正型光敏聚硅氧烷组合物的制作方法

技术特征：

1.一种正型光敏聚硅氧烷组合物，包含：

(I)聚硅氧烷，

(II)组合物总质量的200～50000ppm的羧酸化合物，即一元羧酸或二羧酸，

(III)重氮萘醌衍生物，和

(IV)溶剂。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，一元羧酸的第一酸解离常数pKa1为5.0以下，二羧酸的第一酸解离常数pKa1为4.0以下。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述一元羧酸由式(i)表示：

Rⁱ-COOH 式(i)

式中，R1为氢，或具有1～4个碳原子的饱和或不饱和烃基，

所述二羧酸由式(ii)表示：

HOOC-L-COOH 式(ii)

式中，L为单键，

具有1至6个碳原子的未取代的亚烷基、羟基取代的亚烷基或氨基取代的亚烷基，

取代或未取代的具有2～4个碳原子的亚烯基，

取代或未取代的具有2～4个碳原子的亚炔基，或

取代或未取代的具有6～10个碳原子的亚芳基。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，所述羧酸化合物是二羧酸。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的组合物，其中，所述二羧酸可以通过分子内脱水缩合而具有环状结构。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的组合物，其中，所述羧酸化合物的含量为组合物总质量的300～30000ppm。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的组合物，其中，所述聚硅氧烷包含下式(Ia)所示的重复单元：

式中，

R^Ia代表氢、C1-30的直链、支链或环状饱和或不饱和脂族烃基或芳族烃基，

所述脂族烃基和所述芳族烃基分别未被取代或被氟、羟基或烷氧基取代，并且

在所述脂族烃基和所述芳族烃基中，亚甲基未被替换，或者一个以上的亚甲基被氧基、氨基、亚氨基或羰基替换，但R^Ia不是羟基、烷氧基。

8.根据权利要求7所述的组合物，其中，所述聚硅氧烷包含下式(Ic)所示的重复单元：

9.根据权利要求7或8所述的组合物，其中，所述聚硅氧烷包含下式(Ie)所示的重复单元：

式中，

L^Ie为-(CR^Ie2)n-或

这里，n为1～3的整数，

R^Ie各自独立地代表氢、甲基或乙基。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的组合物，其中，R^Ia是C3-20饱和或不饱和环状脂族烃基或芳族烃基。

11.一种固化膜的制造方法，包括以下步骤：

(1)将权利要求1至10中任一项所述的组合物涂覆于基材，以形成组合物层，

(2)使所述组合物层曝光，

(3)用碱性显影剂显影以形成图案，和

(4)加热所得的图案。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述步骤(4)前不包括进行全曝光的步骤。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所述碱性显影剂为有机显影剂。

14.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所述碱性显影剂为无机显影剂。

15.一种电子器件，其包括由权利要求11至14中任一项所述的方法制造的固化膜。

技术总结
[课题]提供一种即使不进行固化助剂的添加或全曝光，也能制造褶皱的产生得到抑制且表面平滑性高的固化膜的正型光敏聚硅氧烷组合物。[技术方案]一种正型光敏聚硅氧烷组合物，包含：(I)聚硅氧烷，(II)组合物总质量的200～50000ppm的羧酸化合物，即一元羧酸或二羧酸，(III)重氮萘醌衍生物，和(IV)溶剂，以及使用该组合物制造固化膜的方法。

技术研发人员：福家崇司;吉田尚史;能谷敦子;
受保护的技术使用者：默克专利有限公司;
技术研发日：2020.03.12
技术公布日：2021.11.09