PN结及调制器的制作方法

技术特征：
1.一种pn结，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的波导层，其中：所述波导层包括第一p型区域和脊形波导层，所述第一p型区域设在所述衬底上，所述脊形波导层位于所述第一p型区域背离所述衬底的一面上；所述脊形波导层包括第二p型区域和n型区域，所述n型区域位于所述第二p型区域中，且所述n型区域的延伸方向垂直于所述第一p型区域的延伸方向。2.根据权利要求1所述的pn结，其特征在于，所述第一p型区域包括两个第二p型掺杂区域和位于所述两个第二p型掺杂区域之间的第一p型掺杂区域；所述第一p型掺杂区域的掺杂浓度小于所述两个第二p型掺杂区域的掺杂浓度；所述脊形波导层位于所述第一p型掺杂区域上。3.根据权利要求2所述的pn结，其特征在于，所述n型区域的底端端面延伸到所述第一p型掺杂区域内，且n型区域的底端端面与所述衬底之间具有部分所述第一p型掺杂区域。4.根据权利要求2或3所述的pn结，其特征在于，所述第一p型区域还包括两个第三p型掺杂区域，其中一个所述第三p型掺杂区域位于所述第一p型掺杂区域和所述两个第二p型掺杂区域中的其中一个区域之间，另一个所述第三p型掺杂区域位于所述第一p型掺杂区域和所述两个第二p型掺杂区域中的另一个区域之间。5.根据权利要求4所述的pn结，其特征在于，所述第一p型掺杂区域的掺杂浓度小于所述第三p型掺杂区域的掺杂浓度，所述第三p型掺杂区域的掺杂浓度小于所述第二p型掺杂区域的掺杂浓度。6.根据权利要求2-5任一所述的pn结，其特征在于，所述n型区域包括第一n型掺杂区域和第二n型掺杂区域，所述第二n型掺杂区域位于所述第一n型掺杂区域的上方；所述第一n型掺杂区域的掺杂浓度小于所述第二n型掺杂区域的掺杂浓度。7.根据权利要求6所述的pn结，其特征在于，所述n型区域还包括第三n型掺杂区域，所述第三n型掺杂区域位于所述第一n型掺杂区域和所述第二n型掺杂区域之间。8.根据权利要求7所述的pn结，其特征在于，所述第一n型掺杂区域的掺杂浓度小于所述第三n型掺杂区域的掺杂浓度，所述第三n型掺杂区域的掺杂浓度小于所述第二n型掺杂区域的掺杂浓度。9.根据权利要求6-8任一所述的pn结，其特征在于，所述第二n型掺杂区域的端面与所述第二p型区域的端面齐平。10.根据权利要求2-9任一所述的pn结，其特征在于，所述第二p型区域的掺杂浓度与第一p型掺杂区域的掺杂浓度相同。11.根据权利要求6-9任一所述的pn结，其特征在于，还包括电极金属层，所述电极金属层包括阳极金属层和阴极金属层，两个所述第二p型掺杂区域与所述阳极金属层电连接，所述第二n型掺杂区域与所述阴极金属层电连接。12.根据权利要求11所述的pn结，其特征在于，还包括电极连接层，所述电极连接层包括第一电极连接层和第二电极连接层，每个所述第二p型掺杂区域与所述阳极金属层之间通过所述第一电极连接层电连接，所述第二n型掺杂区域与所述阴极金属层之间通过所述第二电极连接层电连接。13.根据权利要求12所述的pn结，其特征在于，所述电极连接层还包括第三电极连接层，两个所述第二p型掺杂区域电连接的所述第一电极连接层通过所述第三电极连接层导
通，所述阳极金属层与所述第三电极连接层电连接。14.根据权利要求12或13所述的pn结，其特征在于，所述pn结为环形结构，其中一个所述第二p型掺杂区域位于所述环形结构的外圈，另一个所述第二p型掺杂区域位于所述环形结构的内圈；且位于所述环形结构外圈的所述第二p型掺杂区域上开设至少一个缺口，所述缺口的一端延伸到所述第二n型掺杂区域；所述缺口内设置有n型延伸区域，所述n型延伸区域的一端与所述第二n型掺杂区域电接触，所述n型延伸区域的另一端与所述第二电极连接层电连接。15.根据权利要求12或13所述的pn结，其特征在于，所述pn结为条状结构，其中一个所述第二p型掺杂区域上开设至少一个缺口，所述缺口的一端延伸到所述第二n型掺杂区域；所述缺口内设置有n型延伸区域，所述n型延伸区域的一端与所述第二n型掺杂区域电接触，所述n型延伸区域的另一端与所述第二电极连接层电连接。16.一种调制器，其特征在于，至少包括壳体、主线波导和上述权利要求1-15任一所述的pn结；所述pn结位于所述壳体内，且所述壳体上开设可供其中一个所述主线波导穿过的第一光入口和第一调制穿通光出口；所述主线波导与所述pn结的脊形波导层导通。17.一种调制器，其特征在于，至少包括分束器、非对称波导结构、两个反射回路和上述权利要求1-15任一所述的pn结；所述pn结的数量为两个，所述分束器的一端具有第二光入口和第二调制穿通光出口，所述分束器的另一端与所述非对称波导结构的一端相连，所述非对称波导结构的另一端与其中一个所述pn结一端的脊形波导层相连，所述pn结另一端的脊形波导层与其中一个反射回路相连；所述分束器的第三端与另一个所述pn结一端的脊形波导层相连，所述pn结另一端的脊形波导层与另一个所述反射回路相连。18.一种调制器，其特征在于，至少包括分束器、非对称波导结构、平板波导层、两个反射回路和上述权利要求1-15任一所述的pn结；所述pn结结构的数量为一个，所述分束器的一端具有第二光入口和第二调制穿通光出口，所述分束器的另一端与所述非对称波导结构的一端相连，所述非对称波导结构的另一端与其中一个所述pn结结构一端的脊形波导结构，所述pn结结构另一端的脊形波导结构与其中一个反射回路相连；所述分束器的第三端与所述平板波导层的一端相连，所述平板波导层的另一端与另一个所述反射回路相连。19.一种调制器，其特征在于，至少包括耦合器和上述权利要求1-15任一所述的pn结；所述耦合器的一端具有第三光入口和调制反射光出口，所述耦合器的另一端与所述pn结一端的脊形波导层相连，所述pn结另一端的脊形波导层与第三调制穿通光出口相连；所述pn结中靠近所述耦合器一端的所述脊形波导层呈波浪状。

技术总结
本申请实施例提供一种PN结及调制器。PN结通过所述N型区域位于所述第二P型区域中，且所述N型区域的延伸方向垂直于所述第一P型区域的延伸方向，增大了N型区域和P型区域之间的掺杂区域，提高了PN结的调制效率，从而使该PN结应用于调制器中时能够满足更高光信号调制速率、更低驱压的需求。同时，通过采用在第二P型区域中形成N型区域的方式，无需在N型区域与第二P型区域之间形成的掺杂区域内进行多次掺杂，简化了掺杂工序，提升了掺杂效率。提升了掺杂效率。提升了掺杂效率。


技术研发人员：李芮 孙旭 李彦波
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
技术研发日：2020.05.07
技术公布日：2021/11/8