半导体封装以及包括其的电子装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装，包括：在基板上的半导体芯片；电压测量电路，配置为测量将被输入到所述半导体芯片中的外部电压；以及热电模块，配置为将从所述半导体芯片释放的热量转变为辅助电力，并配置为将所述辅助电力施加到所述半导体芯片，所述热电模块与所述电压测量电路分开，其中所述电压测量电路配置为控制所述热电模块以响应于所述外部电压的变化而将所述辅助电力施加到所述半导体芯片。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述热电模块在所述半导体芯片上。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述热电模块包括第一热电模块和第二热电模块，所述第一热电模块在所述半导体芯片上，以及所述第二热电模块在所述基板和所述半导体芯片之间。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述热电模块围绕所述半导体芯片的侧壁。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述热电模块包括第一金属膜、第二金属膜以及在平面图中交替布置的多个p型半导体和多个n型半导体，所述多个p型半导体中的一个连接到所述第一金属膜，第一设置温度被提供给所述第一金属膜，所述多个n型半导体中的一个连接到所述第二金属膜，第二设置温度被提供给所述第二金属膜，以及操作电流根据所述第一设置温度和所述第二设置温度之间的差而流过所述第一金属膜和所述第二金属膜，以将所述辅助电力施加到所述半导体芯片。6.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：温度控制电路，配置为测量提供给所述半导体芯片的设置温度，并配置为向所述热电模块提供电流，所述热电模块和所述半导体芯片通过第一晶体管而彼此连接，以及所述热电模块和所述温度控制电路通过第二晶体管而彼此连接。7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述热电模块包括第一金属膜和第二金属膜，该第二金属膜不与所述第一金属膜接触，第一设置温度被提供给所述第一金属膜，第二设置温度被提供给所述第二金属膜，所述第二设置温度为提供给所述半导体芯片的所述设置温度，所述温度控制电路配置为测量所述第一设置温度和所述第二设置温度之间的温度变化，以及所述电压测量电路配置为响应于所述温度变化来控制所述第一晶体管和所述第二晶体管。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，当所述温度变化高于目标温度变化时，所述电压测量电路配置为控制以开启所述第二晶体管并将所述电流输入到所述热电模块。9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中当所述温度变化低于目标温度变化时，所述电压测量电路配置为开启所述第一晶体管，并且所述热电模块配置为将所述辅助
电力施加到所述半导体芯片。10.一种半导体封装，包括：在基板上的半导体芯片；热电模块，配置为将从所述半导体芯片释放的热量转变为辅助电力并配置为将所述辅助电力施加到所述半导体芯片；电压测量电路，配置为控制所述热电模块以响应于输入到所述半导体芯片的外部电压的变化而将所述辅助电力施加到所述半导体芯片；以及温度控制电路，配置为响应于提供给所述半导体芯片的设置温度而发送控制信号到所述电压测量电路，并配置为向所述热电模块提供温度控制电流，其中所述电压测量电路配置为根据所述控制信号来控制由所述温度控制电路提供给所述热电模块的所述温度控制电流。11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述热电模块包括在平面图中交替布置的多个p型半导体、多个n型半导体、第一金属膜和第二金属膜，第一电压被施加到所述多个p型半导体当中的在所述第一金属膜上的所述p型半导体，第二电压被施加到所述多个n型半导体当中的在所述第二金属膜上的所述n型半导体上，根据所述第一电压和所述第二电压之间的差异从所述半导体芯片产生的热量被吸收。12.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述热电模块和所述半导体芯片通过第一晶体管而彼此连接，所述热电模块和所述温度控制电路通过第二晶体管而彼此连接，以及所述电压测量电路配置为操作所述第一晶体管和所述第二晶体管。13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中当不施加所述外部电压时，所述第一晶体管被开启，并且所述热电模块将所述辅助电力输入到所述半导体芯片中。14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述热电模块包括第一金属膜和第二金属膜，所述第二金属膜不与所述第一金属膜接触，第一设置温度被提供给所述第一金属膜，第二设置温度被提供给所述第二金属膜，所述第二设置温度为提供给所述半导体芯片的所述设置温度，当所述第一设置温度和所述第二设置温度之间的差高于目标温度变化时，所述第二晶体管开启并且所述温度控制电流被输入到所述热电模块中。15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中所述温度控制电流被输入到所述热电模块中，并且所述热电模块被配置为吸收所述半导体芯片中产生的热量以冷却所述半导体芯片。16.一种电子装置，包括：第一非易失性存储器，配置为存储第一数据；第一热电模块，与所述第一非易失性存储器相邻，并配置为吸收从所述第一非易失性存储器释放的热量以调节提供给所述第一非易失性存储器的第一设置温度；第一温度控制电路，配置为响应于所述第一设置温度而向所述第一热电模块提供第一温度控制电流；以及
电力管理模块，配置为从所述第一温度控制电路接收控制信号，配置为调节所述温度控制电流，以及配置为提供将被输入到所述第一非易失性存储器中的第一操作电压，其中所述第一热电模块配置为将从所述第一非易失性存储器释放的热量转变为第一辅助电力，以及所述电力管理模块配置为控制所述第一热电模块以响应于所述第一操作电压的变化而将所述第一辅助电力施加到所述第一非易失性存储器。17.根据权利要求16所述的电子装置，其中当所述第一操作电压没有被施加到所述第一非易失性存储器时，所述电力管理模块配置为将所述第一辅助电力施加到所述第一非易失性存储器。18.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述电力管理模块与所述第一非易失性存储器接触，并配置为吸收在所述第一非易失性存储器中产生的热量以冷却所述第一非易失性存储器。19.根据权利要求16所述的电子装置，还包括：第二非易失性存储器，配置为存储第二数据；第二热电模块，与所述第二非易失性存储器相邻，从所述第二非易失性存储器吸收热量，以及配置为调节被提供到所述第二非易失性存储器的第二设置温度；以及第二温度控制电路，配置为响应于所述第二设置温度而向所述第二热电模块提供第二温度控制电流，其中所述电力管理模块配置为从所述第一温度控制电路接收控制信号的输入并调节所述温度控制电流。20.根据权利要求19所述的电子装置，其中所述第二热电模块配置为将从所述第二非易失性存储器释放的热量转变为第二辅助电力，以及所述电力管理模块配置为控制所述第二辅助电力以及施加到所述第二非易失性存储器的第二外部电压。

技术总结
提供了半导体封装和包括其的电子装置。该半导体封装包括：在基板上的半导体芯片；电压测量电路，配置为测量将输入到半导体芯片中的外部电压；以及热电模块，配置为将从半导体芯片释放的热量转变为辅助电力，并配置为将辅助电力施加到半导体芯片，热电模块与电压测量电路分开，其中电压测量电路配置为控制热电模块以响应于外部电压的变化而将辅助电力施加到半导体芯片。半导体芯片。半导体芯片。


技术研发人员：李址华 李庚德
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.05.07
技术公布日：2021/11/8