电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体的制作方法

1.本发明涉及电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体。


背景技术：

2.以往，已知在电波吸收体用电阻覆膜中使用合金来实现使电波吸收体表面的阻抗与空气的特性阻抗匹配的阻抗匹配的技术。
3.例如，在专利文献1中提出了一种λ/4型电波吸收体用电阻覆膜，所述λ/4型电波吸收体用电阻覆膜包含含有5重量％以上的钼的合金。在该λ/4型电波吸收体用电阻覆膜中，通过调节合金的镍含量和铬含量，以5nm～6nm的膜厚将表面电阻值调节至规定的范围内。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2018
‑
56562号公报


技术实现要素：

7.发明所要解决的问题
8.在专利文献1中测定了25℃下的电阻覆膜的表面电阻值随时间的变化。另一方面，在专利文献1中未评价暴露在高温环境(例如，80℃的环境)中时的电阻覆膜的表面电阻值随时间的变化。
9.鉴于这样的情况，本发明提供一种新型的电波吸收体用阻抗匹配膜，其在暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，有利于抑制薄层电阻的变化。
10.用于解决问题的手段
11.本发明提供一种电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述电波吸收体用阻抗匹配膜包含金属元素和非金属元素，并且
12.具有10nm～200nm的厚度，
13.具有200ω/
□
以上的薄层电阻，并且
14.氧原子的以原子数为基准的含有率小于50％。
15.另外，本发明提供一种带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜，其中，所述带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜具有：
16.基材、和
17.上述电波吸收体用阻抗匹配膜。
18.另外，本发明提供一种电波吸收体，其中，所述电波吸收体具有：
19.上述电波吸收体用阻抗匹配膜；
20.反射电波的导电体；和
21.电介质层，所述电介质层在上述电波吸收体用阻抗匹配膜的厚度方向上配置在上
述电波吸收体用阻抗匹配膜与上述导电体之间。
22.另外，本发明提供一种电波吸收体用层叠体，其中，所述电波吸收体用层叠体具有：
23.上述电波吸收体用阻抗匹配膜；和
24.电介质层，所述电介质层配置成在上述电波吸收体用阻抗匹配膜的厚度方向上与上述电波吸收体用阻抗匹配膜接触。
25.发明效果
26.上述电波吸收体用阻抗匹配膜在暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，有利于抑制薄层电阻的变化。
附图说明
27.图1为表示本发明的电波吸收体用阻抗匹配膜的一例的剖视图。
28.图2a为表示本发明的电波吸收体的一例的剖视图。
29.图2b为表示图2a所示的电波吸收体的变形例的剖视图。
30.图2c为表示图2a所示的电波吸收体的另一变形例的剖视图。
31.图3为表示本发明的电波吸收体的另一例的剖视图。
32.图4a为表示本发明的电波吸收体的另一例的剖视图。
33.图4b为表示本发明的电波吸收体用层叠体的一例的剖视图。
34.图5a为表示本发明的电波吸收体的另一例的剖视图。
35.图5b为表示本发明的电波吸收体用层叠体的另一例的剖视图。
具体实施方式
36.参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，本发明不限于以下的实施方式。
37.如图1所示，电波吸收体用阻抗匹配膜10例如通过带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜15来提供。电波吸收体用阻抗匹配膜10为电阻覆膜。带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜15具有基材22和电波吸收体用阻抗匹配膜10。电波吸收体用阻抗匹配膜10例如形成在基材22的一个主面上。
38.阻抗匹配膜10包含金属元素和非金属元素。而且，阻抗匹配膜10具有10nm～200nm的厚度，并且具有200ω/
□
以上的薄层电阻。此外，阻抗匹配膜10的以原子数为基准的氧原子的含有率小于50％。因此，氧化铟锡(ito)膜不包括在阻抗匹配膜10中。需要说明的是，在本说明书中，硅、锗、砷、锑、碲等准金属元素视为非金属元素。阻抗匹配膜10例如为调节成从其前表面预期的阻抗与平面波的特性阻抗相等的电阻覆膜。
39.由于阻抗匹配膜10具有10nm～200nm的厚度，因此在暴露在高温环境(例如，80℃)中时，从阻抗匹配的观点考虑，容易保持所期望的薄层电阻。这是因为，即使在高温环境下阻抗匹配膜的表面附近变质，变质的部分在阻抗匹配膜10中所占的体积也小。另一方面，在专利文献1中记载的λ/4型电波吸收体用电阻覆膜例如具有5nm～6nm的膜厚。由于该电阻覆膜薄，因此当在高温环境下电阻覆膜的表面附近变质时，变质的部分在电阻覆膜所占的体积大，对用于阻抗匹配的电阻覆膜的特性的影响大。因此，难以说专利文献1中记载的技术
在暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，有利于抑制电阻覆膜的薄层电阻的变化。
40.阻抗匹配膜10的厚度可以为11nm以上，可以为13nm以上，也可以为15nm以上。
41.阻抗匹配膜10的厚度为200nm以下。由此，能够抑制阻抗匹配膜10的翘曲，在阻抗匹配膜10中不易产生裂纹。阻抗匹配膜10的厚度可以为180nm以下，可以为160nm以下，也可以为150nm以下。
42.由于阻抗匹配膜10具有200ω/
□
以上的薄层电阻，因此使用阻抗匹配膜10提供的电波吸收体容易发挥所期望的电波吸收性能。
43.阻抗匹配膜10的薄层电阻可以为220ω/
□
以上，可以为250ω/
□
以上，也可以为280ω/
□
以上。
44.阻抗匹配膜10的薄层电阻的上限不限于特定的值。阻抗匹配膜10的薄层电阻可以根据电波吸收体的其它结构的特性而变化。在电波吸收体的一例中，阻抗匹配膜10的薄层电阻例如为600ω/
□
以下。阻抗匹配膜10的薄层电阻可以为580ω/
□
以下，可以为550ω/
□
以下，也可以为520ω/
□
以下。例如，在电波吸收体不包含介质损耗材料和磁性损耗材料等损耗材料的情况下，可以将阻抗匹配膜10的薄层电阻的上限调节至这样的范围内。在电波吸收体的另一例中，阻抗匹配膜10的薄层电阻例如为10mω(兆欧)/
□
以下，可以为8mω/
□
以下，可以为5mω/
□
以下，也可以为3mω/
□
以下。例如，在电波吸收体包含介质损耗材料或磁性损耗材料等损耗材料的情况下，可以将阻抗匹配膜10的薄层电阻的上限调节至这样的范围内。
45.阻抗匹配膜10例如具有0.40
×
10
‑3ω
·
cm以上的电阻率。由此，阻抗匹配膜10具有10nm～200nm的厚度，并且从阻抗匹配的观点考虑，容易具有所期望的薄层电阻。
46.阻抗匹配膜10的电阻率可以为0.44
×
10
‑3ω
·
cm以上，可以为0.50
×
10
‑3ω
·
cm以上，也可以为0.56
×
10
‑3ω
·
cm以上。
47.阻抗匹配膜10的电阻率的上限不限于特定的值。阻抗匹配膜10的电阻率可以根据电波吸收体的其它结构的特性而变化。在电波吸收体的一例中，阻抗匹配膜10的电阻率例如为8.0
×
10
‑3ω
·
cm以下。阻抗匹配膜10的电阻率可以为7.7
×
10
‑3ω
·
cm以下，可以为7.3
×
10
‑3ω
·
cm以下，也可以为7
×
10
‑3ω
·
cm以下。例如，在电波吸收体不包含介质损耗材料和磁性损耗材料等损耗材料的情况下，可以将阻抗匹配膜10的薄层电阻的上限调节至这样的范围内。在电波吸收体的另一例中，阻抗匹配膜10的电阻率例如为150ω
·
cm以下，可以为100ω
·
cm以下，可以为80ω
·
cm以下，也可以为50ω
·
cm以下。例如，在电波吸收体包含介质损耗材料或磁性损耗材料等损耗材料的情况下，可以将阻抗匹配膜10的薄层电阻的上限调节至这样的范围内。
48.在阻抗匹配膜10中，根据下式(1)确定的薄层电阻变化率cs例如为30％以下。在式(1)中，ri[ω/
□
]为阻抗匹配膜10的初始的薄层电阻，rt[ω/
□
]为将阻抗匹配膜10在环境温度80℃下保持24小时后的阻抗匹配膜10的薄层电阻。在阻抗匹配膜10中，如果薄层电阻变化率cs为30％以下，则即使电波吸收体暴露在高温环境中，也容易保持其电波吸收性能。最优选薄层电阻变化率cs为0％。
[0049]
cs[％]＝100
×
|rt
‑
ri|/ri
ꢀꢀꢀꢀ
式(1)
[0050]
阻抗匹配膜10中的薄层电阻变化率cs可以为28％以下，可以为25％以下，可以为23％以下。
[0051]
只要阻抗匹配膜10具有10nm～200nm的厚度并且具有200ω/
□
以上的薄层电阻，则阻抗匹配膜10中所含的非金属元素不限于特定的元素。阻抗匹配膜10中所含的非金属元素例如为选自由b、c、n、o、f、si、s和ge构成的组中的至少一种元素。在此情况下，在阻抗匹配膜10暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，容易更可靠地保持所期望的薄层电阻。
[0052]
只要阻抗匹配膜10具有10nm～200nm的厚度并且200ω/
□
以上的薄层电阻，则阻抗匹配膜10中所含的金属元素不限于特定的元素。阻抗匹配膜10中所含的金属元素例如为选自由ni、cr、ti、w、mo、cu、al、sn、pd、ta、rh、au、mg、fe、mn、co和v构成的组中的至少一种元素。在此情况下，在阻抗匹配膜10暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，容易更可靠地保持所期望的薄层电阻。
[0053]
阻抗匹配膜10中所含的金属元素可以为选自由ni、cr、mo和ti构成的组中的至少一种元素。在此情况下，在阻抗匹配膜10暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，容易更可靠地保持所期望的薄层电阻。
[0054]
阻抗匹配膜10中所含的金属元素的以原子数为基准的含有率不限于特定的值。其含有率大于0％，可以为5％以上，可以为10％以上，可以为15％以上，也可以为20％以上。阻抗匹配膜10中所含的金属元素的以原子数为基准的含有率例如为90％以下，可以为85％以下，可以为80％以下，可以为75％以下，也可以为70％以下。
[0055]
在阻抗匹配膜10中所含的金属元素包含选自由ni、cr、mo和ti构成的组中的至少一种元素的情况下，ni、cr、mo和ti的以原子数为基准的含有率的合计例如为10％以上。在此情况下，在阻抗匹配膜10暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，容易更可靠地保持所期望的薄层电阻。
[0056]
在阻抗匹配膜10中，ni、cr、mo和ti的以原子数为基准的含有率的合计可以为11％以上，可以为13％以上，也可以为15％以上。在阻抗匹配膜10中，ni、cr、mo和ti的以原子数为基准的含有率的合计例如为90％以下，可以为85％以下，可以为80％以下，可以为75％以下，也可以为70％以下。
[0057]
基材22例如发挥作为支撑阻抗匹配膜10的支撑体的作用。阻抗匹配膜10例如通过使用规定的靶材的溅射而形成在基材22的一个主面上。在此情况下，例如使用包含金属元素和非金属元素的规定的靶材。除了靶材的组成以外，还可以通过调节在溅射中氧气等活性气体的体积流量相对于供给到基材22的周围的气体的体积流量的之比等规定的条件，能够以氧原子的以原子数为基准的含有率小于50％的方式形成阻抗匹配膜10。阻抗匹配膜10可以根据情况使用离子镀或涂布(例如，棒涂)等方法进行成膜。
[0058]
如图2a所示，能够使用阻抗匹配膜10提供电波吸收体1a。电波吸收体1a具有阻抗匹配膜10、导电体30和电介质层20。导电体30反射电波。电介质层20在阻抗匹配膜10的厚度方向上配置在阻抗匹配膜10与导电体30之间。
[0059]
电波吸收体1a例如为λ/4型电波吸收体。将电波吸收体1a设计成：当作为吸收对象的波长λ0的电波入射到电波吸收体1a时，由阻抗匹配膜10的表面的反射(表面反射)产生的电波与由导电体30的反射(背面反射)产生的电波发生干涉。在λ/4型电波吸收体中，如下式(2)所示，利用电介质层的厚度t和电介质层的相对介电常数ε
r
确定吸收对象的电波的波长λ0。即，通过适当调节电介质层的相对介电常数和厚度，能够设定吸收对象的波长的电波。
在式(2)中，sqrt(ε
r
)表示相对介电常数ε
r
的平方根。
[0060]
λ0＝4t
×
sqrt(ε
r
)
ꢀꢀꢀꢀ
式(2)
[0061]
通过电波吸收体1a具有上述阻抗匹配膜10，即使在电波吸收体1a暴露在高温环境中时，也容易保持所期望的电波吸收性能。
[0062]
在电波吸收体的设计中确定阻抗匹配膜10的薄层电阻，以使得例如使用传输理论从阻抗匹配膜10的前表面预期的阻抗与平面波的特性阻抗相等。在电波吸收体中，阻抗匹配膜10所要求的薄层电阻可以根据入射到电波吸收体的电波的假定的入射角度而改变。
[0063]
导电体30只要能够反射吸收对象的电波，则没有特别限制，具有规定的导电性。如图2a所示，导电体30例如形成为层状。在此情况下，导电体30具有比阻抗匹配膜10的薄层电阻低的薄层电阻。导电体30可以具有除层状以外的形状。
[0064]
导电体30例如含有氧化铟锡。在此情况下，导电体30容易具有高透明性。
[0065]
导电体30的氧化铟锡中的氧化锡的含量例如为5质量％～15质量％。在此情况下，可以通过退火处理利用稳定的多晶态的氧化铟锡形成导电体30。结果，在将电波吸收体1a长期暴露在高温环境中时，容易更可靠地发挥所期望的电波吸收性能。
[0066]
导电体30可以含有选自由铝、铜、铁、铝合金、铜合金和铁合金构成的组中的至少一种。在此情况下，容易在降低导电体30的厚度的同时实现所期望的导电性。
[0067]
导电体30的厚度不限于特定的厚度。例如，在导电体30为氧化铟锡的情况下，导电体30例如具有20nm～200nm的厚度，优选具有50nm～150nm的厚度。由此，电波吸收体1a能够发挥所期望的电波吸收性能，并且在导电体30中不易产生裂纹。
[0068]
在导电体30为选自由铝、铜、铁、铝合金、铜合金、铁合金构成的组中的至少一种的情况下，导电体30例如具有30nm～100μm的厚度，优选具有50nm～50μm的厚度。
[0069]
电介质层20例如具有2.0～20.0的相对介电常数。在此情况下，容易调节电介质层20的厚度，容易调节电波吸收体1a的电波吸收性能。电介质层20的相对介电常数例如是根据空腔谐振法测定的10ghz下的相对介电常数。
[0070]
电介质层20例如由规定的聚合物形成。电介质层20例如包含选自由乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类树脂(
アクリル
樹脂)、丙烯酸类聚氨酯树脂(
アクリルウレタン
樹脂)、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺和环烯烃聚合物构成的组中的至少一种聚合物。在此情况下，容易调节电介质层20的厚度，并且能够保持低电波吸收体1a的制造成本。电介质层20例如可以通过对规定的树脂组合物进行热压来制作。
[0071]
电介质层20可以形成为单一的层，也可以通过由相同或不同的材料形成的多个层形成。在电介质层20具有n个层(n为2以上的整数)的情况下，电介质层20的相对介电常数例如以以下的方式确定。测定各层的相对介电常数ε
i
(i为1～n的整数)。接着，将测定的各层的相对介电常数ε
i
乘以该层的厚度t
i
相对于电介质层20的整体t的厚度的比例，从而求出ε
i
×
(t
i
/t)。通过将所有层的ε
i
×
(t
i
/t)相加，能够确定电介质层20的相对介电常数。
[0072]
如图2a所示，电介质层20例如具有第一层21、第二层22和第三层23。第一层21配置在第二层22与第三层23之间。第一层21例如包含选自由乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类树脂、丙烯酸类聚氨酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺和环烯烃聚合物构成的组中的至
少一种聚合物。
[0073]
在电波吸收体1a中，第二层22兼用作阻抗匹配膜10的基材。第二层22例如配置在比阻抗匹配膜10更靠近导电体30的位置。如图2b所示，第二层22可以配置在比阻抗匹配膜10更远离导电体30的位置。在此情况下，通过第一层21和第三层23构成电介质层20。在此情况下，通过第二层22保护阻抗匹配膜10和电介质层20，电波吸收体1a具有高耐久性。在此情况下，例如，阻抗匹配膜10可以与第一层21接触。第二层22例如还起到作为用于高精度地调节阻抗匹配膜10的厚度的辅助材料的作用。第二层22的材料例如为聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、丙烯酸类树脂(pmma)、聚碳酸酯(pc)、聚酰亚胺(pi)或环烯烃聚合物(cop)。其中，从良好的耐热性、尺寸稳定性与制造成本的平衡的观点考虑，第二层22的材料优选为pet。
[0074]
基材22例如具有10μm～150μm的厚度，优选具有15μm～100μm的厚度。由此，基材22的弯曲刚性低，并且在形成阻抗匹配膜10的情况下，能够抑制基材22中的褶皱的产生或变形。
[0075]
在电波吸收体1a中，第三层23例如支撑层状的导电体30。在此情况下，层状的导电体30例如为金属箔或合金箔。层状的导电体30例如可以通过使用溅射、离子镀或涂布(例如，棒涂)等方法在第三层23上进行成膜来制作。第三层23例如配置在电波吸收体1a中的比层状的导电体30更靠近阻抗匹配膜10的位置，构成电介质层20的一部分。需要说明的是，如图2c所示，第三层23可以配置在比层状的导电体30更远离阻抗匹配膜10的位置。在此情况下，例如层状的导电体30与第一层21接触。
[0076]
作为第三层23的材料，例如可以使用作为第二层22的材料而例示的材料。第三层23的材料可以与第二层22的材料相同，也可以不同。从良好的耐热性、尺寸稳定性与制造成本的平衡的观点考虑，第三层23的材料优选为pet。
[0077]
第三层23例如具有10μm～150μm的厚度，优选具有15μm～100μm的厚度。由此，在第三层23的弯曲刚性低，并且在形成层状的导电体30的情况下，能够抑制第三层23中的褶皱的产生或变形。需要说明的是，第三层23可以根据情况省略。
[0078]
第一层21可以由多个层构成。特别是，如图2b或图2c所示，在第一层21与阻抗匹配膜10和层状的导电体30中的至少一者接触的情况下，第一层21可以由多个层构成。
[0079]
第一层21可以具有粘合性，也可以不具有粘合性。在第一层21具有粘合性的情况下，可以将粘合层配置成与第一层21的两主面中的至少一者接触，也可以不将粘合层配置成与该两主面接触。在第一层21不具有粘合性的情况下，优选将粘合层配置成与第一层21的两主面接触。需要说明的是，在电介质层20包含第二层22的情况下，即使第二层22不具有粘合性，也可以不将粘合层配置成与第二层22的两主面接触。在此情况下，可以将粘合层配置成与第二层22的一个主面接触。在电介质层20包含第三层23的情况下，即使第三层23不具有粘合性，也可以不将粘合层配置成与第三层23的两主面接触。可以将粘合层配置成与第三层23的至少一个主面接触。
[0080]
将电波吸收体1a设计成吸收所期望的波长的电波。对电波吸收体1a能够吸收的电波的种类没有特别限制。电波吸收体1a能够吸收的电波例如可以是特定频带的毫米波或亚毫米波。
[0081]
电波吸收体1a可以包含介质损耗材料和磁性损耗材料中的至少一种。换言之，电
波吸收体1a可以为介质损耗型的电波吸收体，也可以为磁性损耗型的电波吸收体。在此情况下，阻抗匹配膜10所要求的薄层电阻容易变高。电介质层20可以包含介质损耗材料和磁性损耗材料中的至少一种。另外，形成阻抗匹配膜10的材料可以为磁体。
[0082]
电波吸收体1a可以根据各种观点而改变。例如，电波吸收体1a可以如图3所示的电波吸收体1b、图4a所示的电波吸收体1c或图5a所示的电波吸收体1d的那样改变。除了特别说明的部分以外，电波吸收体1b、1c和1d与电波吸收体1a同样地构成。对与电波吸收体1a的构成要素相同或对应的电波吸收体1b、1c和1d的构成要素标注相同的符号，并省略详细的说明。关于电波吸收体1a的说明，只要在技术上不矛盾，也适用于电波吸收体1b、1c和1d。
[0083]
如图3所示，电波吸收体1b还具有粘合层40a。在电波吸收体1b中，导电体30配置在电介质层20与粘合层40a之间。
[0084]
例如，通过使粘合层40a与规定的物品接触并将电波吸收体1b按压在物品上，能够将电波吸收体1b粘贴在物品上。由此，能够得到带有电波吸收体的物品。
[0085]
粘合层40a例如含有橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂或氨基甲酸酯类粘合剂。电波吸收体1b还可以具有隔膜(省略图示)。在此情况下，隔膜覆盖粘合层40a。隔膜典型地是在覆盖粘合层40a时能够保持粘合层40a的粘合力并且能够容易地从粘合层40a上剥离的膜。隔膜例如为pet等聚酯树脂制的膜。通过剥离隔膜，露出粘合层40a，能够将电波吸收体1b粘贴在物品上。
[0086]
在电波吸收体中，电介质层20可以对导电体30具有粘合性。例如，如图4a所示，在电波吸收体1c中，电介质层20具有包含粘合层40b的多个层。粘合层40b与导电体30接触。粘合层40b例如含有橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂或氨基甲酸酯类粘合剂。粘合层40b例如配置在第一层21与导电体30之间。
[0087]
如图4a所示，电介质层20还具有粘合层40c。粘合层40c例如与第二层22接触。可以改变电波吸收体1c，以使得粘合层40c与阻抗匹配膜10接触。粘合层40c例如含有橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂或氨基甲酸酯类粘合剂。粘合层40c例如配置在第一层21与第二层22之间。
[0088]
电波吸收体1c例如可以使用如图4b所示的电波吸收体用层叠体50a来制作。电波吸收体用层叠体50a具有阻抗匹配膜10和电介质层20。电介质层20配置成在阻抗匹配膜10的厚度方向上与阻抗匹配膜10接触。
[0089]
根据电波吸收体用层叠体50a，电介质层20例如在远离阻抗匹配膜10的主面上具有粘合性。在此情况下，例如通过使电介质层20与导电体30接触，并将电波吸收体用层叠体50a按压在导电体30上，能够将电波吸收体用层叠体50a粘贴在导电体30上，从而制作电波吸收体1c。
[0090]
如图4b所示，在电波吸收体用层叠体50a中，电介质层20例如具有包含粘合层40b的多个层。将粘合层40b配置成在构成电介质层20的多个层中最远离阻抗匹配膜10。
[0091]
电波吸收体用层叠体50a还可以具有隔膜(省略图示)。在此情况下，隔膜覆盖粘合层40b。隔膜典型地为如下的膜：在覆盖粘合层40b时能够保持粘合层40b的粘合力并且能够容易地从粘合层40b上剥离。隔膜例如为pet等聚酯树脂制的膜。通过剥离隔膜，露出粘合层40b，能够将电波吸收体用层叠体50a粘贴在导电体30上。
[0092]
如图5a所示，在电波吸收体1d中，第一层21与导电体30接触。第一层21例如对导电
体30具有粘合性。第一层21例如与第二层22接触。第一层21例如对第二层22具有粘合性。可以改变电波吸收体1d，以使得第一层21与阻抗匹配膜10接触。在此情况下，第一层21例如对阻抗匹配膜10具有粘合性。
[0093]
电波吸收体1d例如可以使用如图5b所示的电波吸收体用层叠体50b来制作。电波吸收体用层叠体50b具有阻抗匹配膜10和电介质层20。电介质层20配置成在阻抗匹配膜10的厚度方向上与阻抗匹配膜10接触。
[0094]
在电波吸收体用层叠体50b中，电介质层20在远离阻抗匹配膜10的主面上具有粘合性。例如，第一层21具有粘合性。例如，通过使第一层21与导电体30接触，并将电波吸收体用层叠体50b按压在导电体30上，能够将电波吸收体用层叠体50b粘贴在导电体30上来制作电波吸收体1d。
[0095]
电波吸收体用层叠体50b还可以具有隔膜(省略图示)。在此情况下，隔膜覆盖电介质层20的应该与导电体30接触的面。隔膜典型地为如下的膜：当覆盖电介质层20的应该与导电体30接触的面时，能够保持电介质层20的应该与导电体30接触的面的粘合力、并且能够容易地从电介质层20上剥离。隔膜例如为pet等聚酯树脂制的膜。通过剥离隔膜而露出电介质层20的应该与导电体30接触的面，能够将电波吸收体用层叠体50b粘贴在导电体30上。
[0096]
只要电波吸收体用层叠体具有阻抗匹配膜10和电介质层20并且电介质层20配置成在阻抗匹配膜10的厚度方向上与阻抗匹配膜10接触，则不限于特定的构成。
[0097]
[实施例]
[0098]
以下，通过实施例对本发明更详细地进行说明。但是，本发明不限于以下的实施例。首先，对关于实施例和比较例的评价方法进行说明。
[0099]
[x射线衍射]
[0100]
使用x射线衍射装置(日本理学株式会社制造，产品名：rint2200)、通过x射线反射率法测定各实施例和比较例的带有阻抗匹配膜的膜的阻抗匹配膜的厚度。将结果示于表1。
[0101]
[tem
‑
edx]
[0102]
使用聚焦离子束(fib)加工观察装置(日立高新技术株式会社制造，fb
‑
2200)、通过fib微采样法由实施例和比较例的阻抗匹配膜制作tem
‑
edx用的试样。试样的厚度为80nm。使用tem
‑
edx装置对试样的截面的特定区域进行edx，调查各元素的以原子数为基准的含有率。将结果示于表1中。tem
‑
edx装置通过将tem(日本电子株式会社制造，产品名：jem
‑
2800)和edx装置(赛默飞世尔科技公司制造，产品名：noran system 7)组合而构成。进行edx的区域为在阻抗匹配膜的厚度方向上的中央的位置处、在相对于厚度方向垂直的方向上具有400nm的长度的区域。
[0103]
[电阻率]
[0104]
使用非接触式电阻测定装置(napson公司制造，产品名：nc
‑
80map)，根据jis z 2316，通过涡电流测定法测定各实施例和比较例的阻抗匹配膜的初始的薄层电阻ri[ω/
□
]。在各实施例和比较例中，由如上所述测定的阻抗匹配膜的厚度和如上所述测定的阻抗匹配膜的初始的薄层电阻ri[ω/
□
]求出两者的积，由此确定电阻率。将结果示于表1中。
[0105]
[加热试验]
[0106]
将各实施例和比较例的带有阻抗匹配膜的膜暴露在80℃的环境中24小时。然后，使用非接触式电阻测定装置(napson公司制造，产品名：nc
‑
80map)，根据jis z 2316，通过
涡电流测定法测定各实施例和比较例的阻抗匹配膜的加热试验后的薄层电阻rt[ω/
□
]。由该测定结果和如上所述测定的阻抗匹配膜的初始的薄层电阻ri[ω/
□
]，基于上式(1)，求出各实施例的阻抗匹配膜的薄层电阻变化率cs。将结果示于表1中。
[0107]
[电波吸收性能]
[0108]
以jis r 1679：2007为参考，使60ghz～90ghz的频率的电波以0
°
的入射角度入射到固定在样品架上的各实施例和各比较例的样品上，使用安立公司制造的矢量网络分析仪确定各频率下的反射衰减量。反射衰减量为根据下式(3)计算出的值的绝对值|s|。在式(3)中，p0为使电波以规定的入射角度入射到测定对象的情况下的发送电波的功率，p
i
为该情况下的接收电波的功率。需要说明的是，代替各实施例和各比较例的样品，将铝制的板材固定在样品架上，将使电波垂直地入射到该板材上的情况下的反射衰减量|s|视为0db，作为各样品的反射衰减量|s|的基准使用。该板材具有30cm见方的面尺寸，该板材的厚度为5mm。对各样品确定反射衰减量|s|的最大值、表示该最大值的频率(吸收峰频率)。将结果示于表2中。如果反射衰减量|s|的最大值为10db以上，则可以评价为具有良好的电波吸收性能。
[0109]
s[db]＝10
×
log|p
i
/p0|
ꢀꢀꢀꢀ
式(3)
[0110]
＜实施例1＞
[0111]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用含有cr(铬)、ti(钛)和o(氧)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气的同时进行溅射，从而形成了实施例1的阻抗匹配膜。以这样的方式得到了实施例1的带有阻抗匹配膜的膜。
[0112]
将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸类树脂成型为560μm的厚度，从而得到了丙烯酸类树脂层。将实施例1的带有阻抗匹配膜的膜重叠在丙烯酸类树脂层上，以使得实施例1的带有阻抗匹配膜的膜的阻抗匹配膜与丙烯酸类树脂层接触。接着，得到了在7μm的厚度的al(铝)膜的双面上形成有pet层的带有反射体的膜。在该带有反射体的膜中，形成在铝膜的一个主面上的pet层的厚度为25μm，形成在铝膜的另一个主面上的pet层的厚度为9μm。将带有反射体的膜重叠在丙烯酸类树脂层上，以使得带有反射体的膜中的25μm的厚度的pet层与丙烯酸类树脂层接触。以这样的方式得到了实施例1的样品。
[0113]
＜实施例2＞
[0114]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含cr(铬)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气和氮气的同时进行溅射，从而形成了实施例2的阻抗匹配膜。以这样的方式得到了实施例2的带有阻抗匹配膜的膜。可以认为，由于在溅射中少量进入腔室内的残留氧气的影响，因此在实施例2的阻抗匹配膜中检测到氧。
[0115]
除了使用实施例2的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了实施例2的样品。
[0116]
＜实施例3＞
[0117]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含hastelloy c
‑
276的靶材，在向pet膜的周围供给氩气和氮气的同时进行溅射，从而形成了实施例3的阻抗匹配膜。以这样的方式得到了实施例3的带有阻抗匹配膜的膜。hastelloy为海因斯国际公司的注册商标。可以认为，由于在溅射中少量进入腔室内的残留氧气的影响，因此在实施例3的阻抗匹配膜中检测到氧。
[0118]
除了使用实施例3的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了实施例3的样品。
[0119]
＜实施例4＞
[0120]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含cu(铜)、ni(镍)和si(硅)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气的同时进行溅射，从而形成了实施例4的阻抗匹配膜。
[0121]
除了使用实施例4的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了实施例4的样品。
[0122]
＜实施例5＞
[0123]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含cu(铜)、ni(镍)和si(硅)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气的同时进行溅射，从而形成了实施例5的阻抗匹配膜。
[0124]
除了使用实施例5的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了实施例5的样品。
[0125]
＜实施例6＞
[0126]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含cu(铜)、ti(钛)和si(硅)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气的同时进行溅射，从而形成了实施例6的阻抗匹配膜。
[0127]
除了使用实施例6的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了实施例6的样品。
[0128]
＜实施例7＞
[0129]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含cu(铜)、ti(钛)和si(硅)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气的同时进行溅射，从而形成了实施例7的阻抗匹配膜。
[0130]
除了使用实施例7的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了实施例7的样品。
[0131]
＜实施例8＞
[0132]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含ti(钛)和mo(钼)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气和氮气的同时进行溅射，从而形成了实施例8的阻抗匹配膜。可以认为，由于在溅射中少量进入腔室内的残留氧气的影响，因此在实施例8的阻抗匹配膜中检测到氧。
[0133]
除了使用实施例8的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了实施例8的样品。
[0134]
＜实施例9＞
[0135]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含ti(钛)和mo(钼)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气和氮气的同时进行溅射，从而形成了实施例9的阻抗匹配膜。可以认为，由于在溅射中少量进入腔室内的残留氧气的影响，因此在实施例9的阻抗匹配膜中检测到氧。
[0136]
除了使用实施例9的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了实施例9的样品。
[0137]
＜实施例10＞
[0138]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含ti(钛)和mo(钼)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气和氮气的同时进行溅射，从而形成了实施例10的阻抗匹配膜。可以认为，由于在溅射中少量进入腔室内的残留氧气的影响，因此在实施例10的阻抗匹配膜中检测到氧。
[0139]
除了使用实施例10的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了实施例10的样品。
[0140]
＜比较例1＞
[0141]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用含有fe(铁)、cr(铬)和ni(镍)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气的同时进行溅射，从而形成了比较例1的阻抗匹配膜。以这样的方式，得到了比较例1的带有阻抗匹配膜的膜。
[0142]
除了使用比较例1的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了比较例1的样品。
[0143]
＜比较例2＞
[0144]
在具有23μm的厚度的pet膜上，使用包含ti(钛)和mo(钼)的靶材，在向pet膜的周围供给氩气的同时进行溅射，从而形成了比较例2的阻抗匹配膜。可以认为，由于在溅射中少量进入腔室内的残留氮气和残留氧气的影响，在比较例2的阻抗匹配膜中检测出氮和氧。
[0145]
除了使用比较例2的阻抗匹配膜代替实施例1的阻抗匹配膜以外，与实施例1同样地操作，制作了比较例2的样品。
[0146]
如表1所示，实施例1～10的阻抗匹配膜的薄层电阻变化率cs为20％以下。与此相对，比较例1和2的阻抗匹配膜的薄层电阻变化率cs分别为63％和59％。实施例1～10的阻抗匹配膜的薄层电阻表明了即使阻抗匹配膜暴露在高温环境中也不易变化。
[0147]
如表2所示，实施例1～10的样品发挥了良好的电波吸收性能。
[0148][0149]
表2
[0150]