一种半导体结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层上形成第一应变层；形成所述第一应变层的步骤包括:在所述半导体衬底层上形成第一晶格匹配层，所述第一晶格匹配层中至少具有第一原子和第二原子；刻蚀所述第一晶格匹配层以使第一晶格匹配层形成第一应变层，对所述第一原子的刻蚀速率大于对所述第二原子的刻蚀速率，所述第一应变层中第一原子和第二原子的摩尔比小于所述第一晶格匹配层中第一原子和第二原子的摩尔比。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二原子的迁移率小于所述第一原子的迁移率。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一应变层的材料包括in
y
al1‑
y
as;所述第一原子为in原子，所述第二原子为al原子;所述第一晶格匹配层的材料包括in
0.52
al
0.48
as。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，刻蚀所述第一晶格匹配层采用的刻蚀气体包括cbr4。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，自所述第一应变层朝向所述半导体衬底层的一侧至所述第一应变层背向所述半导体衬底层的一侧的方向上，所述第一应变层中第一原子和第二原子的摩尔比递减。6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底层包括inp衬底层。7.根据权利要求1至6任意一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底层上形成超晶格单元，形成所述超晶格单元的步骤包括：在所述半导体衬底层上形成第一应变层；在所述半导体衬底层上形成第二应变层至第n应变层，n为大于等于2的整数。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，n等于2，在形成所述第一晶格匹配层之前，在所述半导体衬底层上形成第二晶格匹配层；在形成所述第一晶格匹配层之前，在所述第二晶格匹配层背向所述半导体衬底层的一侧表面形成第二应变层；当所述第一应变层为压应变层时，所述第二应变层为张应变层，当所述第一应变层为张应变层时，所述第二应变层为压应变层。9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二应变层的材料包括in
x
ga1‑
x
as;所述第二晶格匹配层的材料包括in
0.53
ga
0.47
as。10.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，重复形成超晶格单元的步骤，以形成若干个超晶格单元，所述若干个超晶格单元构成超晶格结构。11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述超晶格结构背向所述半导体衬底层的一侧表面形成晶格匹配盖层。12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述晶格匹配盖层的材料包括in
0.53
ga
0.47
as。13.根据权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述晶格
匹配盖层背向所述半导体衬底层的一侧表面形成主盖层。14.根据权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述主盖层包括inp盖层。15.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一应变层之前，在所述半导体衬底层的表面形成缓冲层。16.一种半导体结构，其特征在于，采用权利要求1至15任意一项半导体结构的制备方法形成。

技术总结
本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层上形成第一应变层；形成所述第一应变层的步骤包括:在所述半导体衬底层上形成第一晶格匹配层，所述第一晶格匹配层中至少具有第一原子和第二原子；刻蚀所述第一晶格匹配层以使第一晶格匹配层形成第一应变层，对所述第一原子的刻蚀速率大于对所述第二原子的刻蚀速率，所述第一应变层中第一原子和第二原子的摩尔比小于所述第一晶格匹配层中第一原子和第二原子的摩尔比。所述半导体结构的制备方法使得第一应变层的质量较好。使得第一应变层的质量较好。使得第一应变层的质量较好。


技术研发人员：程洋 万中军 王俊 庞磊 周大勇 郭银涛
受保护的技术使用者：苏州长光华芯光电技术股份有限公司
技术研发日：2021.10.09
技术公布日：2021/11/5