碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法与流程

技术特征：
1.碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：a）对待测定抛光片的碳面和硅面分别进行边缘倒角处理；b）分别测量硅面和碳面的倒角边缘，得硅面的面幅长度为l1以及角度
ɵ
1；得碳面的面幅长度为l3以及角度
ɵ
2；c）分别对硅面和碳面进行抛光，抛光的时长为t，则硅面的厚度减少t1，碳面的厚度减少t2；d）再次测量硅面的的面幅长度为l2，碳面的面幅长度为l4；e）则计算t1=(l1
‑
l2)
·
tan
ɵ
1； t2=(l3
‑
l4)
·
tan
ɵ
2；f）计算硅面的抛光速率为gr硅＝t1/t；碳面的抛光速率＝t2/t。2.根据权利要求1所述的碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法，其特征在于，所述抛光片的厚度为400
‑
750μm。3.根据权利要求2所述的碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法，其特征在于，所述抛光片的厚度为500
‑
600μm。4.根据权利要求1所述的碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法，其特征在于，l1为100
‑
300μm。5.根据权利要求4所述的碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法，其特征在于，
ɵ
1、
ɵ
2均为10
‑
30
°
。6.根据权利要求5所述的碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法，其特征在于，
ɵ
1、
ɵ
2均为20
°
。7.根据权利要求1所述的碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法，其特征在于，在轮廓仪下测试抛光片边缘的倒角参数l1、l2、l3、l4、
ɵ
1、
ɵ
2。8.根据权利要求1所述的碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法，其特征在于，抛光的时间t为1
‑
5h。

技术总结
本发明属于半导体材料加工技术领域，公开了一种碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法；具体是先对待测定抛光片的碳面和硅面分别进行边缘倒角处理；分别测量硅面和碳面的倒角边缘，得到硅面和碳面的面幅长度及角度参数，之后分别对硅面和碳面进行抛光，记录抛光时长，再次测量硅面和碳面的面幅长度；并计算硅面和碳面的厚度减少量；通过厚度减少量计算硅面和碳面的抛光速率；本发明可以分别监控硅面及碳面的抛光速率，精确度高，抛光片表面的损伤减小，不增加任何成本和工序，成本低，简单方便，适用于批量生产。适用于批量生产。适用于批量生产。


技术研发人员：赵丽霞 杨牧轩 李斌 李鹏 原帅武 牛玉龙 张峰 靳霄曦
受保护的技术使用者：山西烁科晶体有限公司
技术研发日：2021.08.10
技术公布日：2021/11/4