隙可以被限定为第一开关元件t1的第一沟道区ch1。
140.第一源极连接部sce1可以从第一源电极se1延伸，并且可以通过第一接触孔cnt1连接到第一像素电极pxe1的第一像素电极连接部pce1。第一源极连接部sce1可以与第一像素电极pxe1的第一像素电极连接部pce1叠置。第一源极连接部sce1可以具有四边形平面形状，但是本公开不限于此。
141.第一存储电极ste1可以在第二方向(y轴方向)上从第一存储线stl1的第三子存储线stl13突出。第一存储电极ste1可以朝向第二像素电极pxe2突出。第一存储电极ste1可以与第一源极连接部sce1叠置。第一存储电极ste1和第一源极连接部sce1可以形成第一存储电容器cst1。
142.第一像素电极pxe1与上面参照图4描述的第一像素电极pxe1基本上相同，因此将省略其描述。除了第一存储线stl1不包括第四子存储线stl14之外，第一存储线stl1与上面参照图4描述的第一存储线stl1基本上相同，因此将省略其描述。
143.第二子像素sp2可以包括第二开关元件t2、第二像素电极pxe2、第二源极连接部sce2、第二存储电极ste2和第二存储线stl2。
144.第二开关元件t2可以包括连接到第一扫描线sl1的第二栅电极ge2、连接到第二源极连接部sce2的第二源电极se2、连接到第二数据线dl2的第二漏电极de2以及与第二栅电极ge2叠置的第二有源层act2。
145.第二栅电极ge2可以在第二方向(y轴方向)上从第一扫描线sl1突出。第二栅电极ge2可以从第一扫描线sl1朝向第一像素电极pxe1突出。第二栅电极ge2可以从第一扫描线sl1突出以在第二方向(y轴方向)上与第一像素电极pxe1相邻。
146.第二有源层act2不仅可以与第二栅电极ge2叠置，而且可以与第二源电极se2和第二漏电极de2叠置。第二有源层act2可以具有四边形平面形状，但是本公开不限于此。
147.第二源电极se2可以在第二方向(y轴方向)上从第二源极连接部sce2突出以与第二有源层act2叠置。第二源电极se2可以从第二源极连接部sce2朝向第一像素电极pxe1突出。第二源电极se2可以在第二方向(y轴方向)上延伸以与第二有源层act2叠置。
148.第二漏电极de2可以包括在第一方向(x轴方向)上从第二数据线dl2突出的第二突出部pp2和在第二方向(y轴方向)上从第二突出部pp2延伸的第二延伸部ep2。第二延伸部ep2可以在第二方向(y轴方向)上从第二突出部pp2的端部突出。第二延伸部ep2可以朝向第二像素电极pxe2突出。第二突出部pp2可以在第一方向(x轴方向)上延伸，第二延伸部ep2可以在第二方向(y轴方向)上延伸。
149.第二延伸部ep2可以在第一方向(x轴方向)上与第二源电极se2分隔开。第二延伸部ep2和第二源电极se2可以在第一方向(x轴方向)上设置。第二延伸部ep2与第二源电极se2之间在第一方向(x轴方向)上的间隙可以被限定为第二开关元件t2的第二沟道区ch2。
150.第二源极连接部sce2可以从第二源电极se2延伸，并且可以通过第二接触孔cnt2连接到第二像素电极pxe2的第二像素电极连接部pce2。第二源极连接部sce2可以与第二像素电极pxe2的第二像素电极连接部pce2叠置。第二源极连接部sce2可以具有四边形平面形状，但是本公开不限于此。
151.第二源极连接部sce2可以与第二存储电极ste2叠置。第二源极连接部sce2和第二存储电极ste2可以形成第二存储电容器cst2。
152.除了第二像素电极连接部pce2与第二源极连接部sce2叠置之外，第二像素电极pxe2与图4的第一像素电极pxe1基本上相同，因此将省略其描述。另外，除了第二存储线stl2不包括第四子存储线stl24之外，第二存储线stl2与图4的第一存储线stl1基本上相同，因此将省略其描述。
153.屏蔽线shl可以在第一方向(x轴方向)上延伸。屏蔽线shl可以在第二方向(y轴方向)上设置在第一像素电极pxe1与第二像素电极pxe2之间。屏蔽线shl可以与第一扫描线sl1的至少一部分叠置。屏蔽线shl可以与第一开关元件t1的至少一部分和第二开关元件t2的至少一部分叠置。屏蔽线shl可以与第一像素电极pxe1由相同的材料制成，并且与第一像素电极pxe1设置在相同的层上。屏蔽线shl可以防止寄生电容器形成在第一扫描线sl1与共电极ce之间、第一开关元件t1与共电极ce之间以及第二开关元件t2与共电极ce之间，从而防止液晶驱动故障。
154.第一扫描线sl1可以包括第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12。第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12中的每条可以在第一方向(x轴方向)上延伸。第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12可以在第二方向(y轴方向)上设置。第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12中的每条可以连接到第一栅电极ge1。
155.第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12中的每条可以与第一数据线dl1和第二数据线dl2相交。在制造子扫描线sl11和sl12以及数据线dl1和dl2的工艺期间，当颗粒存在于子扫描线sl11和sl12与数据线dl1和dl2的相交点中的任何一个处时，子扫描线和数据线非常可能由于颗粒而在任何一个相交点处短路。然而，由于多于一条子扫描线与数据线相交，因此当任何一条子扫描线和数据线短路时，可以通过切割所述任何一条子扫描线来防止短路故障。
156.在第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一数据线dl1与第一存储线stl1的第三子存储线stl13、第一扫描线sl1的第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12以及第二存储线stl2的第三子存储线stl23相交。即，在第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一数据线dl1仅与四条线相交。因此，与图4中所示的实施例相比，由于在图6中所示的实施例中可以省略第四子存储线stl14和stl24，因此可以减少第一数据线dl1与存储线stl1和stl2的相交点的数量。因此，可以减少由于颗粒引起的第一数据线dl1与存储线stl1和stl2之间的短路，从而增加显示面板的制造成品率。
157.另外，参照图6，第一存储线stl1的第一子存储线stl11和第二存储线stl2的第一子存储线stl21可以在第一像素电极pxe1的上侧与第二像素电极pxe2的下侧之间的空间中
彼此连接。第一存储线stl1的第二子存储线stl12和第二存储线stl2的第二子存储线stl22可以在第一像素电极pxe1的上侧与第二像素电极pxe2的下侧之间的空间中彼此连接。因此，在不共用相同的扫描线且在第二方向(y轴方向)上彼此相邻的第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一存储线stl1和第二存储线stl2可以在第一方向(x轴方向)和第二方向(y轴方向)上如以网格形状连接。
158.如图7中所示，第一开关元件t1和第一接触孔cnt1可以在第二方向(y轴方向)上设置为彼此靠近，第二开关元件t2和第二接触孔cnt2可以在第二方向(y轴方向)上设置为彼此靠近。例如，第一开关元件t1的第一有源层act1和第一接触孔cnt1可以在第二方向(y轴方向)上设置为彼此靠近。第二开关元件t2的第二有源层act2和第二接触孔cnt2可以在第二方向(y轴方向)上设置为彼此靠近。
159.另外，第一开关元件t1和第二接触孔cnt2可以在第一方向(x轴方向)上设置为彼此靠近，第二开关元件t2和第一接触孔cnt1可以在第一方向(x轴方向)上设置为彼此靠近。例如，第一开关元件t1的第一源电极se1和第一漏电极de1中的至少任何一个和第二接触孔cnt2可以在第一方向(x轴方向)上设置为彼此靠近。第二开关元件t2的第二源电极se2和第二漏电极de2中的至少任何一个和第一接触孔cnt1可以在第一方向(x轴方向)上设置为彼此靠近。
160.此外，第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2可以在第二方向(y轴方向)上设置。
161.在这种情况下，当第一开关元件t1和第二开关元件t2中的任何一个被确定为有缺陷时，它可以容易地被修复。例如，当第一开关元件t1有缺陷时，可以使用激光切割第一开关元件t1的第一源电极se1与第一像素电极pxe1之间的电连接，并且可以使用喷墨工艺添加连接第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2的像素连接电极。在这种情况下，因为像素连接电极仅需要在第二方向(y轴方向)上延伸，所以喷墨工艺可以是简单的。
162.可选地，当第二开关元件t2有缺陷时，可以使用激光切割第二开关元件t2的第二源电极se2与第二像素电极pxe2之间的电连接，并且可以使用喷墨工艺添加连接第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2的像素连接电极。在这种情况下，因为像素连接电极仅需要在第二方向(y轴方向)上延伸，所以喷墨工艺可以是简单的。
163.图8是沿着图7的线i
‑
i'截取的显示面板110的示例的剖视图。现在将参照图7和图8详细描述显示面板110的第一子像素sp1的剖面。
164.参照图7和图8，第一子像素sp1的第一开关元件t1和第一像素电极pxe1可以设置在显示面板110的第一基底111上，共电极ce可以设置在第二基底112上。包括液晶310的液晶层300可以设置在第一基底111与第二基底112之间。
165.第一基底111可以是透明绝缘基底。例如，第一基底111可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。聚合物材料可以是聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(pa)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(cat)、乙酸丙酸纤维素(cap)或它们的组合。第一基底111也可以具有柔性。
166.包括第一扫描线sl1、第一存储线stl1、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2的第一导电层可以设置在第一基底111上。即，第一扫描线sl1、第一存储线stl1、第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以同时形成且由相同的材料制成。第一导电层可以包括钼(mo)、铝(al)、铂
(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的任何一种或者它们的合金。可选地，第一导电层可以具有钼/铝
‑
钕、钼/铝或铜/钛的双层结构。
167.栅极绝缘层gi可以设置在第一导电层上。栅极绝缘层gi可以包括诸如硅化合物或金属氧化物的无机绝缘材料。例如，栅极绝缘层gi可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛或它们的组合。
168.第一有源层act1、第二有源层act2和短路阻断图案sbp可以设置在栅极绝缘层gi上。第一有源层act1可以包括在第一方向(x轴方向)上设置在第一源电极se1与第一漏电极de1之间的第一沟道区ch1。第一沟道区ch1可以与第一栅电极ge1叠置。第二有源层act2可以包括在第一方向(x轴方向)上设置在第二源电极se2与第二漏电极de2之间的第二沟道区ch2。第二沟道区ch2可以与第二栅电极ge2叠置。
169.第一有源层act1、第二有源层act2和短路阻断图案sbp可以包括诸如非晶硅、多晶硅或单晶硅的硅基半导体材料。可选地，第一有源层act1、第二有源层act2和短路阻断图案sbp可以包括氧化物半导体。
170.欧姆接触层可以设置在第一有源层act1和第二有源层act2上。具体地，欧姆接触层可以设置在第一源电极se1与第一半导体层act1之间、第一漏电极de1与第一半导体层act1之间、第二源电极se2与第二半导体层act2之间以及第二漏电极de2与第二半导体层act2之间。欧姆接触层可以通过降低金属与硅之间的肖特基势垒(即，逸出功)来降低接触电阻。欧姆接触层可以由重掺杂有n型杂质的非晶硅制成。
171.短路阻断图案sbp可以设置在第一数据线dl1与子扫描线sl11、sl12、sl21和sl22的相交点处以及第一数据线dl1与存储线stl1和stl2的相交点处。具体地，短路阻断图案sbp可以分别设置在第一数据线dl1与第一扫描线sl1的第一子扫描线sl11之间、第一数据线dl1与第一扫描线sl1的第二子扫描线sl12之间、第一数据线dl1与第一存储线stl1的第三子存储线stl13之间以及第一数据线dl1与第二存储线stl2的第三子存储线stl23之间。
172.当颗粒存在于第一数据线dl1与子扫描线sl11、sl12、sl21和sl22的相交点中的任何一个处时，子扫描线和第一数据线dl1非常可能由于设置在子扫描线与第一数据线dl1之间的任何一个相交点处的颗粒而短路。然而，当短路阻断图案sbp设置在第一数据线dl1与子扫描线sl11、sl12、sl21和sl22的相交点处时，即使颗粒存在于相交点中的任何一个处，也可以通过短路阻断图案sbp防止子扫描线与第一数据线dl1之间的短路。因此，可以减少子扫描线与第一数据线dl1之间短路的可能性。另外，即使颗粒存在于第一数据线dl1与存储线stl1和stl2之间的相交点中的任何一个处，存储线和第一数据线dl1也会由于设置在任何一个相交点处的短路阻断图案sbp而不彼此直接接触。因此，可以减少存储线stl1和stl2与第一数据线dl1之间短路的可能性。
173.第二导电层可以设置在栅极绝缘层gi、第一半导体层act1、第二半导体层act2和短路阻断图案sbp上。第二导电层可以包括第一数据线dl1、第二数据线dl2、第一源电极se1、第一漏电极de1、第二源电极se2和第二漏电极de2。即，第一数据线dl1、第二数据线dl2、第一源电极se1、第一漏电极de1、第二源电极se2和第二漏电极de2可以同时形成且由相同的材料制成。第二导电层可以包括钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的任何一种或者
它们的合金。可选地，第二导电层可以具有钼/铝
‑
钕、钼/铝或铜/钛的双层结构或者钼/钛/钼或钼/铝/钼的三层结构。
174.第一源电极se1和第一漏电极de1可以设置在第一半导体层act1上。第二源电极se2和第二漏电极de2可以设置在第二半导体层act2上。
175.滤色器212可以设置在第一开关元件t1和第二开关元件t2上。滤色器212可以是红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。红色滤色器可以设置在图6中连接到第一数据线dl1的第一子像素sp1和连接到第二数据线dl2的第二子像素sp2中。另外，绿色滤色器可以设置在图6中连接到第三数据线dl3的第一子像素sp1和连接到第四数据线dl4的第二子像素sp2中。另外，蓝色滤色器可以设置在图6中连接到第五数据线dl5的第一子像素sp1和连接到第六数据线dl6的第二子像素sp2中。
176.绝缘层113可以设置在滤色器212上。绝缘层113可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。例如，绝缘层113可以是由有机绝缘材料制成的外涂层。
177.包括第一像素电极pxe1、第二像素电极pxe2和屏蔽线shl的第三导电层可以设置在绝缘层113上。即，第一像素电极pxe1、第二像素电极pxe2和屏蔽线shl可以同时形成且由相同的材料制成。第一像素电极pxe1的第一像素电极连接部pce1可以通过穿过滤色器212和绝缘层113形成的第一接触孔cnt1连接到第一源电极se1。
178.第三导电层可以由光可以通过其透射的透明材料制成。例如，第三导电层可以由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)或氧化铟锡锌(itzo)制成。然而，本公开不限于此，可以使用透明且导电的任何材料。
179.与第一基底111类似，面对第一基底111的第二基底112可以是透明绝缘基底。第二基底112也可以具有柔性。
180.第一光阻挡构件bm1可以设置在第二基底112的面对第一基底111的表面上。第一光阻挡构件bm1可以与第一开关元件t1、第一接触孔cnt1、第二开关元件t2和第二接触孔cnt2叠置。第一光阻挡构件bm1可以包括诸如炭黑的光阻挡颜料或诸如铬(cr)的不透明金属材料。可选地，第一光阻挡构件bm1可以包括光敏有机材料。第一光阻挡构件bm1也可以设置在第一基底111上。
181.共电极ce可以设置在第一光阻挡构件bm1的面对第一基底111的表面上。共电极ce可以由诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)或氧化铟锡锌(itzo)的透明导电材料制成。共电极ce可以形成在第二基底112的整个表面之上。
182.液晶层300可以设置在第一基底111与第二基底112之间。液晶层300可以包括具有介电各向异性的液晶310。当数据电压施加到第一像素电极pxe1且共电压vcom施加到共电极ce时，可以在第一像素电极pxe1与共电极ce之间形成电场。液晶层300的液晶310的布置可以根据第一像素电极pxe1与共电极ce之间施加的电场改变，从而控制穿过第一子像素sp1的光的透射率。
183.具体地，当在第一像素电极pxe1与共电极ce之间形成电场时，液晶310可以在特定方向上旋转，从而调节穿过液晶层300的光的相位延迟值。相位延迟值由于液晶310的旋转改变多少可以确定在穿过设置在第一基底111的下表面上的下偏振膜之后穿过设置在第二基底112的上表面上的上偏振膜的光的量。因此，可以控制穿过第一子像素sp1的光的透射率。
184.第二子像素sp2的剖面结构可以与上面参照图8描述的第一子像素sp1的剖面结构基本上相同，因此将省略其描述。
185.图9至图11是详细示出了图8的第一子像素sp1的第一开关元件t1、第一源极连接部sce1和第一存储电极ste1的放大布局图。
186.在图9中，第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1精确地对准。在图10中，第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1向左移位。在图11中，第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1向右移位。
187.参照图9至图11，第一源电极se1可以在与第一有源层act1叠置的区域中沿第二方向(y轴方向)延伸。第一漏电极de1可以在与第一有源层act1叠置的区域中沿第二方向(y轴方向)延伸。第一有源层act1上的第一源电极se1和第一漏电极de1可以在第一方向(x轴方向)上彼此分隔开。第一源电极se1与第一漏电极de1之间在第一方向(x轴方向)上的第一有源层act1可以被限定为第一沟道区ch1。
188.第一有源层act1在第二方向(y轴方向)上的长度可以被限定为第一沟道区ch1的沟道宽度cw。第一源电极se1与第一漏电极de1之间在第一方向(x轴方向)上的长度可以被限定为沟道长度cl。
189.由于第一源电极se1与第一扫描线sl1叠置，因此会在第一源电极se1与第一扫描线sl1之间形成寄生电容。由于寄生电容，第一源电极se1会被第一扫描线sl1的电压改变影响。例如，当第一扫描线sl1的扫描信号从栅极导通电压改变为栅极截止电压时，第一源电极se1的电压可以被反冲电压δvp改变。反冲电压δvp可以如等式(1)中限定。
[0190][0191]
在等式(1)中，δvp可以是反冲电压，cgs可以是第一栅电极ge1与第一源电极se1之间的寄生电容，calc1可以是第一液晶电容器clc1的电容，cast1可以是第一存储电容器cst1的电容，von可以是传输到第一扫描线sl1的扫描信号的栅极导通电压电平，voff可以是传输到第一扫描线sl1的扫描信号的栅极截止电压电平。
[0192]
在第一源电极se1与第一扫描线sl1之间形成寄生电容的区域可以包括第一导通叠置区域con、第一截止叠置区域cof1和第二截止叠置区域cof2。
[0193]
第一导通叠置区域con指当第一开关元件t1的第一沟道区ch1被施加到第一扫描线sl1的栅极导通电压激活时在第一有源层act1与第一扫描线sl1之间形成的寄生电容的区域。第一导通叠置区域con可以包括第一源电极se1与第一有源层act1之间的叠置区域、从第一源电极se1的面对第一漏电极de1的第一侧延伸直到第一沟道区ch1的沟道长度cl的一半的区域以及从第一源电极se1的与第一侧相对的第二侧延伸到第一有源层act1的端部的区域。
[0194]
第一截止叠置区域cof1和第二截止叠置区域cof2指当第一开关元件t1的第一沟道区ch1被激活和去激活时在第一源电极se1与第一扫描线sl1之间形成的寄生电容的区域。第一截止叠置区域cof1是第一源电极se1和第一扫描线sl1彼此面对的区域，并且可以被限定为设置在第一有源层act1的下侧外部的区域。第二截止叠置区域cof2是第一源电极se1和第一扫描线sl1彼此面对的区域，并且可以被限定为设置在第一有源层act1的上侧外部的区域。
[0195]
当第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1由于在显示面板110的制造期间的未对准而如图10中所示向左移位时，会增加第一导通叠置区域con。具体地，如图10中所示，与图9中所示的距离d1相比，从第一源电极se1的与第一侧相对的第二侧到第一有源层act1的端部的距离d2会增加。因此，形成在第一源电极se1与第一扫描线sl1之间的寄生电容会由于第一导通叠置区域con的增加而增加。另一方面，由于第一源电极se1的下端比第一栅电极ge1的下端突出得远，因此可以按照原样保持第一截止叠置区域cof1。也可以按照原样保持第二截止叠置区域cof2。
[0196]
另外，当第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1由于在显示面板110的制造期间的未对准而如图11中所示向右移位时，可以减小第一导通叠置区域con。具体地，如图11中所示，与图9中所示的距离d1相比，从第一源电极se1的与第一侧相对的第二侧到第一有源层act1的端部的距离d3可以减小。因此，可以减小形成在第一源电极se1与第一扫描线sl1之间的寄生电容。另一方面，由于第一源电极se1的下端比第一栅电极ge1的下端突出得远，因此可以按照原样保持第一截止叠置区域cof1。也可以按照原样保持第二截止叠置区域cof2。
[0197]
如图9至图11中所示，当第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1由于在显示面板110的制造期间的未对准而向左或向右移位时，第一导通叠置区域con改变，从而改变形成在第一源电极se1与第一扫描线sl1之间的寄生电容。因此，会改变影响第一源电极se1的电压的反冲电压δvp。参照等式(1)，当第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1向左移位时，第一栅电极ge1与第一源电极se1之间的寄生电容增加，从而增加反冲电压δvp。另外，当第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1向右移位时，第一栅电极ge1与第一源电极se1之间的寄生电容减小，从而减小反冲电压δvp。
[0198]
这里，第一存储电极ste1的左端可以在第一方向(x轴方向)上比第一源极连接部sce1的左端突出得远，第一源极连接部sce1的右端可以在第一方向(x轴方向)上比第一存储电极ste1的右端突出得远。因此，当第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1如图10中那样向左移位时，可以增加第一存储电极ste1与第一源极连接部sce1之间的叠置区域。图10中的第一存储电极ste1与第一源极连接部sce1之间的叠置区域在第一方向(x轴方向)上的长度w1'可以比图9中所示的长度w1大。如图9和图10中所示，第一存储电极ste1与第一源极连接部sce1之间的叠置区域在第二方向(y轴方向)上的长度w2可以保持基本上不变。
[0199]
因此，可以增加第一存储电容器cst1的电容。即，当第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1如图10中所示向左移位时，由于第一存储电极ste1与第一源极连接部sce1之间的叠置区域的增加，可以增加第一存储电容器cst1的电容。参照等式(1)，当第一存储电容器cst1的电容增加时，可以减小影响第一源电极se1的电压的反冲电压δvp。因此，即使第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1如图10中所示向左移位，反冲电压δvp的变化也可以是不显著的。
[0200]
另外，当第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1如图11中所示向右移位时，可以减小第一存储电极ste1与第一源极连接部sce1之间的叠置区域。具体地，图11中的第一存储电极ste1与第一源极连接部sce1之间的叠置区域在第一方向(x轴方向)上的长度w1”可以比图9中所示的长度w1小。如图9和图11中所示，第一存储电极ste1与第一源
极连接部sce1之间的叠置区域在第二方向(y轴方向)上的长度w2可以保持基本上不变。
[0201]
因此，可以减小第一存储电容器cst1的电容。即，当第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1如图11中所示向右移位时，第一存储电容器cst1的电容可以通过第一存储电极ste1与第一源极连接部sce1之间的叠置区域的减小而减小。因此，即使第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1如图11中所示向右移位，反冲电压δvp的变化也可以是不显著的。
[0202]
由于寄生电容cgs的大小不大，因此为了防止第一存储电容器cst的电容由于第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1的移位而改变太多，第一存储电极ste1与第一源极连接部sce1之间的叠置区域在第二方向(y轴方向)上的长度w2可以与第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1的移位无关地比在第一方向(x轴方向)上的长度w1、w1'或w1”大。
[0203]
如图9至图11中所示，即使寄生电容cgs通过第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1的由于制造工艺期间的未对准而致的移位而改变，也可以通过改变第一存储电容器cst1的电容来防止影响第一源电极se1的反冲电压δvp的改变。
[0204]
当第一沟道区ch1的面积减小时，可以减小形成在第一源电极se1与第一扫描线sl1之间的寄生电容cgs。例如，第一沟道区ch1的沟道长度cl可以是4.3μm或更小，沟道宽度cw可以是10μm或更小。当第一沟道区ch1的沟道长度cl小于2.5μm时或当沟道宽度cw小于5μm时，会增加工艺难度，从而增加工艺分散(process dispersion)。因此，会降低第一沟道区ch1的沟道长度cl和沟道宽度cw的均匀性。因此，第一沟道区ch1的沟道长度cl可以是2.5μm至4.3μm，沟道宽度cw可以是5μm至10μm。
[0205]
另外，随着第一源电极se1的线宽lw的增大，形成在第一源电极se1与第一扫描线sl1之间的第一导通叠置区域con减小，从而减小寄生电容cgs。例如，第一源电极se1的线宽lw可以是约3.5μm或更大。然而，当第一源电极se1的线宽lw是7μm或更大时，会增加寄生电容cgs的第一截止叠置区域cof1和第二截止叠置区域cof2，从而增加寄生电容cgs。因此，第一源电极se1的线宽lw可以是3.5μm至7μm。
[0206]
第二存储电极ste2、第二源极连接部sce2、第二沟道区ch2的沟道长度、第二沟道区ch2的沟道宽度和第二源电极se2的线宽与上面参照图9至图11描述的第一存储电极ste1、第一源极连接部sce1、第一沟道区ch1的沟道长度cl、第一沟道区ch1的沟道宽度cw和第一源电极se1的线宽lw基本上相同，因此，将省略其描述。
[0207]
图12和图13是示出了图6中所示的显示面板110的子像素sp1和sp2以及光阻挡构件的示例的布局图。
[0208]
参照图12，第一光阻挡构件bm1可以与第一子像素sp1的第一开关元件t1、第一源极连接部sce1、第一像素电极连接部pce1和第一接触孔cnt1叠置。设置在第一像素电极pxe1的四个域dm1至dm4中的第一水平主干phse1、第一竖直主干pvse1和多个第一分支pbe1可以被暴露而不被第一光阻挡构件bm1覆盖。因此，设置在第一像素电极pxe1与共电极ce之间的液晶层300的液晶310的布置可以通过第一像素电极pxe1与共电极ce之间的电场来改变。
[0209]
另外，第一光阻挡构件bm1可以与第二子像素sp2的第二开关元件t2、第二源极连接部sce2、第二像素电极连接部pce2和第二接触孔cnt2叠置。设置在第二像素电极pxe2的
四个域dm1至dm4中的第二水平主干phse2、第二竖直主干pvse2和多个第二分支pbe2可以被暴露而不被第一光阻挡构件bm1覆盖。因此，设置在第二像素电极pxe2与共电极ce之间的液晶层300的液晶310的布置可以通过第二像素电极pxe2与共电极ce之间的电场来改变。
[0210]
如图12中所示，第一光阻挡构件bm1可以设置在第一像素电极pxe1的第一竖直主干pvse1的下侧与第二像素电极pxe2的第二竖直主干pvse2的上侧之间。如图13中所示，第一光阻挡构件bm1可以覆盖第一像素电极pxe1的第一竖直主干pvse1的下侧的部分和第二像素电极pxe2的第二竖直主干pvse2的上侧的部分。在这种情况下，设置在第一像素电极pxe1的第二域dm2和第四域dm4中的每个的部分中的第一源极连接部sce1和第一分支pbe1可以被第一光阻挡构件bm1覆盖。另外，设置在第二像素电极pxe2的第一域dm1和第三域dm3中的每个的部分中的第二源极连接部sce2和第二分支pbe2可以被第一光阻挡构件bm1覆盖。第一光阻挡构件bm1在第二方向(y轴方向)上的长度可以是约60μm至100μm。
[0211]
图14是示出了图6中所示的显示面板110的子像素sp1和sp2以及光阻挡构件的示例的布局图。
[0212]
图14的实施例与图13的实施例的不同之处在于，第二光阻挡构件bm2添加在第一像素电极pxe1的上侧与第二像素电极pxe2的下侧之间。
[0213]
参照图14，第二光阻挡构件bm2可以覆盖第一像素电极pxe1的第一竖直主干pvse1的上侧的部分和第二像素电极pxe2的第二竖直主干pvse2的下侧的部分。在这种情况下，如图14中所示，第一像素电极pxe1的第一域dm1和第三域dm3中的每个的部分中的第一分支pbe1可以被第二光阻挡构件bm2覆盖。另外，如图14中所示，第二像素电极pxe2的第二域dm2和第四域dm4中的每个的部分中的第二分支pbe2可以被第二光阻挡构件bm2覆盖。
[0214]
第二光阻挡构件bm2在第二方向(y轴方向)上的长度可以比第一光阻挡构件bm1在第二方向(y轴方向)上的长度小。例如，第二光阻挡构件bm2在第二方向(y轴方向)上的长度可以是10μm至40μm。当第二光阻挡构件bm2在第二方向(y轴方向)上的长度小于10μm时，会增加工艺难度，从而增加工艺分散。因此，会降低第二光阻挡构件bm2在第二方向(y轴方向)上的长度的均匀性。另外，当第二光阻挡构件bm2在第二方向(y轴方向)上的长度大于40μm时，会减小第一子像素sp1的开口区域和第二子像素sp2的开口区域，从而减小第一子像素sp1的透光率和第二子像素sp2的透光率。
[0215]
图15是示出了根据实施例的显示面板110的子像素sp1和sp2的布局图。图16是详细示出了图15的第一子像素sp1的第一开关元件t1和第一接触孔cnt1以及第二子像素sp2的第二开关元件t2和第二接触孔cnt2的放大布局图。
[0216]
为了易于描述，在图15中仅示出连接到第一扫描线sl1以及第一数据线dl1至第六数据线dl6的子像素sp1和sp2。在图15和图16中，为了易于描述，将主要描述连接到第一扫描线sl1和第一数据线dl1的第一子像素sp1以及连接到第一扫描线sl1和第二数据线dl2的第二子像素sp2。另外，在图15和图16中，第一开关元件t1的第一电极是第一漏电极de1，第二电极是第一源电极se1。
[0217]
参照图15和图16，第一子像素sp1可以包括第一开关元件t1、第一像素电极pxe1、第一源极连接部sce1、第一存储电极ste1和第一存储线stl1。
[0218]
第一开关元件t1可以包括连接到第一扫描线sl1的第一栅电极ge1、连接到第一源极连接部sce1的第一源电极se1、连接到第一数据线dl1的第一漏电极de1以及与第一栅电
极ge1叠置的第一有源层act1。
[0219]
除了第一栅电极ge1和第一漏电极de1之外，第一开关元件t1可以与上面参照图6描述的第一开关元件t1基本上相同。
[0220]
第一栅电极ge1可以是第一扫描线sl1的部分。例如，第一栅电极ge1可以被限定为第一扫描线sl1的与第一有源层act1叠置的区域。
[0221]
第一漏电极de1可以包括在第一方向(x轴方向)上从第一数据线dl1突出的第一突出部pp1和在第二方向(y轴方向)上从第一突出部pp1延伸的第一延伸部ep1。第一延伸部ep1可以在第二方向(y轴方向)上从第一突出部pp1的端部突出。第一延伸部ep1可以朝向第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2突出。第一突出部pp1可以在第一方向(x轴方向)上延伸，第一延伸部ep1可以在第二方向(y轴方向)上延伸。
[0222]
第一延伸部ep1可以在第一方向(x轴方向)上与第一源电极se1分隔开。第一延伸部ep1和第一源电极se1可以在第一方向(x轴方向)上设置。第一源电极se1和第一延伸部ep1可以在与第一有源层act1叠置的区域中沿第二方向(y轴方向)延伸。第一延伸部ep1与第一源电极se1之间在第一方向(x轴方向)上的区域可以被限定为第一开关元件t1的第一沟道区ch1。
[0223]
第一源极连接部sce1与上面参照图6描述的第一源极连接部sce1基本上相同，因此将省略其描述。
[0224]
第一存储电极ste1可以在第二方向(y轴方向)上从第一存储线stl1的第三子存储线stl13突出。第一存储电极ste1可以朝向第二像素电极pxe2突出，但是本公开不限于此。第一存储电极ste1也可以朝向第一像素电极pxe1突出。第一存储电极ste1可以与第一源极连接部sce1叠置。第一存储电极ste1和第一源极连接部sce1可以形成第一存储电容器cst1。
[0225]
第一存储电极ste1的左端可以在第一方向(x轴方向)上比第一源极连接部sce1的左端突出得远，第一源极连接部sce1的右端可以在第一方向(x轴方向)上比第一存储电极ste1的右端突出得远。因此，即使寄生电容cgs通过第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1的由于如图9至图11中所描述的制造工艺中的未对准而致的向左或向右移位而改变，也可以防止影响第一源电极se1的反冲电压δvp的改变。
[0226]
第一像素电极pxe1与上面参照图4描述的第一像素电极pxe1基本上相同，因此将省略其描述。除了第一存储线stl1不包括第四子存储线stl14之外，第一存储线stl1与上面参照图4描述的第一存储线stl1基本上相同，因此将省略其描述。
[0227]
第二子像素sp2可以包括第二开关元件t2、第二像素电极pxe2、第二源极连接部sce2、第二存储电极ste2和第二存储线stl2。
[0228]
第二开关元件t2可以包括连接到第一扫描线sl1的第二栅电极ge2、连接到第二源极连接部sce2的第二源电极se2、连接到第二数据线dl2的第二漏电极de2以及与第二栅电极ge2叠置的第二有源层act2。
[0229]
除了第二栅电极ge2和第二漏电极de2之外，第二开关元件t2可以与上面参照图6描述的第二开关元件t2基本上相同。
[0230]
第二栅电极ge2可以是第一扫描线sl1的部分。例如，第二栅电极ge2可以被限定为第一扫描线sl1的与第二有源层act2叠置的区域。
[0231]
第二漏电极de2可以包括在第一方向(x轴方向)上从第二数据线dl2突出的第二突出部pp2和在第二方向(y轴方向)上从第二突出部pp2延伸的第二延伸部ep2。第二延伸部ep2可以在第二方向(y轴方向)上从第二突出部pp2的端部突出。第二延伸部ep2可以朝向第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2突出。第二突出部pp2可以在第一方向(x轴方向)上延伸，第二延伸部ep2可以在第二方向(y轴方向)上延伸。
[0232]
第二延伸部ep2可以在第一方向(x轴方向)上与第二源电极se2分隔开。第二延伸部ep2和第二源电极se2可以在第一方向(x轴方向)上设置。第二源电极se2和第二延伸部ep2可以在与第二有源层act2叠置的区域中沿第二方向(y轴方向)延伸。第二延伸部ep2与第二源电极se2之间在第一方向(x轴方向)上的区域可以被限定为第二开关元件t2的第二沟道区ch2。
[0233]
第一漏电极de1的第一延伸部ep1、第一源电极se1、第二源电极se2和第二漏电极de2的第二延伸部ep2可以在第一方向(x轴方向)上设置。
[0234]
第二源极连接部sce2与上面参照图6描述的第二源极连接部sce2基本上相同，因此将省略其描述。
[0235]
第二存储电极ste2可以在第二方向(y轴方向)上从第二存储线stl2的第三子存储线stl23突出。第二存储电极ste2可以朝向第一像素电极pxe1突出，但是本公开不限于此。第二存储电极ste2也可以朝向第二像素电极pxe2突出。第二存储电极ste2可以与第二源极连接部sce2叠置。第二存储电极ste2和第二源极连接部sce2可以形成第二存储电容器cst2。
[0236]
第二存储电极ste2的右端可以在第一方向(x轴方向)上比第二源极连接部sce2的右端突出得远，第二源极连接部sce2的左端可以在第一方向(x轴方向)上比第二存储电极ste2的左端突出得远。因此，即使寄生电容cgs通过第二源电极se2、第二漏电极de2和第二源极连接部sce2的由于如图9至图11中所描述的制造工艺中的未对准而致的向左或向右移位而改变，也可以通过改变第二存储电容器cst2的电容来防止影响第二源电极se2的反冲电压δvp的改变。
[0237]
除了第二像素电极连接部pce2与第二源极连接部sce2叠置之外，第二像素电极pxe2与图4的第一像素电极pxe1基本上相同，因此将省略其描述。另外，除了第二存储线stl2不包括第四子存储线stl24之外，第二存储线stl2与图4的第一存储线stl1基本上相同，因此将省略其描述。
[0238]
屏蔽线shl(未示出)与上面参照图6描述的屏蔽线shl基本上相同，因此将省略其描述。
[0239]
在第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一数据线dl1与第一存储线stl1的第三子存储线stl13、第一扫描线sl1的第一子扫描线sl11和第二子扫描线sl12以及第二存储线stl2的第三子存储线stl23相交。即，在第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一数据线dl1与四条线相交。因此，与图4中所示的实施例相比，在图15中所示的实施例中，可以减少第一数据线dl1与存储线stl1和stl2的相交点的数量。因此，可以减少由于颗粒引起的第一数据线dl1与存储线stl1和stl2之间的短路，从而增加显示面板的制造成品率。
[0240]
如图16中所示，第一开关元件t1和第一接触孔cnt1可以在第二方向(y轴方向)上设置，第二开关元件t2和第二接触孔cnt2可以在第二方向(y轴方向)上设置。例如，第一开
关元件t1的第一有源层act1和第一接触孔cnt1可以在第二方向(y轴方向)上设置。第二开关元件t2的第二有源层act2和第二接触孔cnt2可以在第二方向(y轴方向)上设置。
[0241]
另外，第一开关元件t1和第二开关元件t2可以在第一方向(x轴方向)上设置。第一开关元件t1和第二开关元件t2可以在第二方向(y轴方向)上设置在第一接触孔cnt1与第二接触孔cnt2之间。例如，第一开关元件t1的第一有源层act1和第二开关元件t2的第二有源层act2可以在第二方向(y轴方向)上设置在第一接触孔cnt1与第二接触孔cnt2之间。
[0242]
此外，第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2可以在第二方向(y轴方向)上设置。
[0243]
在这种情况下，当第一开关元件t1和第二开关元件t2中的任何一个被确定为有缺陷时，它可以容易地被修复。例如，当第一开关元件t1有缺陷时，可以使用激光切割第一开关元件t1的第一源电极se1与第一像素电极pxe1之间的电连接，并且可以使用喷墨工艺添加连接第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2的像素连接电极。在这种情况下，因为像素连接电极仅需要在第二方向(y轴方向)上延伸，所以喷墨工艺可以是简单的。
[0244]
可选地，当第二开关元件t2有缺陷时，可以使用激光切割第二开关元件t2的第二源电极se2与第二像素电极pxe2之间的电连接，并且可以使用喷墨工艺添加连接第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2的像素连接电极。在这种情况下，因为像素连接电极仅需要在第二方向(y轴方向)上延伸，所以喷墨工艺可以是简单的。
[0245]
图17是示出了根据实施例的显示面板110的子像素sp1和sp2的布局图。图18是详细示出了图17的第一子像素sp1的第一开关元件t1和第一接触孔cnt1以及第二子像素sp2的第二开关元件t2和第二接触孔cnt2的放大布局图。
[0246]
为了易于描述，在图17中仅示出连接到第一扫描线sl1以及第一数据线dl1至第六数据线dl6的子像素sp1和sp2。在图17和图18中，为了易于描述，将主要描述连接到第一扫描线sl1和第一数据线dl1的第一子像素sp1以及连接到第一扫描线sl1和第二数据线dl2的第二子像素sp2。另外，在图17和图18中，第一开关元件t1的第一电极是第一漏电极de1，第二电极是第一源电极se1。
[0247]
参照图17和图18，第一子像素sp1可以包括第一开关元件t1、第一像素电极pxe1、第一源极连接部sce1、第一存储电极ste1和第一存储线stl1。
[0248]
第一开关元件t1可以包括连接到第一扫描线sl1的第一栅电极ge1、连接到第一源极连接部sce1的第一源电极se1、连接到第一数据线dl1的第一漏电极de1以及与第一栅电极ge1叠置的第一有源层act1。
[0249]
第一栅电极ge1可以在第二方向(y轴方向)上从第一扫描线sl1突出。第一栅电极ge1可以从第一扫描线sl1朝向第一像素电极pxe1突出。
[0250]
第一有源层act1不仅可以与第一栅电极ge1叠置，而且可以与第一源电极se1和第一漏电极de1叠置。第一有源层act1可以具有四边形平面形状，但是本公开不限于此。
[0251]
第一源电极se1可以在第一方向(x轴方向)上从第一源极连接部sce1突出。第一源电极se1可以从第一源极连接部sce1朝向第一数据线dl1突出。第一源电极se1可以在第一方向(x轴方向)上延伸。
[0252]
第一漏电极de1可以在第一方向(x轴方向)上从第一数据线dl1突出。第一漏电极de1可以从第一数据线dl1朝向第二数据线dl2突出。第一漏电极de1可以在第一方向(x轴方向)上延伸。
[0253]
第一源电极se1和第一漏电极de1可以在与第一有源层act1叠置的区域中沿第一方向(x轴方向)延伸。第一源电极se1与第一漏电极de1之间在第二方向(y轴方向)上的区域可以被限定为第一开关元件t1的第一沟道区ch1。
[0254]
第一源极连接部sce1和第一存储电极ste1与上面参照图6描述的第一源极连接部sce1和第一存储电极ste1基本上相同，因此将省略其描述。
[0255]
第一存储电极ste1的下端可以在第二方向(y轴方向)上比第一源极连接部sce1的下端突出得远，第一源极连接部sce1的上端可以在第二方向(y轴方向)上比第一存储电极ste1的上端突出得远。因此，即使寄生电容cgs通过第一源电极se1、第一漏电极de1和第一源极连接部sce1的由于与图9至图11的描述类似的制造工艺中的未对准而致的向上或向下移位而改变，也可以通过改变第一存储电容器cst1的电容来防止影响第一源电极se1的反冲电压δvp的改变。
[0256]
第一像素电极pxe1与上面参照图4描述的第一像素电极pxe1基本上相同，因此将省略其描述。除了第一存储线stl1不包括第四子存储线stl14之外，第一存储线stl1与上面参照图4描述的第一存储线stl1基本上相同，因此将省略其描述。
[0257]
第二子像素sp2可以包括第二开关元件t2、第二像素电极pxe2、第二源极连接部sce2、第二存储电极ste2和第二存储线stl2。
[0258]
第二开关元件t2可以包括连接到第一扫描线sl1的第二栅电极ge2、连接到第二源极连接部sce2的第二源电极se2、连接到第二数据线dl2的第二漏电极de2以及与第二栅电极ge2叠置的第二有源层act2。
[0259]
第二栅电极ge2可以在第二方向(y轴方向)上从第一扫描线sl1突出。第二栅电极ge2可以从第一扫描线sl1朝向第二像素电极pxe2突出。
[0260]
第二有源层act2不仅可以与第二栅电极ge2叠置，而且可以与第二源电极se2和第二漏电极de2叠置。第二有源层act2可以具有四边形平面形状，但是本公开不限于此。
[0261]
第二源电极se2可以在第一方向(x轴方向)上从第二源极连接部sce2突出。第二源电极se2可以从第二源极连接部sce2朝向第二数据线dl2突出。第二源电极se2可以在第一方向(x轴方向)上延伸。
[0262]
第二漏电极de2可以在第一方向(x轴方向)上从第二数据线dl2突出。第二漏电极de2可以从第二数据线dl2朝向第一数据线dl1突出。第二漏电极de2可以在第一方向(x轴方向)上延伸。
[0263]
第二源电极se2和第二漏电极de2可以在与第二有源层act2叠置的区域中沿第一方向(x轴方向)延伸。第二源电极se2与第二漏电极de2之间在第二方向(y轴方向)上的区域可以被限定为第二开关元件t2的第二沟道区ch2。
[0264]
第二源极连接部sce2和第二存储电极ste2与上面参照图6描述的第二源极连接部sce2和第二存储电极ste2基本上相同，因此将省略其描述。
[0265]
第二存储电极ste2的上端可以在第二方向(y轴方向)上比第二源极连接部sce2的上端突出得远，第二源极连接部sce2的下端可以在第二方向(y轴方向)上比第二存储电极ste2的下端突出得远。因此，即使寄生电容cgs通过第二源电极se2、第二漏电极de2和第二源极连接部sce2的由于与图9至图11的描述类似的制造工艺中的未对准而致的向上或向下移位而改变，也可以通过改变第二存储电容器cst2的电容来防止影响第二源电极se2的反
冲电压δvp的改变。
[0266]
除了第二像素电极连接部pce2与第二源极连接部sce2叠置之外，第二像素电极pxe2与图4的第一像素电极pxe1基本上相同，因此将省略其描述。另外，除了第二存储线stl2不包括第四子存储线stl24之外，第二存储线stl2与图4的第一存储线stl1基本上相同，因此将省略其描述。
[0267]
屏蔽线shl与上面参照图7描述的屏蔽线shl基本上相同，因此将省略其描述。
[0268]
在第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一数据线dl1与第一存储线stl1的第三子存储线stl13、第一扫描线sl1的第一子扫描线sl11(未示出)和第二子扫描线sl12(未示出)以及第二存储线stl2的第三子存储线stl23相交。即，在第一子像素sp1和第二子像素sp2中，第一数据线dl1与四条线相交。因此，与图4中所示的实施例相比，在图17中所示的实施例中，可以减少第一数据线dl1与存储线stl1和stl2的相交点的数量。因此，可以减少由于颗粒引起的第一数据线dl1与存储线stl1和stl2之间的短路，从而增加显示面板的制造成品率。
[0269]
如图18中所示，第一开关元件t1和第一接触孔cnt1可以在第一方向(x轴方向)上设置，第二开关元件t2和第二接触孔cnt2可以在第一方向(x轴方向)上设置。例如，第一开关元件t1的第一有源层act1和第一漏电极de1中的至少任何一个以及第一接触孔cnt1中可以在第一方向(x轴方向)上设置。第二开关元件t2的第二有源层act2和第二漏电极de2中的至少任何一个以及第二接触孔cnt2可以在第一方向(x轴方向)上设置。
[0270]
另外，第一开关元件t1和第二接触孔cnt2可以在第二方向(y轴方向)上设置。例如，第一有源层act1、第一开关元件t1的第一源电极se1和第一漏电极de1中的至少任何一个以及第二接触孔cnt2可以在第二方向(y轴方向)上设置。第二开关元件t2和第一接触孔cnt1可以在第二方向(y轴方向)上设置。例如，第二开关元件t2的第二有源层act2、第二源电极se2和第二漏电极de2中的至少任何一个以及第一接触孔cnt1可以在第二方向(y轴方向)上设置。
[0271]
此外，第一像素电极pxe1和第二像素电极pxe2可以在第二方向(y轴方向)上设置。
[0272]
当前公开不应被解释为限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明构思的构思。
[0273]
虽然已经参照当前公开的一些实施例具体地示出并描述了当前公开，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由下面的权利要求限定的当前公开的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种改变。