技术特征:
1.一种电波吸收体用阻抗匹配膜,其中,所述电波吸收体用阻抗匹配膜包含金属元素和非金属元素,并且具有10nm~200nm的厚度,具有200ω/
□
以上的薄层电阻,并且氧原子的以原子数为基准的含有率小于50%。2.如权利要求1所述的电波吸收体用阻抗匹配膜,其中,所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有0.4
×
10
‑3ω
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cm以上的电阻率。3.如权利要求1或2所述的电波吸收体用阻抗匹配膜,其中,所述非金属元素为选自由b、c、n、o、f、si、s和ge构成的组中的至少一种元素。4.如权利要求1~3中任一项所述的电波吸收体用阻抗匹配膜,其中,所述金属元素为选自由ni、cr、ti、w、mo、cu、al、sn、pd、ta、rh、au、mg、fe、mn、co和v构成的组中的至少一种元素。5.如权利要求1~4中任一项所述的电波吸收体用阻抗匹配膜,其中,所述金属元素为选自由ni、cr、mo和ti构成的组中的至少一种元素。6.如权利要求5所述的电波吸收体用阻抗匹配膜,其中,ni、cr、mo和ti的以原子数为基准的含有率的合计为10%以上。7.如权利要求1~6中任一项所述的电波吸收体用阻抗匹配膜,其中,所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有600ω/
□
以下的薄层电阻。8.如权利要求1~7中任一项所述的电波吸收体用阻抗匹配膜,其中,所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有8.0
×
10
‑3ω
·
cm以下的电阻率。9.一种带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜,其中,所述带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜具有:基材、和权利要求1~8中任一项所述的电波吸收体用阻抗匹配膜。10.一种电波吸收体,其中,所述电波吸收体具有:权利要求1~8中任一项所述的电波吸收体用阻抗匹配膜;反射电波的导电体;和电介质层,所述电介质层在所述电波吸收体用阻抗匹配膜的厚度方向上配置在所述电波吸收体用阻抗匹配膜与所述导电体之间。11.一种电波吸收体用层叠体,其中,所述电波吸收体用层叠体具有:权利要求1~8中任一项所述的电波吸收体用阻抗匹配膜;和电介质层,所述电介质层配置成在所述电波吸收体用阻抗匹配膜的厚度方向上与所述电波吸收体用阻抗匹配膜接触。
技术总结
阻抗匹配膜10包含金属元素和非金属元素。阻抗匹配膜10具有10nm~200nm的厚度。阻抗匹配膜10具有200Ω/
技术研发人员:中西阳介 待永广宣 芝原奖
受保护的技术使用者:日东电工株式会社
技术研发日:2020.03.27
技术公布日:2021/11/4
再多了解一些
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